「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのＢＰＳＧ膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。例文帳に追加

This procedure allows an etching rate between contact holes to be uniform since a BPSG thickness from the substrate becomes uniform regardless of the density of gate electrode formation regions, and the contact holes having a reduced fluctuation in contact resistances and leakage current values to be formed. - 特許庁

水晶片の外形エッチング時にレジストに起因するエッチングレートの不安定性等の問題が生じることなく、また溝部形成のための金属マスクを精度よく形成することで、寸法精度の高い溝部を形成することができる圧電振動子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator for forming a groove part with high dimensional accuracy by accurately forming a metallic mask for groove part formation without causing the problem of instability of an etching rate or the like caused by a resist at outer form etching of a crystal chip. - 特許庁

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a device for processing work by plasma capable of moving electrodes closer to each other, to increase an etching rate, when plasma- processing a work and of increasing a gap between the electrodes, when putting the work into or out of the gap between the electrodes after the plasma process is finished. - 特許庁

このような構成によると、Ａｕ層３２とＣｒ層３１とが合金を生じることがないため、光反射性を確保しながらエッチングレートの低下に伴う残差の発生を抑制でき、電極パターンの短絡等を防いで信頼性に優れる発光装置１が得られる。例文帳に追加

This avoids alloying the Au layer 32 with the Cr layer 31 and hence suppresses the growth of residues due to the reduction of the etching rate while ensuring the light reflectivity, thus preventing an electrode pattern from being short-circuited, etc. to obtain a light emitter 1 superior in reliability. - 特許庁

従来の装置よりも高いエッチングレートを得られ、エッチングによる被処理物へのダメージが少なく、ラジオ周波数帯で表面波ダウンストリーム負イオンの生成が可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ発生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus which can obtain an etching grade higher than a conventional one, where a damage of a treated matter due to etching is little, and which can produce a surface wave downstream negative ion in a radio frequency band; and to provide a plasma producing method. - 特許庁

レンズ材料層とマスク層とをエッチングしてマイクロレンズを形成するにあたり、２種類のエッチングガスの流量比を調整して、エッチングレートや面内均一性、選択比を制御し、所望の形状のマイクロレンズを形成すること。例文帳に追加

To control an etching rate, an in-plane uniformity and a selection ratio by adjusting the flow ratios of two kinds of etching gases, and to form a micro-lens having a desired shape when the micro-lens is formed by etching a lens-material layer and a mask layer. - 特許庁

また、たとえ開口部６ａの寸法がαだけ広がり、本来除去されるべきでない所望パターン４ａの一部が露出しても、露出した所望パターン４ａはイオン注入が行われておらずエッチングレートが低いため、パターンの後退を抑制することができる。例文帳に追加

Moreover, even if the dimension of the opening 6a is increased only by α and a part of the desired pattern 4a which should not be essentially etched away is exposed, the retrogression of the pattern is suppressed, for the ion implantation is not carried out in the exposed desired pattern 4a and the etching rate is low. - 特許庁

水晶基板１と、水晶基板１とはエッチングレートが異なるシリコン基板２とを貼り合わせる貼合工程と、水晶基板１を研磨する研磨工程と、シリコン基板２をエッチングするベースエッチング工程と、水晶基板１をエッチングする水晶エッチング工程とを含むようにした。例文帳に追加

A lamination process of laminating a quartz substrate 1 to a silicon substrate 2 whose etching rate is different from that of the quartz substrate 1, a polishing process of polishing the quartz substrate 1, a base etching process of etching the silicon substrate 2, and a quartz etching process of etching the quartz substrate 1 are included. - 特許庁

第２及び第３の着色層４６，５０の一方について、着色剤含有組成物に含まれる分散樹脂又は硬化樹脂のＣ−Ｃ結合密度を０．３以上とすることで、第２及び第３の着色層４６，５０のエッチングレートを均一にすることができる。例文帳に追加

The C-C bond density of dispersion resin or hardened resin included in the colorant containing composition is set to 0.3 or more with respect to one of the second and the third color layers 46 and 50, whereby etching rates of the second and the third color layers 46 and 50 can be equalized. - 特許庁

