「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

キャパシタ１３およびストッパー膜１８を覆ってストッパー膜１８よりもエッチングレートが高い材料からなるハードマスク膜１９を設ける。例文帳に追加

Then, a hard mask film 19 formed of a material having an etch rate higher than that of the stopper film 18 is so formed as to cover the capacitor 13 and the stopper film 18. - 特許庁

エッチングレートが長時間変化することのない使用寿命の長いプラズマエッチング装置に使用する耐エッチング膜被覆シリコン電極板を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon electrode board coated with an etching resistance film used for a plasma etching device that can keep an etching rate for a long period of time and has a long service life. - 特許庁

ストッパ膜６５は、コンタクトホール７１、７２を形成する工程のエッチングのエッチングレートが、層間絶縁膜７よりも小さい材料を用いて形成する。例文帳に追加

The stopper film 65 is formed by using a material in which an etching rate of an etching in the step of forming the contact holes 71, 72 is smaller than that in the step of forming the interlayer insulating film 7. - 特許庁

前記プラグ１０とエッチストッパ膜１１とのドライエッチングレートをほぼ同一にする手法として、たとえばドライエッチングの条件に適合するエッチングガスの種類を選択する手法を用いる。例文帳に追加

For instance, a method, by which the type of the etching gas conforming to the dry-etching conditions is selected, is employed as a method for having the dry-etching rate of the plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 approximately equal to each other. - 特許庁

シリコン酸化膜に対するエッチングで生成する液相水によるエッチングレートの支配を抑制し、液相水による被エッチング処理物の構造への影響を低減してエッチングを行う。例文帳に追加

To suppress a control of an etching rate by a liquid-phase water generated by an etching to a silicon dioxide film, and to conduct the etching by lowering an effect on a structure of the object to be etched by the liquid-phase water. - 特許庁

同一のエッチング対象媒体に焼き込むマスクパターンの大きさを、エッチングレートの違いを考慮した配置位置に応じて補正するマスクパターン生成装置を得ること。例文帳に追加

To obtain a mask pattern generating device which corrects the size of a mask pattern printed on the same medium to be etched according to an arrangement position decided by taking a difference in etching rate into account. - 特許庁

チャネル保護膜１５ａは、例えば下側の層ほどエッチングレートが大きい複数の絶縁層により形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、上側が広く下側が狭い逆テーパ状に形成する。例文帳に追加

The channel protective film 15a comprises a plurality of insulation layers whose etching rate increases going toward the lower layers, and is patterned by a photolithographic method to be formed into an inverted tapered shape, which is wider at the upper side and narrower at the lower side. - 特許庁

前記ガラス基板は、濃度１０質量％のフッ化水素を含む２２℃のエッチング環境で、３．７μｍ／分以上のエッチングレートのエッチング特性を有する。例文帳に追加

When the glass base board is subjected to etching under an etching environment in which a 10 mass% concentration of hydrogen fluoride exists and the temperature is 22°C, its etching characteristics give an etching rate of at least 3.7 μm/min. - 特許庁

エッチング液の硝酸の濃度は質量比で１１．３〜１２．７８質量％の範囲とし、液温は３７．５〜４２．５℃の範囲とし、エッチングレートは２００〜４００ｎｍ／分の範囲とする。例文帳に追加

The concentration of the nitric acid in the etching solution in terms of the mass ratio is to be in the range of 11.3-12.78 mass%, the liquid temperature is to be in the range of 37.5-42.5°C, and the etching rate is to be in the range of 200-400 nm/ min. - 特許庁

第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８の選択比（エッチングレート比）が高い条件にて、第２層間絶縁膜７、平坦化絶縁膜６及び第１層間絶縁膜５をドライエッチングする。例文帳に追加

Under a condition of a high selection ratio (etching rate ratio) between a 2nd inter-layer insulating film 7 and a photoresist 8, the 2nd inter-layer insulating film 7, a flattening insulating film 6, and a 1st inter-layer insulating film 5 are subjected to dry etching. - 特許庁

