単結晶の引上げ中に単結晶が変形した場合でも、晶癖線の有無、つまり単結晶の有転位化の発生の有無を確実に検出することができる単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a single crystal, which can reliably detect the presence or absence of a crystal habit line, that is, whether or not a dislocation occurs in a single crystal even when the single crystal deforms during being pulled. - 特許庁

基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。例文帳に追加

A substrate has a plurality of high-defect regions composed of a crystal having a second average dislocation density higher than a first average dislocation density, in a low-defect region composed of a crystal having the first average dislocation density. - 特許庁

ＣＺ法による結晶育成時に、坩堝内の液面ゆれを防止することで、結晶の有転位化、多結晶化、および結晶変形を防止し製品の歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To prevent first dislocation generation and polycrystals in a crystal and the deformation of the crystal and to improve the yield of the products by preventing swinging of the surface of a melt in a crucible when the crystal is grown by a Czochralski method. - 特許庁

単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のＸ線トポグラフによる撮影方法例文帳に追加

PHOTOGRAPHING METHOD OF CRYSTAL DEFECT HAVING IN-PLANE ORIENTED DISLOCATION LINE IN SINGLE CRYSTAL SAMPLE BY X-RAY TOPOGRAPH - 特許庁

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。例文帳に追加

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants. - 特許庁

シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal suppressing starting of dislocation induced in a silicon single crystal and reducing generation of pinholes. - 特許庁

単結晶の有転位化を抑制することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of suppressing dislocating of the single crystal. - 特許庁

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up. - 特許庁

該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位１９を発生させることができる螺旋転位発生可能領域１５を有する転位制御種結晶１を準備する（種結晶準備工程）。例文帳に追加

In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process). - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

シリコン単結晶の引上げ育成中に有転位化した場合にその単結晶を高効率に再溶融し、シリコン単結晶を高生産性で低コストに製造する。例文帳に追加

To manufacture silicon single crystals with high productivity at a low cost, by remelting the single crystal when it is dislocated during being drawn up and grown. - 特許庁

単結晶引上げを行っても、引上げられるシリコン単結晶中に気泡の取込みがなく、有転位化が発生せず、高単結晶化率が得られるルツボ製造歩留のよい石英ガラスルツボの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a quartz glass crucible without any bubbles in a silicon single crystal and any dislocation, obtaining a high signal crystal ratio and having a high crucible production yield by carrying out a single crystal pulling. - 特許庁

育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal capable of obtaining a single crystal part efficiently without loss from a silicon single crystal generating dislocation during growth. - 特許庁

直径の大きな単結晶を高速で引上げても、単結晶の有転位化が発生せず、これにより単結晶製造の歩留まりの低下を防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of dislocations in a single crystal even when the single crystal having a large diameter is pulled up at a high speed, and to thereby prevent lowering in the yield at the production of single crystals. - 特許庁

シリコン単結晶の引上げに再生処理を施した再生石英ルツボを使用するに際し、単結晶育成時における有転位化を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得る引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling method capable of improving a yield of the single crystal by preventing dislocations when a single crystal is grown, in the case that a regenerated quartz crucible subjected to a regeneration treatment is used for pulling the silicon single crystal. - 特許庁

ＣＺ法において、装置を汚染することなく、短時間でかつ、種結晶の折損、結晶の有転位化をを引き起こすことなく半導体単結晶棒の追加チャージを行う方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charging method for single crystal raw material where an additional charge of a semiconductor single crystal rod is performed in a short time, without contaminating a device, without causing breakage of a seed crystal, and without generating dislocation of a crystal, using a Czochralski(CZ) method. - 特許庁

結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止できるシリコン単結晶を製造できる。例文帳に追加

To produce a silicon single crystal of which oxygen concentration distribution in both the direction of crystal growth and the crystal plane can be uniformly controlled and in which the occurrence of a dislocation can be prevented. - 特許庁

半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。例文帳に追加

To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method. - 特許庁

本発明にかかるフィールドエミッターアレイの製造方法は基板上に六方対称結晶構造を有する結晶材料を転位が起こる様に形成する工程と、前記結晶材料をエッチし各転位でナノチップを形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the field emitter allay includes a process of forming a crystalline material having hexagonal symmetric structure so as to form a dislocation, and a process of forming the nano chip at every dislocation by etching the crystalline material. - 特許庁

基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one. - 特許庁

ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of dislocation of tail part of the silicon single crystal even in the case of growing the silicon single crystal added with a large quantity of a dopant and having a low resistivity, and a silicon single crystal manufactured by the method. - 特許庁

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。例文帳に追加

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized. - 特許庁

フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。例文帳に追加

A method for measuring a dislocation density of a fluoride crystal comprises a step to generate a defect aggregate 03 in a dislocation line 02 in the fluoride crystal 01, a step to measure the dislocation density by optically detecting the defect aggregate 03 and a step to erase the defect aggregate 03. - 特許庁

大直径の窒素ドープ結晶や低抵抗率結晶などで特に顕著になってきている、有転位化の問題を解消し、高品質の単結晶を効率良く製造することで、これらの生産性や歩留りを改善して単結晶製造のコストを下げることができる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single crystal by which productivity and yield are improved and manufacturing cost of the single crystal is decreased, by solving the problem of causing dislocation which has become conspicuous especially in a large diameter nitrogen-doped crystal and a low resistivity crystal, and effectively manufacturing the single crystal of high quality. - 特許庁

