「かろちんけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

パロキセチン塩酸塩・無水和物結晶を、パロキセチン塩酸塩・無水和物結晶の懸濁液から遠心分離機により濾過するにあたり、パロキセチン塩酸塩・無水和物結晶が結晶変換等の結晶変質を生ずるおそれがなく濾過されることを技術課題とする。例文帳に追加

To filter paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal without fear causing deterioration of crystal when filtering paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal by a centrifugal separator from suspension of paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal. - 特許庁

この機能素子２６を結晶異方性エッチングにより平滑化処理を行う。例文帳に追加

The function element 26 is smoothened by a crystal anisotropic etching. - 特許庁

鎮痛剤として、また解熱剤としても用いられる白い結晶体化合物例文帳に追加

a white crystalline compound used as an analgesic and also as an antipyretic  - 日本語WordNet

鎮痛剤や解熱剤としても用いられる白い結晶体化合物例文帳に追加

a white crystalline compound used as an analgesic and also as an antipyretic  - 日本語WordNet

結晶化された部分が選択的にエッチングされ、穴１０８が形成できる。例文帳に追加

The crystallized portion is selectively etched to form a hole 108. - 特許庁

その後、露光部分をエッチングした後、結晶化熱処理を施す。例文帳に追加

After that, the exposed part is etched and subjected to crystallization heat treatment. - 特許庁

パロキセチン・塩酸塩・無水物の２−プロパノール溶液からパロキセチン・塩酸塩・２−プロパノール溶媒和物結晶を析出させるにあたり、析出結晶の懸濁液の攪拌性が向上し、また結晶析出後の容器からの結晶の取り出しも容易となる析出方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for depositing by which stirring properties of a suspension of a deposited crystal are improved and the takeout of the crystal after deposition of the crystal from a container is facilitated when a paroxetine hydrochloride 2-propanol solvate crystal is deposited from a 2-propanol solution of paroxetine hydrochloride anhydride. - 特許庁

表面板６４は、エッチングされても基板９を汚損しないよう多結晶シリコン又は単結晶シリコンから成る。例文帳に追加

The surface plate 64 is made of polycrystalline silicon or single crystal silicon for preventing the damage or contamination of the substrate 9 by etching. - 特許庁

パロキセチン塩酸塩の結晶性無水溶媒和物を、対応する結晶性半水和物に固体状態で転換することを含んでなる、結晶性パロキセチン塩酸塩半水和物を製造するための方法。例文帳に追加

The method for manufacturing crystalline paroxetine hydrochloride hemihydrate comprises converting, in the solid state, a crystalline anhydrous solvate of paroxetine hydrochloride into the corresponding crystalline hemihydrate. - 特許庁

これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。例文帳に追加

This is because, since the etching rate is crystal-face dependent, etching of the polycrystalline Si wafer inevitably results in formation of steps because of different crystal-face orientations of individual crystal grains exposed on a surface of the wafer, which hinders precision surface planarization. - 特許庁

半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it. - 特許庁

半導体レーザ素子１は、リッジ構造を有する第２導電型クラッド層５４を結晶成長及びエッチングにより形成した後に結晶成長されるすべての層が、６４０℃以下の結晶成長温度で成膜されたものである。例文帳に追加

After a second conductive clad layer 54 having a ridge is formed by epitaxial growth and etching in the semiconductor laser element 1, all layers are grown epitaxially at an epitaxial growth temperature of 640°C or below. - 特許庁

このシリコン単結晶は結晶長さ方向に対して垂直に切断し、当該切断表面をエッチングしてその表面を観察した場合に、結晶中心部に２０個以下のピットが観察される。例文帳に追加

When the silicon single crystal is cut vertically with respect to the length direction and the cut surface is etched and observed, pits of 20 pieces or less are observed at the center part of the crystal. - 特許庁

針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。例文帳に追加

The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed. - 特許庁

沈殿したイプシロン−多形ＣＬ−２０結晶を非溶媒及び溶媒から分離する。例文帳に追加

The precipitated ε-polymorph CL-20 crystals are separated from the non-solvent and the solvent. - 特許庁

パロキセチン塩酸塩・無水和物結晶の懸濁液からパロキセチン塩酸塩・無水和物結晶を濾過するにあたり、特定の構成を有する濾布反転式遠心分離機を使用することによりパロキセチン塩酸塩・無水和物結晶の濾過する。例文帳に追加

When filtering paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal from suspension of paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal, paroxetine hydrochloride nonhydrate crystal is filtered by using a filter fabric inversion type centrifugal separator having a specific constitution. - 特許庁

