「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体よりなるウェハの表面をドライエッチングする工程を備える半導体基板の製造方法において、ウェハ面内のエッチングレートを均一化する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate manufacturing method which includes a dry etching process, through which a semiconductor wafer is etched at the same rate through its surface. - 特許庁

本発明は、ステンシルマスクの裏面からのエッチング（バックエッチング）時のエッチングレートのウエハ面内均一性を向上させ、パターン位置精度の高いステンシルマスクを提供することを課題とする。例文帳に追加

To enhance the uniformity of the etching rate within the wafer surface in etching from the rear side of a stencil mask (back etching) and to obtain a stencil mask having high accuracy of the pattern position. - 特許庁

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。例文帳に追加

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer. - 特許庁

励振電極の第１の領域１１０はその上面（表面）がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。例文帳に追加

The upper face (surface) of a first region 110 of the vibration electrode is configured of a chrome layer, and formed of materials whose etching rate in dry etching is relatively small. - 特許庁

半導体ウェーハに対するノズル位置の如何に関わらずエッチングレートプロファイルが同じであると仮定しているため、従来技術によると、正確な平坦度が得られないという問題を改善することを課題とする。例文帳に追加

To solve a problem of the conventional technologies by which accurate flatness cannot be obtained because of the assumption that the etching rate profile is the same regardless of the nozzle position with respect to a semiconductor wafer. - 特許庁

シリコンに対してエッチングレートが高いエッチングによって、不純物添加部２を、埋め込み電極４に対してセルフアライメントした状態で除去できる。例文帳に追加

Through high etching-rate etching to the silicon, the impurity added part 2 can be removed while it is self-aligned with the embedded electrode 4. - 特許庁

パターンニング工程で用いるエッチング液は、導体層を溶解しガード金属層３９を溶解しないものであって、エッチングレートが約１〜５μｍ／分である。例文帳に追加

An etching agent for use in the patterning step is one which dissolves the conductive layer and does not dissolve the guard metal layer 39, and an etching rate is about 1 to 5 μm/min. - 特許庁

圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。例文帳に追加

The crystal orientation of the piezoelectric thin film 106 is selected so as to sufficiently reduce an etching rate for a hydrofluoric acid at an underside 1062 of the piezoelectric thin film 106 on the support structure 122. - 特許庁

このエッチング処理時にプラズマ発光波長の発光強度を不活性ガスの発光強度で除算した発光強度比を含む装置パラメータからエッチングレート予測式を作成する。例文帳に追加

During this etching, an etching rate estimation equation is created using apparatus parameters including an emission intensity ratio obtained by dividing an emission intensity of a plasma emission wavelength by an emission intensity of an inert gas. - 特許庁

エッチングレートは、面積が大きい部分よりも面積が小さい部分のほうが遅いので、終点検出層３１に起因する発光スペクトルが観測されるまでエッチングを実施し、トレンチ３３を形成する。例文帳に追加

Since an etching rate in a smaller area is lower than that in a larger area, etching is performed until an emission spectrum caused by the endpoint detecting layer 31 is observed to form the trench 33. - 特許庁

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。例文帳に追加

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate. - 特許庁

これによりＳＦ6ガスとＣＨＦ3ガスの流量比を調整することによって、エッチングレートや面内均一性、選択比が制御され、所望の形状のマイクロレンズを形成することができる。例文帳に追加

Accordingly, the etching rate, the in-plane uniformity and the selection ratio are controlled by adjusting the flow ratios of the SF6 gas and the CHF3 gas, and the micro-lens having the desired shape is formed. - 特許庁

半導体ウエハに対してプラズマにより例えばシリコン層をエッチングしてトレンチを形成するあたり、ウエハ外縁部における反応生成物の堆積を抑えてエッチングレートの低下をを抑制すること。例文帳に追加

To suppress the adhesion of a reaction product at a semiconductor wafer periphery for forming trenches by etching e.g., a silicon layer with plasma to suppress the reduction of an etching rate. - 特許庁

エッチング対象部のエッチングレートおよび対マスク選択比が高く、かつ、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching method which ensures a higher etching rate and mask selection ratio of an etching object portion and also suppresses the etching stop. - 特許庁

