「V region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A closed space covering a region including a scribe line formed on an upper face of the fragile substrate at the center and having a predetermined width is created, and a pressure in the closed space is reduced to break the fragile substrate by curving it slightly into a reverse V shape.例文帳に追加

脆性基板の上面に形成したスクライブラインに対し、そのスクライブラインを中央に含むようにして所定幅の領域を覆う閉空間を作り、その閉空間を減圧することにより、脆性基板を逆Ｖ字状に僅かに湾曲させてブレイクを行う。 - 特許庁

When a vehicle speed V is determined as exceeding a vehicle speed threshold Vth (S2:No), determination results of the occupant condition at a traveling time at not more than a vehicle speed threshold Vth stored in an occupant condition storing region 11c is held, and transmitted to an airbag ECU43 (S9).例文帳に追加

車速Ｖが車速閾値Ｖｔｈを超えていると判別された場合（Ｓ２：Ｎｏ）、乗員状態記憶領域１１ｃにて記憶された車速閾値Ｖｔｈ以下での走行時における乗員状態の判別結果を保持するとともに、エアバッグＥＣＵ４３へ伝送する（Ｓ９）。 - 特許庁

Since each light transmitting/blocking part 4 has a different light transmitting/blocking pattern in a direction perpendicular to a direction A of movement, it is possible to specify a light transmitting/blocking part 4 positioned over the light receiving region 100 on the basis of optical intensity profile data V_Y(m).例文帳に追加

ここで、各光透過／遮断部４は、移動方向Ａに垂直な方向において光の透過／遮断パターンが異なるため、光強度プロファイルデータＶ_Ｙ(ｍ)に基づき、受光領域１００上に位置する光透過／遮断部４を特定することができる。 - 特許庁

Furthermore, as a second component, the positive electrode contains the positive electrode active material having the initial amount of charged electricity of not less than 50 mAh/g in a charging region of less than 4.5 V (vs Li/Li^+), and the positive electrode active material of the second component is 1 to 9 wt% to the total weight of the positive electrode active material.例文帳に追加

正極は、さらに、第２成分として、４．５Ｖ（ｖｓＬｉ／Ｌｉ^＋）未満の充電領域において５０ｍＡｈ／ｇ以上の初期充電電気量を有する正極活物質を含有し、第２成分の正極活物質が、正極活物質合計重量に対して１〜９重量％であることを特徴とする。 - 特許庁

The sipes 2 are so arranged that circumferentially adjacent ones are roughly parallel in the circumferential end region of the block 1 and that paired ones in the substantially V-shape form an angle α of 10° to 45° to each other while forming acute angles θ1 and θ2 of 45° to 85° to the tire circumference.例文帳に追加

サイプ２がブロック１の周方向端部ブロック区域においては周方向隣接間同士で互いに略平行であり、前記人文字または入文字の形状を形成するサイプ同士の挟角αが１０〜４５°で、かつ該サイプのタイヤ周方向に対する鋭角側角度θ_１、θ_２が４５°〜８５°である。 - 特許庁

The exhaust gas system comprises an exhaust gas guide element arranged in a V-region, and a housing 10 encircling exhaust gas outlets in both cylinder trains with air tightness and having at least one of exhaust gas outlet opening portions 16a, 16b.例文帳に追加

排気ガスシステムは、Ｖ領域に配置された排気ガス案内要素を備えるとともに、両方のシリンダ列における排気ガス出口を気密に囲み、かつ少なくとも１つの排気ガス出口開口部１６ａ，１６ｂを有するハウジング１０を備える。 - 特許庁

To provide a mixed positive electrode active material having a plateau potential in 4 V region approximately equal to that of lithium cobaltate and having a large discharge capacity, and enable to obtain a nonaqueous electrolyte secondary battery superior in battery properties, such as the cycle property and a high-temperature property.例文帳に追加

コバルト酸リチウムとほぼ同等の４Ｖ領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい混合正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池を得られるようにする。 - 特許庁

As a result, the moisture exuding from the transistors of the H scanner 14 and the V scanner 16 can be prevented from infiltrating the space in the position of a display region 12 formed by the element substrate 10 and an end-sealing substrate 70 with the sealing material 20.例文帳に追加

これによって、シール材２０を介し、素子基板１０と封止基板７０で形成される表示領域１２の位置の空間にＨスキャナ１４、Ｖスキャナ１６のトランジスタからにじみ出た水分が浸入するのを防止できる。 - 特許庁

To obtain a non-aqueous electrolyte secondary battery that has a plateau potential in the 4 V region nearly equal to a lithium cobaltate battery and has excellent battery characteristics such as cycle characteristics and high temperature characteristics by providing a positive electrode active substance material having a large discharge capacity.例文帳に追加

コバルト酸リチウムとほぼ同等の４Ｖ領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池が得られるようにする。 - 特許庁

An inverter circuit 25 can change the voltage V and frequency f of a driving electric power given to induction motors such as a lowering motor 9 and a knitting-out motor 13 to change the torque and rotation rate of the induction motors in a region including a restrained state.例文帳に追加

インバータ回路２５は、巻下げモータ９および編み出しモータ１３の誘導モータに与える駆動電力の電圧Ｖおよび周波数ｆを変更して、拘束状態を含む領域で誘導モータのトルクおよび回転速度をそれぞれ変更可能である。 - 特許庁

The liquid droplet discharge for discharging the liquid droplets L to a substrate from a liquid droplet discharge head 34 is equipped with a head cooling part 81 for immersing the liquid droplet discharge head 34 in a cooling liquid V provided outside a region where liquid droplets are discharged by the liquid droplet discharge head 34.例文帳に追加

液滴吐出ヘッド３４から基板に対して液滴Ｌを吐出する液滴吐出装置において、液滴吐出ヘッド３４により液滴吐出を行う領域外に液滴吐出ヘッド３４を冷却液Ｖに浸漬するヘッド冷却部８１を備える。 - 特許庁

Furthermore, by calculating the position of center of gravity of the optical relay part 4 to the reference position in the light reception region 100, on the basis of the first light intensity profile data V_X(n), the operation angle of the scale plate can be calculated from the position of center of gravity.例文帳に追加

更に、第１光強度プロファイルデータＶ_Ｘ(ｎ)に基づき、受光領域１００中の基準位置に対する識別された光中継部４の重心位置を算出し、その重心位置からスケール板の動作角度を算出することができる。 - 特許庁

This vehicle sensing system is provided with a decision part 32 for deciding the presence of a vehicle V based on a difference between an input level obtained from a detection part 2 which detects the temperature of a monitoring region A on a road R and a background level based on the temperature level of the road R.例文帳に追加

道路Ｒ上の監視領域Ａの温度を検出する検出部２から得られた入力レベルと、道路Ｒの温度レベルに基づく背景レベルとの差に基づいて車両Ｖの有無の判定を行う判定部３２を備えている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a small parasitic resistance by suppressing a highly increasing of a resistance caused by an influence of a stress generated in a gate recess region, in the field effect transistor using a group III-V nitride semiconductor having a gate recess structure.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

When the temperature of a substrate 11 is within the temperature region (670°C or lower) in which the intermediate reaction of the In raw material and As raw material increases with the rise in the temperature of the substrate 11, a supply ratio of a group V raw material gas and a group III raw material gas is set to 50 or lower.例文帳に追加

基板１１の温度が、Ｉｎ原料とＡｓ原料との中間反応が基板１１の温度上昇に伴って増加する温度領域（６７０℃以下）にある場合には、Ｖ族原料ガスとＩＩＩ族原料ガスとの供給比を５０以下とする。 - 特許庁

