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かろちんけっしょうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 366



例文

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜17を順次ドライエッチングすることで、下部電極11a,11b上に容量絶縁膜としての絶縁膜8を介して多結晶シリコン膜17からなる上部電極21a,21bを形成してキャパシタ36a,36bを形成する。例文帳に追加

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask. - 特許庁

窒化シリコン膜9をマスクに用いてゲート電極材料であるW膜8、WN_X膜7および多結晶シリコン膜6をドライエッチングする際、SF_6と酸素と窒素とからなる混合ガスをプラズマソースガスとして用いる。例文帳に追加

When W films 8, WNX films 7 and polycrystalline silicon films 6 of gate electrode materials, are dry-etched by using silicon nitride films 9 as the masks, mix gas formed of SF_6, oxygen and nitrogen is used as the plasma source gas. - 特許庁

エッチングは、基板のアレイ領域30における微細結晶化された領域まで連続されて、ライン相互結線、例えばビットラインなどの開口に対応したゲート・スタック12の間において、ボーダレス・コンタクト用開口を形成している。例文帳に追加

The etching is continued to a microcrystallized region of an array region 30 of the substrate, and formed with a borderless contact opening between the gate stacks 12 corresponding to the line interconnection such as an opening of the bit line or the like. - 特許庁

高血圧性終末器官損傷を発症する危険性がある患者の末梢血漿試料について、非筋細胞マーカーであるガレクチン−3またはトロンボスポンジン−2のレベルを、mRNAまたは蛋白レベルで測定する方法。例文帳に追加

There is provided the method for measuring the level of galectin-3 or thrombospondin-2, which is a non-myocytal marker, with an mRNA or protein level on peripheral plasma samples of patients at risk of developing symptoms of hypertensive end-organ damage. - 特許庁

例文

(a)顔料をハロ酢酸とアルキレンハライドとの溶剤混合物に溶解して溶液を形成する工程と、(b)1種以上の有機溶剤および少量の水を含有する非溶剤混合物に前記溶液を添加して顔料をある結晶形に沈殿させる工程と、を含む。例文帳に追加

This method comprises (a) a step for dissolving a pigment in a solvent mixture of a halogenated acetic acid and an alkylene halide to form a solution and (b) a step for adding the solution in a non-solvent mixture comprising at least one organic solvent and a small amount of water to precipitate the pigment as a certain crystal form. - 特許庁


例文

多結晶Si膜10および内壁膜12aをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー14を除去するアッシングとを3回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜9にソース/ドレイン領域6に達するコンタクトホール13を形成する。例文帳に追加

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6. - 特許庁

フィッシャー径が0.5μm以下、比表面積が30m^2 /g以上、且つ結晶子サイズが250Å以下の希土類酸化物、および希土類元素の塩の水溶液に、アルカリを添加して沈殿を生成する過程で重炭酸アンモニウムを添加して得られるケーキを固液分離し、300℃以上900℃以下で焼成する希土類酸化物の製造方法。例文帳に追加

Ammonium hydrogencarbonate is added in a process for forming a precipitate by adding an alkali to an aq. soln. of a salt of a rare earth element and the resultant cake is separated by solid-liquid separation and fired at 300-900°C to produce the objective rare earth oxide having ≤0.5 μm Fischer diameter, ≥30 m2/g specific surface area and ≤250 Å crystallite size. - 特許庁

低エネルギーのイオンビームを用いたエッチングにより劈開による端面のマイクロクラックを除去したのち、In−Situで端面の反射コーティングを施すことにより、端面付近の結晶欠陥を除去し、端面損傷に強い素子構造とする事が可能である。例文帳に追加

Thereby, the crystal defects present near its end surfaces are removed therefrom, and the structure of the element can be made robust to the damages of its end surfaces. - 特許庁

