o Clとは 意味・読み方・使い方

In Li(Ni_xMn_2-x)O_4 (where, 0.4≤x≤0.6), a part of Mn is substituted by a metal element that is lighter than Mn and is capable of taking on univalence to trivalence, and further, O is substituted by F or Cl.例文帳に追加

Ｌｉ（Ｎｉ_xＭｎ_2-x）Ｏ_4（０．４≦ｘ≦０．６）において、Ｍｎの一部をＭｎより軽い元素でかつ１価から３価を取りうる金属元素で置換し、さらにＯをＦまたはＣｌで置換する。 - 特許庁

Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 - 特許庁

A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。 - 特許庁

The lithium ion conductor is constituted of a compound oxide containing at least Li, P, O and halogen X, the halogen X being at least one selected from among a group consisting of F, Cl, Br and I.例文帳に追加

少なくともＬｉ、Ｐ、Ｏおよびハロゲン元素Ｘを含み、ハロゲン元素Ｘが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選択される少なくとも１種である複合酸化物からなるリチウムイオン導電体。 - 特許庁

In the ball bearing, a bonding surface B of the ring-like members 11, 12 constituting a split type machined cage 10 is set such that an angle αformed by a line CL tightening centers O of respective pockets 13 and a line AL arriving from the center O of the pocket 13 at an intersection E of a pocket surface 11a and a bonding surface B becomes 45° or higher.例文帳に追加

本発明の玉軸受は、分割型もみ抜き保持器１０を構成するリング状部材１１，１２の結合面Ｂが、各ポケット１３の中心Ｏを結ぶ線ＣＬと、ポケット１３の中心Ｏからポケット面１１ａと結合面Ｂとの交点Ｅに至る線ＡＬとのなす角度αを４５°以上となるように設定されている。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate 10 comprises a group III nitride and has a surface layer 12 on the surface containing chlorides of 200×10^10 to 12,000×10^10 pieces/cm^2 in terms of Cl and oxides of 3.0 atom% to 15.0 atom% in terms of O.例文帳に追加

化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。 - 特許庁

The pixel data of the target pixel of the HD signal is calculated by using the estimate equations from data xi of a tap corresponding to the target pixel o the HD signal selectively taken out from the SD signal and coefficient data Wi read by the class code CL from the memory 134 by an arithmetic circuit 127.例文帳に追加

演算回路１２７で、ＳＤ信号より選択的に取り出された、ＨＤ信号の注目画素に対応するタップのデータｘｉと、メモリ１３４よりクラスコードＣＬで読み出された係数データＷiとから、推定式を使用して、ＨＤ信号の注目画素の画素データを演算する。 - 特許庁

A cylinder bore is formed in a cylinder block so that the upper end side inclines to the left side with respect to a vertical line LN1 in a state of passing the center line CL of the cylinder bore through an intersection between a mating face SL and the vertical line LN1 passing through the center O of a crankshaft 21.例文帳に追加

シリンダボアの中心線ＣＬが、当該合わせ面ＳＬとクランクシャフト２１の中心Ｏを通る垂直線ＬＮ１との交点を通過した状態で前記垂直線ＬＮ１に対して上端側が左側に傾斜するように前記シリンダボアを前記シリンダブロックに形成している。 - 特許庁