プロメガポエチンは、血液細胞（特に血小板）の生産を活性化するコロニー刺激因子である。例文帳に追加

promegapoietin is a colony-stimulating factor that stimulates the production of blood cells, especially platelets.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

投与後２４時間で、ロチゴチンを平均血漿濃度０．４〜２ｎｇ／ｍｌで誘導できる。例文帳に追加

Rotigotine can be induced in the range of 0.4-2 ng/ml mean plasma concentration, 24 h after administration. - 特許庁

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。例文帳に追加

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically. - 特許庁

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。例文帳に追加

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4. - 特許庁

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。例文帳に追加

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation. - 特許庁

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。例文帳に追加

To provide a method for growing an Si-based crystal using the casting method where the crystal orientation of the Si-based crystal can be arbitrarily controlled, where a wafer obtained by cutting the Si-based crystal has a texture structure having a uniform shape orientation after specified etching and where a structure having a uniform shape orientation is simply and easily formed in the Si-based crystal. - 特許庁

ロチゴチンの高い血漿レベルを誘導するパーキンソン氏病のための経皮吸収治療システム例文帳に追加

TRANSDERMAL THERAPEUTIC SYSTEM FOR PARKINSON'S DISEASE INDUCING HIGH PLASMA LEVEL OF ROTIGOTINE - 特許庁

Ｍｐｌ受容体に結合し血小板生成活性を有する二量体トロンボポエチンペプチド模倣体例文帳に追加

DIMERIC THROMBOPOIETIN PEPTIDE MIMETICS BINDING TO Mpl RECEPTOR AND HAVING PLATELET-PRODUCING ACTIVITY - 特許庁

アスタキサンチンを含む結晶形、関連するプロセス、組成物および方法の提供。例文帳に追加

To provide a crystal form comprising astaxanthin, and related processes, compositions and methods. - 特許庁

結晶性形態ＴＷ−１のアトルバスタチンヘミカルシウム水和物の製造方法は、ジクロロメタンに溶解したアトルバスタチンヘミカルシウムを水に接触させることによって上記の結晶性形態ＴＷ−１のアトルバスタチンヘミカルシウム水和物を析出させる結晶化工程を含む。例文帳に追加

The method for producing the atorvastatin hemicalcium hydrate having the crystalline form TW-1 includes a crystallization step of bringing atorvastatin hemicalcium dissolved in dichloromethane into contact with water to crystallize the atorvastatin hemicalcium hydrate in the crystalline form TW-1. - 特許庁

評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。例文帳に追加

An evaluation method of a polycrystalline silicon wafer comprises: revealing crystal defects on a surface a polycrystalline silicon wafer to be evaluated by selectively etching the surface; obtaining a macro image of the surface of the polycrystalline silicon wafer whose crystal defects are revealed as a scattering image; and quantitatively evaluating a crystal defect distribution in the polycrystalline silicon wafer based on a luminance distribution of the obtained macro image. - 特許庁

トロンボポエチン受容体に結合して、骨髄での血小板の生産量を増加させる働きがある。例文帳に追加

it binds to the thrombopoietin receptor and causes the bone marrow to make more platelets.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。例文帳に追加

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h. - 特許庁

多結晶シリコンエッチング工程（ｋ）では、自己整合マスク９が形成された多結晶シリコン堆積膜６を湿式の等方性エッチングによりエッチバックし、溝４内に充填された状態の多結晶シリコン埋め込み層１０を得る。例文帳に追加

In a polycrystal silicon etching step (k), the film 6 formed with the mask 9 is etched back by wet isotropic etching, and a polycrystal silicon embedded layer 10 of a state filled in the groove 4 is obtained. - 特許庁

乾燥溶媒溶液を、ＣＬ−２０非溶媒を入れた結晶化機に加えて、逆沈殿技術によって、イプシロン−多形ＣＬ−２０結晶の沈殿を引き起こす。例文帳に追加

The dry solvent solution is added to a crystallizer containing a CL-20 non-solvent to cause precipitation of ε-polymorph CL-20 crystals by inverse precipitation technique. - 特許庁

鍛錬合金鋼を所定温度で所定時間加熱して炭化物を結晶粒界に析出させ、腐食環境に前記鍛錬合金鋼を所定時間曝露することにより前記結晶粒界をエッチングし、前記鍛錬合金鋼に生じた結晶粒を分離させて金属材料粉末を製造する。例文帳に追加

Forged alloy steel is heated at a prescribed temperature for a prescribed time to precipitate carbides into the crystal grain boundaries, the forged alloy steel is exposed to a corrosive environment for a prescribed time to etch the crystal grain boundaries, and the crystal grains produced in the forged alloy steel are separated to produce the metallic material powder. - 特許庁