次に、第１の側壁膜１０６を介して、犠牲ゲート電極１０５の側面に、第１の側壁膜１０６とエッチングレートの異なる第２の側壁膜１１０を形成する。例文帳に追加

A second side wall film 110 with a etching rate different from that of the first side wall film 106 is formed on the side wall of the sacrifice gate electrode 105 through the first side wall film 106. - 特許庁

シリコン酸化膜に比較的アスペクト比の高いホールをエッチングにより形成する際のエッチングレートを向上させることができるエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method by which the etching rate can be improved at making of a hole, having a relatively high aspect ratio through a silicon oxide film by etching. - 特許庁

エッチングにより回路形成を行う電子回路用銅箔１において、エッチング面側に銅よりエッチングレートの遅い金属又は合金層７を形成した。例文帳に追加

In the copper foil 1 of an electronic circuit where a circuit is formed by etching, a metal or alloy layer 7 having an etching rate lower than that of copper is formed on the etching face side. - 特許庁

さらに、工程（ａ）の前または工程（ａ）中に、絶縁膜の露出面をＯＨ基で終端させることで、絶縁膜のエッチングレートの向上を図ることができる。例文帳に追加

Further, the etching rate of the insulating film is increased by terminating the exposed surface of the insulating film with OH groups before the step (a) or during the step (a). - 特許庁

半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。例文帳に追加

When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly. - 特許庁

すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、少なくとも第１の膜を露出するまで行う。例文帳に追加

A first etching step employs an etching method in which an etching rate to at least a second film and a third film is high and etching is performed until at least a first film is exposed. - 特許庁

アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method which can further improve both an etching rate and a resist selection ratio compared with a conventional method in executing aspect ratio etching. - 特許庁

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region. - 特許庁

第３のエッチング工程には、第１乃至第３の膜に対するエッチングレートが第２のエッチング工程よりも高いエッチング方法を採用する。例文帳に追加

A third etching step employs an etching method in which an etching rate to the first to third films is higher than that in the second etching step. - 特許庁

高いエッチングレートを確保しながら、エッチング時の反応生成物を半導体基板表面に残すことなく、清浄な基板表面を得ることができる半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaner for a semiconductor substrate by which a clean substrate surface can be obtained without leaving a reactive product at etching on the surface of the semiconductor substrate while securing high etching rate, and its cleaning method. - 特許庁

ステージ１４の表面に半導体ウェハを載置したときに、半導体ウェハの周方向に温度の異なる複数の領域が形成され、領域毎に異なるエッチングレートでトレンチが形成される。例文帳に追加

When a semiconductor wafer is loaded on the surface of the stage 14, a plurality of regions having temperatures different in a circumference direction of the semiconductor wafer are formed, and, for every regions, trenches are formed by different etching rates. - 特許庁

第２の領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄはその上面（表面）が銀層からなり、前記第１の領域（クロム層）よりエッチングレートが大きい材料からなっている。例文帳に追加

The upper faces (surfaces) of second regions 11A, 11B, 11C and 11D are configured of silver layers, and formed of materials whose etching rate is larger than that of the first region (chrome layer). - 特許庁

ウエットエッチング装置において、処理能力を高く、設置面積を小さく、装置価格を低く、かつ、エッチングレートの安定性及び均一性を良くすることが可能な技術を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a technology capable of increasing the processing capacity, reducing the installation area and lowering the price of a wet etching device while improving the stability and uniformity of etching rate. - 特許庁

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。例文帳に追加

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions. - 特許庁

損傷を受けたＬｉＮｂＯ_３は未損傷ＬｉＮｂＯ_３よりもはるかに速いエッチングレートを有し、エッチストップ層を形成するためにアニールプロセスは必要ではない。例文帳に追加

Damaged LiNbO_3 has an etch rate much faster than undamaged LiNbO_3 and an annealing process is not necessary for forming an etch stopping layer. - 特許庁

それにより、それらのエッチングレート差が厚さの違いで相殺され、第１，第２の金属層３１，３２のエッチングを同時あるいはほぼ同時に終了させることが可能になる。例文帳に追加

