「かろちんけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

こうすることによって、多結晶シリコン膜６２０の下部は、酸化されてＳｉＯ_２膜になることなく多結晶シリコン膜のまま維持されるので、後述するエッチングの際のストッパーとして利用することができる。例文帳に追加

The lower part of the polycrystalline silicon film 620 is kept, as it is, as the polycrystalline silicon film without being oxidized into an SiO_2 film, so that it can be utilized as a stopper upon etching, described later. - 特許庁

次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な面に形成する。例文帳に追加

Then, an etching mask with an etching window is formed on the surface crystallographically equivalent to the {110} surface or {100} surface. - 特許庁

mgdfはトロンボポエチンという蛋白に由来する物質であるが、トロンボポエチンは正常時から体内で作られて血小板の生産に関与する物質である。例文帳に追加

mgdf comes from the protein thrombopoietin, which is normally made in the body to help make platelets.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

続いて、中間結晶層１４をさらにエッチングし、形成された開口部１４ａからＧａＮを横方向成長させて表面結晶層１６を形成する。例文帳に追加

Then the intermediate crystal layer 14 is further etched and GaN is grown laterally from the formed opening part 14a to form a surface crystal layer 16. - 特許庁

表示部１２の画素をスイッチング制御する画素トランジスタ１６のチャネル領域を、多結晶の半導体により形成し、単結晶の半導体の場合よりも光感度を低くして、光リークを抑制する。例文帳に追加

A channel area of a pixel transistor 16 performing switching control over pixels of a display part 12 is formed of a polycrystalline semiconductor and the light sensitivity is made lower than a single-crystal semiconductor to suppress a light leak. - 特許庁

シリコン微小細線からなる３次元構造体であって、単結晶材料の結晶性を用いたウェットエッチングにより、ナノ乃至ミクロンオーダのワイヤ２を形成する。例文帳に追加

Wire 2 of nano or micron order is formed by carrying out wet etching on the tertiary structure body composed of silicon fine thread in use of crystallinity of single crystal material. - 特許庁

色材物質の合成、沈殿または結晶化を、流路を備えたマイクロリアクターの流路中で行う。例文帳に追加

Synthesis, precipitation or crystallization of the coloring agent is conducted in a flow path of a microreactor equipped with a flow path. - 特許庁

さらに、本発明は、異なる量の（他の）カロテノイド化合物と合わせて、規定した量の全トランス−アスタキサンチンを含む結晶形Ｉおよび結晶形ＩＩならびにその組合せを記載する。例文帳に追加

In addition the present invention describes the crystal form I and the crystal form II and combinations thereof comprising defined amounts of all-trans-astaxanthin with different amounts of (other) carotenoid compounds. - 特許庁

反応炉内の種結晶の表面をブラスティング処理を行い、エッチング後処理を行うことにより結晶生成を早め、還元反応・析出速度を高め製造効率を上げる。例文帳に追加

The crystal growth is accelerated and reduction reaction and deposition rate are raised and manufacturing efficiency is raised by subjecting the surface of the seed crystal within a reaction furnace to the blasting treatment and to etching posttreatment. - 特許庁

溝を埋め込むように多結晶シリコン膜を堆積したあと、化学的機械研磨（ＣＭＰ）等によって多結晶シリコン膜をエッチングし、それによって溝に埋め込まれた浮遊ゲート３６形成する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film is deposited so as to fill up the groove and then etched by chemomechanical polishing(CMP) or the like, by which a floating gate 36 buried in the groove is formed. - 特許庁

本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。例文帳に追加

Etching is not performed in the process of planarizing a polycrystalline Si wafer, but only mechanical grinding is performed for planarization (S104, S106). - 特許庁

シリコン基板１にゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、電極間絶縁膜６、多結晶シリコン膜７を積層し、エッチングによりゲート電極Ｇ、ＳＧを形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 4, a polycrystal silicon film 5, an interelectrode insulating film 6 and a polycrystal silicon film 7 are laminated on a silicon board 1, and the gate electrodes G and SG are formed by an etching. - 特許庁