犠牲層５は、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液６により、単結晶シリコン基板２をエッチングする速度よりも速い速度で選択的にエッチング可能な材料で構成する。例文帳に追加

The sacrificial layer 5 is made of a material that can be selectively etched at a speed higher than the speed at which the single crystal silicon substrate 2 is etched. - 特許庁

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11. - 特許庁

さらに、（１１１）結晶面に対するエッチング速度が、（１００）および（１１０）結晶面に対するよりも十分小さい異方性エッチング液を用いる。例文帳に追加

In addition, an anisotropic etchant having an etching rate which is sufficiently smaller than those to the (100) and (110)-crystal faces to the (111)-crystal face is used. - 特許庁

血漿のような生理学的液に相対的に不溶性であり、かつ血漿のような生理学的液中に溶解される時に、一種以上の鎮痛性化合物又は組成物に戻る、血漿のような生理学的液に暴露される前に安定な化合物及び組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound and composition stable before exposing to a biological fluid such as plasma, etc., relatively insoluble in the biological fluid such as plasma, etc., and returning to at least one kind of analgesic compounds or compositions in dissolving into the biological fluid such as plasma, etc. - 特許庁

結晶の表面を、フッ化アンモニウムを含有するエッチング液でエッチングする工程Ｓ２０と、結晶を不活性ガス中でアニール処理する工程Ｓ３０とを備える。例文帳に追加

The method comprises a step S20 of etching a surface of a crystal with an etchant containing ammonium fluoride, and a step S30 of annealing the crystal in an inert gas. - 特許庁

単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer consisting of the single crystal silicon substrate 200 is formed by etching and patterning the single crystal silicon substrate 200 using mixture liquid of hydrofluoric acid and ozone water. - 特許庁

および高品質の塩酸エピナスチンを非プロトン性極性溶媒から結晶化することを特徴とする塩酸エピナスチン結晶多形の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the crystal polymorphism of the epinastine hydrochloride is characterized as crystallizing the high-quality epinastine hydrochloride from an aprotic polar solvent. - 特許庁

ヘキサニトロロジウム(III)酸ナトリウムの結晶は水に溶解し、水溶性ナトリウム塩を添加して、再度ロジウムを結晶性沈殿として選択的に分離回収する。例文帳に追加

The crystal of sodium hexanitro rhodate (III) is dissolved in water, and by adding a water soluble sodium salt, rhodium is again selectively separated and recovered as a crystalline precipitate. - 特許庁

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it. - 特許庁

バルク単結晶に匹敵するスイッチング特性を多結晶薄膜で得られる、電荷軌道整列ペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及び該薄膜を備えてなるスイッチング素子、並びに該薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-orbital alignment perovskite manganese oxide thin film with which switching characteristic equal to that of a bulk single crystal can be obtained by a polycrystalline thin film; and to provide a switching element having the same and a method for producing the thin film. - 特許庁

誘電体単結晶からなる誘電体単結晶基板１の一方の主面１ａをエッチングすることによって、誘電体単結晶基板１に凹部４を形成する凹部形成工程、および 誘電体単結晶基板１の他方の主面１ｂを機械加工することによって、スラブ１０を形成し、かつ凹部４を貫通させて貫通孔１１を形成する貫通孔形成工程を有する。例文帳に追加

The method includes a recess forming process in which one main face 1a of a substrate 1 composed of a dielectric single crystal is etched to form recesses 4 in the substrate 1 and a through hole forming process in which the other face 1b of the substrate 1 is mechanically processed to form a slab 10, so that the recesses 4 pass through the substrate 1 to form through holes 11. - 特許庁

その後、ＫＯＨ溶液により結晶方位に対し異方性のウエットエッチングを１０分程度行って、ミラー４の側壁面を平滑な結晶面（１００）とする。例文帳に追加

Thereafter, anisotropic wet etching is performed to the crystal orientation with a KOH solution for approximately 10 minutes to obtain a flat crystal face (100) on the side wall face of a mirror 4. - 特許庁

ここで、多結晶シリコン膜２２を形成する際に、多結晶シリコン膜１９の上部をレジスト膜２１で一旦埋め込み、絶縁膜２０の表面高さを所望の位置にするためエッチングした後レジスト膜２１を除去し、多結晶シリコン膜２２を形成する。例文帳に追加

The upper surface of the polycrystalline silicon film 19 is covered with an insulating film 20, and the upper space above the insulating film 20 is filled up with a polycrystalline silicon film 22 for the formation of a storage node contact. - 特許庁