「えぬま」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｍｎ−Ｚｎフェライトおよび巻き線部品例文帳に追加

Mn-Zn FERRITE AND WIRE WOUND COMPONENT - 特許庁

曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金条例文帳に追加

Cu-Zn-Sn-BASED ALLOY THREAD EXCELLENT IN BENDING WORKABILITY - 特許庁

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｎ系焼結摩擦材料例文帳に追加

Cu-Ni-Mn SINTERING FRICTIONAL MATERIAL - 特許庁

粉末法Ｎｂ３Ｓｎ超電導線材例文帳に追加

POWDER METHOD NB3SN SUPERCONDUCTIVE WIRE ROD - 特許庁

粉末法Ｎｂ３Ｓｎ超電導線材の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF POWDER METHOD Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE MATERIAL - 特許庁

粉末法Ｎｂ▲３▼Ｓｎ超電導線材例文帳に追加

POWDER METHOD Nb3Sn SUPERCONDUCTIVE WIRE ROD - 特許庁

粉末法Ｎｂ▲３▼Ｓｎ超電導線材の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF Nb3Sn SUPERCONDUCTIVE WIRE BY POWDER METHOD - 特許庁

ＦｅＣｏＮｉＮ系軟磁性薄膜合金組成物例文帳に追加

FeCoNiN-BASED SOFT MAGNETIC THIN FILM ALLOY COMPOSITION - 特許庁

シードＳｉ膜８の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ未満である。例文帳に追加

The thickness of the seed Si film 8 is ≥0.1 nm and not more than 5 nm. - 特許庁

ｎ^＋−ＩｎＰ基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３、ｎ^−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５、ｎ^＋−ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７をエピタキシャル成長法により、順次積層する。例文帳に追加

An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth. - 特許庁

ｍｉＲＮＡ搭載マイクロアレイ例文帳に追加

miRNA-BEARING MICROARRAY - 特許庁

ｍｉＲＮＡ検出用マイクロアレイ例文帳に追加

MICROARRAY FOR DETECTING MIRNA - 特許庁

Ａｕ−Ｓｎ合金のめっき皮膜例文帳に追加

Au-Sn ALLOY PLATING FILM - 特許庁

ＤＮａｓｅγの用途及び作用例文帳に追加

USE AND ACTION OF DNaseγ - 特許庁

ＤＳＵ内蔵ＩＳＤＮ端末装置例文帳に追加

ISDN TERMINAL DEVICE INCORPORATING DSU - 特許庁

（但し、Ａは、Ｎａ又はＫ）例文帳に追加

In the formula (1), A expresses Na or K. - 特許庁

玉縁縫いミシンの大押さえ装置例文帳に追加

LARGE PRESSURE FOOT DEVICE OF PIPING SEWING MACHINE - 特許庁

液体クロマトグラフ−ＮＭＲ法例文帳に追加

LIQUID CHROMATOGRAPHY NMR METHOD - 特許庁

膜透過型ＮＦＡＴ阻害ペプチド例文帳に追加

TRANSMENBRANE NFAT INHIBITING PEPTIDE - 特許庁

また、複数のインバータトランスＴＲ１〜ＴＲｎの一次巻線Ｎｐ１〜Ｎｐｎは直列に接続されて、インバータ手段１２に含まれるスイッチング手段１３と一次巻線Ｎｓ１〜Ｎｓｎとの間には、一次巻線Ｎｓ１〜Ｎｓｎに直列にバラストインピーダンス素子１８が接続されている。例文帳に追加

Moreover, primary windings Np1 to Npn of a plurality of inverter transformers TR1 to TRn are connected in series, and between a switching means 13 and the primary windings Ns1 to Nsn included in the inverter means 12, a ballast impedance element 18 is connected in series with the primary windings Ns1 to Nsn. - 特許庁

