「キー n」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

A forced power-off circuit starts counting when the power supply key is pressed down, and outputs INTb signal (mask-impossible interruption signal) when the count value reaches N corresponding to (n+m) seconds.例文帳に追加

強制電源オフ回路は、電源キーが押下されるとカウントを開始し、カウント値が（ｎ＋ｍ）秒に相当するＮになったら、ＣＰＵにＩＮＴｂ信号（マスク不能割込信号）を出力する。 - 特許庁

A query analyzer 12 analyses a query input by a user and extracts a keyword for searching KW (i) which is suitable for search characteristics of the search engines SE (i) (I=1, 2,..., n) which are output destinations.例文帳に追加

クエリ解析器１２は、ユーザが入力したクエリを解析して、出力先の検索エンジンSE(i)（i=1,2,・・・,n）の検索特性に適した検索キーワードKW(i)を抽出する。 - 特許庁

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

The input keys 4 are regularly assigned by every character with the character group of Japanese syllabary from 'A(cursive form of Japanese syllabary)' to 'N', the character group of the Japanese syllabary from 'HA' to 'N', the character group of English characters, and the character group of digits.例文帳に追加

入力キー４には、「あ」から「の」までの仮名文字の文字群と、「は」から「ん」までの仮名文字の文字群と、英字の文字群と、数字の文字群から、それぞれ１文字ずつ規則的に割り当てられている。 - 特許庁

Width of p-type layers 8a to 8d becomes wider, namely size in the flat surface direction of a n^+-type substrate 1 becomes larger as it goes nearer to the center of a region in contact with a n^--type drift layer 2 of the Schottky electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極４のうちｎ^-型ドリフト層２と接触する領域の中心部に近づくほどｐ型層８ａ〜８ｄの幅、つまりｎ^+型基板１の平面方向の寸法が広くなるようにする。 - 特許庁

A light-receiving layer, i.e., an i layer (e.g., an n-type GaN-based crystal layer) 2, on which a Schottky electrode is formed has a side face 2a covered with an n-type GaN based high carrier concentration layer 1.例文帳に追加

ショットキー電極が形成された受光層であるｉ層（例えば、ｎ^-型ＧａＮ系結晶層）２の側面２ａが、ｎ型ＧａＮ系高キャリア濃度層１によって覆われた構造とする。 - 特許庁

When '1' is written in all N bits, at the time of next 'on' of the ignition key, cells of N bits in the main counter region CM are erased en bloc.例文帳に追加

Ｎビットのすべてに「１」が書き込まれると、次のイグニッションキーオン時には、メインカウンタ領域ＣＭ内のＮビットのセルが一括消去される。 - 特許庁

The hash functions of the present invention are square hash functions that square a sum of a key (a) and a data string (m), that is h(m)=(m+a)^2mod n, rather than using a multiplication (the number of bits of the data string is 2n).例文帳に追加

本発明のハッシュ関数は、乗算を使用するのではなくキーａとデータストリングｍの和を２乗する２乗ハッシュ関数h(m)=(m+a)^2 mod nである（データストリングのビット数は2n）。 - 特許庁

A key code table is referred and a current of current value L(F)=A×TC(n) is made to flow to the display part 22 corresponding to a fret F calculated by KCD of DREG(n) in EVTBUF to emit light for display.例文帳に追加

次に、キーコードテーブルを参照し、ＥＶＴＢＵＦ中のＫＣＤＲＥＧ（ｎ）のＫＣＤから割り出したフレットＦに対応する表示部２２に、電流値Ｌ（Ｆ）＝Ａ×ＴＣ（ｎ）を流して発光表示を行う。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

When executing the playback processing at n(n>1) x speed in a node 1 for executing playback processing using content distributed via a network, only key frame data used for playback reproduction at the n x speed are acquired, hash value data used for confirming whether or not the acquired key frame data are normally acquired are further acquired.例文帳に追加

ネットワークを介して配信されるコンテンツを用いた再生処理を実行するノード１において、再生処理をｎ（ｎ＞１）倍速で実行する時、当該ｎ倍速の再生処理に用いられるキーフレームデータのみを取得し、当該取得したキーフレームデータが正常に取得できたか否かを確認するために用いられるハッシュ値データを、更に取得する。 - 特許庁

To provide the device structure of a p-n junction guard-type Schottky diode, in which the interval between the guard ring and a Schottky barrier can be controlled accurately, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ガード・リングとショットキー・バリヤとの間隔を正確に制御することができるｐ‐ｎ接合ガード型ショットキー・ダイオードのデバイス構造およびそれを製造するための方法を提供する。 - 特許庁

Then, the oxide film 120 is selectively etched using a N well-ion-implantation mask, and a region key and a first alignment key are formed in the scribe lane region 111 simultaneously.例文帳に追加