本発明は、希釈タイプの高濃度の3大栄養素、肥料保証成分および微量金属元素入り液体肥料組成物で、経時的な変化、または紫外線暴露下や低温保存時や高温保存時に結晶、沈殿を抑制した新規液体肥料組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new liquid fertilizer composition which contains three major dilutable high-concentration nutrients, fertilizing-guaranteed components and a minute amount of metal elements, and in which the quality change over time or generation of crystals or precipitates is suppressed on exposure to ultraviolet light or during storage at a low or high temperature. - 特許庁

例文

E−メタニコチン化合物のヒドロキシ安息香酸塩は結晶化して、Z−メタニコチン化合物及び二重結合が移動した化合物などの不純物を溶液中に残存させるので、E−メタニコチン化合物のヒドロキシ安息香酸塩の形成は、E−メタニコチン化合物を精製する上で有用である。例文帳に追加

The hydroxybenzoate salt of the E-metanicotine compound crystallizes to leave impurities such as Z-metanicotine compounds and compounds in which a double bond has migrated, in solution, therefore, the formation of hydroxybenzoate salt of the E-metanicotine compound is useful in purifying the E-metanicotine compound. - 特許庁

例文

高密度の微粒子を用いた場合であっても、微粒子の沈降や二次凝集等が生じることがなく、微粒子同士が所定間隔を保ち、分散安定性に優れるとともに、高密度の微粒子であっても、微粒子同士が所定間隔を保って規則的かつ周期的に3次元配列した結晶構造を維持することができ、フォトニック材料としての光学特性に優れるコロイド結晶を得るに適したコロイド溶液を提供する。例文帳に追加

To provide a colloidal solution suitably used to obtain colloidal crystal which is free of sedimentation and secondary cohesion etc. of even high-density particulates in use, has superior dispersion stability as the particulates keep specified intervals, maintains a crystal structure in which even high-density particulates are regularly and periodically arrayed in three dimensions at specified intervals, and also has superior optical characteristics as a photonic material. - 特許庁

非晶質シリコンからなる下部電極20を多結晶シリコンからなるコンタクト電極17およびサイドウォール膜16の上に形成した後、NH_4 OHとH_2 O_2 とを含む水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングにより下部電極20をエッチングし、その表面層を除去する。例文帳に追加

A method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming the lower electrode 20 made of an amorphous silicon on the contact electrode 17 made of a polycrystalline silicon and a sidewall film 15, then etching the electrode 20 through wet etching, by using an aqueous solution containing NH4OH and H2O2 as an etching liquid, and removing the surface layer. - 特許庁

誘電性バインダーとこれに強誘電性物質を均一に分散混合して形成した複合物に所定電圧を印加してなり、前記誘電性バインダーはグルコース環を有する多糖類、キチン又はポリ乳酸から選ばれたいずれかで、また前記強誘電性物質はぺロブスカイト型結晶構造を有するセラミックス多結晶体から選ばれたいずれかでそれぞれ構成したことを特徴とする良好な高誘電性、焦電性、圧電性を有する電子部品材料。例文帳に追加

This electronic component material is structured by applying a predetermined voltage on compound which is formed by uniformly dispersing and mixing ferroelectric substance in dielectric binder, and has high dielectricity, excellent pyroelectricity and piezoelectricity, wherein the dielectric binder is any one selected from polysaccharide having glucose ring, and chitin or polylactic acid, and the ferroelectric substance is any one selected from ceramic polycrystalline substance having perovskite type crystal structure. - 特許庁

植物抽出物中のクロシンを加水分解して得られる不純物を含んだクロセチンを、低級アルコール或いは低級アルコールを50%以上含む混合溶剤で処理することにより、又は非プロトン性極性溶剤から結晶化することにより、目的とする精製された高純度のクロセチンが効率的に得られる。例文帳に追加

Crocetin containing impurities obtained by hydrolyzing crocin in a plant extract is treated with a lower alcohol or a mixed solvent containing50% of the lower alcohol or crystallized from an aprotic polar solvent to efficiently give the objective purified high-purity crocetin. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor. - 特許庁