シリコン基板１にゲート絶縁膜４ｂ、多結晶シリコン膜５、電極間絶縁膜６、多結晶シリコン膜７を積層し、エッチングによりゲート電極ＧＨＶを形成する。例文帳に追加

In a silicon substrate 1, a gate insulating film 4b, a polycrystalline silicon film 5, an electrode insulating film 6, and a polycrystalline silicon film 7 are laminated, and then a gate electrode GHV is formed by etching. - 特許庁

この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。例文帳に追加

By this anisotropic dry etching, a conical etching residue 6 having an apex made of the crystal defect 4 is left on the surface of the wafer 2. - 特許庁

異方性エッチングによって基板をエッチングし、結晶欠陥に起因したエッチング残渣を露出させ、前記エッチング残渣に基づいて結晶欠陥を評価する評価方法において、基板等の表面内部に存在する結晶欠陥の数、面内分布及び密度等を簡便かつより高精度に評価する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply and more accurately evaluating the number, intra-surface distribution, and density of crystal defects existing within a surface of a substrate, etc., as to an evaluation method wherein the substrate is etched by means of anisotropic etching to expose etching residues owing to crystal defects and the crystal defects are evaluated based on the etching residues. - 特許庁

結晶２が液体４の中を沈降してセンサ６を通過する時間範囲とセンサ６の測定出力で粒径分布を求める。例文帳に追加

A particle size distribution is obtained from a time range in which the crystals 2 sediment in liquid 4 and passes through a sensor 6 and from a measurement output of the sensor 6. - 特許庁

反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板１から形成された振動子１１の下部電極４ａ、圧電薄膜５ａ、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。例文帳に追加

Portions of a vibrator 11 formed out of a monocrystal silicon substrate 1, other than surfaces where a lower electrode 4a, a piezoelectric thin film 5a, and upper electrodes 6a, 6b, and 6c, are ground by means of reactive ion etching, dry isotropic ion etching, or crystal anisotropic etching, thereby obtaining a desired detuning degree. - 特許庁

エッチングマスク層８の開口部を通じて、Ｓｉ基板１の被エッチング面を結晶異方性エッチングにてエッチングし、Ｓｉ基板１の結晶方位＜１００＞面が露出した凹部２８をＳｉ基板１の裏面側に形成する。例文帳に追加

Crystal anisotropic etching is applied to the surface-to-be-etched of the Si substrate 1 through the opening of the etching mask layer 8, then, a recessed part 28 where the crystal orientation (100) surface of the Si substrate 1 is exposed is formed on the rear side of the Si substrate 1. - 特許庁

装置５００は、沈殿剤５０６を保持するために設けられた複数の試薬貯留部５０２と、各試薬貯留部５０２に配置された、結晶成長のため該タンパク質を含む溶液５１２に接触させるべき結晶成長用チップ５１０と、各試薬貯留部５０２において、結晶成長用チップ５１０を支持する支持部５１１とを備える。例文帳に追加

The device 500 is provided with plural reagent storing parts 502 which are disposed for keeping the precipitant 506, chips 510 for crystal growth to be brought into contact with a solution 512 including the protein for crystal growth which are arranged on the respective reagent storing parts 502 and supporting parts 511 which support the chips 510 for crystal growth on the respective reagent storing parts 502. - 特許庁

アルカリエッチングにより、製造プロセス中で容易かつ安価に炭化珪素単結晶の欠陥を高精度で検出する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of easily detecting a defect of a silicon carbide single crystal at a low cost with high precision in a manufacturing process through alkali etching. - 特許庁

シリコン窒化酸化膜１０３及び結晶混在膜１０４に対して選択的にエッチングを行なって、シリコン窒化酸化膜１０３からなるゲート絶縁膜１０３Ａ及び結晶混在膜１０４からなるゲート電極１０４Ａを形成する。例文帳に追加

The silicon nitride oxide film 103 and the crystal mixing film 104 are selectively etched, and a gate insulating film consisting of the silicon nitride oxide film 103 and a gate electrode consisting of the crystal mixing film 104 are formed. - 特許庁

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。例文帳に追加

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1. - 特許庁

振動腕部２の露出面７からウェットエッチングが進行し、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）に形成された改質層６から、ウェットエッチングがさらに進行するので、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）で、ウェットエッチングが進行しないという問題を解消できる。例文帳に追加

Since wet etching is advanced from an exposed surface 7 of a vibration arm part 2 and the wet etching is further advanced from a modified layer 6 formed on the crystal plane 5 (5A, 5B), a problem that the wet etching is not advanced on the crystal plane 5 (5A, 5B) can be solved. - 特許庁

トロンボポエチン（ＴＰＯ）摸倣物、ならびにそれらの血小板形成および巨核球形成のプロモーターとしての使用を提供する。例文帳に追加

To provide a thrombopoietin (TPO) mimetic, and to provide a use of the same as a promotor of thrombocyte formation and megakaryocyte formation. - 特許庁

シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ例文帳に追加

ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING INK CHANNEL PLATE, INK CHANNEL PLATE, INK-JET PRINT HEAD, AND INK JET PRINTER - 特許庁

次に、シリコン窒化膜１０４をマスクとしたエッチングにより、多結晶シリコン膜１０３をほぼ垂直形状に形成する。例文帳に追加

The polycrystalline silicon film 103 is formed into a substantially vertical shape by etching with the silicon nitride film 104 used as a mask. - 特許庁

トロンボポエチンは、化学療法を受けているがん患者において血小板の数を増加させる方法として研究されている。例文帳に追加

thrombopoietin is being studied as a way to increase the number of platelets in cancer patients receiving chemotherapy.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

下部電極を形成する工程６０２と、超微細結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第１堆積工程６０６と、多結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第２堆積工程６０８と、バイポーラスイッチング特性を備える多層ＰＣＭＯ膜を形成する工程６１０と、を有する。例文帳に追加

The method of forming the PCMO thin film having a bipolar switching characteristic comprises: a step 602 of forming a lower electrode; a first deposition step 606 of depositing an ultrafine crystal PCMO layer; a second deposition step 608 of depositing a polycrystalline PCMO layer; and a step 610 of forming a multilayer PCMO film having a bipolar switching characteristic. - 特許庁

１〜１０重量％のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。例文帳に追加

An etchant composition for a crystalline transparent conductive film is made of an aqueous solution containing a fluorine compound of 1 to 10 wt.%. - 特許庁

多結晶Ｓｉ膜１２、窒化膜１４を形成し、これらの膜にエミッタ開口を形成し、酸化膜４、６の側面をエッチングする。例文帳に追加

A polycrystalline Si film 12 and a nitride film 14 are made, and an emitter aperture is made in these films, and the flanks of the oxide films 4 and 6 are etched. - 特許庁

シンバスタチンを含む製剤であって、(a)シンバスタチンとブチルヒドロキシアニソールとを同時結晶化することにより得られた平均粒子径１８μｍ以下のブチルヒドロキシアニソール含有シンバスタチン結晶、及び(b)有機酸とを含むことを特徴とする製剤。例文帳に追加

This preparation containing the simvastatin is characterized in that the preparation contains (a) a simvastatin crystal containing butylhydroxyanisole having ≤18 μm average particle diameter, and obtained by simultaneously crystallizing the simvastatin with the butylhydroxyanisole, and (b) an organic acid. - 特許庁

血小板産生因子(ＴＰＯ)のカルボキシ末端ペプチド(ＣＴＰ)をヒトエリスロポエチン(ＥＰＯ)のカルボキシ末端に融合させた融合蛋白質。例文帳に追加

The fusion protein is produced by fusing the carboxy-terminal peptide of thrombopoietin (TPO) to the carboxy terminal of human erythropoietin (EPO). - 特許庁

得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶１０の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。例文帳に追加

One sharp-pointed section is formed at the one end of the columnar diamond single crystal 10 by dry etching using the formed ceramic mask. - 特許庁

