「かろちんけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

続いて、エッチング対象物Ａの結晶構造を溶解させるほどに強度を高めたレーザー光を照射しつつＸＹステージ６を走査させてエッチング対象物Ａを加工照射する。例文帳に追加

Then, the XY stage 6 is scanned while irradiating it with the laser beam whose intensity is increased so as to dissolve the crystal structure of the etching object A, and the working irradiation of the etching object A is performed. - 特許庁

次に、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）法等を用い、多結晶シリコン膜パターン１０８を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層１１５を形成する。例文帳に追加

Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed. - 特許庁

ｐＨ３〜１０の領域で結晶あるいは沈澱となっているヘスペリジンおよびナリジン等のフラボノイド等を可溶化し、沈澱のない柑橘果汁飲料を提供する。例文帳に追加

To obtain a citrus fruit juice or fruit juice drink which scarcely contains precipitates, has excellent texture and taste, and is useful for health drinks, medicines, and the like, by adding a hesperidin glycoside to a citrus juice or fruit juice drink and then heating the mixture to dissolve flavonoid compounds contained therein. - 特許庁

ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。例文帳に追加

The Si substrate 12 is immersed in TMAH to etch crystal-isotropically the Si substrate 12 through the etching window 26 of the back side, and a through hole 14 is formed on the Si substrate 12. - 特許庁

犠牲層２３が貫通孔１４内に露出したら、犠牲層２３がエッチング除去し、保護膜２４とＳｉ基板１２の間に隙間１９を生成し、Ｓｉ基板１２を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。例文帳に追加

When the sacrificial layer 23 is exposed in the through hole 14, the sacrificial layer 23 is removed by etching, then a clearance 19 is produced between the protection film 24 and Si substrate 12, and the Si substrate 12 is etched crystal-isotropically from both sides of surface and back. - 特許庁

スイッチング回路部１０は、β—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。例文帳に追加

The switching circuit 10 includes the Schottky diode 8 equipped with an n-type Ga_2O_3 substrate 80 comprising β-Ga_2O_3 single crystal. - 特許庁

切断および鏡面研磨したフッ化リチウムカルシウム単結晶を２０℃〜８０℃で１Ｎ〜６ＮのＨＣｌ水溶液に浸漬し、所要の時間エッチングする。例文帳に追加

A cut and mirror-finished lithium calcium aluminum fluoride single crystal is immersed in a 1-6N aqueous HCl solution at 20-80°C and etched for the time required. - 特許庁

得られる金属化合物沈殿やスラリーをろ過等により分離し（Ｓ２）、結晶一次粒子のサイズが１〜５０ｎｍの一次金属酸化物Ｍを得ることができる。例文帳に追加

A metal compound precipitate or slurry obtained in the preceding step is separated by filtration etc. (S2) to obtain a primary metal oxide M whose crystalline primary particle has a particle diameter of 1-50 nm. - 特許庁

圧力発生室２は、シリコン単結晶基板の表面に対する異方性のウェットエッチングによって形成され、圧力発生室２を区画する内壁面は、異方性のウェットエッチングにより露出したシリコン単結晶基板の（１１１）面６と振動板５の内面７とによって形成されている。例文帳に追加

The pressure generating chamber 2 is formed by subjecting the surface of the silicon single crystal substrate to anisotropic wet etching and the inner wall face sectioning the pressure generating chambers 2 is defined by the (111) face 6 of the silicon single crystal substrate exposed by anisotropic wet etching and the inner face 7 of the diaphragm 5. - 特許庁

多量の結晶水を結合可能な複塩化合物の生成を利用して、粉末凝集剤のままこ生成防止及びフロック沈降の高効率化を実現する粉末状凝集沈降剤を提供する。例文帳に追加

To provide a powder type flocculating and precipitating agent which is prevented from forming undissolved lumps and capable of providing a high floc precipitation efficiency by utilizing double salt compound production capable of being hydrated with a large quantity of crystal water. - 特許庁

その後、レジスト層５８をマスクとして、多結晶シリコン層５６および高誘電率絶縁膜５４をドライエッチングにより段階的に選択的に除去し、つづいて、多結晶シリコン層５６をマスクとして、高誘電率絶縁膜５４の残りとシリコン酸化膜５２をウェットエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

Thereafter, a polycrystalline silicon layer 56 and the high dielectric constant insulating film 54 are gradually and selectively removed by dry etching by using a resist layer 58 as a mask, and then the remainder of the high dielectric constant insulating film 54 and the silicon oxide film 52 are selectively removed by wet etching by using the polycrystalline silicon layer 56 as a mask. - 特許庁