有効成分である沈降炭酸カルシウムおよび滑沢剤に加えて、賦形剤として結晶セルロース、および崩壊剤として低置換度ヒドロキシプロピルセルロース、クロスポビドンおよびカルメロースカルシウムからなる群から選択される少なくとも1種を用いて錠剤形態に調製する。例文帳に追加

The orally disintegrating tablet is prepared into a tablet form using a crystalline cellulose, which serves as an excipient, and at least one substance selected from the group consisting of low-substituted hydroxypropylcelluloses, crospovidones and carmellose calcium, which serves as a disintegrant, in addition to the precipitated calcium carbonate contained therein as an active ingredient and a lubricant. - 特許庁

ロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩にpH調整剤として特定量のリンゴ酸を含有しているので、粘着基剤中においてロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩を均一に溶解分散させ、ロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩の結晶化を阻止し、かつ粘着剤中における経時的安定性の優れた消炎鎮痛剤の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide an anti-inflammatory analgesic plaster which contains loxoprofen or an alkali addition salt thereof and a specific amount of malic acid as a pH adjuster so as to dissolve and disperse loxoprofen or the alkali addition salt thereof evenly within an adhesive substrate thereby preventing crystallization of loxoprofen and the alkali addition salt thereof and achieving excellent longtime stability of loxoprofen and the alkali addition salt thereof within an adhesive agent. - 特許庁

スパッタリングターゲットのエロージョンされる面を精密機械加工により加工変質層を低減した後、エッチングにより加工変質層を除去し、さらに前記ターゲットのエロージョンされる面の中心線平均粗さRaで規定される表面粗さをターゲットを構成する金属原子の平均結晶粒径の0.1%から10%の範囲となるようにエッチング時間を調整する。例文帳に追加

The face to be eroded in a sputtering target is subjected to precision machining to reduce working decomposed layers, and, after that, etching time is controlled in such a manner that the surface roughness prescribed by the center line average roughness Ra in the face to be eroded in the target lies in the range of 0.1 to 10% of the average crystal grain size of metallic atoms composing the target. - 特許庁

その多結晶シリコンの横断面に対して、50%フッ化水素水溶液と70%硝酸水溶液との比率が1:50の混酸溶液により15μmのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが200μm以下となる。例文帳に追加

When the polycrystalline silicon is etched to the depth of 15 μm with regard to the cross section using a mixed acid solution containing an aqueous solution of 50% hydrogen fluoride and an aqueous solution of 70% nitric acid in the ratio of 1:50, the etching depth at the boundary between the seed crystal part and the precipitated silicon part is at most 200 μm. - 特許庁

未処理銅箔の少なくとも電解エッチング処理を施す表面は、その表面から4μmの深さ領域において平均粒径が0.3μm以上の粒状の結晶組織からなり、該未処理銅箔の前記表面を、電解エッチングで粗化処理する高周波回路用銅箔の製造方法であり、この製造方法で製造した高周波回路用銅箔である。例文帳に追加

The copper foil for a high-frequency circuit is manufactured by roughening the surface of a non-treated copper foil, which is comprised of granular crystal structure having an average particle size of 0.3 μm or more in a 4 μm-depth area from its surface, by electrolytic etching. - 特許庁

サファイア基板2上に、バッファ層3を形成し、1000℃の成膜温度でn型窒化ガリウム化合物半導体層4、発光層5およびp型窒化ガリウム化合物半導体層6を成膜した後、800℃に温度を下げて、四角錐状の凸部7を結晶核成長させ、その凸部7をマスクとして、p層6をエッチングして凹凸8を形成する。例文帳に追加

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film-forming an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C. - 特許庁

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板30上に形成した65nmから80nm程度の非晶質の半導体膜100をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、60nm以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。例文帳に追加

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less. - 特許庁

そして、エッチング液注入用トレンチ9を通した異方性エッチング液の注入により単結晶シリコン基板をエッチングして、側壁7aを、最も広い部位から深さ方向において上下方向に向かうほど幅が狭くなる(111)面にて構成した空洞7を形成し、透孔8及び貫通孔9を封止部材10で塞ぐ。例文帳に追加

