「かろちんけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

非晶状態のポリヒドロキシカルボン酸を６０℃〜９５℃で最少流動化速度以上、終末沈降速度以下の流水により撹拌し結晶化させることで、粒子同士の融着、粒子の軟化、破損等の問題を生ずることなく、簡潔に結晶化を行うことができる。例文帳に追加

The amorphous polyhydroxy carboxylic acid resin is crystallized in a simple manner without causing problems such as the fusion of particles each other and the breakage and softening of the particles by stirring the amorphous polyhydroxy carboxylic acid in a water stream of 60-95°C at equal to or above minimum fluidization velocity and equal to or below final settling velocity, and crystallizing the amorphous polyhydroxy carboxylic acid resin. - 特許庁

ポンピング光線１１が集束光学系１２によってレーザ結晶４に集束されるポンピング光源１０およびその内部にそれぞれ一つのレーザ結晶４およびＱスイッチングのための音響光学式スイッチ６が、そのほか選択により周波数増倍結晶が配置されているポンピング光源１０を持つＱスイッチ固体レーザ。例文帳に追加

The Q-switch solid-state laser has a pumping light source 10 focused to a laser crystal 4 by a focusing optical system 12 and a pumping light source 1 in which each one laser crystal 4 and acousto-optic type switch 6 for Q switching and other frequency multiplication crystal by selection are arranged. - 特許庁

薬液処理部から上流側の液避け部３０に侵入したエッチング液等の薬液が、液避け部３０の槽底部分に滞留する水により希釈され、薬液が結晶化しやすい場合も液避け部３０における結晶化が防止される。例文帳に追加

Chemical such as etching liquid entering the chemical avoiding part 30 on an upstream side from the chemical processing part is diluted by water accumulated in the tank base, and crystallization in the chemical avoiding part 30 is prevented even if chemical is easily crystallized. - 特許庁

ＳＴＩ埋め込み絶縁膜１７を堆積し、ＣＭＰにより平坦化した後、等速性のＲＩＥによりストッパー窒化膜（１６）と絶縁膜１７をエッチングして平坦な表面を得、その上に第２の多結晶シリコン膜１８を堆積し（ｅ）、積層多結晶シリコン膜をエッチングして積層ゲート電極（１５、１８）を形成する（ｆ）。例文帳に追加

Laminated gate electrodes (15, 18) are formed by etching of a laminated polycrystalline silicon film (f). - 特許庁

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。例文帳に追加

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form. - 特許庁

サイドウォール１０をマスクとしてシリコン多結晶膜をエッチングし、ゲート長が相対的に短いゲート電極１３ａを形成し、同時にレジストパターン１２をマスクとしてシリコン多結晶膜をエッチングし、ゲート長が相対的に長いゲート電極１３ｂを形成する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film is etched with a side wall 10 serving as a mask to form a gate electrode 13a relatively short in a gate length, and simultaneously the polycrystalline silicon film is etched with a resist pattern 12 serving as a mask to form a gate electrode 13b relatively long in a gate length. - 特許庁

レジストパターン６ａ除去後、シリコン酸化膜パターン５ａをマスクとして単結晶シリコン層４を下部クラッドとなる埋め込み酸化膜３が現われるまでエッチング除去して単結晶シリコン層からなるコアパターン４ａを形成する。例文帳に追加

After the resist pattern 6a is removed, the oxide silicone pattern 5a is used as a mask and the monocrystal silicone layer 4 is removed by etching until a buried oxide film 3 which becomes a lower clad is disclosed, and a core pattern 4a of a monocrystal silicone layer is formed. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。例文帳に追加

By controlling the ratio (C/Si) of C to Si in the raw material gas close to the growth surface of the SiC single crystal to be less than 1, preferably 0.25 or lower when growing the SiC single crystal, sublimation of Si from the seed substrate 1 is suppressed, which prevents an end of the seed substrate 1 from being etched. - 特許庁

ＳＯＩ基板１の単結晶シリコン層４上にシリコン酸化膜５を堆積させ、この上にレジストパターン６ａを形成し、これをマスクとしてシリコン酸化膜５を単結晶シリコン層４が現われるまでエッチング除去してシリコン酸化膜パターン５ａを形成する。例文帳に追加

A oxidized silicone film 5 is deposited on a monocrystal silicone layer 4 of an SOI substrate 1, a resist pattern 6a is formed on the film, and an oxide silicone film pattern 5a is formed by removing the oxidized silicone film 5 by etching until the monocrystal silicone layer 4 is disclosed by making use of the resist pattern as a mask. - 特許庁