結晶性の〔Ｒ−（Ｒ＊，Ｒ＊）〕−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）−３−フェニル−４−〔（フェニルアミノ）カルボニル〕−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸ヘミカルシウム塩（アトルバスタチン）例文帳に追加

CRYSTALLINE [R-(R*,R*)]-2-(4-FLUOROPHENYL)-β,δ-DIHYDROXY-5-(1- METHYLETHYL)-3-PHENYL-4-[(PHENYLAMINO)CARBONYL]-1H- PYRROL-1-HEPTANOIC ACID HEMICALCIUM SALT (ATORVASTATIN) - 特許庁

エッチング窓は、半導体基板の＜１００＞方向又は＜１１０＞方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。例文帳に追加

The etching window has a sidewall having a certain degree of a tilt angle with a direction crystallographically equivalent to the <100> direction or <110> direction of the semiconductor substrate. - 特許庁

形態ＩＩＩの結晶性の（Ｒ−（Ｒ＊，Ｒ＊））−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチル−エチル）−３−フェニル−４−（（フェニルアミノ）カルボニル）−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸ヘミカルシウム塩（アトルバスタチン）例文帳に追加

FORM III CRYSTALLINE [R-(R*,R*)]-2-(4-FLUOROPHENYL)-β,δ- DIHYDROXY-5-(1-METHYLETHYL)-3-PHENYL-4-[(PHENYLAMINO) CARBONYL]-1H-PYRROL-1-HEPTANOIC ACID HEMICALCIUM SALT (ATORVASTATIN) - 特許庁

次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を１００Ｗ以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。例文帳に追加

Then, dry etching is performed at a bias power of 100 W or above using the resist pattern to remove the exposed portion of the low-resistance polycrystalline silicon film, thus forming the gate electrode. - 特許庁

原子比で、ボロン：３〜１１ｐｐｂａを含有し、さらに燐および砒素の内の１種または２種の合計を０．５〜６ｐｐｂａを含有するシリコン単結晶からなる耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板。例文帳に追加

The silicon electrode plate superior in durability made of a silicon single crystal, containing 3 to 11 ppba of boron at atomic ratio, furthermore 0.5 to 6 ppba of the sum of one kind or two kinds between phosphorus and arsenic. - 特許庁

金属用の改良された洗浄用組成物、より具体的には、マイクロ電子パッケージの製造におけるマイクロエッチングの間の、金属飽和および結晶化を改良する金属用の改良された洗浄用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain an improved cleaning composition for metals, more practically, an improved cleaning composition for metals which improves metal saturation and crystallization in microetching at fabrication of a microelectronic package. - 特許庁

ロバスタチン等のＨＭＧ−ＣｏＡレダクターゼ阻害剤を、複合化された結晶化の各工程に供して、９９．６％より高い純度を得るステップを有する精製方法およびその使用。例文帳に追加

The purification method having a step for obtaining a purity of higher than 99.6% by supplying HMG-CoA reductase inhibitor such as lovastatin to each step of complexified crystallization and use thereof are provided. - 特許庁

この装置を用いて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うことにより、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、発生する反射電力を抑制することができた。例文帳に追加

When a deep trench machining is performed for monocrystal silicon by using this device to repeat switching of an etching primary process and a deposition primary process, a generated reflection electric power can be suppressed. - 特許庁

（１１０）面を表面とする単結晶シリコン基板１に異方性エッチングを施し、電池要素２，３，４が積層された開口部５の断面における基板表面との開口角度αをほぼ９０°にする。例文帳に追加

An anisotropic etching is applied on a monocrystal silicon base plate 1 with (110) face as a surface, and an angle of aperture α with the base plate surface at a cross section of the opening 5 with battery elements 2, 3, 4 laminated is set at nearly 90°C. - 特許庁

マスクの製造方法は、上記貫通穴１８の形状に対応して、耐エッチング膜に開口を形成して、単結晶基板１０をエッチングする。例文帳に追加

Corresponding to the form of the above penetration holes 18, the manufacturing method of the mask forms the openings in an etching-proof film, and etches the single crystal substrate 10 into it. - 特許庁

２層転送ゲート電極を形成するに際して、先ず、多結晶シリコンからなるゲート絶縁膜上に予備ゲート電極１０４を形成し、更に、当該予備ゲート電極１０４上に多結晶シリコン膜１０５を形成、エッチングすることによって、上側角部の曲率半径が大きい第１ゲート電極を形成する。例文帳に追加

When a two-layer transfer gate electrode is formed, a preliminary gate electrode 104 is formed on a gate insulating film composed of polysilicon, a polysilicon film 105 is formed on the preliminary gate electrode 104, and then a first gate electrode having a large curvature of radius at an upper corner is formed by etching. - 特許庁