Then, a single crystal silicon substrate is etched by injecting an anisotropic etching liquid through the trench 9 for injecting the etching liquid, a cavity 7 where a side wall 7a is constituted by the face (111) whose width becomes narrower in upper and lower directions in a depthwise direction from the widest site is formed, and a through hole 8 and a penetration hole 9 are blocked by a sealing member 10. - 特許庁

SOIウエハにおける単結晶シリコン層3にプラズマエッチングを施して、フィン状の突起部5を形成する工程と、突起部5に生じたダメージを含む表面に犠牲酸化膜6を形成する工程と、犠牲酸化膜6をウエットエッチングにより除去する工程と、埋め込み酸化物層2を加熱してリフローさせるリフロー工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step for forming a fin-shaped projection 5 using plasma etching on a single-crystal silicon layer 3 of the SOI wafer, a step for forming a sacrificial oxide film 6 on the top surface containing the damage arising on the projection 5, a step for eliminating the sacrificial oxide film 6 by wet-etching, and a reflow step for heating a buried oxide layer 2 for reflow. - 特許庁

固体太陽光発電回路は、活性化放射線14源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ16と、フォトダイオード・アレイ16に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス18と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス18の形成中に形成される。例文帳に追加

The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18. - 特許庁

エリスロポエチンまたはエリスロポエチンの誘導体様の生理活性を持つアミノ酸組成の異なる生理活性物質である薬剤成分を担持した金属イオン含有アパタイトナノ結晶の凝集構造からなる平均粒子径40μm以下の多孔質微粒子の表面を、生分解性高分子薄膜で覆うことでセラミックス徐放製剤とする。例文帳に追加

A ceramic sustained release preparation is prepared by covering the surface of porous microparticles supporting a drug ingredient which is a physiologically active substance of different amino acid compositions having erythropoietin or an erythropoietin derivative-like physiological activity, and composed of an aggregation structure of metal ion-containing apatite nano-crystals having40 μm average particle diameter, with a biodegradable polymer thin film. - 特許庁

単結晶シリコン基板上に、2層のマスク層を形成し、第1のマスク層を用いて異方性エッチング及び等方性エッチングを行い所望のマイクロレンズ用型よりもやや径の小さい凹部を形成した後に、第2のマスク層を用いて等方性エッチングを行ってその凹部を拡大することにより、所望の寸法のマイクロレンズ用型を得る。例文帳に追加

A two-layered mask layer is formed on a single crystal silicon substrate, anisotropic etching and isotropic etching are performed by using a first mask layer to form a concave part having a diameter a little smaller than that of a desired microlens mold and, thereafter, isotropic etching is performed and the concave part is magnified by using a second mask layer to provide the microlens mold having a desired dimensions. - 特許庁

(100)面の単結晶Si基板に異方性エッチングを用いて(111)面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される(111)面の方向に対して1度より大きく44度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。例文帳に追加

In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat. - 特許庁

ファフィア属酵母の乾燥菌体をアセトンで抽出する工程と、得られた抽出液のアスタキサンチン濃度が1.5〜3質量%となるように濃縮する工程と、得られた濃縮液と、乾燥菌体質量の0.3〜0.8倍質量のn−ヘキサンとを接触させて、アスタキサンチンを晶析させる工程とを包含することを特徴とするアスタキサンチン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing astaxanthin crystal includes: a step of extracting dried fungus of Phaffia yeast as acetone; a step of condensing the extract so that the astaxanthin concentration of the extract becomes 1.5-3 mass%; and a step of crystalizing astaxanthin by bringing the condensed liquid and n-hexane of 0.3-0.8 times the mass of the dried fungus into contact. - 特許庁

また、本発明は、一回以上の熱履歴及び/又はエッチングを経た直径150mm以上で300mm以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径65mm以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

