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strain well
「strain well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 91件
It should be clearly described that the characteristics of the strain as well as the difference in the microbiological characteristics of the strain from the publicly known strains within the same species to which the new strain belongs.発音を聞く 例文帳に追加
菌株の特徴及び同種内の公知の菌株との相違点(菌学的性質)を明確に記載する。 - 特許庁
An asymmetric strain is produced in the surface of the strained quantum well of the semiconductor quantum well layer 13.例文帳に追加
半導体量子井戸層13の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。 - 特許庁
To provide strain development location detecting parts capable of pinpointing a strain maximum place correctly to be attached correctly on the strain maximum place as well as a strain developmental location detecting device.例文帳に追加
ひずみ極大箇所を正確に特定し、そのひずみ極大箇所に正確に貼り付けることができるひずみ発生箇所検出部品及びひずみ発生箇所検出装置を提供する。 - 特許庁
In the quantum well layer with the small strain amount, the difference of energy between an electron and hole is made smaller than that of the energy in the quantum well layer with the large strain amount.例文帳に追加
小さい歪量の量子井戸層において、電子とホールのエネルギー差を、大きい歪量の量子井戸層におけるそれより小さくする。 - 特許庁
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「strain well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 91件
METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREMENT OF CRYSTAL STRAIN AS WELL AS STORAGE MEDIUM例文帳に追加
結晶歪み測定方法、結晶歪み測定装置及び記録媒体 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF THE STRUCTURE例文帳に追加
歪多重量子井戸構造の歪量測定方法及び作製方法 - 特許庁
A tensile strain quantum well structure having four kinds of layers is obtained by adding another layer to the tensile strain quantum well structure having the three kinds of layers.例文帳に追加
この3種類の層を有する引張り歪量子井戸構造に、別の層を加えた4種類の層を有する引張り歪量子井戸構造とすることもできる。 - 特許庁
SINGLE-MODE LASER DIODE USING STRAIN COMPENSATED MULTIPLE QUANTUM WELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ストレイン補償多重量子井戸を用いる単一モード型レーザダイオード及びその製造方法 - 特許庁
To strain-compensate the compression strain, InGaAs/GaAs barrier layers 3, 5, 7 and 9 including a GaAs layer as a tensile strain are stacked and formed among the quantum well layers 4, 6 and 8.例文帳に追加
この圧縮歪を歪補償するため、引張り歪となるGaAs層を含むInGaAs/GaAs障壁層3,5,7,9を、量子井戸層4,6,8の間に積層形成する。 - 特許庁
To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain.例文帳に追加
圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。 - 特許庁
To remove a strain of a metal material, in which a strain is exhibited in external deformation, without using a large scale device as well as large operation energy.例文帳に追加
歪みが外形変形となって顕在化している金属材料の歪みを大掛かりな装置や多大な運転エネルギーを使用することなく除去する。 - 特許庁
The barrier layers 3b have tensile strain with respect to a GaAs substrate, while the quantum well layers 3a have compressive strain with respect to the GaAs substrate.例文帳に追加
また、障壁層3bはGaAs基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層3aはGaAs基板に対して圧縮歪を有する。 - 特許庁
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