The collector of a transistor is connected to the voltage input terminal, and the emitter of the transistor is grounded.例文帳に追加

トランジスタのコレクタを電圧入力端子に接続し、エミッタを接地する。 - 特許庁

Thereby, the difference between a base-to-emitter voltage Vbe and a base-to-collector voltage Vbc, ΔV is reduced, and thus a collector-to-emitter saturation voltage Vce in a low current region can be reduced.例文帳に追加

これにより、ベースエミッタ間電圧Ｖｂｅとベースコレクタ間電圧Ｖｂｃの差ΔＶが小さくなり、低電流域におけるコレクタエミッタ間飽和電圧Ｖｃｅを小さくすることができる。 - 特許庁

When the collector C and emitter E have substantially the same potential, a continuity is made between the base B and sub- emitter S to develop a voltage drop across the resistor R, but no continuity is made between the collector C and the emitter E.例文帳に追加

コレクタＣとエミッタＥが実質的に同電位となったとき、ベースＢ−サブエミッタＳ間が導通して抵抗器Ｒに電圧降下が生じるが、コレクタＣ−エミッタＥ間は導通しない。 - 特許庁

To raise a breakdown voltage between a collector and an emitter and an early voltage by setting the collector resistance of a collector lead-out region to low resistance in a vertical type pnp transistor.例文帳に追加

縦型ＰＮＰトランジスタにおいて、コレクタ導出領域のコレクタ抵抗を低抵抗に設定できることによって、コレクタ−エミッタ間耐圧やアーリー電圧を高くする。 - 特許庁

When the current between the emitter-collector of the transistor Q3 increases, voltage across the resistor R1 increases to cause increase in the collector current of the transistors Q1, Q2 and Q3 and the voltage between the emitter-collector of the transistor Q3 decreases.例文帳に追加

トランジスタＱ３のエミッタ−コレクタ間の電流が増大すると、抵抗器Ｒ１の両端の電圧降下が大きくなってトランジスタＱ１のコレクタ電流が増大し、ついでトランジスタＱ２及びＱ３の各コレクタ電流も増大して、トランジスタＱ３のエミッタ−コレクタ間の電圧が減少する。 - 特許庁

An emitter follower circuit has the collector of a transistor(TR) Q1 connected to a source voltage VCC, and the emitter of this TR is connected to an emitter load 1.例文帳に追加

トランジスタＱ１のコレクタが、電源電圧ＶＣＣに接続され、また、該トランジスタのエミッタがエミッタ負荷１に接続されたエミッタフォロワ回路に関する発明である。 - 特許庁

When a collector-emitter voltage VCE of the 1st TR 28 reaches the electromotive force V1 of the power supply 32, since a succeeding change in the voltage signal outputted from the waveform generator 24 is limited, the collector-emitter voltage VCE is kept to the voltage V1.例文帳に追加

第１トランジスタ２８のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが電源３２の起電力Ｖ１になると、波形発生器２４から出力される電圧信号はその後の変化が制限されるから、コレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥは電圧Ｖ１に保持される。 - 特許庁

The collector and the emitter of a first transistor are connected to the power supply terminal, the collector and the emitter of a second transistor are connected to the base and the emitter of the first transistor, a time constant circuit whose time constant is larger than the voltage variation speed of ESD is connected to the base of the second transistor.例文帳に追加

電源端子に第１のトランジスタのコレクタとエミッタを接続し、この第１のトランジスタのベースとエミッタに第２のトランジスタのコレクタとエミッタを接続し、この第２のトランジスタのベースに、ＥＳＤの電圧変化速度より時定数が大きい時定数回路を接続した。 - 特許庁

With voltage applied between the collector 11 and the electrode member 13, light is emitted to the emitter 9 through the collector 11 to cause a photoelectric effect on the light emitting face 9a of the emitter 9 while heating the emitter 9.例文帳に追加

コレクタ１１と電極部材１３との間に電圧を印加した状態で、コレクタ１１を介してエミッタ９に光を照射することによって、エミッタ９を加熱しつつエミッタ９の入射面９ａでの光電効果を発生させる。 - 特許庁

When current flows from the emitter E1 to the collector C, the voltage of positive polarity is generated in a sub-collector terminal tE2 with respect to the potential of the collector C.例文帳に追加