生地の含水率を低くすることで難消化性澱粉として作用するアミロペクチン結晶が融解しにくくなる。例文帳に追加

Amylopectin acting as the difficult-to-digest starch is hardly melted by lowering the water content of the dough. - 特許庁

その後この材料を冷却し、コロイド状結晶粒子を加熱エッチングあるいは分解により除去する。例文帳に追加

Then, the material is cooled down and the colloidal crystalline grains are removed by heat etching or by decomposing. - 特許庁

基板１０の第１及び第２の面１２，１４の両方から、結晶の面方位依存性があるエッチングを進める。例文帳に追加

Etching with surface direction dependency of a crystal is advanced from both the first and the second surfaces 12 and 14 of the substrate 10. - 特許庁

結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。例文帳に追加

The level difference between an area grown on (0001)C plane and an area grown on a facet plane being a crystal surface other than the C-plane is controlled to be ≤0.3 μm by controlling the etching speed and the etching amount. - 特許庁

（１）カルニチンの塩の湿結晶を、目開き寸法５．６ｍｍの篩を通過する大きさに調製する工程、及び（２）工程（１）で得られたカルニチンの塩の湿結晶を乾燥させる工程を含む、カルニチンの塩の製造方法。例文帳に追加

This method for producing a salt of carnitine includes: a step (1) of preparing wet crystals of the salt of carnitine having a size to pass through a sieve with a mesh size of 5.6 mm; and a step (2) of drying the wet crystals of the salt of carnitine obtained in the step (1). - 特許庁

Ｎ−（トランス−４−イソプロピルシクロヘキシルカルボニル）−Ｄ−フェニルアラニン（ナテグリニドとしても知られる）の新規結晶形が、任意の形態のナテグリニド（溶媒和物を含む）を有機溶媒に溶かして溶液を形成させ、次いで、その溶液からナテグリニドの結晶を形成させ、そして沈澱したナテグリニドの結晶形を単離および乾燥することにより製造され得る。例文帳に追加

New crystal forms of N-(trans-4-isopropylcyclohexylcarbonyl)-D-phenylalanine, also known as nateglinide, may be produced by dissolving nateglinide in any of its forms, including solvates, in an organic solvent to form a solution followed by forming a crystal of nateglinide from the solution and precipitation of nateglinide from the solution, and isolating and drying the precipitated crystal form of nateglinide. - 特許庁

ゼラチンと微結晶セルロースとを含有することを特徴とする解凍状態ではムース様となるアイスクリーム類。例文帳に追加

The ice creams contains gelatin and microcrystalline cellulose, wherein in the thawed condition, the ice creams become mousse. - 特許庁

異方性エッチングにより、半導体基板上に極めて平坦な（１１１）結晶面で構成されるマイクロミラーを、安定して形成する。例文帳に追加

To stably form a micro-mirror constituted of an extremely flat (111)-crystal face on a semiconductor substrate by anisotropic etching. - 特許庁

任意の面方位を有するシリコン単結晶基板に形成されたインク流路をドライエッチング加工により任意の形状で形成する。例文帳に追加

An ink channel formed in a silicon single crystal substrate having an optional plane orientation into an optional shape by a dry etching process. - 特許庁

本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経ている単結晶シリコンウェハを用いる磁気記録媒体用基板を提供する。例文帳に追加

The substrate for a magnetic recording medium using a monocrystalline silicon wafer subjected to a heat history and/or etching at least one times or more is provided. - 特許庁

パロキセチン等の医薬中間体として有用なジアステレオマ−結晶を高純度、高収率に提供すること。例文帳に追加

To provide the crystals of a diastereomer useful as an intermediate for medicines such as paroxetine in a high purity and in a high yield. - 特許庁

本発明の肝線維化抑制剤は、トロンボポエチンに代表される血小板産生促進物質を有効成分とすることを特徴とするものである。例文帳に追加

The hepatic fibrosis inhibitory agent of the invention comprises a platelet formation promoting substance represented by thrombopoietin as an active component. - 特許庁