基板ウエハ１１上に第１の絶縁膜１２を堆積し、第１の絶縁膜１２上に第１の絶縁膜１２よりもエッチングレートの低い第２の絶縁膜１３を堆積し、コンタクト孔を形成し、第１の配線１５を形成する。例文帳に追加

A first insulating film 12 is deposited on a substrate wafer 11, a second insulating film 13 lower in etching rate than the first insulating film 12 is deposited on the first insulating film 12, a contact hole is provided, and a first wiring 15 is formed. - 特許庁

通常使用されている溶液ではタングステンのほうが４〜５倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてＨ_２Ｏ_２／ＨＣｌのモル比を１／１００以下とし、且つ溶液温度を７０℃以上とする。例文帳に追加

Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching. - 特許庁

複数の電子放出素子が配される電子源形成用基板であって、基板１上にＳｉＯ_2を主成分とする層７を有し、このＳｉＯ_2層７の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液（ＮＨ_4−ＨＦ_2）でのエッチングレートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする。例文帳に追加

A plurality of electron emission elements are arranged in the substrate 1 for forming the electron source, a layer 7 containing SiO_2 as a principle component is formed on the substrate 1, and an etching rate of the SiO_2 layer 2 with a 0.4 wt.% hydrogen fluoride ammonium aqueous solution (NH_4-HF_2) is specified to 150 nm/min or less at room temperature. - 特許庁

その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。例文帳に追加

In that case, high adhesion of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 44 can be obtained and also an etching rate is prevented from decreasing by maintaining N_2 concentration in the MoN film 45 to ≥5 atomic % and ≤30 atomic %. - 特許庁

半導体装置内の金属又は金属化された層を垂直方向において接続するためにビアホールおよびビアライン領域のそれぞれのサイズに基づいたエッチングレートまたは選択性の違いを埋め合わせるビアラインバリア及びエッチストップ構造を提供する。例文帳に追加

To provide a via line barrier and an etching stop structure for compensating difference in selectivity or etching rate based on the sizes of respective via holes and via line regions, so that a metal or metallized layer in a semiconductor device is connected in vertical direction. - 特許庁

上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。例文帳に追加

To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed. - 特許庁

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor. - 特許庁

エッチングレートを向上させることによりカバーガラスの生産効率を向上し、さらには、複雑な形状であっても、形状精度の高いカバーガラスを形成することができるカバーガラスの製造方法およびカバーガラスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing cover glass which improves an etching rate to improve cover glass productivity and forms the cover glass of a high shape accuracy even if its shape is complicated, and to provide the cover glass. - 特許庁

ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。例文帳に追加

Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W. - 特許庁

センサチップのキャビティ部とダイアフラム部をエッチングにより形成する工程において、シリコンエッチングレートの変動を減少させることにより、感度特性のばらつきが少なく、信頼性の高い静電容量型圧力センサを高い良品率で安定的に製造し、提供すること。例文帳に追加

To stably manufacture a highly reliable capacitive pressure sensor with less dispersion of sensitivity characteristic at a high non-defective rate by reducing the fluctuation of silicon etching rate in the process of forming the cavity part and diaphragm part of a sensor chip by etching. - 特許庁

ドライエッチングにより半導体基板を加工して梁や錘を形成する容量型力学量センサにおいて、ウエハ面内でのエッチングレート差を補正することにより、歩留まりを向上させ、センサの低コスト化を実現すること。例文帳に追加

To enhance a yield and to reduce a cost of a sensor by correcting an etching difference within a wafer face, in the capacity type dynamic quantity sensor wherein a semiconductor substrate is worked by means of dry etching to form a beam and a weight. - 特許庁

外部ベース層を、多結晶シリコンゲルマニウムからなる第１の外部ベース層７と、第１の層とはエッチングレートの異なる第２の外部ベース層８の２層から形成し、外部ベース部分の形状をパターニング後、第２の外部ベース層８をエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

The external base layer is formed with two layers: a first external base layer 7 made of polycrystal silicon germanium and a second external base layer 8 whose etching rate differs from that of the first layer, the shape of the external base layer is subject to patterning and thereafter the second external base layer 8 is selectively removed by etching. - 特許庁