又は、キチン含有組成物からなるキチン原料をキチン質の結晶化度として７０％以下になるように微粉砕し、これからキチンを抽出し、その抽出後のキチンを加水分解する。例文帳に追加

Alternatively, the method is provided by finely pulverizing the chitin raw material, consisting of the chitin-containing composition so that it becomes 70% or lower for the crystallization degree of the chitin substance, extracting the chitin from the same and then hydrolyzing the chitin after this extraction. - 特許庁

キチン含有組成物又はキチンからなるキチン原料をキチン質としてキチン質の結晶化度として７０％以下になるように微粉砕し、これを直接加水分解する。例文帳に追加

This method for producing the chitin decomposition product is provided, by finely pulverizing a chitin raw material consisting of the chitin-containing composition or chitin as a chitin substance so as to become ≤70% degree of crystallinity of the chitin substance, and directly hydrolyzing. - 特許庁

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。例文帳に追加

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects. - 特許庁

この方法は、既知の技術である溶解−沈殿のシケンスとは実質的に異なっており、具体的には、パロキセチン塩酸塩の結晶性無水溶媒和物を水、又は水の水混和性溶媒（好ましくは２−プロパノール等）との混合物で湿潤化し、そして該パロキセチン塩酸塩の湿潤な結晶性溶媒和物を３０〜６０℃の温度で加熱して、結晶性パロキセチン塩酸塩半水和物に完全に転換する工程を含んでなる製造方法である。例文帳に追加

This method is substantially different from the dissolution-precipitation sequence of the known technique, and specifically comprises a step of wetting a crystalline anhydrous solvate of paroxetine hydrochloride with water or a mixture of water with a water miscible solvent (preferably 2-propanol or the like) and heating the wet crystalline solvate of the paroxetine hydrochloride at a temperature of 30-60°C to completely convert it into crystalline paroxetine hydrochloride hemihydrate. - 特許庁

少なくとも１００００ダルトンから最大５００００ダルトンまでの分子量及び８未満の等電点を有するヒト組換えゼラチン様タンパク質を血漿増量剤とする組成物である。例文帳に追加

The composition contains a human recombinant gelatinous protein as the plasma augmentor, wherein the gelatinous protein has a molecular weight of at least 10,000 dalton and at most 50,000 dalton and an isoelectric point of less than 8. - 特許庁

カロチン含有物を、ヘキサンと相溶性のある溶媒中に分散させ、ついで、ろ過、洗浄した後、溶媒を除去することによって高純度カロチンの結晶を得る。例文帳に追加

Carotene crystal having high purity can be produced by dispersing a carotene-containing material in a solvent compatible with hexane, filtering the dispersion, washing the filter cake and removing the solvent. - 特許庁

ｐ型の引き出し層３００とｎ型の引き出し層４００とは、多結晶シリコンとシリコン・ゲルマニウム混晶との高いエッチング選択比を利用し、片方のみを選択的にエッチング除去することによって形成される。例文帳に追加

The p- and n-type leading layers 300, 400 are formed by selectively etching off only either the polycrystalline silicon or silicon-germanium mixed crystal, utilizing a high etching selective ratio of both. - 特許庁

立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有する１つの誘電体結晶で形成された基板１０１に配された少なくとも２つのエタロン１０２，１０３と、入射光を少なくとも２つのエタロンに連続して入射させるミラー２０３と、エタロンにおいて誘電体結晶に同一の電圧を印加するスイッチング信号発信部とを備える。例文帳に追加

The gate switch is equipped with: at least two etalons 102, 103 formed of a dielectric crystal with a cubic crystal structure and a quadratic electro-optic effect, and arranged on a substrate 101; a mirror 203 making incident light continuously incident on at least two etalons 102, 103; and a switching signal transmission portion to apply identical voltages to the dielectric crystal on the etalons. - 特許庁

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate. - 特許庁

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。例文帳に追加

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2. - 特許庁

圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。例文帳に追加

The crystal orientation of the piezoelectric thin film 106 is selected so as to sufficiently reduce an etching rate for a hydrofluoric acid at an underside 1062 of the piezoelectric thin film 106 on the support structure 122. - 特許庁

エスシタロプラムヒドロブロミドを溶剤から結晶質形態で沈殿させて、溶剤から分離し、場合により1回またはそれ以上再結晶化させ、引き続いてエスシタロプラム遊離塩基またはその塩に変換する（ただし、製造されるエスシタロプラム塩がヒドロブロミドでないことを条件とする）。例文帳に追加

