「"温度依存性"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

良好な制振性能及び絶縁性を有し、制振性の温度依存性や線膨張係数の温度変化が小さいＣＣＤホルダを提供する。例文帳に追加

To provide a CCD holder having excellent damping performance and insulating property and restraining the temperature dependency of damping property and the temperature change of a linear expansion coefficient to be small. - 特許庁

本発明の目的は、経時保存された後の露光温度依存性の変化が小さい面積階調画像の形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an area gradation image forming method in which the change of exposure temperature dependency after storage is small. - 特許庁

受光感度の温度依存性および偏波依存性を低減することができる光パワーモニタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical power monitor device in which dependency on temperature and polarization of light receiving sensitivity can be reduced. - 特許庁

光出力の温度依存性を低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device which is reducible in temperature dependency of optical output, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

チップサイズの増大を防止するとともに、消費電力の増加を抑制しつつ、ＭＯＳトランジスタの温度依存性を補償する。例文帳に追加

To compensate temperature dependence of a MOS transistor while preventing an increase in chip size and suppressing an increase in power consumption. - 特許庁

他軸角速度、角加速度、及び温度依存性の影響を受けることの少ない高精度の角速度センサを提供する。例文帳に追加

To provide an accurate angular velocity sensor hardly influenced by angular velocity of other axes, angular acceleration and temperature dependence. - 特許庁

温度依存性に対する製造ばらつきの影響を低減し半導体基板上に搭載できる温度検知装置を提供する。例文帳に追加

To provide a temperature detecting device which can reduce an effect on a temperature dependence due to a variation of manufacture and can be mounted on a semiconductor substrate. - 特許庁

高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＩＲ温度依存性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。例文帳に追加

To provide a laminated ceramic capacitor, wherein a high dielectric constant and a good temperature property are secured and further an IR (insulation resistance) temperature dependence is improved. - 特許庁

ダイナミックレンジが広く、かつ温度依存性が低減された光センサおよび、この光センサを用いた表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical sensor having a wide dynamic range and a reduced temperature dependency, and to provide a display device using the optical sensor. - 特許庁

室温付近の減衰性と剛性の温度依存性のバランスに優れた制振材組成物およびそれを用いた制振ダンパーを提供する。例文帳に追加

To obtain a vibration-damping material composition having an excellent balance between damping properties in the vicinity of room temperature and temperature dependence of rigidity, and to obtain a vibration damper using the same. - 特許庁

低温環境下でも電池の内部抵抗を低減して、電池の出力を向上すると共に、出力値の温度依存性が小さい。例文帳に追加

This reduces the internal resistance of the battery, increases the output of the battery, and makes the dependence of an output value on temperature smaller. - 特許庁

このときの分極反転電荷量を測定し、残留自発分極の２乗値（＋Ｐ_r ）^2 の温度依存性を求める。例文帳に追加

A then polarization reverse electrical charge amount is measured, to acquire the temperature dependence of a square value (+Pr)2 of a remaining spontaneous polarization. - 特許庁

ＭＯＳ回路による非線形演算回路で利得可変とし、温度依存性やプロセスによる利得特性のばらつきを低減する。例文帳に追加

To allow gain variation in a nonlinear arithmetic circuit by a MOS circuit; to reduce variation of a gain characteristic by a process or temperature dependence; and to allow application of various kinds of nonlinear operations. - 特許庁

無線通信用ＬＳＩシステムにおいて、温度依存性の小さい信号強度検波回路および増幅率制御システムを実現する。例文帳に追加

To realize a signal intensity detection circuit and an amplification factor control system, wherein the temperature dependence is reduced, in a radio communicating LSI system. - 特許庁

光出力の温度依存性が小さい、すなわち光出力の温度係数が小さい自己走査型発光素子アレイを提供する。例文帳に追加

To provide a self-scanning type light emitting element array having a low temperature dependency of the output light, i.e., a temperature coefficient of the output light. - 特許庁

消費電力を小さくすることができ容易な制御で利得の温度依存性を低減することができる光増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide an optical amplifier capable of reducing a power consumption and capable of reducing temperature dependence of gain by easy control. - 特許庁

耐摩耗性に優れるというセラミック材の特徴を維持しながら、加工性や摺動性に優れ、また温度依存性のない動圧軸受とする。例文帳に追加

To provide a dynamic pressure bearing having excellent workability and sliding property, while maintaining characteristic of ceramic material such as excellent abrasion resistance, without temperature dependence. - 特許庁

第１と第２と第３の温度で、第１の温度センサ２は半導体チップの第１の電気的パラメータｔ_ｐｄの温度依存性を測定する一方、第２の温度センサ３は半導体チップの第２の電気的パラメータｔ_ｃの温度依存性を測定する。例文帳に追加