また、エミッタＥ１からコレクタＣに電流が流れると、サブコレクタ端子ｔＥ２には、コレクタＣの電位に対して正極性の電圧が発生する。 - 特許庁

Furthermore, when a current flows from the emitter E to the collector C, a voltage of positive polarity to electric potential of the collector C is generated in the sub-collector terminal tS.例文帳に追加

また、エミッタＥからコレクタＣに電流が流れると、サブコレクタ端子ｔＳには、コレクタＣの電位に対して正極性の電圧が発生する。 - 特許庁

When a current flows from a collector C to an emitter E with a base current flowing between a base B and the emitter E of a transistor TR through a resistor RB by a DC power supply DCV, a voltage of negative polarity with respect to electric potential of the collector C is generated in a sub-collector terminal tS.例文帳に追加

直流電源ＤＣＶより抵抗器ＲＢを介してトランジスタＴＲのベースＢ−エミッタＥ間にベース電流が流れている状態で、コレクタＣからエミッタＥに電流が流れると、サブコレクタ端子ｔＳには、コレクタＣの電位に対して負極性の電圧が発生する。 - 特許庁

Current flowing through a TR 4 from its collector to its emitter activates a drive circuit 5 to apply a voltage across a Zener diode 6 to apply a constant voltage to the emitter of the TR 4.例文帳に追加

トランジスタ４のコレクタからエミッタに電流が流れた場合、駆動回路５が動作しツェナーダイオード６に電圧をかけトランジスタ４のエミッタ側を定電圧にする。 - 特許庁

As to base-emitter voltages of the transistors 18 to 13, such a voltage gradient is thus formed as to reduce variations between collector currents.例文帳に追加

トランジスタ１８〜１３のベース−エミッタ間の電圧には各コレクタ電流のバラツキを抑制するように電圧勾配が形成されている。 - 特許庁

To provide a transistor element in which low-voltage large-current modulation can be carried out between the emitter electrode and the collector electrode, to provide a method of manufacturing the transistor element, and to provide a light-emitting element and a display having the transistor element.例文帳に追加

エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which collector-to-emitter saturation voltage characteristics of a sense element can be accurately measured.例文帳に追加

本発明は、センス素子のコレクターエミッタ間飽和電圧特性を正確に測定できる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a transistor element in which low voltage large current modulation can be carried out between the emitter electrode and the collector electrode, and to provide its fabrication process, a light emitting element, and a display having that transistor element.例文帳に追加

エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving high-voltage resistance between a collector and an emitter, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

コレクタ−エミッタ間の高耐圧化を可能とした半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this, the collector-emitter voltage of the transistors Q1 and Q2 is made constant regardless of the state of the external circuit.例文帳に追加

これにより、トランジスタＱ１及びＱ２のコレクタ−エミッタ間電圧は外部回路の状態に関わらず一定の電圧値になる。 - 特許庁

The (+) pole of the smoothing capacitor 5 is connected through the emitter/ collector of a voltage comparing transistor 6 to the side of a switch circuit 11.例文帳に追加

平滑コンデンサ５の＋極は、電圧比較トランジスタ６のエミッタ・コレクタを介してスイッチ回路１１の側に接続される。 - 特許庁

In the NPN transistor 17, as voltage inputted to the base is reduced, impedance between a collector and an emitter is made larger.例文帳に追加

NPNトランジスタ１７は、ベースに入力される電圧が低下するので、コレクタ−エミッタ間のインピーダンスが大きくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor power conversion apparatus that reliably converges surge voltage between an emitter and a collector in a transistor element.例文帳に追加

トランジスタ素子のエミッタ−コレクタ間のサージ電圧を確実に収束させることができる半導体電力変換装置を提供する。 - 特許庁

Current flows from a collector to an emitter of the first NPN transistor 45 on the basis of an operation of the voltage detection section and the RC circuit.例文帳に追加

電圧検出部及びＲＣ回路の動作によって、第１のＮＰＮトランジスタ４５のコレクタからエミッタに電流が流れる。 - 特許庁

A base of a vertical N-P-N transistor is provided in a non- contact state, an emitter of the transistor is connected with a terminal to generate positive voltage peaks and a collector of the transistor is grounded.例文帳に追加