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。例文帳に追加

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film. - 特許庁

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。例文帳に追加

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film. - 特許庁

この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。例文帳に追加

In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer. - 特許庁

被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for etching monitoring which can carry out precise monitoring of a member to be etched as to etching rate, end point of etching, or the like without affecting the etching reaction on the member to be etched; and to provide a method for etching monitoring. - 特許庁

また、プラスチックフィルム１１の導電性を有する表面に、プラスチックフィルムから露出表面に向けて銅よりもエッチングレートの小さい金属を漸次または段階的に多く含有する金属めっき層１６、１７、１８を形成したフレキシブル銅張積層板１とした。例文帳に追加

The flexible copper lining laminated plate 1 has the metal plated layers 16, 17 and 18 formed on the surface of plastic film 11 having conductivity, wherein metal having lower etching rate than that of copper contained in the metal plated layers 16, 17 and 18 is made larger gradually or stepwise from the plastic film toward the exposed surface. - 特許庁

さらに、第１および第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さい第２の積層絶縁膜８を形成し、第１および第２の積層絶縁膜７、８を同じ条件で一度にエッチングし、第２の配線層１０用のパターン溝９を形成する。例文帳に追加

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10. - 特許庁

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。例文帳に追加

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105). - 特許庁

シリコン基板をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング液の酸化還元電位の低下によるエッチングレートの低下や、エッチング液の循環流量の低下によるエッチング量の面内均一性の低下を抑制する。例文帳に追加

To provide an etching device for wet-etching a silicon substrate which is arranged to suppress the decrease in the etching rate resulting from the decrease in the oxidation-reduction potential of an etchant, and the deterioration in the in-plane uniformity of the amount of etching owing to the reduction in the circulating flow rate of the etchant. - 特許庁

半導体製造装置内で発生させるプラズマが焼結体の表面の凹凸部に分散されて、安定性に影響するエッジ効果を低減できるので、エッチングレートが短時間で安定し、半導体ウエハの成膜効率を向上させることが可能となる。例文帳に追加

Since a plasma generated in a semiconductor manufacturing apparatus is dispersed to uneven parts of the surface of the sintered compact, and the edge effect having an affect on the stability is reduced, the etching rate is stabilized in a short time and the efficiency of film deposition of the semiconductor wafer can be improved. - 特許庁

フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。例文帳に追加

To restrain an etching rate from lowering caused by continuous etching by only a mixed acid, by etching buffered hydrofluoric acid after etching by the mixed acid that is a chemical liquid mixed with hydrogen fluoride HF and nitric acid HNO_3, and to uniformly remove a conductive film on a surface of a substrate, or a conductive film on a reverse face of the substrate. - 特許庁

熱処理装置内の構造物に付着した不要な膜であるＴＥＯＳによるシリコン酸化膜を高いエッチングレートで効率的に、且つ迅速に除去するようにしてクリーニング処理を迅速に行うことが可能な熱処理装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method of heat processing equipment in which cleaning operation can be carried out quickly by removing an unnecessary film, i.e. a silicon oxide film formed by TEOS (tetraethyl orthosilicate), adhering to the structure in the heat processing equipment efficiently and quickly at a high etching rate. - 特許庁

第１の開口部１３ａの開口幅と第２の開口部１３ｂの開口幅は、第１の開口部１３ａが第１の凹部１４ａの深さに達する間に、複数の第２の開口部１３ｂが第２の凹部１７の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定される。例文帳に追加

The opening width of the first opening 13a and the opening width of the one opening 13b are so set that an etching rate difference that while the first opening 13a reaches the depth of the first recess 14a, the plurality of the second openings 13b reach the depth of the second recesses 17. - 特許庁

ガラス基板１０の表面に、圧子により押圧力を印加することで微細な応力影響残留部１６を形成し、ウエットエッチングすることにより、応力影響残留部とそれ以外の部分とのエッチングレートの違いを利用して、流路２２内に機能性微細構造２４を形成する。例文帳に追加

A functional microstructure 24 is formed in a channel 22 by applying pressure with an indentor to the surface of a glass substrate 10 to form a minute stress-influence remaining section 16 and wet-etching the surface to utilize the difference in etching rate between the stress-influence remaining section and other parts. - 特許庁