Moreover, the method for manufacturing the substrate for the magnetic recording medium including a coring step of obtaining a plurality of doughnut-shaped substrates having an outer diameter65 mm by coring a monocrystalline silicon wafer having a diameter 150 to 300 mm subjected to the heat history and/or etching at least onc times or more is provided. - 特許庁

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ10の表面10aに、SiO_2よりもSiのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第1の工程S11と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第2の工程S12,S13とを備える。例文帳に追加

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface. - 特許庁

例えば、放線菌の培養液から単離・精製することができるサーファクチンC、イソハロバシリン、イチュリン、又糸状菌の培養液から単離・精製することができるビカベリン等やその他の市販されている容易に入手することことができる化合物で、不活性型前駆体血漿ヒアルロナン結合タンパク質の自己活性化阻害活性を示す化合物を有効成分とする。例文帳に追加

The inhibitor contains, for example, surfactin C, isohalobacillin and iturin, isolated and purified from a culture liquid of actinomyces, or bikaverin or the like isolated and purified from a culture liquid of filamentous fungi, or other easily available commercial compounds exhibiting self activation-inhibiting activity of the inactive precursor plasma hyaluronan binding protein as an active ingredient. - 特許庁

なお、前記未処理銅箔の前記結晶組織における粒状の大きさ分布は、1μm以上の粒径が10%以上を占めていることが望ましく、また、前記電解エッチング処理は、エッチング後の銅箔の表面粗さRzが2.5μm以下となるように未処理銅箔の表面を電解エッチング処理することが好ましい。例文帳に追加

In this case, the distribution of particle size in the crystal structure of the non-treated copper foil is desirably a share of more than 10% of particle size of ≥1 μm, and the surface of the non-treated copper foil is preferably treated by electrolytic etching to establish the surface roughness Rz of the copper foil of 2.5 μm or less after etching. - 特許庁

形成方法は、平均粒径が100nm以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が500nm以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。例文帳に追加

In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined. - 特許庁

第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。例文帳に追加

The thin metal oxide film element is produced through a step for forming a thin amorphous metal oxide film containing an excess of lead over the stoichiometric composition as a 2nd layer on a 1st layer, a step for etching the thin amorphous metal oxide film and a step for crystallizing the etched thin amorphous metal oxide film by heating. - 特許庁

X型、またはXII型として示される、[R−(R^*,R^*)]−2−(4−フルオロフェニル)−β,Δ−ジヒドロキシ−5−(1−メチルエチル)−3−フェニル−4−[(フェニルアミノ)カルボニル]−1H−ピロール−1−ヘプタン酸ヘミカルシウム塩(アトロバスタチン)の新規結晶型が提供され、そのX線粉末回折、固体NMR、および/またはラマン分光法により特徴付けられた。例文帳に追加

Novel crystalline forms of [R-(R*,R*)]-2-(4-fluorophenyl)-β, Δ-dihydroxy-5-(1-methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1H-pyrrole-1-heptanoic acid hemi calcium salt (atorvastatin) designed form X or form XII are characterized by their X-ray powder diffraction, solid-state NMR, and/or Raman spectroscopy. - 特許庁

ガラス基板上に形成された、ピラミッド状のシリコン突起を有する近接場光プローブでは、Si基板の異方性エッチングを施すことにより形成しているため、そのプローブテーパ角を変化させることは困難であり、またプローブの外形に結晶方位に対応した面が残ってしまい円錐形状を形成するのが困難であるといった問題点等を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that in a near field optical probe formed on a glass substrate and having a pyramid-shaped silicon protrusion, it is difficult to change the tapered angle of the probe, since the probe is formed by performing anisotropic etching of a Si substrate, and it is difficult to form a cone shape since a plane corresponding to a crystal orientation remains at the outer shape of the probe. - 特許庁