Each time when a predetermined time lapses from obtaining the reference values U0 and V0, a comparative image in the same region as the reference image is extracted from the picture to be photographed, U data and V data of the comparative image are detected, and average values thereof, namely, Un and Vn are calculated (step 106).例文帳に追加

基準値Ｕ０、Ｖ０が得られてから所定時間経過毎に、撮影されるべき画面から、基準画像と同じ領域にある比較画像を抽出し、比較画像のＵデータとＶデータを検出するとともに、これらの平均値すなわちＵｎ、Ｖｎを算出する（ステップ１０６）。 - 特許庁

To overcome such a problem that a current value varies for disabling usage if the middle electric field region in the voltage V-current I characteristic diagram of zinc oxide elements is used, when suppressing overcurrent by an energy absorption apparatus where a plurality of zinc oxide elements are con nected in parallel.例文帳に追加

複数の酸化亜鉛素子を並列に接続したエネルギー吸収装置により過電流を抑制する場合、酸化亜鉛素子の電圧Ｖ−電流Ｉ特性図の中電界領域を使用すると、電流値がバラつき使用できない。 - 特許庁

In a semiconductor device having in order a shield layer 2, a channel region, a semiconductor layer 3 constituting source and drain regions, a first insulating layer 4, which is a gate insulating layer, and a gate electrode 5 on an insulative substrate 1, the layer 2 has a silicon oxide film doped with a group V element.例文帳に追加

絶縁性基板１上に順次遮蔽層２、チャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層３、ゲート絶縁層である第１の絶縁層４、ゲート電極５を有する半導体素子において、遮蔽層２がＶ族元素が添加されたシリコン酸化膜を有する。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

Light 15, 16 emitted from the LEDs 8, 9 is guided to a legal area of a vehicle (outside diagonal rear region V) while preventing damping of luminous energy by reciprocally reflecting the light 15, 16 more than once between the reflecting surface 13 and the half mirror processed surface 14.例文帳に追加

ＬＥＤ８，９から発光された光１５，１６を反射面１３とハーフミラー処理面１４との間で１回以上往復反射させることにより、光量の減衰を防止しながらその光を、車両の法規エリア（外側斜め後方領域Ｖ）に導く。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a silicon single crystal wafer which comprises judging an N(V) area and an N(I) area in an N region with ease and accuracy and without spending much time, and to provide a method for producing a silicon single crystal using the method.例文帳に追加

少なくとも、Ｎ領域のＮ（Ｖ）領域とＮ（Ｉ）領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

At operation, by applying a voltage of 0 V to a gate of a transistor(TR) MP0 of the switching circuit 20 and applying a bias voltage VB the same as or slightly lower than the power supply voltage Vdd to the channel region can lower the threshold voltage of the TR MP0 and increase the current drive capability thereof.例文帳に追加

動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_B を印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。 - 特許庁

In this case, when a combination of a presentation for game frequency executed based on winning in the second operation opening 34 and the branching execution mode is continuously executed a specific number of times, a state where the winning in the V winning region is apt to occur is attained.例文帳に追加

この場合に、第２作動口３４への入賞に基づき実行される遊技回用の演出及び分岐実行モードの組合せが特定回数に亘って連続して実行されると、Ｖ入賞用領域への入賞が発生し易い状態となる。 - 特許庁

A target drive force is set by a cruise control system with an accelerator pedal unoperated, and the number of rotations of target input NINT is defined by emphasizing fuel consumption when the set target drive force is in the fourth region, while the number of rotations of target input NINT is defined so as to increase along with vehicle speed V when target drive force is in the third region.例文帳に追加

クルーズコントロールシステムにより、アクセルペダルが操作されずに目標駆動力が設定され、設定された目標駆動力が第４の領域にある場合には、燃費を重視して目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる一方で、目標駆動力が第３の領域にある場合には、車速Ｖと共に増大するように目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる。 - 特許庁