これにより、中チャンバ３がパワー電極、上下チャンバ２、３がアース電極となり、反応室１内に均一なプラズマが形成され、壁面堆積物のクリーニング（エッチング）レートが向上する。例文帳に追加

Thereby, the intermediate chamber 4 becomes a power electrode and the upper chamber 2 and the lower chamber 3 become earth electrodes, and further, uniform plasma is formed in the reaction chamber 1, and therefore, cleaning (etching) rate of the deposits on the wall can be enhanced. - 特許庁

下地２０上にエッチングレートの異なる二層構造のゲート絶縁膜を有し、ゲート絶縁膜に加工形成されたゲートコンタクトホールの底部側面及び底部が下地側に凸形状の曲面である。例文帳に追加

A gate insulating film having a two-layered structure having different etching rates is formed on a ground 20, and a bottom portion side surface and a bottom portion of a gate contact hole processed and formed into the gate insulating film are curved surfaces which are convex toward the ground. - 特許庁

比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film formation method, by which, contained carbon density is made high even if the film formation is carried out at a comparatively low temperature, thereby an etching rate during cleaning can be made comparatively low, and controllability of the film thickness during the cleaning can be improved. - 特許庁

従来の光学シミュレーションでは考慮していなかったエッチングレート等のようにパターンが形成される下地による影響をモデル化して光学シミュレーション結果に反映させることができる。例文帳に追加

By modeling the influence due to the bases to be formed with a pattern, such as etching rate, which has not been taken into consideration in the conventional optical simulation, such an influence can be reflected on the optical simulation result. - 特許庁

エッチストッパ膜１１および絶縁膜１２を、プラグ１０と前記エッチストッパ膜１１とのドライエッチングレートがほぼ同一になるようにドライエッチング技術を用いて加工する。例文帳に追加

An etching stopper film 11 and an insulating film 12 are processed through dry-etching technology, so as to have the dry-etching rate of a plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 which is approximately equal to each other. - 特許庁

第１の配線１５が形成された第２の絶縁膜１３上に第１の絶縁膜１６を堆積し、前記第１の絶縁膜１６上に第１の絶縁膜１２よりもエッチングレートの低い第２の絶縁膜１７を堆積する。例文帳に追加

A first insulating film 16 is deposited on the second insulating film 13 where the first wiring 15 is provided, and a second insulating film 17 lower in etching rate than the first insulating film 12 is formed on the first insulating film 16. - 特許庁

ウェットエッチングにより形成が可能であり、絶縁膜のドライエッチング時に絶縁膜のエッチングレートとの差が大きくエッチングされ難い、有機ＥＬ表示装置用の配線電極を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring electrode for an organic EL display device in which formation is possible by wet etching and which is hard to be etched at the time of dry etching of the insulating film since a difference between etching rates of an insulating film is large, the organic EL display device equipped with the wiring electrode, and its manufacturing method. - 特許庁

安定したエッチングレートを確保しつつ、環境的な負荷並びに設備的及び人的な負担を最小限に抑えることができる圧粉磁心の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a powder magnetic core capable of minimizing the environmental load and the facility and human burden, while ensuring a stabilized etching rate. - 特許庁

エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の表面を蝕刻するエッチング装置のエッチングチャンバーにおいて、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にするエッチングチャンバーを提供する。例文帳に追加

To provide an etching chamber which can improve the etched grade and distribution of an oxide film when an etching device etches the surface of a substrate placed on a substrate holder in the chamber. - 特許庁

表面が微細な凹凸形状であると共に微細組織からなる本発明電極材料は、仕事関数が4.7eV未満、エッチングレートが22nm/min未満である。例文帳に追加

The electrode material of which the surface has a fine concavo-convex shape and is made of fine structures has a work function less than 4.7 eV and an etching rate less than 22 nm/min. - 特許庁