単結晶シリコンから成る基台10上に光半導体素子21を配設する光半導体素子キャリアM1であって、前記基台10は、光半導体素子21の配設面A1及びその背面A2を貫通する異方性エッチングで形成した貫通孔11と、該貫通孔11内に配設されるレンズ12とを備えていることを特徴とする。例文帳に追加

In the optical semiconductor element carrier M1 where the optical semiconductor element 21 is mounted on a base 10 of single crystal silicon, the base 10 is provided with a through hole 11 made by anisotropic etching penetrating the mounting face A1 and the back A2 of the optical semiconductor element 21, and a lens 12 disposed in the through hole 11. - 特許庁

濃縮タンク13において、微生物を含有する試料水1に、陰イオン溶液3および陽イオン溶液5を加え、水に難溶性の無機物質の結晶を析出し、さらに鉄系凝集剤5を加え、この析出物を凝集させてフロックとして沈降させた後、試料精製部16において、この沈降物を酸17で溶解することで微生物を分離する。例文帳に追加

An anion solution 3 and a cation solution 5 are added to a specimen water 1 containing microorganisms in a concentration tank 13 to separate crystal of a sparingly water-soluble inorganic substance; an iron-based flocculant 5 is added thereto to flocculate the separated crystal in the form of flock and the flock is dissolved with an acid 17 in a specimen purification part 16 to separate the microorganisms. - 特許庁

選択的に結晶成長させた六角錐形状のGaN系半導体発光素子11を基体20の上面にエポキシ樹脂からなる絶縁層21で埋め込んで固定した後、酸素プラズマ雰囲気下に絶縁層21を選択的にドライエッチングしてGaN系半導体発光素子11の上端部を露出させる。例文帳に追加

A hexagonal cone-like GaN-based semiconductor light-emitting element 11, whose crystal is selectively grown, is embedded and fixed on the upper surface of a substrate 20 by using an insulation layer 21 made of epoxy resin, and the insulation layer 21 is selectively dry-etched in an oxygen atmosphere, to expose the upper end part of the element 11. - 特許庁

本発明の目的は、分解等による不純物が少なく写真性能への影響がなく、経時保存時に沈殿や結晶等の発生がなく安定性に優れたハロゲン化銀カラー写真感光材料用漂白定着液用キットパート及び漂白液キットの製造方法とそれらを用いたハロゲン化銀カラー写真感光材料の処理方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for producing a kit part for a bleach fixing solution and a bleaching solution kit for a silver halide color photographic sensitive material containing little impurities due to decomposition, having no effect on photographic performance, not generating a precipitate, crystals, etc., in storage with age and excellent in stability and to provide a processing method for a silver halide color photographic sensitive material using those. - 特許庁

下部酸化シリコン膜16A、上部酸化シリコン膜18A及び引き出し電極19Aの開口部の内部には、タワー形状の陰極17が形成されており、該陰極17の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径2nm以下の急峻な形状を有している。例文帳に追加

A tower type of cathode 17 is formed inside of the lower dioxide silicon film 16A, the upper dioxide silicon film 18A, and the drawer electrode 19A, and a leading end of the cathode 17 has a steep portion of 2 nm radius formed by a crystal anisotropy etching process and thermal oxide of silicon process. - 特許庁

X線粉末回折および/または固体状態のNMRによって特徴づけられる形態IIIと称せられる新規な結晶性形態の〔R−(R^*,R^*)〕−2−(4−フルオロフェニル)−β,δ−ジヒドロキシ−5−(1−メチルエチル)−3−フェニル−4−〔(フェニルアミノ)カルボニル〕−1H−ピロール−1−ヘプタン酸(アトルバスタチン)水和物、ならびに該化合物を含有する医薬組成物。例文帳に追加

This [R-(R*,R*)]-2-(4-fluorophenyl)-β,δ-dihydroxy-5-(1- methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1H-pyrrol-1-heptanoic acid (atorvastatin) hydrate in a new crystalline form called form III characterized by X-ray powder diffraction and/or NMR in a solid state, and the medicine composition comprising the compound are provided. - 特許庁