ＤＦＢレーザ領域１０ＡのＳＣＨ−ＭＱＷ活性層、及びＥＡ光変調器領域１０ＢのＳＣＨ−ＭＱＷ吸収層（活性層）のそれぞれのエッチングレートに基づいて、各領域でマスク幅が設定されたストライプマスク３２を使用する。例文帳に追加

A stripe mask 32 having mask widths set for the regions, respectively, according to the etching rates determined, respectively, for the SCH-MQ active layer of a DFB (distributed feedback) laser region 10A and for the SCH-MQW absorption layer (active layer) of an EA optical modulator region 10B. - 特許庁

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method for making an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si low dielectric constant film to be high and etching a SiC part when the SiC part of a body to be processed is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film as a mask. - 特許庁

その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのＢＰＳＧ膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。例文帳に追加

The resulting uniform thickness of the BPSG film from the wafer, regardless of the coarseness and denseness refraction of the gate electrode forming region, makes an etching rate between contact holes uniform to be able to form the contact holes having a small variation in the leakage current value. - 特許庁

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。例文帳に追加

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process. - 特許庁

層間絶縁膜１４上にこの層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜１５を積層配置し、第２の絶縁膜１５にドライエッチングによりアンダーカット部１６を形成する際、前記層間絶縁膜１４を第２の絶縁膜１５で保護する。例文帳に追加

On the interlayer insulating membrane 14, a second insulating membrane 15 different in an etching rate from this interlayer insulating membrane 14 is laminated and arranged, and when forming an undercut part 16 in the second insulating membrane 15 by dry etching, the interlayer insulating membrane 14 is protected by the second insulating membrane 15. - 特許庁

フッ酸またはフッ化アンモニウム等のＳｉ及びＳｉＯ２を溶解しうる薬液中におけるＳｉ及びＳｉＯ２のエッチング進行状態を薬液の成分濃度に依存しない測定方法によって管理するエッチングレート管理モニターを提供する。例文帳に追加

To provide an etching rate control monitor which controls the progress of etching of Si and SiO2 in a chemical, such as hydrofluoric acid or ammonium fluoride in which Si and SiO2 are dissolved, by a measurement method which is independent of the component concentrations in the chemical. - 特許庁

本発明は、異なる濃度のイオンが導入されたり、異なるイオン種が導入されることにより、同一ゲートポリシリコン膜内において、エッチングレートが異なる領域を有する場合に、ゲート絶縁膜や半導体基板にダメージを与えることなく均一にエッチングしてゲート電極を形成する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for uniformly etching a gate insulating film and a semiconductor substrate without damaging them and for forming a gate electrode, when regions different in etching rates are given in the same gate polysilicon film by means of introducing different concentration ions or different ion types. - 特許庁

従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。例文帳に追加

To provide a vacuum processing apparatus having a wafer support base adopting an electrostatic chuck system provided with a means for measuring the charged state of a wafer after plasma processing without causing defects in the process characteristics. - 特許庁

ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor substrate, capable of preventing a dry etching rate of a source electrode and a drain electrode from deteriorating, preventing etching residues from occurring, and eliminating a barrier metal between a semiconductor layer and wiring metal, such as the source electrode or the drain electrode, and to provide a display device. - 特許庁

電界効果トランジスタ１０では、サファイア基板１１上に、ｉ型のＧａＮからなるＧａＮ層１３と、ｉ型のＧａＮと格子定数が異なるｉ型のＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮ層１４と、ｉ型のＡｌＧａＮよりもエッチングレートが小さいｉ型のＡｌＩｎＮからなるＡｌＩｎＮ層１５とが順に形成されている。例文帳に追加

The field effect transistor 10 includes a GaN layer 13 formed of i-type GaN, an AlGaN layer 14 formed of i-type AlGaN having a lattice constant different from that of the i-type GaN, and an AlInN layer 15 formed of i-type AlInN having an etching rate smaller than that of the i-type AlGaN formed sequentially on a sapphire substrate 11. - 特許庁

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。例文帳に追加

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate. - 特許庁