「キー n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。 - 特許庁

A table 20 in which the key number N of a vehicle key 2 is associated with a cryptographic arithmetic expression F(x) is prepared for a vehicle 1 which can be collated with the vehicle key 2 by an immobilizer system.例文帳に追加

イモビライザーシステムにより車両キー２と照合が可能な車両１に、車両キー２のキー番号Ｎと暗号演算式Ｆ(ｘ)とを関連付けたテーブル２０を用意する。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_1 between the n^- semiconductor layer 2 and the Schottky electrode 3 satisfies 0.68 eV<ϕBn_1<1.05 eV, and Schottky contact thereof can be secured even at a temperature of 250°C.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２とショットキー電極３との間のショットキー障壁φＢｎ_1が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ_1＜１．０５ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも、そのショットキー接触を確保できる。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_1 satisfies a relation of 0.68 eV<ϕBn_1<1.05 eV, and even at 250°C, the Schottky contact of the Schottky electrode 5 with the n^--type semiconductor layer 2 is secured.例文帳に追加

上記ショットキー障壁φＢｎ_1が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ_1＜１．０５ｅＶという関係を満足し、かつ２５０℃の温度でもショットキー電極５とｎ^-半導体層２とのショットキー接触を確保できる。 - 特許庁

Further, 'Y', 'U', 'I', 'O' and 'P' are arrayed on the 5 keys in the top row, 'H', 'J', 'K', and 'L' are arrayed on the 4 keys in the intermediate row, and 'N' and 'M' are arrayed on the 2 keys in the bottom row.例文帳に追加

また、上段１列の５個のキーに「Ｙ」、「Ｕ」、「Ｉ」、「Ｏ」、「Ｐ」も配列し、中段１列の４個のキーに「Ｈ」、「Ｊ」、「Ｋ」、「Ｌ」も配列し、下段１列の２個のキーに「Ｎ」、「Ｍ」も配列する。 - 特許庁

In the table 20, a cryptographic arithmetic expession F(x) is assigned for each key number N so that a first cryptographic arithmetic expression F1(x) can be assigned to a first master key 2a, and that a second cryptographic arithmetic expression F2(x) can be assigned to a second master key 2b.例文帳に追加

テーブル２０は、例えば第１マスターキー２ａに第１暗号演算式Ｆ１(ｘ)、第２マスターキー２ｂに第２暗号演算式Ｆ２(ｘ)というように、キー番号Ｎごとに暗号演算式Ｆ(ｘ)が割り当てられている。 - 特許庁

When the first valid key is pressed, the time count γ is started (S7:YES, S9:YES, S11), and in response to the pressing of valid keys, the key count n is counted up (S7:YES, S9:NO, S13:NO, S15:NO, S21).例文帳に追加

最初の有効キーが押下されるとタイムカウントγがスタートされて（Ｓ７：ＹＥＳ、Ｓ９：ＹＥＳ、Ｓ１１）、有効キーの押下に応じてキーカウントｎがアップされる（Ｓ７：ＹＥＳ、Ｓ９：ＮＯ、Ｓ１３：ＮＯ、Ｓ１５：ＮＯ、Ｓ２１）。 - 特許庁

The keyword type determination device then acquires a document relating to a keyword from document set storage means, calculates a keyword type score which represents the possibility of being each keyword type using information in the document, and determines that top N keyword types having a high keyword type score are the keyword types for the keyword.例文帳に追加

その上で、文書集合記憶手段の中からキーワードに関連する文書を取得し、文書中の情報を利用して各キーワードタイプらしさの度合いを表すキーワードタイプスコアを算出し、キーワードタイプスコアの高い上位Ｎ件のキーワードタイプをキーワードに対するキーワードタイプと判定する。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

An input device 15 allows a user to operate anyone of n-number of selection keys corresponding to the respective groups, and outputs information indicating which selection key is operated (information indicating the operated selection key) to a character constituting means 13.例文帳に追加

入力装置１５は、各グループに対応するｎ個の選択用キーのうちいずれか一つのキーをユーザに操作され、どの選択用キーが操作されたかを示す情報（操作された選択用キーを示す情報）を文字構成手段１３に出力する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

B-gate circuits 3-1 to 3-n gate the super video input signals when the super video input signals v1 to vn are superimposed by themselves.例文帳に追加

Ｂゲート回路3-1〜3-nはスーパーキー入力信号v1〜v-nをそれ自体でスーパーインポーズするときにスーパービデオ入力信号をゲートする。 - 特許庁

A Schottky drain electrode 102 is formed on a first region R1 on the surface 101S1 of an n-type silicon carbide layer 101.例文帳に追加