ケラチン繊維のケア及び/又はメークアップのための化粧料組成物において、溶媒媒体中に少なくとも以下:(i)フィルム形成性ポリマー、(ii)化合物(i)とは異なる1以上のスチレン単位を有するポリマー、及び (iii)該溶媒媒体中に可溶であり、少なくとも1の結晶化可能な部分を有し、化合物(i)とは異なるところのポリマーを含むことを特徴とする化粧料組成物。例文帳に追加

This cosmetic composition for the care and/or make up of the keratin fiber is provided by containing at least the following in a solvent medium: (i) a film-forming polymer; (ii) a polymer having ≥1 styrene unit and different from the compound (i); (iii) a polymer soluble to the solvent medium, having at least one crystallizable part and different from the compound (i). - 特許庁

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性,再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。例文帳に追加

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth. - 特許庁

本発明は、システインを主剤とするパーマネントウエーブ用第1剤の欠点である施術時や保存時におけるシスチンの結晶の析出防止、所謂フレーキングを防止し、かつ、美しいリッジ(パーマをかけたときに、カーブがきれいになり、均一にパーマがかかることを言う)が得られる第1剤、および該第1剤を使用したパーマネントウエーブの施術法の提供を、目的とする例文帳に追加

To provide a first agent for permanent wave containing cysteine as a main component preventing flaking, i.e., deposition of crystalline cystine and presenting beautiful ridges, i.e., beautiful curves and uniform waves when getting a perm, and a method for getting a permanent wave using the same. - 特許庁

殺虫活性を有しないバチルス・チューリンジエンシス菌株の生産する結晶性タンパク質をアルカリにより可溶化した後、必要に応じてプロテアーゼ処理して得たタンパク質について溶血活性を測定し、溶血活性を有しないタンパク質についてレクチン活性を測定し該活性を有するものを選別することによって調製される。例文帳に追加

The crystalline protein produced by a strain of Bacillus thuringiensis is solubilized in alkali, and at need, treated with protease and the resultant protein is determined on its hemolytic activity, and the protein having no hemolytic activity is determined on its lectin activity to screen the proteins having lectin activity. - 特許庁

塩酸塩の形態で、224~226℃において溶融する白色結晶性物質であり、51.73%の炭素、6.34%の水素、9.96%の窒素、5.84%の塩素(合計含量)、4.74%の塩素イオン、及び1%の残部の近似元素組成、比施光度、〔α〕D24=+49.7°、6N塩酸中で110℃において6時間加水分解した後、少なくとも次の認められたアミノ酸の存在を示すアミノ酸分析:オルニチン、アスパラギン酸、……を特徴とする抗生物質A/16686。例文帳に追加

Antibiotic A/16686, a sodium salt of white crystal substance, comprising having the melting point of 224-226oC, consisting of 51.73% carbon, 6.34% hydrogen, 9.96% nitrogen, 5.84% sodium (total contents), 4.74% ionized sodium and 1% of the remaining constituents of like elements, specific optical rotation, [α]D24=+49.7o, amino acid analysis showing ornithine, aspargine after hydrolyzing in 6 N nitric acid at 110oC for 6 hours.  - 特許庁

インクジェット式記録ヘッドにおいて、前記流路基板を構成する前記各プレートは全て単結晶シリコンを有する基板をエッチング加工して形成され、前記振動板の一部と前記リストリクタの一部とが対面してなり、且つ、前記振動板は、チャンバープレートに接合される側及び圧電素子と接合される両面がダイアフラムプレートに比べて凹形状に構成する。例文帳に追加

In the inkjet head, each plate constituting a channel substrate is formed by etching a substrate comprising single crystal silicon, a part of a diaphragm opposes a part of a restrictor, and the diaphragm is recessed as compared with a diaphragm plate both on the side being bonded to a chamber plate and the side being bonded to a piezoelectric element. - 特許庁

例文

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を14×10^17atoms/cm^3以下とすることにより実現する。例文帳に追加

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3. - 特許庁

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