エッチングレートの速い導電性薄膜のエッチング処理工程での加工精度を向上した液晶パネル基板の導電性薄膜パターニング方法および装置を提供する。例文帳に追加

To improve processing accuracy in an etching treatment stage for a conductive thin film with high etching rate. - 特許庁

トレンチエッチングにおいて、ＳｉＯＣ膜８よりもエッチングレートの遅い第１埋め込み膜１３によりヴィアホール１２内底部に埋め込みプラグ１３ａを形成する。例文帳に追加

During the course of trench etching, an embedded plug 13a is formed of a first embedded film 13 which is lower in etching rate than an SiOC film 8 on the internal bottom of a via hole 12. - 特許庁

このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。例文帳に追加

Thus, since a modification degree is raised by forming the micro crack 12a in the sacrifice layer 12, the etching medium becomes easy to enter a deep part of the sacrifice layer 12, and etching rate of the sacrifice layer 12 is further raised. - 特許庁

処理室内の金属を腐食させず、耐熱性非金属部材（例えば石英部材）に付着した膜のエッチングレートが大きく、エッチングの際に耐熱性非金属部材から剥がれた石英粉が処理室に残らないようにする。例文帳に追加

To prevent corrosion of metal inside a processing chamber, to enlarge an etching rate of a film attaching to a heat-resistant nonmetallic member (e.g., quartz member) and to prevent quartz powder from remaining in a processing chamber. - 特許庁

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a working method of a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is sped up and machining time can be shortened. - 特許庁

絶縁膜への高アスペクト比のホール加工を行うプラズマ処理方法において、高エッチングレートで高いマスク選択比を実現可能な、プラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method in which a high mask selection ratio can be realized at a high etching rate in the plasma treatment method in which a hole working at a high aspect ratio to an insulating film is conducted. - 特許庁

高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a reflection preventing film, which has a high etching rate, and with which problems associated with embedding characteristics, removability with a stripper, and reflected light absorption characteristics are improved, and a wiring forming method using the composition. - 特許庁

たとえば、化合物半導体層１５の上面Ｓ_15の面方位を（１１０）面とし、パターンを形成する辺を［１−１１］方向とすることで、サイドエッチングのエッチングレートは深さ方向の１／√２倍程度になる。例文帳に追加

For example, if the orientation of the upper face S_15 of the compound semiconductor layer 15 is set as the (110) plane and a side on which a pattern is formed is set as the [1-11] orientation, the etching rate in side etching is nearly 1/√2 times that in the depth direction. - 特許庁

その後、Ｎ型不純物高濃度層３６とＮ型不純物が注入されていない酸化膜２６とのエッチングレートの差を利用して、ＨＦによる前処理を施す。例文帳に追加

Afterwards, pre-treatment with HF is applied while utilizing the difference of an etching rate between the N-type impurity high concentration layer 36 and an oxide film 26, to which the N-type impurity is not implanted. - 特許庁

ウエハの端部及び裏面のエッチングを防止抑制し、エッチングレートの面内均一性の向上を確保しうるドライエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching device capable of preventing and suppressing the etching of the edge and the rear surface of a wafer and securing the improvement of uniformity of an etching rate in a surface. - 特許庁

比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film depositing method that allows comparatively reducing an etching rate during cleaning even if depositing a film at comparatively low temperatures and thus allows improving the controllability of a film thickness. - 特許庁

ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。例文帳に追加

To enable a distribution of a reaction product on a wafer outer peripheral portion and an incident ion distribution to a wafer outmost peripheral portion to be controlled with a high degree of accuracy, and to perform etching optimally with an etching rate depending on an etching condition. - 特許庁

処理室内の金属を腐食させず、耐熱性非金属部材（例えば石英部材）に付着した膜のエッチングレートが大きく、エッチングの際に耐熱性非金属部材から剥がれた石英粉が処理室に残らないようにする。例文帳に追加