At first, second and third temperatures, the first temperature sensor 2 measures a temperature dependency of a first electrical parameter t_pd of the semiconductor chip while the second temperature sensor 3 measures a temperature dependency of a second electrical parameter t_c of the semiconductor chip. - 特許庁

飽和水分温度依存性係数Ｋ＝３．５×Ｏ＋７．３×ｔ＋３．３×Ｃ９（Ｏ：オレフィン含有量（容量％）、ｔ：トルエン含有量（容量％）、Ｃ９：炭素数９の芳香族炭化水素（容量％））で表される飽和水分温度依存性係数Ｋが２５０以下であることが好ましい。例文帳に追加

A temperature dependency coefficient K of saturated water content, represented by: K=3.5×O+7.3×t+3.3×C9 {O: olefin content (% by volume), t: toluene content (% by volume), C9: 9C aromatic hydrocarbon (% by volume)}, is preferably 250 or less. - 特許庁

飽和水分温度依存性係数Ｋ＝３．５×Ｏ＋７．３×ｔ＋３．３×Ｃ９（Ｏ：オレフィン含有量（容量％）、ｔ：トルエン含有量（容量％）、Ｃ９：炭素数９の芳香族炭化水素（容量％））で表される飽和水分温度依存性係数Ｋが１３０以下であることが好ましい。例文帳に追加

The temperature dependency coefficient K of saturated-water content, represented by: K=3.5×O+7.3×t+3.3×C9 {O: olefin content (% by volume), t: toluene content (% by volume), C9: 9C aromatic hydrocarbon (% by volume)}, is preferably 130 or less. - 特許庁

また発熱導体層２１を例えばＣｕＮｉで形成し、高融点材料層２２，２３をＲｕで形成すると、ＣｕＮｉとＲｕは、抵抗変化率の温度依存性が逆の傾向であるため、前記発熱体２０全体の抵抗変化率の温度依存性を適切に小さくすることができる。例文帳に追加

For example, when the heat conductive layer 21 is made of CuNi and the high melting material layers 22 and 23 are made of Ru, the temperature dependency of the resistance change ratio of the entire heating element 20 can be appropriately made small because in CuNi and Ru, the temperature dependency of a resistance change ratio is inclined to be opposite. - 特許庁

レーザ光の波長が環境温度の変化によってシフトすることに伴う保護膜１９の光透過率の温度依存性と、帰還抵抗１３の抵抗値の温度依存性とがお互い補償しあって、受光回路の出力電圧が温度変化に対して一定になるように設定されている。例文帳に追加

The output voltage of the light receiving circuit is set so as to become constant with respect to the temperature change by the compensation of temperature dependency of light transmittance of the protective film 19 accompanied by shifting of the wavelength of laser light, due to the change of an ambient temperature and the temperature dependency of value of resistance of the feedback resistor 13 with each other. - 特許庁

また、セラミックスの平均粒径として、このセラミックスの抵抗特性における温度依存性と平均粒径との関係から温度依存性が８％／℃以下となり、しかも構造体が一対のパネル１１、１２間でギャップを設定するのに必要な耐加圧を満たす値となっているものである。例文帳に追加

By applying the above average grain size of the ceramic, temperature dependency of the ceramic becomes 8%/°C or lower by the relation between the temperature dependency and the average grain size on the resistance property of the ceramic, and necessary pressure resistance necessary for the structure to set the gap between the pair of panels 11, 12 is obtained. - 特許庁

基準電圧検知回路１は電源電圧依存性及び温度依存性が小さい基準電圧発生回路１１、電源電圧に依存するＡＤＣ出力電圧を出力し、温度依存性が小さいＡＤＣ１２、不揮発性メモリ１３、及び比較演算回路１４から構成されている。例文帳に追加

The reference voltage detecting circuit 1 comprises a reference voltage generating circuit 11 having little power supply voltage dependence and temperature dependence, an ADC 12 having little temperature dependence on outputting an ADC output voltage that depends on the reference voltage, a nonvolatile memory 13, and a comparison and computation circuit 14. - 特許庁

ＴＣ材料は、ＴＣ材料の層の温度がＴＣ材料の遷移温度未満のときにＴＣ材料が取る第１の温度依存性状態と、ＴＣ材料の層の温度が遷移温度より大きいときにＴＣ材料が取る第２の温度依存性状態とを有する。例文帳に追加

The TC material has a first temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is lower than the transition temperature of the TC material and has a second temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is higher than the transition temperature of the TC material. - 特許庁