A rotor core 12 includes a first permanent magnet 26 buried in a peripheral region, second permanent magnets 28a, 28b buried on both circumferential sides of the first permanent magnet 26 and arranged in a substantially V-shaped configuration opening outward, and a first region 40 of low permeability opposed to the first permanent magnet 26 radially inward of the second permanent magnets 28a, 28b.例文帳に追加

回転子鉄心１２は、外周側内部に埋設された第１永久磁石２６と、第１永久磁石２６の周方向両側に埋設され外周側へ向かって略Ｖ字状に配置される第２永久磁石２８ａ，２８ｂと、第２永久磁石２８ａ，２８ｂ間の内周側位置で第１永久磁石２６に対向する低透磁率の第１領域４０とを備える。 - 特許庁

The estimation part 34 specifies a pixel column in the three-dimensional medical image V reflected on the projected pixels in the region R of interest, finds the position of the search point wherein a value of an integrated opacity integrated along the pixel column becomes larger than a predetermined threshold in the VR processing, and estimates the position as the three-dimensional position Q of the region R of interest.例文帳に追加

推定部３４では、関心領域Ｒ内の投影画素に反映された３次元医用画像Ｖ中の画素列を特定し、ＶＲ処理時にその画素列に沿って積算された積算不透明度の値が所定の閾値より大きくなった探索点の位置を求め、この位置を関心領域Ｒの３次元的位置Ｑと推定するようにした。 - 特許庁

When a vehicle A performs idle-up operation during the stopping, the number of rotation of an engine reaches a prescribed threshold or more and, further, such a state continues over a prescribed period or more, the hydraulic control device CP operates compression to a V-belt 15 while setting the compression at a prescribed target compression within a high pressure region or a middle pressure region.例文帳に追加

油圧制御装置ＣＰは、車両Ａが停車中にアイドルアップ運転を実施した際にエンジンの回転数が所定の閾値以上に到達し、更にその状態が所定期間以上に亘って継続した状態において、高圧域内あるいは中圧域内の所定の目標挟圧に設定してＶベルト１５に挟圧を作用させる。 - 特許庁

The casing 6 is provided with a classifying casing part 4 dividing the dispersion region V, a classifying casing part 5 dividing the classifying region S and an openable opening and closing means for mutually opening or closing the classifying casing part 4 and the classifying casing part 5 through a casing opening and closing hinge 20 used for a support shaft from the mutual contact parts (flange 32).例文帳に追加

そして、このケーシング６は、分散領域Ｖを画成する分散部ケーシング４と、分級領域Ｓを画成する分級部ケーシング５と、これら分散部ケーシング４および分級部ケーシング５相互を、互いの当接部分（フランジ３２）から支軸となるケーシング開閉ヒンジ２０を介して開閉可能な開閉手段とを備えて構成されている。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

This n-channel MOS transistor includes the gate electrode pattern made of a conductive metal nitride formed on a p-type silicon active region through a gate insulating film, n-type source and drain regions formed on one side of the gate electrode pattern and on the other side respectively in the p-type silicon active region, and the conductive metal oxide contains Si and V group elements.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタは、ｐ型シリコン活性領域上にゲート絶縁膜を介して形成された導電性金属窒化物よりなるゲート電極パターンと、前記ｐ型シリコン活性領域中、前記ゲート電極パターンの一方および他方の側にそれぞれ形成されたｎ型のソースおよびドレイン領域と、を含み、前記導電性金属窒化物は、ＳｉおよびＶ族元素を含む。 - 特許庁

(1) The dislocation concentrated region 24 has a V-shape by forming an inclined plane composed of facet planes 23 on both sides of a bottom which is a dense dislocation region of a stripe-state, becomes a stripe-state by growing the nitride while the inclined plane of the facet planes 23 is maintained so as to concentrate crystal defects, and further becomes various states.例文帳に追加