はんだ３にはＳｎ−ＺｎまたはＳｎ−Ｚｎ−ＢｉあるいはＳｎ−Ｂｉ主成分とする低温無鉛はんだを使用する。例文帳に追加

As the solder 3, a low temperature leadless solder which is mainly formed of Sn-Zn or Sn-Zn-Bi or Sn-Bi is used. - 特許庁

純Ｓｎ、Ｓｎ‐Ｂｉ、Ｓｎ‐Ａｇ、Ｓｎ‐Ｚｎ又はＳｎ‐Ｃｕの何れかを電気鍍金してもよく、Ｂｉ、Ａｇ、Ｚｎ又はＣｕの何れか二元素とＳｎとの三元素合金を電気鍍金してもよい。例文帳に追加

Pure Sn, Sn-Bi, Sn-Ag, Sn-Zn or Sn-Cu may be electroplated, or a three-element alloy composed of any two elements among Bi, Ag, Zn and Cu and one element Sn may be electroplated. - 特許庁

例えば、前記所定の波長は、４３０ｎｍ〜４９０ｎｍ望ましくは４６０ｎｍ近傍である。例文帳に追加

For instance, the prescribed wavelength is 430 nm to 490 nm, and is preferably about 460 nm. - 特許庁

バリアメタル層ＢＭＴＬはＴｉ／ＴｉＮ積層や、ＴａＮ、ＷＮその他様々考えられる。例文帳に追加

The barrier metal layer BMTL includes a multilayer of Ti/TiN, a TaN layer, a WN layer, and the like. - 特許庁

バリアメタル層ＢＭＴＬはＴｉ／ＴｉＮ積層や、ＴａＮ、ＷＮその他様々考えられる。例文帳に追加

Various materials such as Ti/TiN laminate, TaN, or WN can be used for the barrier metal layer BMTL. - 特許庁

生物中にｄｓＲＮＡまたはｄｓＲＮＡを産生できるＤＮＡを導入する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for introducing a dsRNA or a DNA capable of producing the dsRNA, into an organism. - 特許庁

コレステリック液晶層１１、１／４波長位相差層１２および接着層１３の屈折率をそれぞれｎ_１、ｎ_２およびｎ_３としたとき、ｎ_１≦ｎ_３≦ｎ_２またはｎ_２≦ｎ_３≦ｎ_１の関係を満たしている。例文帳に追加

When refractive indices of a cholesteric liquid crystal layer 11, a quarter-wave retardation plate 12 and an adhesive layer 13 are defined as n_1, n_2 and n_3, respectively, n_1, n_2 and n_3 satisfy a relation n_1≤n_3≤n_2 or n_2≤n_3≤n_1. - 特許庁

そして、該塗工液をカーテン塗工方式を用いて塗工すると好ましい。例文帳に追加

Then, the coating liquid is preferably coated by using a curtain coating system. - 特許庁

十　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン例文帳に追加

(x) N,N'-Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine  - 日本法令外国語訳データベースシステム

七　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン例文帳に追加

(vii) N,N'- Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine  - 日本法令外国語訳データベースシステム

さらに、この鋼は、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｂの１種または２種以上、また、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｂの１種または２種以上を含有する。例文帳に追加

Further, this steel contains one or more elements among Sb, Sn, Cr, Mn, Mo, Ni, Nb, V, Ti and B and one or more elements among Cr, Mo, Ni, Nb, V, Ti, Sn and B. - 特許庁

また、ｐｎ半導体を、ｐ層ｎ層ｐ層ｎ層またはｎ層ｐ層ｎ層ｐ層に配置した電圧駆動型としてもよい。例文帳に追加

A pn semiconductor is arranged in pnp layers, or in npn layers for serving as a current driving type or a voltage driving type or the pn semiconductor may be arranged in pnpn layer or in npnp layers for serving as the voltage driving type. - 特許庁

