VT 4とは 意味・読み方・使い方

The correction function setter 6A selects map correction data most suitable to the NMR probe 4 from these functions and transmits them to a magnetic field correction device 6, and the magnetic field correction device 6 corrects the total static magnetic field according to the VT temperature.例文帳に追加

補正関数設定器６Ａはこれらの関数から、そのＮＭＲプローブ４に最適なマップ補正データを磁場補正装置６へ送り、磁場補正装置６はトータルの静磁場をＶＴ温度に応じて補正する。 - 特許庁

Current that changes in accordance with the frequency controlled voltage VT outputted from the loop filter 4 is caused to flow to a voltage controlled oscillator (VCO) 5, and the rate of change of the current determines a voltage-frequency conversion gain Kv.例文帳に追加

電圧制御発振器（ＶＣＯ）５には、ループフィルタ４から出力される周波数制御電圧ＶＴに応じて変化する電流が流れ、この電流の変化率によって電圧−周波数変換利得Ｋｖが決定する。 - 特許庁

An antenna driving part 4 directing the antenna 11 for receiving a first band in a direction corresponding to voltage Vt controlling the oscillation frequency of a local oscillation circuit 241 arranged for setting a reception frequency in a second band is arranged.例文帳に追加

第２のバンドでの受信周波数を設定するために設けられている局部発振回路２４１の発振周波数を制御する電圧Ｖ_tに応じた方向に第１バンドを受信するためのアンテナ１１を指向させるアンテナ駆動部４を設ける。 - 特許庁

The variable range of a control voltage VT and variable range of the capacitance of the variable capacitance diode D1 are specified and the capacitance of the capacitor C2 is determined in a range of 2-4 times the maximum capacitance of the variable capacitance diode D1 within the variable range thereof.例文帳に追加

制御電圧ＶＴの変化範囲と可変容量ダイオードＤ１の容量の変化範囲を特定し、コンデンサＣ２の容量を可変容量ダイオードＤ１の変化範囲内での最大の容量値の２〜４倍の範囲の値に定める。 - 特許庁

Since the signals via the switches Sk, Sk' are inverse to each other with respect to the reference voltage Vt, when the operational amplifier OPA 4 applies differential amplification to the signal, a signal resulting from amplifying the signal via the switch Sk is outputted from its output terminal.例文帳に追加

スイッチＳk、Ｓk’を介した信号は基準電圧Ｖtに対し互いに反転した信号であることから、演算増幅器ＯＰＡ４による差動増幅が行われると、その出力端からスイッチＳkを介した信号を増幅した信号が出力される。 - 特許庁

Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加

これにより、酸素濃度調整薄膜４に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Ｖｔを低減したＭＩＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

Furthermore, potential at the periphery of a floating gate can be stabilized, a threshold voltage Vt can be stabilized, and writing operation is enabled without directly applying an electric field to a gate insulating film 8 on the control gate 4, so that deterioration of the gate insulating film 8 can also be restrained.例文帳に追加

さらに、フローティングゲート周囲の電位を安定させることができ、しきい値電圧Ｖｔを安定させることができると共に、コントロールゲート４の上のゲート絶縁膜８に直接電界を印加しなくても書き込み動作を行うことができるため、ゲート絶縁膜８の劣化を抑制することも可能である。 - 特許庁

In the case of halting the operation of a voltage regulator 3 and supplying a power supply voltage VT for test for a second logic circuit block 2, an overall LSI is initialized by a reset signal RST, then a register 4 is set by an input signal IO via a first logic circuit block 1, and the voltage regulator 3 is halted by a power-down signal PWD.例文帳に追加

電圧レギュレータ３の動作を停止してテスト用の電源電圧ＶＴを第２の論理回路ブロック２に供給する場合、リセット信号ＲＳＴでＬＳＩ全体を初期化した後、入力信号ＩＯにより第１の論理回路ブロック１を介してレジスタ４をセットし、パワーダウン信号ＰＷＤで電圧レギュレータ３を停止させる。 - 特許庁