（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。 - 特許庁

In this car washing machine, a washing body 85 for washing the door mirror mounted region of the vehicle V among the washing bodies provided on rotary brushes of the side brushes is made of a hair material made of synthetic resin, and the washing body 86 for washing side faces of the vehicle being lower than the region is made of flexible felt like a flat plate and maintains its flat state in its freely rotating condition.例文帳に追加

サイドブラシの回転ブラシに設けられる洗浄体のうち車両Ｖのドアミラーが装着される領域を洗浄する洗浄体８５は、合成樹脂製の毛材によりなり、前記領域よりも下方の車両側面を洗浄する洗浄体８６は可撓性を有する平板状のフエルトからなりその自由回転状態で偏平状態を維持する。 - 特許庁

While this V-shaped recovery has clearly demonstrated the potential of the Asian economies, in order to consolidate this remarkable accomplishment and to achieve sustainable economic development, it is essential for the region to reinforce its foundations. Of particular importance is the realization of private-sector-led economic growth supported by productivity increases stemming from private investment.例文帳に追加

このＶ字型回復によってアジア経済の潜在力は明確に示されたわけですが、これまでの成長を確かなものとし持続的な経済発展を達成するためには、アジア経済は、以前にもまして、強固な基盤を備えたものであることが不可欠であり、とりわけ、民間投資による生産性の向上に支えられた民間部門主導による成長を実現していくことが求められます。 - 財務省

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

As a positive electrode active substance, lithium manganate which has dissolution volume of manganese into nonaqueous electrolyte solution of not less than 5% in a lithium manganate standard at a region where electrode potential against metal lithium is not less than 4.8 V, and as a negative electrode active substance, graphite is used which can store and release lithium ion by charging and discharging.例文帳に追加

正極活物質には金属リチウムに対する電極電位が４．８Ｖ以上の領域で、非水電解液中へのマンガンの溶出量がマンガン酸リチウムを基準として５％以上のマンガン酸リチウムが用いられており、負極活物質には充放電によりリチウムイオンを吸蔵、放出可能な黒鉛が用いられている。 - 特許庁

The cushioning material 1 formed to be a cylinder comprising a plurality of flexible strings 2 which are adjacent to one another, joined on their faces at a plurality of different regions 3 in a longitudinal direction at predetermined intervals is folded at a predetermined region where a V-shaped or U-shaped cut 4 is formed, thereby forming a double structure comprising an inner layer and an outer layer.例文帳に追加

互いに隣接する複数の可撓性条片２の面を、長手方向の異なる複数の部位３で所定の間隔で接合し、筒状に形成されている緩衝材１を、Ｖ字状又はＵ字状の切込部４が形成された所定部位で折り返し、内層と外層とで構成された二重構造を形成する。 - 特許庁

The all-metal electron emissive structure consisting of one or more metal is operable to emit electrons in response to thermal excitation, wherein an active region of the electron emissive structure under steady state operating conditions has a temperature greater than about 1500°K, and wherein the cathode fall voltage in the discharge medium under steady state operating conditions is less than about 100 V.例文帳に追加

１つ以上の金属からなる全金属電子放出構造体は、熱励起に応答して電子を放出するように動作可能であり、安定状態動作条件下で電子放出構造体の活性領域は、約１５００度Ｋより高い温度を有し、安定状態動作条件下で放電媒体内のカソード降下電圧が、約１００ボルト未満である。 - 特許庁

The charger 11 makes a decision that charger side terminal parts 41 and 43 are connected with battery side terminal parts 61 and 63 when a voltage V_Bat across a terminal part being applied externally between the positive electrode terminal 41 and the negative electrode terminal 43 of the charger is included in the available region of a lithium ion battery 13 and supplies the lithium ion battery 13 with charging power.例文帳に追加

充電器１１は、外部から充電器正極端子４１と充電器負極端子４３との間に印加される端子部両端電圧Ｖ＿Ｂａｔが、リチウムイオン電池１３の使用可能領域に含まれる場合には、充電器側端子部４１，４３と電池側端子部６１，６３とが接続状態であると判定し、リチウムイオン電池１３に対して充電用の電力供給を行う。 - 特許庁