垂直ＮＰＮトランジスタのベースを非接触とし、エミッタを正の電圧ピークが発生する端子に接続し、コレクタを接地する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing drop of the breakdown voltage between the emitter and the collector, and suppressing drop and variation of a current gain hFE.例文帳に追加

エミッタとベース間の耐圧の低下が抑制され、電流増幅率ｈＦＥの低下と変動が抑制される半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of an insulating gate type, wherein an electric power loss upon a turn-off is restrained, whereas an on voltage is reduced between a collector and an emitter.例文帳に追加

絶縁ゲート型の半導体装置において、ターンオフ時の電力損失を抑制しつつ、コレクタ−エミッタ間のオン電圧を低減する。 - 特許庁

To provide a method of measuring breakdown voltage for accurately measuring the breakdown voltage across collector and emitter or the like in the chip structure of IGBT in which a Zener diode is allocated between the collector and gate.例文帳に追加

コレクタ−ゲート間にツエナーダイオードが配置されたＩＧＢＴのチップ構造において、コレクタ−エミッタ間等の耐圧を正確に測定できる耐圧測定方法を提供することである。 - 特許庁

When the control voltage is applied to the input terminal Vcont, a base current is increased compared with a normal amplification operation state, but since a collector current is fixed, a voltage between a collector and an emitter is lowered.例文帳に追加

入力端子Ｖｃｏｎｔに制御電圧が印加された場合は、通常の増幅動作状態に比べてベース電流は増加するが、コレクタ電流は一定のため、コレクタ−エミッタ間電圧は低下する。 - 特許庁

Moreover, the base of an NPN transistor 106 is connected to an output terminal of the operational amplifier 102 and an emitter of a PNP transistor 107, while the collector to a voltage source 106 and the emitter to a current source 109 and the output terminal 110.例文帳に追加

またＮＰＮトランジスタ１０６のベースがオペアンプ１０２の出力端子とＰＮＰトランジスタ１０７のエミッタに、コレクタが電圧源１０６に、エミッタが電流源１０９と出力端子１１０に接続される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 1 whose collector C is connected to a terminal T1, whose emitter E is connected to a terminal T2 and whose sense emitter SE is connected to the terminal T2 via a variable resistor VR1 being a current voltage conversion section.例文帳に追加

端子Ｔ１にコレクタＣが接続され、端子Ｔ２にエミッタＥが接続されたＩＧＢＴ１が配設され、そのセンスエミッタＳＥは電流電圧変換部である可変抵抗ＶＲ１を介して端子Ｔ２に接続されている。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when any deflection is generated at the position of an emitter joint, collector currents can be made almost fixed by the profile of the intrinsic carrier concentration, and the difference in of the bias voltage due to the displacement of the emitter joint face can be apparently prevented from affecting the outside.例文帳に追加

エミッタ接合面の位置に偏差が生じても、真性キャリア濃度のプロファイルにより、コレクタ電流がほぼ一定となり、見かけ上、エミッタ接合面の偏差によるバイアス電圧の変動の影響を外部に与えない。 - 特許庁

The transistor Tr has its collector connected to the line 10 and its emitter connected to the DC load Zdc, has a resistance R1 interposed between the collector and base, and also has its base grounded through a second capacitor C2, and the DC voltage DC extracted at the emitter is applied to the DC load Zdc.例文帳に追加

回線１０にトランジスタＴｒのコレクタを接続してそのエミッタを直流負荷Ｚｄｃに接続し、コレクタとベース間に抵抗Ｒ１を介装し、ベースを第２のコンデンサＣ２を介して接地し、エミッタに取り出された直流電圧ＤＣを直流負荷Ｚｄｃに印加する。 - 特許庁

In this case, the added voltage of an inter-collector/emitter saturation voltage of the transistor T2 and the inter-terminal voltage of the voltage load circuit 10 is applied to the base of the transistor T1.例文帳に追加

このとき、トランジスタＴ１のベースには、トランジスタＴ２のコレクタ・エミッタ間飽和電圧と電圧負担回路１０の端子間電圧との加算電圧が与えられる。 - 特許庁

A collector output of the transistor Q2 is connected to an emitter of the transistor Q1 to constitute a negative feedback circuit and the collector output is subjected to voltage division and connected to a base of the transistor Q1 to constitute a positive feedback circuit.例文帳に追加