ｎ型炭化シリコン層１０１の表面１０１Ｓ１の第１領域Ｒ１上には、ショットキードレイン電極１０２が形成されている。 - 特許庁

A Schottky diode 10 as a semiconductor device includes a substrate 11 composed of a semiconductor and an n-type layer 12 formed on the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。 - 特許庁

The algorithm uses a window scheme that allows the access of R to the shared bus every N-th clock cycle.例文帳に追加

アルゴリズムは、Ｎ番目のクロック・サイクル毎に共用バスへのＲのアクセスを許すウィンドウ・スキームを用いる。 - 特許庁

A Schottky electrode 17 is formed on the n^--type GaN layer 2 exposed from contact opening 16 of the gate insulating film 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９のコンタクト開口１６から露出するｎ^-型ＧａＮ層２上には、ショットキー電極１７が形成されている。 - 特許庁

This Schottky junction part is included in the diaphragm part 5 in the n-type semiconductor substrate 3 to form a region for sensing pressure.例文帳に追加

このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。 - 特許庁

The n^- GaAs layer 4 has a low carrier concentration of 1.2×10^17 cm^-3, and comes into Schottky contact with the anode electrode 5.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ層４は、キャリア濃度が１．２×１０^17ｃｍ^-3と低く、アノード電極５とショットキー接触する。 - 特許庁

To obtain living and quasiliving cationic telechelic polymers inactivated by an N-substituted pyrrole, and to provide methods for preparing the polymers.例文帳に追加

Ｎ置換ピロールで失活させたリビング及び準リビングカチオン性テレキーリックポリマーおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the portion of the ZnO layer which is present correspondingly just under the n-electrode 1 is constituted to become a Schottky junction.例文帳に追加

ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。 - 特許庁

The anode electrode 9 is subjected to Schottky-contacts with the n-layers 3, and is connected electrically with the p-layers 5.例文帳に追加

アノード電極９は、ｎ層３にショットキー接触し、かつ、ｐ層５に電気的に接続されている。 - 特許庁

When the first conductive type is the N-type, the wirings 30, 40, 50 respectively indicate an anode wiring, a Schottky contact anode wiring and a gate wiring.例文帳に追加

第１の導電型がＮ型の場合、３０はアノード配線、４０はショットキー接触アノード配線、５０はゲート配線である。 - 特許庁

The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction.例文帳に追加

ソース電極７０とＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面とは、ショットキー接合を形成する。 - 特許庁

LIVING AND QUASILIVING CATIONIC TELECHELIC POLYMER INACTIVATED BY N-SUBSTITUTED PYRROLE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME例文帳に追加

Ｎ置換ピロールにより失活させたリビング及び準リビングカチオン性テレキーリック高分子およびその製造方法 - 特許庁

Moreover, when the key frame data can be normally acquired, they are used to execute the playback processing at the n x speed.例文帳に追加

更に、キーフレームデータが正常に取得できた時、それを用いてｎ倍速の再生処理を実行する。 - 特許庁

N is the number of operations necessary afterwards (after inputting M characters) for operating the same character string as the keyword through the character button.例文帳に追加

このＮは、そのキーワードと同一の文字列を文字ボタンから操作する場合に、これから（Ｍ文字の入力後に）必要な操作回数である。 - 特許庁

If the press-down of the power source key is continued after the software time counts n-seconds, processing for power-off is executed.例文帳に追加

そして、ソフトウェアタイマがｎ秒を計時すると、電源キーの押下が継続していれば電源オフのための処理を実行する。 - 特許庁

An electronic shutter of the CCD imaging device 2 is driven and n-sets of picture signals set by a film number setting key 10 are captured for each frame.例文帳に追加

ＣＣＤ撮像素子２の電子シャッタが駆動され、枚数設定キー１０によって設定されたｎ枚の画像信号がフレーム毎に取り込まれる。 - 特許庁

In a tape printing device, a time count γ and a key count n are reset when shifting to a formatting mode (S1:YES, S3:YES, S5).例文帳に追加

テープ印字装置では、書式設定モードに移行すると、タイムカウントγおよびキーカウントｎがリセットされる（Ｓ１：ＹＥＳ、Ｓ３：ＹＥＳ、Ｓ５）。 - 特許庁

A Schottky diode 10 as a semiconductor device includes a substrate 11 made of a semiconductor and an n-type layer 12 formed on the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。 - 特許庁

On the other hand, when the power key is operated (S210) and the position transmission setting is off (N in the step S220), the power is made to be off.例文帳に追加

