「"concentration distribution"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for electrolyzing the brine is a chloralkaline electrolysis process of electrolyzing the brine containing alkaline earth metal ions and the iodine ions by means of an ion exchange membrane, in which the crystal containing the alkaline earth materials and the iodine is so generated that the peak of a concentration distribution comes to a depth of ≥1 μm from the surface of the perflorocarboxylic acid polymer layer of the ion exchange membrane.例文帳に追加

アルカリ土類金属イオンおよびヨウ素イオンを含む塩水をイオン交換膜を介して電気分解するクロルアルカリ電解プロセスにおいて、アルカリ土類金属およびヨウ素を含む結晶を、イオン交換膜のパーフルオロカルボン酸ポリマー層の表面から１μｍ以上の深さに濃度分布のピークが来るように生じせしめることを特徴とする塩水の電解方法。 - 特許庁

After the temperature distribution in a single crystal 14 growing from a melt 12 is determined while considering the convection of the melt 12 under the single crystal production conditions of parameter P_1, the temperature distribution in the single crystal in a cooling process is determined to predict the concentration distribution and size distribution of voids and high-temperature oxygen precipitates in the single crystal.例文帳に追加

先ずパラメータＰ_１の単結晶製造条件で融液１２の対流を考慮して融液から成長する単結晶１４内の温度分布を求め、冷却過程における単結晶内の温度分布を求めることにより、単結晶内のボイド及び高酸素析出物の濃度分布及びサイズ分布を予測する。 - 特許庁

This method for removing the phosphoric acid ion in water is carried out by using an adsorbing material being a particle of activated alumina deposited with aluminum sulfate so that the deposited aluminum sulfate has the concentration distribution uniform from the surface to the inside and adjusting the pH of the water to 5-8 before the adsorbing material is brought into contact with the water.例文帳に追加

吸着材を用いて水中の燐酸イオンを除去する方法において、前記吸着材は硫酸アルミニウムを粒子の表面から内部に至るまで均一な濃度分布となるように被着させた活性アルミナ粒子であり、前記吸着材をｐＨ５〜８に調整した水と接触させることを特徴とする水中の燐酸イオンの除去方法。 - 特許庁

Using this, sintering the ceramic material after the redox of the Pd in the internal electrodes 6, 7, 8 prevents the movement of the Cu in the ceramic material at the time of the sintering to the internal electrodes 6, 7, 8 and their neighboring part to uniformize a concentration distribution of the Cu in the ceramic sintered body 3.例文帳に追加

これを利用し、内部電極６，７，８中のＰｄを酸化還元させた後にセラミック素体を焼結させるため、焼結の際にセラミック素体中のＣｕが内部電極６，７，８中及びその周辺部分に移動するのを防止することができ、セラミック焼結体３におけるＣｕの濃度分布の均一化を図ることができる。 - 特許庁

To measure a trace amount of impurity metal in a CDV film, a high purity ceramic or the like, in particular, in a silicon carbide material or a silicon nitride material, in a desired depth, so as to find precisely and quickly an impurity concentration distribution along a depth direction.例文帳に追加

ＣＶＤ膜、高純度セラミックス等のうち、特に、炭化ケイ素材または窒化ケイ素材に存在する極微量の不純物金属を、所望の深さにおいて正確に定量することができ、これにより、深さ方向における不純物濃度分布を高精度かつ迅速に求めることができる炭化ケイ素材または窒化ケイ素材の不純物濃度分布測定方法ならびにセラミックスの不純物濃度分布測定方法を提供する。 - 特許庁

The particle dispersed system resin sheet is provided with at least an epoxy resin layer (1) containing epoxy resin having bisphenol S type build and a light diffusing agent whose refractive index is different from the one of the epoxy resin and the light diffusing agent is unevenly distributed with concentration distribution in the thickness direction of the epoxy resin layer.例文帳に追加

ビスフェノールＳ型骨格を有するエポキシ樹脂と該エポキシ樹脂とは屈折率が相違する光拡散剤とを含むエポキシ樹脂層（１）を少なくとも有する粒子分散系樹脂シートであって、前記光拡散剤が前記エポキシ樹脂層の厚み方向に濃度分布を有して偏在している粒子分散系樹脂シート。 - 特許庁

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104.例文帳に追加

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

To provide an ammonia injection method and a device therefor in a boiler exhaust gas treatment equipment capable of injecting an appropriate amount of ammonia by grasping SO3 concentration distribution in a duct at the upper flow side of an electric dust collector, reducing an operation cost and an equipment cost by reducing unreacted ammonia and being useful in preventing environment pollution.例文帳に追加

電気集塵機の上流側のダクト内におけるＳＯ_3濃度分布を把握して適正な量のアンモニアを注入することができ、未反応のアンモニアを減少させて運転費並びに設備費を削減し得、且つ環境汚染防止にも役立つボイラ排煙処理設備におけるアンモニア注入方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A silica porous body obtained by depositing silica microparticles by the vapor phase axial deposition (VAD) method is impregnated with a solution containing a dopant consisting of at least one kind selected from metals and metal oxides, freeze-dried under vacuum, and then vitrified by heating and fusing to obtain a doped silica glass in which the dopant is contained with a uniform concentration distribution.例文帳に追加

