「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板１の外周部に、金属拡散の防止機能を有する第１材料膜２及び第２材料膜３、第１薬液に対するエッチングレートが第１材料膜２よりも十分遅く、且つ、第２薬液に対するエッチングレートが第２材料膜３よりも十分遅い第３材料膜４、をこの順に順次成膜する。例文帳に追加

In an outer peripheral part of the semiconductor substrate 1, a first material film 2 and a second material film 3 having a metal diffusion preventing function, and a third material film 4 sufficiently slow in an etching rate to a first chemical relative to the first material film 2 and sufficiently slow in an etching rate to a second chemical relative to the second material film 3 are formed in that order. - 特許庁

金属ゲート電極１２，２２を形成する際、第１，第２のＭＯＳＦＥＴ１０，２０を形成する領域に、一方には所定エッチング条件でエッチングレートの低い第１の金属層３１を薄く形成し、他方にはその所定エッチング条件でエッチングレートの高い第２の金属層３２を厚く形成して、第１，第２の金属層３１，３２を同時にエッチングする。例文帳に追加

When gate electrodes 12 and 22 are formed, a first metal layer 31 of low etching rate is formed thin in one of two regions for forming first and second MOSFETs 10 and 20 under predetermined etching conditions and a second metal layer 32 of high etching rate is formed thick in the other region under those predetermined etching conditions, and then the first and second metal layers 31 and 32 are etched simultaneously. - 特許庁

非溶融処理領域のエッチングレートよりも溶融処理領域１３のエッチングレートのほうが高いことを利用して、切断予定ラインに沿って加工対象物１に溶融処理領域１３を形成した後に、エッチング処理を施すことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物１に断面Ｖ字状の溝２６を形成する。例文帳に追加

By applying etching treatment after forming a melting treatment regions 13 on the object 1 to be machined along the predetermined cutting line by utilizing that the etching rate in the melting treatment regions 13 is higher than the etching rate in an non-melting treatment regions, grooves 26 each having a V-shaped cross section are formed on the object 1 to be machined along the predetermined cutting line. - 特許庁

トラック幅方向リフィル膜又は素子高さ方向リフィル膜６のうち最初に形成するリフィル膜を、磁気抵抗効果膜３に接している層１４はエッチングレートが遅いが、熱処理による特性劣化を抑えることのできる材料で形成し、磁気抵抗効果膜に接している層以外の層１５はエッチングレートの速い材料で形成する。例文帳に追加

In a refill film formed at the beginning among the track width direction refill film or the element height direction refill film 6, a layer 14 which contacts with the magnetoresistive effect film 3 is formed with materials which has late etching rate, but can suppress property degradation by heat treatment, and a layers 15 which are other than the layers which contact with the magnetoresistive effect film are formed with the material having fast etching rate. - 特許庁

金とニッケルとが共存する材料の１液でのエッチングを可能にし、さらに金およびニッケルのエッチングレートを制御できるエッチング方法およびエッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method and an etchant for etching a material in which gold and nickel coexist with one liquid and controlling the etching rate of the gold and the nickel. - 特許庁

そして、エピタキシャル基板の半導体保護層を、窒化物半導体機能層に対するエッチングレートの差により選択的に除去する工程により半導体装置を製造する。例文帳に追加

The semiconductor device is manufactured by a step of selectively removing the semiconductor protective layer of the epitaxial substrate by the difference in etching rate from the nitride semiconductor functional layer. - 特許庁

半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a semiconductor wafer for manufacturing the semiconductor wafer having stable flatness by controlling the flatness of the semiconductor wafer based upon an etching rate and the number of revolutions. - 特許庁

本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、アダマンタン骨格を有するレジストパターンのエッチングレートが局所的に大きくなるのを防止することを目的とする。例文帳に追加

To prevent the etching rate of a resist pattern having an adamantane skeleton from increasing locally in a fine pattern formation method which includes the treatment method of the resist pattern. - 特許庁

即ち、エッチングレートの良好な再現性が得られ、金属銀薄膜または銀合金薄膜に対して良好な寸法精度でエッチングを行うことができる。例文帳に追加

Then, the etching solution provides the adequate reproducibility of an etching rate, and makes the thin film of metallic silver or the silver alloy etched with the adequate precision of the dimension. - 特許庁

プラズマエッチング装置のエッチングガス中のエチルアルコールの最適添加比率の決定のために、エッチングマスクに対する等方性エッチングレートを零にするエチルアルコール添加比率が求められる。例文帳に追加