Provided is the method for producing the free escitalopram base or its salt, characterized by precipitating the escitalopram hydrobromide from a solvent in a crystalline form, separating the precipitates from the solvent, if necessary, recrystallizing the separated precipitates once or more, and then converting the crystals into the free escitalopram base or its salt (provided that the produced escitalopram salt is not a hydrobromide). - 特許庁

アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。例文帳に追加

A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant. - 特許庁

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。例文帳に追加

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101. - 特許庁

酸化亜鉛系材料、とりわけ（０００−１）の結晶面を有する酸化亜鉛系材料を、エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできるという効果を奏する。例文帳に追加

The etching method presents an effect capable of evenly etching the zinc oxide-based material, especially a zinc oxide-based material having a (000-1) crystal surface, without generating etching residues. - 特許庁

結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a vibration sensor which can form a through hole whose expansion on the back side is small in substrate etching from the back side by a combination of crystal anisotropic etching and isotropic etching. - 特許庁

天然のセルロース系物質、又はキチン物質から簡単且つ効率よく、さらには少ないダメージで、高結晶性のセルロースおよびキチンのナノファイバーを製造することが、本発明の課題である。例文帳に追加

To simply and efficiently manufacture high crystalline nanofiber of cellulose and chitin from natural cellulose material or chitin material with less damage. - 特許庁

シトルリン水性溶液からシトルリン無水化物の晶析を行い、シトルリン無水化物結晶を採取する、シトルリン無水化物結晶の製造法において、晶析をオルニチン、リジン、アルギニン等の塩基性アミノ酸の存在下で、好ましくは、シトルリン水性溶液中の水に対して、０．００３〜１０．０ｇ/１００ｇ Ｈ_2Ｏの濃度で存在下で行う。例文帳に追加

In a method for producing the citrulline anhydride crystal crystallized with a citrulline anhydride from a citrulline aqueous solution to collect the citrulline anhydride crystal, crystallization is carried out under the presence of a basic amino acid such as ornithine, lysine and arginine, and preferably under the presence thereof in concentration of 0.003 to 10.0 g/100 g H_2O to water in the citrulline aqueous solution. - 特許庁

その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。例文帳に追加

After that, selective anisotropic etching treatment is performed using the etching window, thereby forming the equivalent surface to the {110} surface or {100} surface on the semiconductor substrate. - 特許庁

このエッチング空間からエッチング液の状態を把握し、次ロットにおける結晶異方性エッチングにおける処理条件を調整することができる。例文帳に追加

The state of an etching liquid is grasped from the etched space and treatment conditions in crystal anisotropic etching in the following lot is adjusted. - 特許庁

マーカは、異方性エッチング・プロセスを使用して基板にエッチングされ、マーカは、エッチングの後でそれらの見掛けの位置が結晶軸に対するそれらの方位に依拠するようなものである。例文帳に追加

The markers are etched on the substrate using anisotropic etching process, the markers are those such that their apparent positions after they are etched depend on their orientation to the crystal axis. - 特許庁

蒸気拡散法において、結晶化すべき生体高分子を含む液滴５０５を沈殿剤５０４から離して保持するための装置５００が提供される。例文帳に追加

In a vapor diffusion method, the device 500 for keeping a droplet 505 including a biopolymer to be crystallized apart from a precipitant 504 is provided. - 特許庁

熱交換器中での沈積（付着物、即ち熱交換器の表面での結晶化および沈積）によって、圧力差が熱交換器を横切って０．５からｂａｒに増加する。例文帳に追加

By the deposition (fouling, i.e., the crystallization and deposition on the surface of the heat exchanger), the pressure difference across the heat exchanger increases from 0.5 to 3 bar. - 特許庁

2,4,6,8,10,12-ヘキサニトロ-2,4,6,8,10,12-ヘキサアザテトラシクロ[5.5.0.0^5,90^3,11]-ドデカン（ＣＬ−２０又はＨＮＩＷ）がそのε−多形へと、逆沈殿技術によって結晶化される方法が与えられる。例文帳に追加

This method comprises crystallizing 2,4,6,8,10,12- hexanitro-2,4,6,8,10,12-hexaazatetracyclo[5.5.0.0^5,^90^3,^11]-dodecane (CL-20 or NHIW) into its ε-polymorph by inverse precipitation technique. - 特許庁

アゼルニジピンのα体結晶の調製を、アゼルニジピンのβ体結晶を非プロトン性の溶剤に溶解させて、アゼルニジピンの溶液を提供する工程、 前記溶液に、非プロトン性でかつ非極性のアンチソルベントを加え、アゼルニジピンのα体の沈殿物を生成させる工程、及び前記沈殿物を回収する工程を有する方法により行う。例文帳に追加