ＶＡＤ法によりシリカ微粒子を堆積させて得たシリカ多孔質体に、金属および金属酸化物から選ばれた少なくとも１種からなるドーパントを含有する溶液を含浸させ、真空凍結乾燥後、加熱溶融してガラス化させることにより、シリカガラス中にドーパントが均一な濃度分布で含まれたドープシリカガラスを得る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, and an SiON film 3 provided on the silicon substrate 1 and including silicon, oxygen, nitrogen, and helium having a concentration distribution in a film thickness direction of a maximum concentration of helium on the surface part of the silicon substrate 1 and a maximum concentration of nitrogen on the surface of the opposite side of the silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に設けられ、膜厚方向に関し、シリコン基板１側の表面部分にヘリウムの濃度の極大値、シリコン基板１と反対側の表面部分に窒素の濃度の極大値がある濃度分布を有するシリコン、酸素、窒素およびヘリウムを含むＳｉＯＮ膜３とを備えている。 - 特許庁

To provide an accumulation device such as en electric double layer capacitor using a polarizable electrode, which controls the carbon concentration distribution of a polarizable electrode by using carbon nano thin film materials for controlling film thickness, specific surface density, bulk density and orientational property, improves a thin hole use rate, and also controls the absorptivity of electrolytic medium ion and electrolyte.例文帳に追加

分極性電極を用いた、たとえば電気２重層キャパシタ等の蓄電デバイスにおいて、膜厚、比表面密度、嵩密度、配向性等を制御したカーボンナノ薄膜材料を用い、分極性電極のカーボン濃度分布を制御でき、細孔利用率を向上させ、電解質の媒質イオンおよび電解液の吸収性が制御可能な蓄電デバイスを得る。 - 特許庁

To stabilize adjustment, device costs and production by freely changing a filter concentration distribution by a small relative moving amount of a dot size level for a gradation filter used for an excimer laser annealing (ELA) device for irradiating the surface of a low temperature polysilicon TFT liquid crystal panel with excimer laser beams and annealing it.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネルの表面にエキシマレーザビームを照射してアニールするエキシマレーザアニーリング（ＥＬＡ）装置に用いるグラデーションフイルタを、ドットサイズレベルの小さな相対移動量で、フィルタ濃度分布を自在に変化させ、調整・装置コスト・生産の安定化を実現する。 - 特許庁

The multi-layer sheet comprises laminated three or more sheets including at least two or more sheets consisting of a thermoplastic resin and an inorganic plate-like filler, wherein its laminate form has a concentration distribution of the inorganic plate-like filler in a thickness direction of satisfying a specific relationship, and an average inorganic filler concentration in the multi-layer sheet in total of 3 wt.% or higher.例文帳に追加

熱可塑性樹脂および無機板状充填材からなるシートを少なくとも２枚以上含む３枚以上のシートを積層してなる多層シートであって、無機板状充填材の厚み方向の濃度分布が特定の関係式を満たし、かつ多層シート全体の平均無機充填材濃度が３重量％以上となるような積層形態をとる多層シート。 - 特許庁

When a gate electrode film is processed by dry etching, such an impurity concentration distribution as the etching rate in a first gate electrode forming region is substantially equal to the etching rate in a second gate electrode forming region not introduced with impurities is formed from the surface of the region for forming the first gate electrode in the gate electrode film down to a first depth thereof.例文帳に追加

ゲート電極膜をドライエッチングで加工する際に、ゲート電極膜における第１のゲート電極が形成される第１のゲート電極形成領域の表面から前記ゲート電極膜の内部の第１の深さまで、第１のゲート電極形成領域のエッチングレートと、不純物が導入されていない第２のゲート電極形成領域とのエッチングレートとが略同等となるような不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

To provide an engine 100 provided with EGR means 23 re-circulating exhaust gas to an air intake passage 12 not requiring to provide the plurality of air intake passages 12 for one combustion chamber 1, capable of surely suppressing generation of NOx by re-circulating sufficient quantity of exhaust gas E by creating exhaust gas concentration distribution in the combustion chamber 1 with a simple structure while keeping a combustion condition in the combustion chamber 1 stable.例文帳に追加

本発明は、排ガスＥを吸気路１２に還流させるＥＧＲ手段２３を備えたエンジン１００に関し、その目的は、例えば１つの燃焼室１に対して複数の吸気路１２を設ける必要はなく、簡単な構成で、燃焼室１に排ガス濃淡分布を発生させて、燃焼室１における燃焼状態を安定したものに維持したまま、充分な量の排ガスＥを還流させてＮＯｘの生成を確実に抑制することができるエンジン１００を提供する点にある。 - 特許庁

In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis.例文帳に追加

化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[酸素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。 - 特許庁