In order to determine an optimum addition ratio of ethyl alcohol in an etching gas of a plasma etching apparatus, ethyl alcohol addition ratio is found so as to make zero an isotropic etching rate to an etching mask. - 特許庁

多層膜ハーフトーンブランクスの各層のエッチングレートを制御することで、ドライエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。例文帳に追加

To improve the taper shape or the phase difference accuracy of a mask pattern after dry etching working by controlling the etching rate of each layer of a multilayer half tone blanks. - 特許庁

その結果、リン酸水溶液中のシロキサン濃度上昇が抑制され、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。例文帳に追加

Consequently, an increase in the concentration of the siloxane in the aqueous phosphoric acid solution is suppressed to maintain an initial etching rate for both the silicon nitride film and a silicon oxide film. - 特許庁

拡散孔２３から吐出されるエッチングガスのガスコンダクタンスが低減し、濃度分布も均一化されて、エッチングレート及び処理の均一性が向上する。例文帳に追加

The conductance of the etching gas purged from the holes 23 is reduced and a uniform concentration distribution is also achieved, thereby improving etching rate and processing uniformity. - 特許庁

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。例文帳に追加

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high. - 特許庁

プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。例文帳に追加

In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved. - 特許庁

マイクロレンズ１１がエッチングレートの高いアンダーコート層１３上に設けられ、且つマイクロレンズの裾部に、その領域を拡張する形状に選択的に透明樹脂１２が配設されたこと。例文帳に追加

A microlens 11 is provided on an undercoat layer 13 of high etching rate, and a transparent resin 12 is selectively located in the hem part of the microlens in the form of expanding that area. - 特許庁

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。例文帳に追加

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation. - 特許庁

また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。例文帳に追加

The use of this type of etching gas allows good etching selectivity for a resist mask to be obtained while securing an etching rate of the electrode layer 4. - 特許庁

本発明は、窒化シリコンの選択的なエッチングにおいて、その窒化シリコンのエッチングレートを高めることができるエッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching liquid and an etching method which can enhance an etching rate in the selective etching of a silicon nitride, and to provide a method for manufacturing an electronic component. - 特許庁

半導体基板上に第１の絶縁膜であるシリコン窒化膜３、第１の絶縁膜としてのシリコン窒化膜３とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜であるシリコン酸化膜４を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film 3 as the first insulation film and a silicon oxide film 4 as the second insulation film which is different in the etching rate from the silicon nitride film 3 as the first insulation film are formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

エッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜およびそのＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲット例文帳に追加

W-Ti DIFFUSION-PREVENTING FILM HAVING HIGH ETCHING RATE, AND W-Ti TARGET FOR SPUTTERING FOR FORMING THE SAME - 特許庁

半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、平坦度及びうねりを改善する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a semiconductor wafer capable of being improved in its flatness and undulation and of making uniform an etching rate in a semiconductor wafer plane. - 特許庁

そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレートよりエッチング時間を算出して固定にすることで、オーバーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したままエッチングする。例文帳に追加

Then, quantity of the over-etching is fixed and the etching is performed while leaving the upper layer metal film by calculating and fixing etching time by film thickness of an insulation film and its etching rate. - 特許庁

ドライエッチング処理におけるエッチングレートの向上を図り、半導体装置の品質を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving an etching rate in dry etching and improving the quality of the semiconductor device. - 特許庁

ゲート電極８と層間絶縁膜１１との間には、エピタキシャル層３とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層１４を介在させる。例文帳に追加

An etching stopper layer 14 made of a material having an etching rate different from that of the epitaxial layer 3 is interposed between the gate electrode 8 and the interlayer dielectric 11. - 特許庁

フォトマスク基板のエッチングレートを均一にするために、エッチング処理室の内壁に付着するエッチングにより生成する堆積物を効率的に除去するドライクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry-cleaning method for efficiently removing deposits generated by etching and deposited on etching chamber inner walls for uniformizing photomask substrate etching rate. - 特許庁

エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can shorten the time required for etching process by suppressing the deterioration of an etching rate during etching processing. - 特許庁

コントロール層１５と第２の半導体層１４との間には、コントロール層１５と比べてエッチングレートが小さい材料からなる第３の半導体層２１が形成されている。例文帳に追加

A third semiconductor layer 21 made of a material smaller in etching rate than the control layer 15 is formed between the control layer 15 and the second semiconductor layer 14. - 特許庁