育成されたシリコン単結晶４の外表面に形成される晶癖線の有無によって、シリコン単結晶４における転位発生の有無を判定する。例文帳に追加

Whether or not dislocation occurs in the silicon single crystal 4 is judged by the presence or absence of a crystal habit line formed on the outer surface of the grown silicon single crystal 4. - 特許庁

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。例文帳に追加

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method. - 特許庁

エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN system semiconductor having a low dislocation area with few crystal defects by epitaxial growth. - 特許庁

半導体層２０は種結晶部１１ａを基礎として成長し、転位密度が低い横方向成長領域を有している。例文帳に追加

The semiconductor layer 20 is grown on the basis of the species crystal part 11a and has the lateral growing area of low dislocation density. - 特許庁

窒素又はボロンドープ材の追添加が不要で、有転位化する傾向が低い、窒素及びボロンを添加したシリコン単結晶を得る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitrogen- and boron-doped silicon single crystal, by which the single crystal almost free from the occurrence of first dislocation generation can be obtained without additionally adding a nitrogen or boron dopant. - 特許庁

第１および第２の結晶１１、１２の少なくとも一方は、１×１０^3ｃｍ^-2以上１×１０^7ｃｍ^-2未満の転位密度を有している。例文帳に追加

At least one of the first crystal 11 and the second crystal 12 has a dislocation density of ≥1×10^3 cm^-2 and <1×10^7 cm^-2. - 特許庁

引上げ軸側と原料融液側との間に電圧を印加することに起因する引上げ結晶の有転位化を防止する。例文帳に追加

To prevent a first dislocation generation of a pulled crystal caused by applying voltage between the pull shaft and the raw material melt. - 特許庁

シリコン単結晶育成時に、大量の不活性ガスを使用することなく、テール部の有転位化を防止する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preventing generation of a dislocation in a tail portion during growing a silicon single crystal without using a large amount of inert gas. - 特許庁

２００ｍｍおよびこれより大きい直径を有する転位のない単結晶の製造を可能にする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single crystal which has a diameter of 200 mm or more and is free of dislocations. - 特許庁

シリコン単結晶の製造の際のルツボ自体に起因するシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有する石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible which avoids causing dislocations in a monocrystalline silicon due to the crucible itself when the monocrystalline silicon is produced, and has high heat resistance, a method for producing the same, and a method for producing a monocrystalline silicon using such a quartz glass crucible. - 特許庁

結晶の有転位化を抑制しつつ、シリコン単結晶の引き上げ中に大量のドーパントを融液に添加して高濃度のドーパントを含有した低抵抗率のシリコン単結晶を製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a low-resistivity silicon single crystal containing a dopant at relatively high concentration by adding a large amount of the dopant to a silicon melt when the silicon single crystal is pulled while suppressing the occurrence of dislocations in the crystal. - 特許庁

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion. - 特許庁

石英ルツボの表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の引上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pull-up apparatus capable of reducing microdefects due to bubbles or the like formed on the surface of a quartz crucible and single crystal dislocation generation. - 特許庁

これによって、フィラメントが到達した結晶面が局所転位を起こし、単結晶内部に光学異方性を有する誘起構造を周期的に作製することができる。例文帳に追加

Thereby, a local dislocation occurs at the crystal face whereto the filament reaches, and the induced structures each having optical anisotropy can be manufactured periodically at the inside of the single crystal. - 特許庁

石英坩堝の表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減できるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling method by which micro defects caused by bubbles formed on the surface of a quartz crucible or the like, and dislocations in the single crystal can be reduced. - 特許庁

ＣやＧｅの含有率を所定濃度以上とすることによりシリコン膜成長時に、転位密度の高い単結晶もしくは多結晶状態での成長するようになる。例文帳に追加

Silicon film is grown in high single crystal or polycrystalline state with higher concentration of percentage content of C or Ge than prescribed concentration. - 特許庁

シリコン融液が収容された石英ルツボの内表面の気泡に起因して発生する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the production method of a silicon single crystal, reducing minute defects or dislocation in a single crystal caused by bubbles on the inner surface of a quartz crucible that houses a silicon melt. - 特許庁

結晶成長方向および径方向の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止して優れた品質のシリコン単結晶を製造できる。例文帳に追加

To uniformly control the oxygen concentration distribution in the crystal growth direction and the radial direction, prevent dislocating and produce a silicon single crystal of excellent quality. - 特許庁

半導体デバイスの基板として大型で好適な転位密度を有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板、そのＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板を含む半導体デバイスおよびその製造方法を提案する。例文帳に追加

To provide an Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate which is large and has a suitable dislocation density as a substrate for a semiconductor device, a semiconductor device containing the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate, and its manufacturing method. - 特許庁

転位の少ない良質のＢｅ含有ＺｎＳｅ系混晶単結晶を比較的短時間で製造することができる半導体単結晶の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for manufacture of a semiconductor single crystal capable of producing a good-quality Be-containing ZnSe mixed crystal-single crystal having decreased dislocations in a relatively short time. - 特許庁