トランジスタＱ_２のコレクタ出力はトランジスタＱ_１のエミッタへ接続されて負帰還回路を構成すると共に上記コレクタ出力は電圧分割されてＱ_１のベースへ接続されて正帰還回路を構成する。 - 特許庁

The high-frequency amplifier comprises a first bipolar transistor having a collector with a power voltage applied thereto and also having an emitter grounded, a resistor connected to the emitter of the first bipolar transistor, and a capacitor connected to the emitter of the first bipolar transistor in parallel to the resistor.例文帳に追加

高周波増幅器は、コレクタに電源電圧が印加されるエミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗と、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに、抵抗と並列に接続されたコンデンサと、を備える。 - 特許庁

To reduce the gate-collector capacity of a trench gate type semiconductor device without compromising the carrier storing effect and, in addition, to raise the collector-emitter reverse blocking voltage of the device.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置において、キャリアの蓄積効果を損なうことなく、ゲート−コレクタ間容量を小さくし、かつコレクタ−エミッタ間の逆方向阻止電圧を高くすること。 - 特許庁

Further, it detects the collector-emitter voltages of transistors 412, 422, 432 equivalent to lower elements and then detects the collector currents of the transistors 412, 422, 432 based on the voltage-current characteristic.例文帳に追加

また、ロアー素子に当たるトランジスター４１２、４２２、４３２のコレクタ、エミッタ間電圧を検出した後、電圧電流特性に基づき、トラジスター４１２、４２２、４３２のコレクタ電流を検出する。 - 特許庁

When a collector voltage is not impressed normally due to the imperfect contact, etc., of the collector electrode, no amplifying operation is performed and an electric current only flows between the base and emitter of the bipolar transistor.例文帳に追加

コレクタ電極の接触不良などの原因によってコレクタ電圧が正常に印加されない場合には、増幅動作が行われずベース・エミッタ間にのみ電流が流れる。 - 特許庁

In the protective transistor Q, a predetermined voltage Vreg is applied to its base terminal to make an output voltage of an emitter terminal constant, irrespective of a voltage to be applied to a collector terminal.例文帳に追加

保護用トランジスタＱは、そのベース端子に規定電圧Ｖｒｅｇが入力されて、コレクタ端子に印加される電圧に関わらず、エミッタ端子の出力電圧を一定にする。 - 特許庁

If the voltage is decreased at a fourth resistor 16 and a fifth resistor 17 passes a voltage Vbe between a base and an emitter due to the load current increase, a collector current flows which decreases the voltage at a sixth resistor 18.例文帳に追加

負荷電流の増加で第４，第５抵抗１６，１７の電圧降下が、第１ＮＰＮトランジスタ１５のベース，エミッタ間電圧Ｖbeを超えるとコレクタ電流が流れ、第６抵抗１８に電圧降下が生じる。 - 特許庁

The amplifier 12 amplifies an input voltage signal S0 input to the base of a transistor 26, outputs the signal from the collector of the transistor 26 as a collector voltage signal S11, and outputs a reference voltage signal S31 from its emitter.例文帳に追加

増幅回路１２は、トランジスタ２６のベースに入力された入力電圧信号Ｓ０をトランジスタ２６のコレクタから増幅してコレクタ電圧信号Ｓ１１として出力するとともに、エミッタから基準電圧信号Ｓ３１を出力する。 - 特許庁

Collector voltage of the second bipolar transistor 8 controls a third bipolar transistor 9 as a bypass to the base-emitter path of the first bipolar transistor 6, and becomes inverse to a fluctuation in base-emitter voltage of the first bipolar transistor 6.例文帳に追加

第２バイポーラトランジスタ８のコレクタ電圧は第１バイポーラトランジスタ６のベース−エミッタ路に対するバイパスとして第３バイポーラトランジスタ９を制御すると共に、第１バイポーラトランジスタ６のベース−エミッタ電圧の変動の逆になる。 - 特許庁

A switching transistor TRs generates an output control signal by applying a positive bias voltage to its collector C, grounding its emitter E and operating according to the voltage applied to its base B.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴＲｓは、そのコレクタＣに正極性バイアス電圧が印加されそのエミッタＥが接地されて、そのベースＢに印加される電圧のレベルに従って動作することによって出力制御信号を発生させる。 - 特許庁