「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus capable of keeping an etching rate of a silicon nitride film formed on a substrate constant. - 特許庁

その後、Ｃｕ電極層７２に対して、４５°のエッチングレートが早い、いわゆる不活性ガス逆スパッタを施す。例文帳に追加

So-called inert gas inverse spattering with fast etching rate of 45° is performed on the Cu electrode layer 72. - 特許庁

スリット２２ａの間と保護層２２の上に、エッチングレートが保護層２２よりも高い検査用電極２４が形成されている。例文帳に追加

An inspection electrode 24 having a higher etching rate than that of the protective layer 22 is formed between the slits 22a and on the protective layer 22. - 特許庁

エッチングレート、対ＳｉＯ_２選択比および対有機物選択比のいずれもが高いＳｉＣのプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching method of SiC having a high etching rate and exhibiting a high selectivity to S_iO_2 and organic materials. - 特許庁

これにより、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。例文帳に追加

This makes it possible to maintain respective initial etching rates of the silicon nitride film and a silicon oxide film. - 特許庁

半導体基板１０の表面上にエッチングレートの異なる第１及び第２の絶縁膜１１，１２を形成する。例文帳に追加

First and second insulation films 11 and 12 are formed with different etching rates on the surface of a semiconductor substrate 10. - 特許庁

絶縁体被膜２０は二酸化珪素被膜１３と二酸化珪素被膜１３よりもエッチングレートの小さい窒化被膜１４とからなる。例文帳に追加

The insulator coating 20 is made of a silicon dioxide coating 13 and a nitride coating 14 having an etching rate smaller than that of the silicon dioxide coating 13. - 特許庁

オゾン溶解水を用いたレジスト膜の除去方法において、エッチングレートを向上させ、処理時間を短縮する。例文帳に追加

To improve etching rate and shorten a treatment time in a method for removing a resist film which used ozone dissolving water. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、予め計測したエッチングレートのトレンドを用いて再現性の良いエッチングを行う。例文帳に追加

To conduct an etching having an excellent reproducibility by using a trend at a previously measured etching rate regarding a manufacturing method for a semiconductor device. - 特許庁

その後、露出しているポリシリコン層１４に不純物をドープし他の領域よりもエッチングレートをより高めたモニタ領域１６を形成する。例文帳に追加

Impurity is doped on the exposed polysilicon layer 14 and a monitoring region 16 whose etching rate is made higher than the other region is formed. - 特許庁

シリコン層の深部に達する微細なホール（または溝）を高いエッチングレートで形成することが可能なプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method for forming a fine hole(or groove) reaching the deep part of a silicon layer by a high etching rate. - 特許庁

基板の酸化膜除去をドライエッチングで行う場合において、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve etching rate in uniformity within the surface of a substrate in the etching process of removing an oxide film from the substrate. - 特許庁

次に、第２ハードマスク７０のヒンジ領域Ｈにイオン注入しエッチングレートを変化させる。例文帳に追加

Then, ions are implanted into a hinge region H of the second hard mask 70, whereby an etching rate is changed. - 特許庁

本発明はプラズマエッチング装置に関し、半導体ウェハの全面において均一なエッチングレートを確保することを目的とする。例文帳に追加

To assure a uniform etching rate on an overall surface of a semiconductor wafer in a plasma-etching apparatus. - 特許庁

ウエハのエッチングレートを均一にすることが出来るウエハを支持するためのプラズマエッチング装置用複合シリコンリングを提供する。例文帳に追加

To provide a composite silicon ring for a plasma etching device for supporting a wafer, which makes the etching rate of the wafer uniform. - 特許庁

ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method for forming a silicon nitride film having a small etching grade against an HF system solution without raising a film forming temperature. - 特許庁

化合物半導体層の上面の面方位を所定のエッチング液によるエッチングレートが最も速い面方位にする。例文帳に追加

The orientation of the upper face of a compound semiconductor layer is set to be at an orientation whose etching rate by a prescribed etchant is the fastest. - 特許庁

半導体ウェハ等の基材の外周部の不要膜を効率良く輻射加熱し、エッチングレートを高める。例文帳に追加

To enhance etching rate by radiation heating unnecessary films on the outer periphery of a substrate, e.g. a semiconductor wafer, efficiently. - 特許庁

このエッチング処理時のフッ酸水溶液１２のＳｉＯ_2膜に対するエッチングレートは１５０〜３０００Å／分である。例文帳に追加

An etching rate of the hydrofluoric acid solution 12 for the SiO_2 film at the time of the etching is 150-3,000 Å/minute. - 特許庁

高エッチングレートで、しかも、高異方性形状のエッチングを可能にした高誘電体膜のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for etching a high dielectric film into a shape having a high anisotropy at a high etching rate. - 特許庁

エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a dielectric device, in which good etching selectivity for a mask can be obtained while securing an etching rate. - 特許庁

第２心材膜３のエッチングレートを第１心材膜３と異ならせることによって第３心材膜３ａが形成される。例文帳に追加

A tertiary core film 3a is formed by making an etching rate of the secondary core film 3 differ from that of the primary core film 3. - 特許庁