一方、電源キーが操作され（Ｓ２１０）位置送信設定がオフ（Ｓ２２０ステップのＮ）であれば、電源オフ状態となる。 - 特許庁

When a key 13 is operated to rotate, positions are moved in the order of ON-R-N-D to change A/T ranges.例文帳に追加

キー１３が回動操作されたときにはＯＮポジション→Ｒポジション→Ｎポジション→Ｄポジションに移動し、Ａ／Ｔのレンジが切換えられる。 - 特許庁

In the case of inputting 46 Japanese syllabary characters (a to wa/n) by using the conventional ten keys, keys have to be pressed down 132 times.例文帳に追加

従来のテンキーを利用してのかな文字入力（あ〜わ／ん）４６文字の場合は、１３２回打鍵する。 - 特許庁

To retrieve a document of a keyword of KANA (Japanese syllabary) and KATAKANA (square form of kana) with an N-gram index of a small size.例文帳に追加

小サイズのＮ−ｇｒａｍインデックスでひらがな、カタカナのキーワードの文書検索を行なう。 - 特許庁

When the N+1th bit is decoded, the received electric wave is identified as an electric wave to a wireless key system (step S17).例文帳に追加

Ｎ＋１ビット目が解読できたときは、受信した電波はワイヤレスキーシステムに対する電波であると識別する（ステップＳ１７）。 - 特許庁

The Schottky electrode 6 formed on an n-type GaN layer 3 has a WN_x layer 4.例文帳に追加

また、良好なショットキー特性を有するゲート電極を備えた電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a shift lock device capable of shifting a shift lever from P-range to N-range without any key in transporting railroad cars.例文帳に追加

貨車輸送の際にキーなしでもシフトレバーをＰレンジからＮレンジにシフトさせることができるシフトロック装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, when the power key is operated (S210) and the position transmission setting is OFF (N in step S220), the communication apparatus reaches the ordinary power off state.例文帳に追加

一方、電源キーが操作され（Ｓ２１０）位置送信設定がオフ（Ｓ２２０ステップのＮ）であれば、電源オフ状態となる。 - 特許庁

When the number of rotation of the cooling fan exceeds N rotation, the ON signal of the set key switch is received, and the shift to the setting change mode is executed.例文帳に追加

冷却ファンの回転数がＮ回転を超えていた場合は設定キースイッチのオン信号を受け付けて設定変更モードに移行させる。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

A retrieval part 17 decomposes the keyword into N-garam, discriminates whether the keyword is included in the pseudo document or not from position information in the pseudo document of N-garam, and a retrieval result output part 18 outputs a retrieval result.例文帳に追加

検索部１７は、キーワードをＮ−ｇａｒａｍに分解して、当該Ｎ−ｇａｒａｍの擬似文書中の位置情報から当該擬似文書中にキーワードが含まれるかどうかを判別し、検索結果出力部１８が検索結果を出力する。 - 特許庁

Devices (clamp keepers) 8 having a clamp function are mounted on N-number (three in the embodiment) of piles adjacent to the last n-number (three in the embodiment) of piles to be pressed in out of a number of piles (No.1 to No.8) arranged in a line.例文帳に追加

列設される多数の杭（Ｎｏ１〜Ｎｏ８）の内、最後に圧入されるｎ本（本例において３本）の杭に隣接するＮ本（本例において３本）の杭の上にクランプ機能を有する装置（クランプキーパー）８を装着し、該クランプキーパー８の上に杭打抜機本体１を搭載する。 - 特許庁

A medium appearance frequency word record 301 for registering document IDs including keywords to be used as keys and a small word record 302 for registering n-keywords the 1st parts of which consist of the same character string as one record by dividing respective keywords into 1st parts and 2nd parts and storing n-sub-indexes allowing the document IDs including the keywords to correspond to the 2nd parts are stored.例文帳に追加

キーワードをキーとして該キーワードを含む文書ＩＤを登録する中頻度出現単語用のレコード３０１と、キーワードを第１と第２の部分に分け、該第１の部分をキーとし、該第２の部分に該キーワードを含む文書ＩＤを対応付けたｎ個のサブインデックスを格納することで、該第１の部分が同一の文字列であるｎ個のキーワードを１つのレコードとして登録する少数単語用のレコード３０２を格納する。 - 特許庁

Disable translation of return into newline on input, and disable low-level translation of newline intonewline/return on output (but this does not change the behavior ofaddch('n'), which always does the equivalent of return and line feed on the virtual screen).例文帳に追加

入力時のリターンキーから改行への変換、および出力時の改行から復帰/改行への低レベル変換を無効化します(ただし、addch('n') の振る舞いは変更せず、仮想スクリーン上では常に復帰と改行に等しくなります)。 - Python