The azelnidipine α-crystal is prepared by a method which includes a step of providing a solution of the azelnidipine by dissolving the azelnidipine β-crystal in an aprotic solvent, a step of producing a precipitate of an α-form of the azelnidipine by adding an aprotic and nonpolar antisolvent to the solution, and a step of collecting the precipitate. - 特許庁

犠牲層３５の除去された跡のエッチング窓３４にはＳｉ基板２２の表面が露出しているので、エッチング窓３４の下方ではＳｉ基板２２が結晶異方性エッチングされて空洞２３が生じる。例文帳に追加

The surface of an Si substrate 22 is exposed in an etching window 34 where the sacrifice layer 35 is removed, so that the cavity 23 is produced below the etching window 34 by the crystal anisotropic etching of the Si substrate 22. - 特許庁

ガラス製品を、ガラス中にハロゲン化銀、ハロゲン化銅またはハロゲン化銅−カドミウムの結晶を生成させ、沈殿させるのに十分な期間に亘り高温にさらす。例文帳に追加

The glass product is exposed to a high temperature over a sufficient period for generating and precipitating the crystal of halogenated silver, halogenated copper or halogenated copper - cadmium. - 特許庁

さらに濃度３〜６％の弗酸でエッチングを行うと、潜像１４Ａの部分だけ選択的に結晶化しているので酸による選択エッチングが進行し、ノズル２０が貫通孔として形成される。例文帳に追加

When etching is carried out furthermore using hydrofluoric acid of 3-6% concentration, selective etching by acid progresses because only the part of a latent image 14A is crystallized selectively and a nozzle 20 is formed as a through hole. - 特許庁

電気的に低抵抗（導電性）の単結晶シリコンウエハ１１の表面の（１００）面に、ＫＯＨ溶液等を使用して異方性エッチングすることにより角錐状のエッチングピット１２を形成する。例文帳に追加

An etching pit 12 of a pyramid shape is formed by an anisotropic etching with the use of a KOH solution or the like on a surface (100) of a monocrystal silicon wafer 11 of an electrically low resistance (conductivity). - 特許庁

半導体基板上の結晶欠陥やデバイスプロセス起因の表面欠陥を観察するための綺麗な表面を作成することによってデバイス膜剥離後のエッチングによる表面欠陥観察がし易くなり、表面にある欠陥が結晶起因の欠陥か、又はプロセス起因のストレスや汚染による欠陥なのかを明らかにすることができるようにしたシリコン基板の評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method of a silicon substrate where surface defect observation due to etching after device film peeling is facilitated, by creating a clear surface for observing crystal defects on a semiconductor substrate and surface defects due to a device process, and it can be made clear that defects on the surface are caused by crystal itself or stress and contamination due to the process. - 特許庁

結晶型［Ｒ−（Ｒ＊，Ｒ＊）］−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）−３−フェニル−４−［（フェニルアミノ）カルボニル］−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸カルシウム塩（２：１）（アトロバスタチン）例文帳に追加

CRYSTALLINE FORMS OF [R-(R*,R*)]-2-(4-FLUOROPHENYL)-BETA, DELTA-DIHYDROXY-5-(1-METHYLETHYL)-3-PHENYL-4-[PHENYLAMINO]CARBONYL]-1H-PYRROLE-1-HEPTANOIC ACID CALCIUM SALT (2:1) (ATORVASTATIN) - 特許庁

開気孔を有する再結晶炭化珪素であって、前記開気孔の内壁面のカーボン層がエッチングにより除去されており、室温抵抗率１００００Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

This recrystallized silicon carbide has open pores, a carbon layer on the inner wall surface of each open pore is removed by etching and the resistivity at room temp. is ≥10000 Ω.cm. - 特許庁

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。例文帳に追加

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface. - 特許庁

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。例文帳に追加

A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face. - 特許庁

近視野光ヘッドは、Ｓｉから成るミラー基板２０１を持ち、ミラー基板２０１は結晶異方性エッチングによって形成されるミラー面２０４を持つ。例文帳に追加

The near field optical head has a mirror substrate 201 consisting of Si and the mirror substrate 201 has a mirror surface 204 formed by crystal anisotropic etching. - 特許庁

単結晶シリコンからなるサブマウント本体１は、発光素子１１が搭載された搭載面４が｛１００｝方位面であり、異方性エッチングにより形成された貫通孔３の内側面が［１１０］方位面と平行である。例文帳に追加

In a submount body 1 composed of single crystal silicon, the surface 4 mounting a light emitting element 11 is a {100} orientation face and the inner side face of a through hole 3 formed by anisotropic etching is parallel with the [110] orientation face. - 特許庁