Consequently, difference in etching rate is offset by difference in thickness and etching of the first and second metal layers 31 and 32 can be ended simultaneously or substantially simultaneously. - 特許庁

半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma generator improving an in-plane uniformity while keeping a high etching rate when used for plasma etching in a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

トレンチ加工におけるエッチングレートと歩留まりの向上が充分に得られるようにした半導体基板のプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for plasma-etching a semiconductor substrate capable of sufficiently obtaining an etching rate in trench working and an improvement in yield. - 特許庁

処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of ensuring stable etching rate for preventing precipitation of silica in gas piping, calculating a specific gravity value of a processing liquid within a processing tank and measuring the specific gravity value accurately. - 特許庁

レジスト上に形成された絶縁膜と凹部上に形成された絶縁膜のエッチングレートの違いを利用して、凹部上に形成された絶縁膜を残しつつ、レジスト上に形成された絶縁膜を除去してレジストを露出させる。例文帳に追加

Utilizing an etching rate difference between the insulating film formed on the resist and that formed on the concave, the insulating film formed on the resist is removed to expose the resist while remaining the insulating film formed on the concave. - 特許庁

次に、エッチングレートの遅いエッチング液２４で、ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをエッチング処理し、表面１１ａ，１２ａを平滑化してガラス基板１１，１２を所望の厚みにする。例文帳に追加

Next, the surfaces 11a, 12a of the glass substrates 11, 12 are etched with the etchant 24 with a slower rate of etching and the surfaces 11a, 12a are smoothed so as to make the glass substrates 11, 12 thick as desired. - 特許庁

予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。例文帳に追加

Based on a distribution of etching grade of the ion gun 11 and a distribution of etched amount of the substrate 31, an intermediate target thickness of the thickness of the substrate 31 in the measuring point is preliminarily set based on the position of etching center. - 特許庁

そして、それらのエッチングレートが所定範囲内（例えば、目標値の±１０％以内）となるように、ヒーター１３の加熱調整により、基板１２の温度を調整する。例文帳に追加

The temperature of the substrate 12 is controlled by controlling a heater 13 so that those etching rates are in the predetermined range (for instance, not less than 10% nor more than 10% of the target value). - 特許庁

Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI. - 特許庁

このとき、第２のキャップ層６の表面に存在する変質物Ｄがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第２のキャップ層６のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。例文帳に追加

In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed. - 特許庁

このドライエッチング方法によれば、ドライエッチングが進行しても半導体基板が帯電し難くなり、基板面内におけるエッチングレートの均一性が向上する。例文帳に追加

By the dry etching method, even when dry etching advances, it becomes difficult for the semiconductor substrate to be electrically charged, thus increasing the uniformity of the etching rate in the plane of the substrate. - 特許庁

これにより、パッド部の溝１０と配線部の溝１１の幅が異なっているためにエッチングレートが異なったとしても、パッド部の溝１０と配線部の溝１１の深さを均一にすることが可能となる。例文帳に追加

Thereby, the depth of the groove 10 of the pad portion and the depth of the groove 11 of the wiring portion can be made uniform even when the etching rates are made different due to the different widths of both the grooves 10, 11. - 特許庁

これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。例文帳に追加

This allows an etching rate in cleaning to be relatively small by increasing concentration of a carbon contained even in deposition at a relatively low temperature thereby improving controllability of a film thickness in cleaning. - 特許庁

液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etchant which is free of dissolution of liquid and the corrosion of a substrate, and low in cost and has a high etching rate for tungsten-based metal, and a removing method for the tungsten-based metal. - 特許庁

基板11上での検出面積を拡大したので、パターンの依存性や、膜質や膜厚の面内不均一によるエッチングレートのばらつきを平均化でき、終点検出精度を向上できる。例文帳に追加

Since the detection area on the substrate 11 is enlarged, dependence of a pattern and dispersion of etching rate on in-plane irregularities of film quality and film thickness can be averaged, and final point detection accuracy can be improved. - 特許庁

このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。例文帳に追加

When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference. - 特許庁