「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

したがって、両金属のエッチングレートをぼほ等しくすることができ、エッチングレートの違いに伴うバリの発生を抑制することができる。例文帳に追加

Accordingly, the etching rates of the both metals are controlled to be nearly equal and the formation a burr caused by the difference of the etching rates can be suppressed. - 特許庁

基板の面方向における第２の層のエッチングレートは、第１の層のエッチングレートより大きいことが望ましい。例文帳に追加

It is preferable that the etching rate of the second layer in the surface direction of the substrate is larger than the etching rate of the first layer. - 特許庁

エッチング犠牲層１１５は、金属膜１１０Ｍに対するエッチングレートと同等以上のエッチングレートを有する材料から構成される。例文帳に追加

The etching sacrifice layer 115 is composed of a material having the equivalent or more etching rate of etching rate to the metal film 110M. - 特許庁

この際、第２の金属膜３のウェットエッチングレートが第１の金属膜２のウェットエッチングレートより大きくなるように構成する。例文帳に追加

At this time, the wet etching rate of the second metal film 3 is specified to be higher than the wet etching rate o the first metal film 2. - 特許庁

第２絶縁層７２の材料のエッチングレートは第１絶縁層７１の材料のエッチングレートより大きくされている。例文帳に追加

The etching rate of material of the second insulating layer 72 is set more than the etching rate of material of the first insulating layer 71. - 特許庁

サイドエッチング防止層７のエッチングレートは第１および第２ドープ層６，８のエッチングレートよりも小さい。例文帳に追加

The etching rate of the side-etching pretension layer 7 is smaller than those of the first and the second doped layers 6 and 8. - 特許庁

酸化シリコンのエッチングレートに比べて窒化シリコンのエッチングレートを大きくした半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein silicon nitride is set higher for etching rate than for silicon oxide. - 特許庁

このエッチングは、最初にエッチングレートの大きな条件で実行し、次に、選択比は大きいがエッチングレートの小さな条件で実行する。例文帳に追加

The etching is first executed under a condition of a large etching rate and then under a condition of a small etching rate. - 特許庁

プラズマエッチング処理中に、高精度にエッチングレートを測定することのできるエッチングレート測定技術を提供する。例文帳に追加

To provide an etching rate measuring technology capable of accurately measuring an etching rate during plasma etching operation. - 特許庁

高いエッチングレートが得られ、且つ、エッチングレートの面内均一性に優れたエッチング装置およびエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device and an etching method wherein a high etching rate is attained, and it is excellent in the in-plane uniformity of an etching rate. - 特許庁

これにより、半導体ウェハ面内のエッチングレートの調整が可能である。例文帳に追加

Thus, the etching rate in the semiconductor wafer surface can be adjusted. - 特許庁

下地層１１のエッチングレートは、各磁性層のそれよりも低い。例文帳に追加

The etching rate of the base layer 11 is lower than those of the magnetic layers. - 特許庁

高誘電体膜の結晶化によるエッチングレートの低下を回避する。例文帳に追加

To avoid lowering of an etching rate due to crystallization of a high dielectric film. - 特許庁

ウエーハの一方の主面にエッチングレート評価用膜を成膜し、該エッチングレート評価用膜をドライエッチングし、該エッチングレート評価用膜のエッチングレートにより該ウエーハの他方の主面の面状態を評価するようにした。例文帳に追加

A film for etching rate evaluation is formed on one main surface of a wafer, the film for etching grate evaluation is dry etched, the other main surface of the wafer is evaluated according to the etching rate of the etching rate evaluating film. - 特許庁

有機無機ハイブリッド膜に対するエッチングレートを向上させる。例文帳に追加

To improve etching rate for anorganic and inorganic hybrid film. - 特許庁

エッチングレートプロファイルは、距離εの影響を受けて変形する。例文帳に追加

The etching rate profile is deformed by the influence of a distance ε. - 特許庁

続いて、このエッチングレートから追加エッチング時間を割り出す。例文帳に追加

Then, the additional etching time is calculated from the etching rate. - 特許庁

エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。例文帳に追加

To increase an etching rate and a resist selection ratio. - 特許庁

剥離膜１０２は、空隙を有するので、エッチングレートが大きい。例文帳に追加

Since the peelable film 102 has voids, the etching rate of the film 102 is high. - 特許庁