大判のワークに対して、エッチングレート等の処理効率を低下させることなく均等にプラズマを作用させ高精度のプラズマ処理を可能とし、かつ生産効率の高いプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus capable of performing a high accuracy-plasma processing by evenly applying the plasma without deteriorating processing efficiency such as etching rate to a big work and whose productive efficiency is high. - 特許庁

上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of suppressing variation in an etching rate caused by wear of an electrode plate of an upper electrode. - 特許庁

シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のいずれにも十分なエッチングレートの選択比を有する半導体装置の製造方法と半導体製造装置とを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method and device having sufficient selective ratio of etching rate for either one of a silicon nitride film and a silicon oxide film. - 特許庁

側壁が斜めの凹部は、アルミニウムを含む窒化物半導体層の結晶性を劣化させながら成長させ、その後、結晶性の違いに応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。例文帳に追加

The recess having the oblique sidewall is formed by being grown while degrading crystallinity of the nitride semiconductor layer containing aluminum and thereafter etched by using an etchant changed in an etching rate in accordance with the difference of crystallinity. - 特許庁

エッチングレートプロファイルが、半導体ウェーハＷに対するノズルの位置によって変化するため、半導体ウェーハの外縁近傍では、正確な加工結果が得にくいという問題を解決することを課題とする。例文帳に追加

To solve the problem of the etching rate profile varying, depending on the location of a nozzle to a semiconductor wafer W, and hence the difficulty of obtaining accurate forming results near the outer edge of the wafer. - 特許庁

エッチングレートが様々に変化してもエッチング終了点を高精度に設定することができ、高精度なエッチング処理を再現性良く行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, wherein etching finish point is set at high precision, even if an etching rate changes variously for high accuracy etching process with good reproducibility. - 特許庁

シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology capable of concurrently satisfying a high etching selection ratio of a silicon nitride film to a silicon oxide film and a high etching rate of the silicon nitride film. - 特許庁

被処理面のエッチング液が供給されている領域内でのエッチングレートを均一化し、被処理物に対して所望のエッチングを行うことができる表面加工装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface processing apparatus which equalizes the etching rate in an area of a processed surface where an etchant is supplied and performs desired etching on a workpiece. - 特許庁

エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching method capable of suppressing deterioration in an etching rate caused by the coexistence of an etching gas and a reaction gas for protective film formation, and improving the film deposition rate of the protective film. - 特許庁

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。例文帳に追加

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma. - 特許庁

結晶性損傷が強誘電体材料のエッチングレートを増加させることは公知であるが、本発明者らはさらに電子的損傷も又材料のエッチング速度を増加させることを見いだした。例文帳に追加

Although the fact that the crystalline damage increases an etch rate of the ferroelectric material is publicly known, the inventors have discovered that the electronic damage increases the etch rate of the material. - 特許庁

ストッパ膜６１は、水素バリア膜６５よりも、レジストパターンを除去するウエット洗浄処理のエッチングレートが小さい材料で形成する。例文帳に追加

The stopper film 61 is formed of a material which exhibits a lower etching rate of the wet cleaning process for removing the resist pattern than that of the hydrogen barrier film 65. - 特許庁

第１の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜及びシリコン窒化膜より高くなるエッチング条件で開口部６１ａ内にエッチング処理を施す。例文帳に追加

Etching processing is performed inside the opening 61a under an etching condition that an etching rate of the first insulating film becomes higher than those of the second insulating film and the silicon nitride film. - 特許庁

このように、ＴｉＷターゲット中のＴｉ濃度が１０．５Ｗｔ％以下となるようにすることで、バリアメタル３８のエッチングレートを早くし、エッチング時間を短くすることができる。例文帳に追加

Since Ti concentration in the TiW target reaches 10.5 wt.% or less, the etching rate of the barrier metal 38 is quickened, and the etching time can be shortened. - 特許庁

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。例文帳に追加

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)). - 特許庁

このようにすることにより、高周波電源１３によりウエハ２とアース電極１７間に印加される高周波バイアス電圧を一定に制御でき、エッチングレートの再現性が得られる。例文帳に追加

This can control the high-frequency bias voltage applied across a wafer 2 and a grounding electrode 17 by the high-frequency power supply 13 to a constant value, to improve the reproducibility of etching rate. - 特許庁

酸を含む蒸気によるエッチング処理を基板面内で均一に行うことができる、特に基板の周縁部でのエッチングレートの低下を防止することができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide substrate surface treatment device and method for uniformly performing etching treatment by vapor containing acid within a substrate surface, and especially preventing the decrease in an etching rate at the peripheral section of the substrate. - 特許庁