To prevent a metal in a treatment chamber from corrosion and to prevent quartz powder exfoliated when etching from a heat resistance nonmetal member (e.g. a quartz member) from leaving in the treatment chamber because of a large etching rate of the film attached to the heat resistance nonmetal member. - 特許庁

まず、第１のクリーニング工程で、処理室内の温度を３００℃とすることで、ＳｉＮ膜／石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したＳｉＮ膜を主に除去する。例文帳に追加

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process. - 特許庁

エッチングレートのプロファイルを制御でき、処理容器等がエッチングされることに起因するパーティクルの発生を抑制できる技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology for controlling the profile of etching rate while preventing generation of particles resulting from the fact that a treatment container is etched. - 特許庁

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of processing a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is increased and a machining time can be shortened. - 特許庁

つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。例文帳に追加

Namely, the partial liquid replacement is performed based upon the treatment number of substrates W corresponding to the substrate W having thick-film large in degree of deterioration of a phosphoric acid solution, so the etching rate of the phosphoric acid solution is kept within the constant range. - 特許庁

これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。例文帳に追加

Thus, the contained carbon density is made high, even if the film deposition is carried out at a comparatively low temperature, the etching rate during the cleaning can be made comparatively low, and the controllability of film thickness during the cleaning can be improved. - 特許庁

先ず、ウエハの少なくとも一部の範囲に不純物をイオン注入し、所定のエッチャントによるエッチングレートがウエハ材料よりも高い分離層を形成する。例文帳に追加

Firstly, impurities are subject to ion-implantation into at least a part of a wafer, so as to form an isolated layer, having a higher etching rate than a wafer material by a predetermined etchant. - 特許庁

雰囲気圧力を７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）より小さい減圧下で行うことで、エッチングレートを向上させるとともに基板の研磨傷を除去し、平坦面を得ることができる。例文帳に追加

When the etching of the substrate 10 is performed Since the etching of the surface of the substrate 10 is performed while the atmospheric pressure in the furnace 1 is maintained at ≤760 Torr (one atmospheric pressure), the etching rate can be improved and, at the same time, a flat surface can be obtained by removing polishing marks from the surface. - 特許庁

基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを１５００〜２０００Å／ｍｉｎまで選択比を損なうことなく向上させ、さらにダストの発生も抑制したドライエッチング方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a dry etching method capable of increasing an etching rate for a transparent conductive film on a substrate to 1500 to 2000 Å/min. without impairing a selection ratio and also suppressing dusting. - 特許庁

プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a stable process by restraining discharge of those other than the process and eliminating power losses and abnormal discharges, and to provide a dry etching apparatus for improving an etching rate. - 特許庁

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。例文帳に追加

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole. - 特許庁

ゲート電極膜をドライエッチングで加工する際に、ゲート電極膜における第１のゲート電極が形成される第１のゲート電極形成領域の表面から前記ゲート電極膜の内部の第１の深さまで、第１のゲート電極形成領域のエッチングレートと、不純物が導入されていない第２のゲート電極形成領域とのエッチングレートとが略同等となるような不純物濃度分布を形成する。例文帳に追加

When a gate electrode film is processed by dry etching, such an impurity concentration distribution as the etching rate in a first gate electrode forming region is substantially equal to the etching rate in a second gate electrode forming region not introduced with impurities is formed from the surface of the region for forming the first gate electrode in the gate electrode film down to a first depth thereof. - 特許庁

酸化膜等のドライエッチングに関し、試料内におけるエッチングレートの面内バラツキが大きいために試料外周部に加工量の不足部分が発生して加工精度や品質面において問題発生の恐れがあるという課題を解決し、エッチングレートの面内バラツキを低減して加工精度や品質面において優れた加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a dry etching method in which machining with superior machining precision and quality can be performed by reducing in-plane variance in etching rate, by solving the problem that the outer periphery of a sample is insufficiently machined because of in-plane variance in etching rate in the sample is large as to dry etching of an oxide film etc., is large to possibly generate problems of machining precision and quality. - 特許庁