ピッチ間隔Ｐ２、Ｐ３とを、ピッチ間隔Ｐ１のｎ／（ｎ−１）倍又はｎ／（ｎ−２）倍とした。例文帳に追加

The pitch intervals P2, P3 are made n/(n-1) times or n/(n-2) times of the pitch interval P1. - 特許庁

また、パルス磁場のパルス周波数Ｎを、１Ｈｚ≦Ｎ≦１００Ｈｚ、望ましくは、５Ｈｚ≦Ｎ≦６０Ｈｚ、例えば、Ｎ＝２０Ｈｚに設定した。例文帳に追加

The pulse frequency N of the pulse magnetic field is regulated so as to satisfy the formulas: 1 Hz≤N≤100 Hz, preferably 5 Hz≤N≤60 Hz, for example, N=20 Hz. - 特許庁

ＧａＮ／ＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子井戸構造の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GaN/AlGaN/ OR AlGaN/AlGaN QUANTUM WELL STRUCTURE - 特許庁

ローリー車１１は、ＮＧＨが積まれたＮＧＨタンク１３を備えている。例文帳に追加

The lorry car 11 has an NGH tank 13 loaded with the NGH. - 特許庁

また、前記磁気ドラムに施したＺ相用着磁部をＮＳＮ又はＳＮＳとし、前記ＮＳＮにおけるＳ極の幅またはＳＮＳにおけるＮ極の幅を任意の幅としたものである。例文帳に追加

The Z-phase magnetization part provided on the magnetic drum is set to NSN or SNS, and the width of S-pole in the NSN or the width of an N-pole in the SNS is set to an optional width. - 特許庁

《諺》 老犬は(新しい)芸を覚えない, 「老い木は曲がらぬ」.例文帳に追加

An old dog will learn no (new) tricks.＝You cannot teach an old dog new tricks.  - 研究社 新英和中辞典

どれを選んだとて（どれを選ぼうとも）多少の困難は免れぬ例文帳に追加

Whichever you may choose,―No matter which you may choose,―Chose which you will,―you can not escape some difficulty.  - 斎藤和英大辞典

ナノ粒子酸化物は、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２またはＮｂ_２Ｏ_５であることが望ましい。例文帳に追加

The nano-particle oxide is preferably, TiO_2, SnO_2 or Nb_2O_5. - 特許庁

この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。例文帳に追加

The thin film preferably has a composition including TaC, NbC, MoC, WC, CrC, GaN, AlN, or BN. - 特許庁

また、第２のタイプのＰ型ＭＯＳトランジスタ１ＰＮＨ，１ＰＮＬおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１ＮＮＨ，１ＮＮＬはいずれもゲート電極２ＮにＮ型半導体膜を有するのでＮ型半導体膜同士を直接結合でき、これにより回路面積の増大を抑制できる。例文帳に追加

Since the second p-type MOS transistors 1PNH and 1PNL and n-type MOS transistors 1NNH and 1NNL all have an n-type semiconductor film in the gate electrode 2N, the n-type semiconductor films can be directly joined to each other which suppresses an increase in circuit area. - 特許庁

Ｎｆ＝√（Ｎ０・Ｎｓ） （１）（但し、Ｎ０は光学接着剤の屈折率、Ｎｓはレーザ素子または光学素子の屈折率を示している。）例文帳に追加

The numerical formula (1) is expressed by Nf=√(NO×Ns), provided, NO and Ns express respectively the refractive index of the optical cement and the refractive index of the laser element or the optical element. - 特許庁

上記第１級または第２級アミン化合物は、好ましくは ＨＮＲ^１_２−ｎＲ^２_ｎ （１） で示される。例文帳に追加

The primary or secondary amine compounds are each represented preferably by HNR^1_2-nR^2_n (1). - 特許庁

ヌナカワヒメという名前は越国頸城郡沼川（ぬのがわ）郷に因むものである。例文帳に追加

The name Nunakawa-hime came from Nunogawa-go, Kubiki-gun, Koshi Province.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス