「エッチングレート」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（１００）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide etching liquid capable of reducing variation in etching rate in the (100) face orientation of a silicon substrate at the time of wet etching the silicon substrate, and to provide its production process and a manufacturing process of a liquid ejection head. - 特許庁

被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for etching which has the high etching ratio of a film to be worked to a substrate film and a high etching rate. - 特許庁

側壁が斜めの凹部は、第２の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。例文帳に追加

The recessed part whose sidewall is oblique is formed by being grown while a growth temperature of the second nitride semiconductor device is gradually lowered, and then is etched by using etchants with different etching rates depending on the growth temperatures. - 特許庁

厚み調整部５ａは、矩形断面を有する円環であり、反応室１０内部の試料台９に載置される試料Ｓのエッチングレートが最も高い領域に対応するように配置してある。例文帳に追加

The thickness adjustment part 5a is a circular ring having a rectangular cross section and arranged so that the etching rate of the sample S placed on a sample stand 9 in a reaction chamber 10 corresponds to the highest region. - 特許庁

２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。例文帳に追加

To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors. - 特許庁

これにより、シリコン含有膜中に炭素成分を含ませることができ、もって、比較的低温で成膜を行ってもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくして、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。例文帳に追加

This allows a carbon component to be contained in the silicon-containing film, thus the etching rate during cleaning being comparatively reduced even if a film is deposited at comparatively low temperatures with the controllability of the film thickness during cleaning being improved. - 特許庁

この場合、開口６４と、コントロール膜６１のエッチング液に対するエッチングレートと、エッチング時間との各条件を適宜調整してウエットエッチングを行うことにより、所望の非球面の凹部を形成する。例文帳に追加

In this case, the desired aspheric recessing parts are formed with wet etching by suitably adjusting each of conditions of an etching rate of the openings 64 and the control film 61 with respect to an etching liquid, and etching time. - 特許庁

誘電体材料に積層された導電性材料のエッチング速度（エッチングレート）の高速化を実現するとともに、下地となる誘電体材料との選択比を向上させる。例文帳に追加

To accelerate an etching speed (etching rate) of a conductive material laminated on a dielectric material, and to improve a selection ratio with the dielectric material to be a base. - 特許庁

第１の相関関係と第２の相関関係とから、エッチング深さ、開口部の開口径及びエッチングレートの間に成り立つ第３の相関関係を求める。例文帳に追加

Furthermore, according to the first and second correlation relationships, a third correlation relationship that can be established among the etching depth H, the opening diameter ϕ of the opening part, and an etching rate is obtained. - 特許庁

リモートプラズマ処理方法を用いる洗浄装置及び方法において、エッチングレートを向上させ、これによって洗浄時間の短縮化を図る。例文帳に追加

To attain a shortening of a cleaning time duration by raising the etching rate in a cleaner and a cleaning method using a remote plasma treatment method. - 特許庁

酸化亜鉛系透明導電膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系透明導電膜及びそのパターニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film and its patterning method whereby patterning characteristics can be improved by adjusting the etching rate of the zinc oxide-based transparent conductive film. - 特許庁

ＴｉＮ膜１６を除去した後、タングステン及びＣｏシリサイド層１７のそれぞれのエッチングレートが０．３ｎｍ／分以下となるように、シリコン基板１に対して例えばＨ_2ＳＯ_4溶液を用い洗浄を行なう。例文帳に追加

After the TiN film 16 is removed, an H_2SO_4 solution is used, for example, to clean the silicon substrate 1 so that the respective etching rates of the tungsten and Co silicide layer 17 become 0.3 nm/min or lower. - 特許庁

所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film. - 特許庁

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。例文帳に追加

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24. - 特許庁

エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。例文帳に追加

To provide an etching method for etching an oxide film in a substrate placed on a substrate holder in an etching chamber, wherein improvement in the etching rate and distribution of the oxide film is made possible. - 特許庁

そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。例文帳に追加

The side wall insulating films 212 are formed of a material having an etching rate lower than that of the insulating film 302 under conditions that the insulating film 302 is etched. - 特許庁

装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus and the selection ratio thereby reducing a burden to a gas supply device. - 特許庁

エッチングレートの劣化を防止しエッチング時間の変動をなくし、金属を含むシリコン層のエッチング特性を均一化する半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the deterioration of an etching rate, eliminates the fluctuation of etching time and uniforms the etching characteristic of a silicon layer including metal, and to provide a dry etching device. - 特許庁

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。例文帳に追加

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio. - 特許庁

基板表面の微細な溝内にエッチングレートの異なる２層の絶縁膜を、その表面が溝以外の部分の表面とほぼ平坦になるように、埋め込むこと。例文帳に追加

To embed insulating films of two layers differing in etching rate in a fine groove on a substrate surface so that their surface is nearly in level with the surface of a part other than the groove. - 特許庁

比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film formation method which can make an etching rate in cleaning to be relatively small by increasing concentration of a carbon contained even in deposition at a relatively low temperature thereby improving controllability of a film thickness in cleaning. - 特許庁

エッチングレートが小さく処理中に被処理物（１４）の表面温度が変化する場合に、薄膜（１４ａ）のエッチング終点を高精度に検出する。例文帳に追加

To precisely detect an etching end point of a thin film (14a) when the surface temperature of a matter to be etched (14) is varied during an etching with a small rate. - 特許庁

基板が処理槽などの基板処理部へ搬入された際に、処理液の温度低下を抑制させて、基板に対する洗浄効果やエッチングレート等の処理効果を向上させる。例文帳に追加

To enhance the washing effect to a substrate or the processing effect of etching rate, etc., by suppressing the temperature drop of treatment liquid, when the substrate is carried into a substrate processing part such as a processing vessel or the like. - 特許庁

プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cleaning a film-forming apparatus, which can uniformly remove deposits that contain tantalum nitride or tantalum and have deposited on the wall of a treatment chamber of the film-forming apparatus, at a high etching rate without using plasma. - 特許庁

本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ_2層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ_2層が露出するまでエッチングを行う。例文帳に追加

An etching rate of an SiO_2 layer by high concentration nitric acid fluoride becomes significantly lower when compared with that of an Si substrate, and the Si substrate is etched until the SiO_2 layer is exposed. - 特許庁

パーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い等のように膜質が良好で、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a deposition method capable of forming a silicon nitride film having an excellent film quality with high insulating property and low etching rate while suppressing generation of particles, and having a high deposition rate. - 特許庁

この工程において、コンタクトホール１８のパターンがトレンチ１２にずれ込んでも改質ＳＯＧ膜１３ａはそのエッチングレートが低いため食刻されず、トレンチ１２側壁は露出しない。例文帳に追加

In this process, even when the pattern of contact hole 18 is diffused into the trench 12, the denatured SOG film 13a is not etched because the etching grade is rather low and therefore the side wall of trench 12 is never exposed. - 特許庁

ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。例文帳に追加

When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min. - 特許庁

導電性膜７２は下部電極７５に対向配置され、高周波の印加時に、導電性膜７２の影響によって、基板７１の全域において均一なエッチングレートが得られる。例文帳に追加

The conductive film 72 is disposed to face the lower electrode 75 and, when a high-frequency voltage is impressed, a uniform etching rate is obtained through all the area of the substrate 71 owing to the conductive film 72. - 特許庁

エッチングレート予測値により適切なエッチング量とするエッチング処理時間を算出し、これにより制御することで微細デバイスの製造ばらつきを低減させる。例文帳に追加

An estimated etching time to achieve a proper etching quantity is calculated based on the estimated etching rate and used for the control, reducing the production variation of fine devices. - 特許庁

パターン溝９は第２の積層絶縁膜が第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さいので、上部が開いた状態で下部がほぼ垂直の形状に形成される。例文帳に追加

The pattern groove 9 is formed in a manner that its upper part is open and its lower part is like a nearly perpendicular shape, because the second laminated insulation film is smaller in etching rate than the first laminated insulation film 7. - 特許庁

エッチング工程が進むにつれてエッチングレートが速くなるのを防ぐことで、エッチングによる開口寸法のバラつきを抑えて、加工精度を向上させる。例文帳に追加

The unevenness of an aperture dimensionality by etching is suppressed by preventing the etching rate from becoming quick as the etching step progresses, and a process efficiency is improved. - 特許庁

エッチング装置の利用効率を低下させずにエッチングレートの温度依存性を利用可能な半導体の製造方法、及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for utilizing dependence on temperature of an etching rate without reduction of utilization efficiency of an etching apparatus, and also to provide an apparatus for manufacturing the same semiconductor device. - 特許庁

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining. - 特許庁

すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。例文帳に追加

That is, a first etching step employs an etching method in which the etching rate to at least a second film and a third film is high, and the first etching step is continued until at least a first film is exposed. - 特許庁

この方法では、１槽当たりの取り代をシリコンウェーハの表裏面合計で１６μｍ以下とし、エッチングレートをシリコンウェーハの表裏面合計で０．３μｍ／秒以下とする。例文帳に追加

In the method, the machining allowance for one tank is 16 μm or less for the total front and rear sides of silicon wafer, and the etching grade is 0.3 μm per second or less for the total front and rear sides of silicon wafer. - 特許庁

無機系材料膜をマスクとして有機系材料膜をエッチングする際に、高エッチングレートで、かつ無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching method for etching an organic-based material film as an inorganic-based material film with a mask at a high etching rate, and at the same time for etching the inorganic-based material film by a high etching selection ratio. - 特許庁

Ｃｕ層６２上に拡散防止絶縁膜６４、低誘電率絶縁膜６６を成膜し、その上にそれぞれエッチングレートの異る３層のハードマスク６８，７０，７２をを形成する。例文帳に追加

A diffusion prevention insulating film 64 and a low dielectric insulating film 66 are formed on a copper layer 62 and three hard mask layers 68, 70 and 72 having different etching rates are formed thereon. - 特許庁

高速エッチングレートを維持しつつ、トレンチ側壁面にえぐれや面荒れの無いトレンチエッチングを実現するためのエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method for realizing trench etching without hollow or roughness on a trench side wall surface while maintaining a high etching rate. - 特許庁

下層配線の接続状態に関係なくエッチングレートを一定にすることができ、エッチングストッパ膜の突き抜けを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device for keeping constant an etching rate without relation to a connecting state of a lower layer wiring and preventing a shooting out of an etching stopper. - 特許庁

オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor capable of performing desired etching without dependence of the film thickness of an ohmic contact layer or an etching rate during dry etching. - 特許庁

これにより、作用部とコイル部との間で誘導成分が生じにくく、誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができる。例文帳に追加

Consequently, an induction component is not easily generated between the operation part and coil part and the plasma processing apparatus compatibly remove the reaction product deposited on the dielectric window and obtain the stability of the etching rate of a workpiece. - 特許庁

転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To uniformize an etching rate within a plane of a light-shielding film regardless of the figure of a transfer pattern, to improve the quality of a multi-gradation photomask, and to improve the production yield. - 特許庁

誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly achieving removal of a reaction product deposited on a dielectric window and obtaining stability of an etching rate of a workpiece. - 特許庁

被処理体のエッチングレートの均一性を悪化させず、フォーカスリングがエッチングされることによるパーティクルの発生を減らすことができるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a focus ring such that: uniformity in an etching rate of a workpiece is not made worse, and generation of particles resulting from etching of the focus ring is reduced. - 特許庁