ＬＥＤ発光パワーのマイナスの温度依存性とドライバＩＣ内の基準抵抗の温度依存性を補償するもので、 所望の温度係数や出力電圧値を任意に設定可能な基準電圧発生回路、駆動回路、プリンタ及び画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reference voltage generation circuit which compensate minus temperature dependency of LED light emission power and temperature dependency of a reference resistor in a driver IC and are capable of arbitrarily setting a desirable temperature coefficient and an output voltage value, and to provide a drive circuit, a printer, and an image forming apparatus. - 特許庁

本発明は、定電圧に応じて定電流を提供する第一電流発生器、温度依存性電圧を提供する電圧発生器、および前記電圧発生器に接続され、前記温度依存性電圧に応じて可変電流を提供する第二電流発生器を含む電流を生成する回路を提供する。例文帳に追加

The present invention provides a circuit for generating a current that comprises a first current generator providing a constant current in response to a constant voltage, a voltage generator providing a temperature dependent voltage, and a second current generator coupled to the voltage generator providing a variable current in response to the temperature dependent voltage. - 特許庁

ＬＥＤ発光パワーのマイナスの温度依存性とドライバＩＣ内の基準抵抗の温度依存性を補償するためのものであって、 所望の温度係数や出力電圧値を任意に設定可能な基準電圧発生回路、駆動回路、プリントヘッドおよび画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reference voltage generating circuit, a drive circuit, a print head, and an image forming apparatus which compensate minus temperature dependency of LED light emission power and temperature dependency of a reference resistor in a driver IC and are capable of arbitrarily setting a desired temperature coefficient and an output voltage value. - 特許庁

台座を構成する第２材料の線膨張係数は、第１材料の線膨張係数よりも大きな値であって、共振周波数の温度依存性の絶対値が、台座が第１材料によって構成された場合の共振周波数の温度依存性の絶対値よりも小さくなるような値に設定される。例文帳に追加

A coefficient of linear expansion of a second material constituting the pedestal is larger than the coefficient of linear expansion of the first material, and an absolute value of the temperature dependency of the resonant frequency is set to become smaller than an absolute value of temperature dependency of a resonant frequency when the pedestal is constituted of the first material. - 特許庁

試料の極微少領域の表面温度をサーモリフレクタンス法により高精度・高空間分解能・高速度で測定することを可能とするとともに、表面反射率の温度依存性が知られていない試料についても、その表面反射率の温度依存性を解析し、その結果を用いて温度を即時に決定することを可能にする装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device that can measure the surface temperature of a minute region of a sample at high accuracy, high space resolution, and high speed by a thermo-reflectance method, can analyze the temperature dependence of the surface reflection even of a sample whose temperature dependence of the surface reflection is not known, and can instantly determine the temperature using the results. - 特許庁

調整電圧生成回路３５から第５の演算増幅器３０と第６の演算増幅器３１の夫々に印加される調整電圧Ｖ_Ｓの温度特性を、第１の出力回路４０から出力される第１のアナログ信号の温度依存性を極小にすると共に、第２の出力回路５０から出力される第２のアナログ信号の温度依存性を極小にする温度特性に設定する。例文帳に追加

Temperature characteristics of a regulation voltage V_S applied from a regulation voltage generating circuit 35 to a fifth operational amplifier 30 and a sixth operational amplifier 31 are set to minimize the temperature dependency of a first analog signal outputted from a first output circuit 40 and of a second analog signal outputted from a second output circuit 50. - 特許庁

全ての電流源トランジスタは、第１バイアス電圧により、それぞれのドレイン電流が電流源の電流と同じ温度依存性を持つように制御され、全ての負荷抵抗トランジスタは、第２バイアス電圧により、それぞれのドレイン電圧がそのドレイン電流と同じ温度依存性を持つように制御される。例文帳に追加

All the current source transistors are controlled by a first bias voltage so that the respective drain currents have the same temperature dependency as the current of the current source, while all the load resistance transistors are controlled by the second bias voltage so that the respective drain voltages have the same temperature dependency as the drain currents. - 特許庁

フェイズ・ロックト・ループ６を介さずに、送信データＤＡＴＡに依存した電圧を電圧制御発振器２４の制御端子Ｖ１，Ｖ２に与えて周波数変調を行う周波数直接変調装置において、ＰＬＬロック時の端子電圧とオープン後の変調電圧のそれぞれの温度依存性をバリキャップダイオードの温度依存性に合うように設定したことを特徴としている。例文帳に追加

In the frequency direct modulator performing frequency modulation by applying a voltage dependent on transmission data (DATA) to the control terminals V1 and V2 of a voltage controlled oscillator 24 not through a phase locked loop 6, temperature dependency of the terminal voltage at the time of PLL and of the unlocked modulation voltage is set to conform with the temperature dependency of a varicap diode. - 特許庁

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。例文帳に追加

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode. - 特許庁

従来の粘着剤組成物は、粘着特性のバランス（特に、タックと凝集力の両立）に劣り、また温度依存性が大きく低温での粘着力、再剥離性および高温での保持力が不十分であったことから、粘着特性のバランス、温度依存性および再剥離性に優れる粘着剤組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a pressure-sensitive adhesive composition excellent in the balance of adhesion properties, temperature dependency and removability for overcoming disadvantages of a conventional adhesive composition wherein the balance of adhesion properties (particularly, compatibility between tackiness and cohesive power) is poor, and due to large temperature dependency thereof, an adhesive force at a low temperature, and removability and a holding power at a high temperature are unsatisfactory. - 特許庁

ＭＺＩ同期ＡＷＧの透過中心波長が、およそＭＺＩの透過波長とＡＷＧの透過中心波長の平均値であることに着目し、アサーマルＭＺＩの透過波長の温度依存性を変調しアサーマルＡＷＧに残留する透過中心波長の温度依存性と相殺するように設定する。例文帳に追加

Taking note of such a point that the transmitting central wavelength of an MZI synchronizing AWG is approximately an average value of an MZI transmitting wavelength and the AWG transmittable central wavelength, the temperature dependence of the athermal MZI transmittable wavelength is modulated to set, thereby canceling the temperature dependence of the transmittable central wavelength remaining in the athermal AWG. - 特許庁

光透過中心波長の設定波長からのずれや温度依存性を正確に抑制できる安価なアレイ導波路型回折格子モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive array waveguide type diffraction grating module capable of correctly restraining a deviation from a set wavelength and temperature dependency of a light transmitting central wavelength. - 特許庁

特定のシロキサン誘導体を共重合することにより、高温剛性・耐加水分解性に優れ、弾性率の温度依存性が小さい新規な熱可塑性樹脂を得る。例文帳に追加

To provide a new thermoplastic resin having excellent rigidity at a high temperature, hydrolysis resistance and small temperature dependence of elastic modulus by copolymerizing a specified siloxane derivative. - 特許庁

アサーマル化されたアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）において残留する透過中心波長の温度依存性を補償した光波長合分波回路を提供する。例文帳に追加

To provide an optical wavelength multiplexing and demultiplexing circuit that compensates for the temperature dependence of a transmitting central wavelength remaining in an athermalized array waveguide diffraction grating (AWG). - 特許庁

温度依存性が小さくて、波長管理モジュールによる波長管理の精度向上を達成できる光共振器および波長管理モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide an optical resonator which has low temperature dependence and improves the precision of wavelength management of a wavelength management module and to provide the wavelength management module. - 特許庁

波長１５３０ｎｍ〜１５３５ｎｍにおけるＥＤＦＡの温度依存性を補償して、波長１５３０ｎｍ〜１６１０ｎｍの波長多重伝送を実現する。例文帳に追加

To compensate for the temperature dependency of EDFA in wavelengths region of 1,530 nm-1,535 nm and to perform the wavelength multiplex transmission of the wavelengths 1,530 nm-1,610 nm. - 特許庁

音波の温度依存性の影響を抑制して、効率的な粘弾性特性の測定が可能な粘弾性特性測定装置および粘弾性特性測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a viscoelasticity characteristics measuring apparatus and a viscoelasticity characteristics measuring method, capable of efficiently measuring viscoelasticity characteristics, by suppressing the influences due to the temperature dependence of acoustic waves. - 特許庁

ダイオードのアノード電圧の温度依存性を利用したヘッドドライバＩＣ温度検出回路において、ダイオードのアノード電圧の特定を可能とする。例文帳に追加

To specify an anode voltage of a diode in a head driver IC temperature detection circuit utilizing temperature dependence of the anode voltage of the diode. - 特許庁

ＬＣＲ回路及び検知用材料の特性の温度依存性応答係数の差により、センサーは、温度に実質的に依存せずに分析流体混合物から分析物流体を選択的に検出することができる。例文帳に追加

The difference in the temperature-dependent response coefficients of the properties of the LCR circuit and the sensing material enables the sensor to selectively detect analyte fluids from an analyzed fluid mixture substantially independent of temperature. - 特許庁

温度依存性が小さい疑似位相整合波長変換素子を、温度制御システムによって容易に波長整合することができるレーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser apparatus capable of easily wavelength-matching a pseudo-phase matching wavelength converter having a small temperature dependence by a temperature control element. - 特許庁