本発明のインプリントモールドは、エッチングレートが傾斜分布を示すエッチングレート傾斜膜と、該エッチングレート傾斜膜に凹凸パターンを設けることを特徴とする。例文帳に追加

The imprint mold has an etching rate gradient film where an etching rate shows gradient distribution, and a rough pattern provided on the etching rate gradient film. - 特許庁

本発明の構成によれば、エッチングレート傾斜膜に凹凸パターンを設けることにより、エッチングレート傾斜膜のエッチングレートが傾斜分布に応じて、凹凸パターンの凹部の角をラウンド形状とすることが出来る。例文帳に追加

In this construction, the rough pattern is provided on the etching rate gradient film so that the etching rate of the etching rate gradient film makes the corners of recessed portions of the rough pattern round-shaped depending on the gradient distribution. - 特許庁

貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比（貴金属のエッチングレート／卑金属のエッチングレート）が０．０３以上である、前記エッチング液。例文帳に追加

The iodine etching solution for etching the noble metal on the semiconductor material comprising both the noble metal and the base metal has an etching rate ratio for the noble metal to the base metal (etching rate of the noble metal/etching rate of the base metal) of ≥0.03. - 特許庁

シリコン基板１の裏面にエッチングレートを測定するためのエッチングレート測定用マスク層３８を形成しておき、結晶異方性エッチング処理の際に、エッチングレート測定用マスク層に設けられた開口部３２においてエッチング空間１７を形成する。例文帳に追加

An etching rate measuring mask layer 38 for measuring the etching rate is formed on the rear surface of the silicon substrate 1 and in crystal anisotropic etching treatment, an etched space 17 is formed in an opening portion 32 provided in the etching rate measuring mask layer. - 特許庁

上層のＡｕの方がエッチングレートが大きいことから、Ａｕ／Ｐｔ積層膜を王水系の溶液でエッチングした際、エッチングレートの速いＡｕの横方向へのエッチングレートも大きく、Ｐｔの２倍膜厚よりもテーパー角度が大きく形成される。例文帳に追加

Since etching rate of the upper layer Au is higher, lateral etching rate of Au is also high when a multilayer film of Au/Pt is etched using an aqua regia based solution and a tapering angle larger than two times the film thickness of Pt is formed. - 特許庁

熱酸化膜（ＴＨＯＸ）及びボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）のエッチングレートが２５℃で１００Å／ｍｉｎ以下、かつＢＰＳＧのエッチングレート／ＴＨＯＸのエッチングレートが１．５以下である、ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜を有する被エッチング物をエッチングするためのエッチング液。例文帳に追加

The invented etchant etches materials with both doped and non-doped oxide films on the basis that etching rates for thermal oxide (THOX) and Boron Phosphosilicate Glass (BPSG) films are below 100Å/min at 25°C, and the BPSG etching rate/THOX etching rate is below 1.5. - 特許庁

E1＜D1、かつD2＜E2、かつD3＜E3 ここで、D1は垂直面に対するデポジションレート、E1は垂直面に対するエッチングレート、D2は水平面に対するデポジションレート、E2は水平面に対するエッチングレート、D3は傾斜面に対するデポジションレート、E3は傾斜面に対するエッチングレートをそれぞれ示す。例文帳に追加

Where, D1 means a deposition rate to a vertical surface, E1 means an etching rate to a vertical surface, D2 means a deposition rate to a horizontal surface, E2 means an etching rate to a horizontal surface, D3 means a deposition rate to a slope, and E3 means an etching rate to a slope. - 特許庁

被エッチング物の鏡面性を損なうことなく大きなエッチングレートを得ることができ、しかも、エッチングレートの偏りがなく、被エッチング物全表面を均一なエッチングレートでエッチングすることができる局所エッチング装置及び局所エッチング方法を提供する。例文帳に追加

To obtain high etching rate without impairing the mirror-finish property of a material to be etched, and moreover to eliminate bias in the etching rate and to enable etching of the whole surface of the material to be etched at a uniform etching rate. - 特許庁

エッチングレートが異なる第１のエッチング液２３および第２のエッチング液２４を用いる。例文帳に追加

A first etchant 23 and a second etchant 24 with respectively different rates of etching are used. - 特許庁

シリコン等をエッチングするための反応ガスの利用効率を高め、エッチングレートを高くする。例文帳に追加

To increase the etching rate by increasing the utilization efficiency of reaction gas for etching silicon, or the like. - 特許庁

これにより、オゾン溶解水の温度を上げずに、エッチングレートを高めることが可能となる。例文帳に追加

As a result, etching rate can be improved without increasing temperature of the ozone dissolving water. - 特許庁

各真空チャンバー１で成膜されたシリコン窒化膜１７のエッチングレートを測定する。例文帳に追加

The etching rate of the silicon nitride film 17 formed in each vacuum chamber 1 is measured. - 特許庁

上層３４Ａのフッ素ラジカルによるエッチングレートが、下層３４Ｂよりも低い。例文帳に追加

The etching rate of the upper layer 34A using a fluorine radical is lower than that of the lower layer 34B. - 特許庁

エッチングレート及び垂直加工性が高いエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device which has high etching rate and perpendicular processability. - 特許庁

フォーカスリングを交換することなく、ウェハ外周部のエッチングレートを一定に保つ。例文帳に追加

To maintain the etching rate in the outer peripheral section of a wafer constant without exchanging a focus ring with another ring. - 特許庁

基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device which improves in-plane uniformity of the etching rate over the entire substrate. - 特許庁

エッチングラジカルＲによる成膜チャンバ２内でのエッチングレートを等しくできる。例文帳に追加

An etching rate can be equalized in the deposition chamber 2 by the etching radicals R. - 特許庁

ＡＰＭ洗浄による側壁絶縁膜のエッチングレートを低減させることができる。例文帳に追加

To lower the etching rate of an etching performed by APM cleaning in a sidewall insulating film. - 特許庁

安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method in which a stable etching rate is obtained. - 特許庁

このため、エッチングレートの相違により溝６が深くなったとしても、あまり深くならない。例文帳に追加

According to this reason, the groove will not become too deep even when the groove 6 has become deep by the difference of etching grade. - 特許庁

プラズマ処理時には間隔Ｔを小さくしてプラズマ密度を高くし、エッチングレートを上げる。例文帳に追加

In plasma treating, the space T is reduced to increase the plasma density, so that the etching rate is increased. - 特許庁

予備層のエッチングレートの違いから開口の側壁面にじゃばら形状が形成される。例文帳に追加

The shape of bellows is formed on the sidewall surface of the opening due to the difference in the etching rate of the spare layer. - 特許庁

エッチングレートの違いを利用して第２の絶縁膜１２に第１の孔１４を形成する。例文帳に追加

A first hole 14 is made in the second insulation film 12 utilizing the difference of etching rate. - 特許庁

したがって、処理時間をあまり増加させずにエッチングレートの温度依存性を利用できる。例文帳に追加

Therefore, dependence on temperature of etching rate can be utilized without remarkable increase of the processing time. - 特許庁

プラズマエッチングにおいて反応ガスのＨＦ濃度を高め、エッチングレートを向上させる。例文帳に追加

To increase HF concentration of reactant gas, and to improve etching rate in plasma etching. - 特許庁

特に、調整層には、障壁層よりもエッチングレートの大きいものを使用する。例文帳に追加

Especially, the control layer is formed of material whose etching rate is higher than that of the barrier layer. - 特許庁