イオン性度が０．５以上の、貴金属イオンを含むイオン結晶性微粒子、特にハロゲン化銀、例えば、塩化銀、臭化銀、沃化銀の結晶性微粒子を含み、さらには、カブリ抑制剤、バインダー、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール等の親水性のバインダー、硬膜剤を含んでもよい電磁波吸収材料。例文帳に追加

The electromagnetic wave absorbing material contains ionic crystal particulate including noble metal ion with the degree of ionicity of 0.5 or more, especially a silver halide, e.g. crystal particulate of silver chloride, silver bromide and silver iodide, and furthermore, it may contain a fogging inhibitor and a binder, e.g. a hydrophilic binder such as gelatin, polyvinyl alcohol or the like and a hardening agent. - 特許庁

本発明の装置の主要な構成部である再生器部の一部または全部と晶析部と溶解器部を鉛直方向に順次上から一体的に配置することにより各器部内及び各器部間の所要流路を最短且つ縦方向に構成させることにより析出した溶質結晶を沈降排除または機械的に排除させると共に、運転時に高温にする再生器部に近接させて配置することにより内部熱伝導を利用して析出した溶質結晶を昇温再溶解せしめ結晶の流路閉鎖を解消する。例文帳に追加

Thus, it is possible to solve the possible problems of clogging of passages due to solute crystal, which is again deposited in the heat pump hot water generator adapted to recover the atmospheric heat or the like utilizing cold caused by endothermic phenomenon generated when a specified solute is dissolved in a specified solvent taking a thermal source as the main driving energy. - 特許庁

再結晶、再沈殿、昇華精製等の煩雑操作を必要とせずに、エレクトロニクス関連材料用に好適なチタニウムフタロシアニン化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium phthalocyanine compound which does not require complicated operations such as recrystallization, reprecipitation, sublimation purification, or the like and is suitable for electronics related materials. - 特許庁

親油性成分を含む蒲鉾等の飲食品を、リコピンやβ-カロチン等の結晶性カロテノイド色素を用いて着色する際の変色を抑制する。例文帳に追加

To provide a method for suppressing discoloration when coloring lipophilic component-containing food and drink such as boiled fish paste, using crystalline carotenoid pigment such as lycopene and β-carotene. - 特許庁

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波を導入し上記混合ガスをイオン化して、結晶基板１１を上記計算で求めた所要時間だけエッチングする。例文帳に追加

Microwaves are guided from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the mixture gas and to etch the crystalline substrate 11 for the required time found from the above calculation. - 特許庁

多結晶シリコン膜４と、高融点金属シリサイド膜５と、シリコン酸化膜６を堆積した後、シリコン酸化膜６と高融点金属シリサイド膜５をエッチングにより加工する。例文帳に追加

After a polycrystalline silicon film 4, the high melting point metal silicide film 5 and a silicon oxide film 6 are deposited, the silicon oxide film 6 and the high melting point metal silicide film 5 are worked through etching. - 特許庁

トレンチ１４内部には第３のシリコン酸化膜１６が埋め込み形成され、所定量だけエッチングすることで多結晶シリコン膜１３の中間部位にシリコン酸化膜１６の端部が位置するように形成される。例文帳に追加

Within the trench 14, a third silicon oxide film 16 is formed and embedded, and this silicon oxide film 16 is etched only for the predetermined amount so that the end of the silicon oxide film 16 is located at the intermediate portion of the polycrystal silicon film 13. - 特許庁

湿式エッチング法を適用できないため、物理的方法で行っていた比抵抗値が０．０１Ωｃｍ以下のシリコンウェハの結晶欠陥評価を行うためのを提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating silicon wafer crystal defects with a specific resistance value of 0.01 Ωcm or less wafer that have been evaluated so far by a physical method because no wet etching method can be used. - 特許庁

単結晶Ｓｉに２００ｎｍ以下程度に狭幅化したトレンチを形成するドライエッチングにおいて、サブトレンチがなく底部が平坦なトレンチを短時間で形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a trench, in a short time, which has no sub-trench and has a flat bottom through dry etching in which a trench made narrow to approximately ≤200 nm is formed in a single crystal Si. - 特許庁

水溶性アスコルビン酸誘導体の変色、変臭、沈澱・結晶等の生成が防止され、保存安定性、使用性に優れ、かつ、優れた美白効果を有する美白化粧料を提供する。例文帳に追加

To provide a whitening cosmetic which prevents a water-soluble ascorbic acid derivative from discoloration, odor change, and formation of precipitates, crystals, etc., and is excellent in storage stability, usability, and whitening effects. - 特許庁