The polypeptide comprises at least a part of a motif represented by the following amino acid sequence V(D/I)DGXX(N/E/D)(T/D)D (wherein, X denotes an optional amino acid residue) in a hyaluronic acid synthase, the motif represented by QXXRW and a region sandwiched therebetween and has the activity for synthesizing the hyaluronic acid oligomer.例文帳に追加

ヒアルロン酸合成酵素におけるアミノ酸配列Ｖ(Ｄ／Ｉ)ＤＧＸＸ(Ｎ／Ｅ／Ｄ)(Ｔ／Ｄ)Ｄ（Ｘは任意のアミノ酸残基を示す）で示されるモチーフの少なくとも一部と、ＱＸＸＲＷで表されるモチーフと、それらに挟まれた領域を含み、ヒアルロン酸オリゴマー合成活性を有するポリペプチド。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

By such a device, when well voltage of the pocket P-type well region is increased by applying voltage to a unselected bit line, program/pass voltage is applied to a word line at the point of time at which well voltage being made higher by such a way is lower than detected voltage (e.g. 0.1 V) of the well voltage detecting circuit.例文帳に追加

このような装置によると、前記ポケットＰウェル領域のウェル電圧が非選択ビットラインへの電圧印加により増加する場合において、そのように増加したウェル電圧がウェル電圧検出回路の検出電圧（例えば、０．１Ｖ）より低くなる時点に、プログラム／パス電圧をワードラインに印加する。 - 特許庁

When the compressor 100 is in a predetermined high rotation region based on the number of revolutions N and it is determined that operation discharge capacity V is in a high actual operation condition in which it is larger than upper limit discharge capacity V_0 at that time, control processing of an input current inputted into the coil 97 is performed.例文帳に追加

回転数Ｎに基づいて圧縮機１００が所定の高回転領域にある場合に、運転吐出容量Ｖがその時の上限吐出容量Ｖ_0よりも大きいの高実働状態にあると判断された場合に、コイル９７に入力する入力電流の制御処理が行われる構成となっている。 - 特許庁

A mask material made of an insulation film is formed to cover a control electrode forming region on a first nitride semiconductor layer, and on the first nitride semiconductor layer exposed, a second nitride semiconductor layer made of a group III-V nitride semiconductor layer and made of a fine crystal structure not containing aluminum is selectively formed at a low film forming temperature.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、低い成膜温度で、III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

A drain bias voltage generating circuit DB1 includes nMOS transistors MN21 and MN22 operating in a sub-threshold saturation region, generates a drain bias voltage, adds the additional bias voltage V_SR to the drain bias voltage, and applies the voltage obtained by the addition to a drain of an MOS resistor MR.例文帳に追加

ドレインバイアス電圧生成回路ＤＢ１は、サブスレッショルド飽和領域で動作するｎＭＯＳトランジスタＭＮ２１及びＭＮ２２を備え、ドレインバイアス電圧を生成し、当該ドレインバイアス電圧に追加バイアス電圧Ｖ_ＳＲに加算して、加算結果の電圧をＭＯＳ抵抗ＭＲのドレインに印加する。 - 特許庁

Either one of the planes parallel to a liquid crystal display panel of a light guide for guiding the light from a light source to the liquid crystal display panel is formed as a slope where the light guide becomes thinner, as it is separated from the light source, wherein many V-shaped grooves are provided over the predetermined region in the slope direction of the slope.例文帳に追加

光源からの光を前記液晶ディスプレイパネルに導く導光体の前記液晶ディスプレイパネルと平行な面のいずれか一方の面を、前記光源から離れるにしたがって前記導光体が薄くなるような斜面として形成し、前記斜面の傾斜方向に所定の領域に渡って複数のＶ字状の溝を設けた。 - 特許庁