タングステン埋込み配線形成におけるエッチング工程のバリアメタルである窒化チタン層とのエッチングレートの適正を図る。例文帳に追加

To provide an appropriate etching rate with a titanium nitride layer which is a barrier metal in an etching process, related to a tungsten embedded wiring formation. - 特許庁

フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去し、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現する。例文帳に追加

To remove a defect from a photomask by using an electron beam and to realize a finishing shape having no edge roughness at a high etching rate. - 特許庁

温度差によるエッチングレートの部分的な変化を防止することができる半導体製造装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor-manufacturing device that can prevent partial change in an etching rate due to difference in temperature. - 特許庁

エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method by which a hole having a high aspect ratio or the like can be formed in a silicon layer without reducing an etching rate. - 特許庁

この基準面を参照することで、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを容易に、且つ正確に測定できる。例文帳に追加

The etching rate of the mask and etching portions can be measured easily and accurately by referring to this reference surface. - 特許庁

半導体基板の絶縁膜除去をドライエッチングで行う場合に、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。例文帳に追加

To increase the uniformity of an etching rate in the plane of a semiconductor substrate when the removal of an insulating film of the substrate is carried out by dry etching. - 特許庁

ゲート酸化膜５であるSiO_2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。例文帳に追加

An etching grade when etching the SiO_2 of the gate oxide film 5 with a buffered hydrofluoric acid (BHF about 7%) is 1 nm/sec or more and 3 nm/sec or less. - 特許庁

高濃度ボロンシリコン層２１の働きによりエッチングレートのバラツキが抑えられ、均一化が図られる。例文帳に追加

The occurrence of unevenness in the etching rate is suppressed by the action of the high concentration boron- silicon layer 21 and uniformity is attained. - 特許庁

半導体基体１０の表面上にエッチングレートの異なる第１、第２及び第３の絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１２を形成する。例文帳に追加

A first insulating film 11a, a second insulating film 11b, and a third insulating film 12 whose etching rates are different are formed on the surface of a semiconductor substrate 10. - 特許庁

所望のエッチングレートでシリコンリッチ膜をエッチングすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicon rich film can be etched at a desired etching rate. - 特許庁

シリカ系被膜におけるフッ化水素酸によるエッチングレートを低減させることができるシリカ系被膜形成用材料を提供する。例文帳に追加

To provide a silica-based film-forming material capable of reducing the etching rate by hydrofluoric acid in the silica-based film. - 特許庁

熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent the etching rate or the deposition rate from decreasing in etching or plasma CVD by suppressing electric field erosion at the channel portion of a heat exchanging mechanism. - 特許庁

高い選択性と高いエッチングレートを両立させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method for achieving both high selectiveness and a high etching rate. - 特許庁

さらに、第１絶縁膜１０４が、第２絶縁膜１０７とエッチングレート差が小さい酸化膜であることを特徴とする。例文帳に追加

In addition, the first insulation film 104 is an oxide film where an etching rate difference with the second insulation film 107 is small. - 特許庁

引き出し電極層１７（例えばＮｉ）はクッション用電極層１６（例えばＡｌ）よりも表面処理液に対するエッチングレートが小さい。例文帳に追加

The extraction electrode layer 17 (e.g. Ni) has a smaller etching rate for a surface treatment agent than that of the cushion electrode layer 16 (e.g. Al). - 特許庁

エッチングレート均一性を向上し、歩留まりが高く、デバイス劣化を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which deterioration of the device can be suppressed while enhancing the uniformity of etching rate and the yield. - 特許庁

(111)面の存在割合が少ないことで、この電極は、仕事関数やエッチングレートが小さく、放電性及び耐スパッタリング性を高められる。例文帳に追加

Since the presence ratio of the (111) plane is small, a work function and an etching rate of the electrode are small, and electric discharge property and sputtering resistance are enhanced. - 特許庁

装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus. - 特許庁

エッチングレートプロファイルの変形の程度をノズル２０の位置（距離ε）毎に予め求めておく。例文帳に追加

The magnitude of the deformation of the etching rate profile is obtained in advance for each position of a nozzle 20 (distance ε). - 特許庁

被加工基板４とエッチングレートの異なる材料でこの被加工基板４のレンズ形成面に腐食マスク７を形成する。例文帳に追加

On a lens formation surface of a processed substrate 4, a corrosion mask 7 is formed of a material differing in etching rate from the processed substrate 4. - 特許庁

犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of raising etching rate of a sacrifice layer by further raising a modification degree of the sacrifice layer. - 特許庁

精度良くエッチングレートを算出でき、所定のエッチング量やエッチング深さにエッチング処理を行う。例文帳に追加

To enable calculating etching rate accurately, and enable etching to a predetermined etching quantity and etching depth. - 特許庁

この遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが０．３ｎｍ／ｓｅｃ以下である。例文帳に追加

This light-shielding film has an etching rate of 0.3 nm/sec or less in such a state that a substance containing fluorine is not irradiated with charged particles. - 特許庁