立方晶構造及び２次の電気光学効果を有する誘電体結晶と、誘電体結晶に隣接して配置された透明電極と、透明電極に隣接して配置された誘電体多層膜から成る誘電体多層膜ミラーと、で構成されるエタロンを含み、透明電極に印加された電圧により光のスイッチングを行う。例文帳に追加

The gate switch includes the etalon constructed with a dielectric crystal having a cubic crystal structure and a second order electro-optic effect, the transparent electrode arranged adjacent to the dielectric crystal, and a dielectric multilayer mirror composed of a dielectric multilayer film arranged adjacent to the transparent electrode, and switches light with the voltage applied to the transparent electrode. - 特許庁

結晶粒界を有しレジストを塗布した基板をチャンバー内のエッチング領域に置き、１次エッチャント、２次エッチャント及びキセノンを備えたプロセスガスをエッチング領域に導入する。例文帳に追加

A substrate having grain boundary on which the resist is coated is placed in an etching area inside a chamber, and a process gas containing a first etchant, a second etchant and xenon is introduced into the etching area. - 特許庁

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。例文帳に追加

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material. - 特許庁

いかなる比率でも混合することができ、その沸点が１２０℃未満である、一つまたは二つの溶媒に下記式（Ｉ）のアゴメラチンを溶解し、続いてこの溶液を噴霧乾燥器にて微粒化することで結晶形Ｖ。例文帳に追加

The method for obtaining agomelatine of the crystal form V comprises dissolving agomelatine of formula (I) in one or two solvents which are miscible in any ratio and whose boiling point is lower than 120°C, and subsequently atomizing the solution using a spray drier. - 特許庁

非対称結晶構造を有する圧電物質のナノロッドの内部のみを選択的にエッチングすることにより、ナノロッドからナノチューブを製造する方法及び圧電物質のナノチューブを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing nanotubes from nanorods by selectively etching only inner parts of nanorods of a piezoelectric material having an asymmetric crystal structure, and to provide nanotubes of the piezoelectric material. - 特許庁

次いで溝の内部に埋め込まれた窒化シリコン膜１０をマスクにして酸化シリコン膜および多結晶シリコン膜６をエッチングし、ゲート電極１１を形成する。例文帳に追加

Then, the silicon oxide film and the polycrystalline silicon film 6 are etched by using a silicon nitride film 10 embedded in the groove as a mask, and a gate electrode 11 is formed. - 特許庁

凹部２０１には結晶ガラス製の載置台２１が収容され、パンチング板２０３の下には、断熱材２２、絶縁板２３を介して誘導加熱コイル２４が配置されている。例文帳に追加

A placing table 21 made of crystal glass is housed in the recessed part 201, and an induction heating coil 24 is disposed under the punched plate 203 through a heat insulating material 22 and an insulating plate 23. - 特許庁

そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート２２を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート１６Ａの各拡散層領域１６ｂの上面にエッチングストップ層２２ａを形成する。例文帳に追加

Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A. - 特許庁

酸化物半導体基板３の上面３２には、上述の結晶異方性エッチングを行うときにマスクとして用いるＴｉ薄膜からなる透光性薄膜６が形成されてなる。例文帳に追加

On the upper surface 32 of the oxide semiconductor substrate 3, a light-transparent thin film 6 to be used as a mask when the crystal anisotropic etching is carried out is formed of a Ti thin film. - 特許庁

Ｓｉ基板１２の表面にＳｉＯ_２薄膜からなる保護膜２０を形成し、その一部を除去して開口したエッチング窓２２に多結晶Ｓｉからなる犠牲層２３を成膜する。例文帳に追加

A protection film 20 composed of an SiO_2 film is formed on a surface of an Si substrate 12, and its part is removed to form a sacrificial layer 23 made up of polycrystal Si on an opened etching window 22. - 特許庁

前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成することにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element to simplify processes and to improve productivity by selectively exposing amorphous indium tin oxide to light to convert into polycrystalline or crystalline indium tin oxide and selectively etching residual amorphous indium tin oxide to form a pixel electrode. - 特許庁

非対称結晶構造を有する圧電物質のナノロッドに水酸化物イオンを供給して、ナノロッドの内部をエッチングすることにより、ナノチューブを製造することができる。例文帳に追加

Nanotubes are manufactured by supplying hydroxide ions to nanorods of the piezoelectric material having the asymmetric crystal structure so as to etch inner parts of the nanorods. - 特許庁

例えば、非対称結晶構造を有する圧電物質のナノロッドを水酸化物イオンを生成する塩基性溶液と接触させることにより、ナノロッドの内部を選択的にエッチングすることができる。例文帳に追加

For example, inner parts of nanorods is selectively etched by bringing nanorods of the piezoelectric material having the asymmetric crystal structure into contact with a basic solution that generates hydroxide ions. - 特許庁