次に、Ｎウェルイオン注入マスクを利用して前記酸化膜１２０を選択的にエッチングし、前記スクライブレーン領域１１１に領域キー及び第１整列キーを同時に形成する。 - 特許庁

Then, in the case of performing challenge response authentication, the cryptographic arithmetic expression F(x) to be used for authentication is changed for each key number N of the keys 2a to 2h.例文帳に追加

そして、チャレンジレスポンス認証の際には、認証に使用する暗号演算式Ｆ(ｘ)を、これらキー２ａ〜２ｈのキー番号Ｎごとに変更する。 - 特許庁

To provide a process for producing a Schottky junction semiconductor device, adapted to allow controlling the height of a Schottky barrier to a desired value to minimize electric power loss, without causing n factor to increase.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなくショットキー障壁の高さを電力損失が小さくなる所望の値に制御可能なショットキー接合型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the mode ends (S11:N) an operation file that contains contents of key inputs of a series of key operations and an input order, is created and stored.例文帳に追加

当該モードが終了すると（Ｓ１１でＮ）、一連のキー操作のキー入力の内容および入力順を含む操作ファイルを作成し、記憶させる。 - 特許庁

The text to be summarized (1000) is segmented, and a discrete keyword, key phrase, N-gram, sentence and other sentence constituent based summary are generated based on the statistical measurement for each text segment.例文帳に追加

要約するテキスト（１０００）をセグメント化し、離散キーワード、キーフレーズ、Ｎ−ｇｒａｍ、センテンスや他のセンテンス構成要素ベースの要約を、各テキストセグメントの統計測定に基づいて生成する。 - 特許庁

A Schottky electrode 3 comes into Schottky contact with an n^- semiconductor layer 2 formed of SiC, and is electrically connected to p-type semiconductor layers 5a, 5b formed of SiC.例文帳に追加

ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。 - 特許庁

Icons A, B, C, ..., N in the folders are scrolled by operating a horizontal direction instructing key and selected, whereas the thumb nail images in the files C1 to C20 are scrolled by operating a vertical direction instructing key and selected.例文帳に追加

フォルダのアイコンＡ，Ｂ，Ｃ，…，Ｎは、左右方向指示キーの操作によってスクロールして選択し、ファイルＣ１〜Ｃ２０のサムネイル画像は、上下方向指示キーの操作によってスクロールして選択する。 - 特許庁

To provide a matching technology which outputs the data coupling tuples of data of which key columns coincide with each other while concealing the coinciding key columns with respect to data recorded in n table storage units.例文帳に追加

ｎ個のテーブル記憶部に記録されたデータに対して、一致するキーカラムを秘匿化しつつキーカラムが一致するデータのタプルを結合したデータを出力するマッチング技術を提供する。 - 特許庁

It is first judged whether a one-click start key is pressed and when a setting key is pressed (S11; N), it is judged whether read conditions are inputted by a user (S12).例文帳に追加

はじめに、１クリックスタートキーが押下されたか判断し、設定キーが押下された場合（Ｓ１１；Ｎ）、ユーザによる読取条件の入力がされたかを判断する（Ｓ１２）。 - 特許庁

An input from outside is detected by an external input detection part 31, and the number n of interpolation frames between a start key frame and an end key frame is decided by a part 101 for deciding the number of interpolation frames in accordance with the external input.例文帳に追加

外部からの入力を外部入力検出部３１にて検出し、その外部入力に応じて開始キーフレームと終了キーフレーム間の補間フレーム数ｎを補間フレーム数決定部１０１にて決定する。 - 特許庁

The key back light emitting parts 23, 33, 43 and 53 emit light based on the detection signal M or the detection signal N and irradiates self-key switches 20, 30, 40 and 50 with light.例文帳に追加

同様に、キーバックライト発光部２３，３３，４３，５３も、それぞれの検出信号Ｍ又は検出信号Ｎに基づいて発光して自キースイッチ２０，３０，４０，５０に照光する。 - 特許庁

A data analyzer is composed of Kh units of key head detection circuits A1-AKh connected in cascade, and N units of matching determination circuits B1-BN connected to the subsequent stage of the last stage of the key head detection circuit in cascade.例文帳に追加

縦続接続されたＫｈ個のキーヘッド検出回路Ａ１〜ＡＫｈと該キーヘッド検出回路の最終段の次段に縦続接続されたＮ個の一致判定回路Ｂ１〜ＢＮで構成する。 - 特許庁

A key code prepared by a key code preparing means 20 is also supplied to the information presenting means 50A via the Internet N and presented for a quick moment while the advertisement information is being presented.例文帳に追加

キーコード準備手段２０によって準備されたキーコードも、インターネットＮ経由で情報提示手段５０Ａへと供給され、広告情報の提示最中に、一瞬だけ提示される。 - 特許庁

The keyword is extracted from the question sentence by the inputted natural language (3), an importance level of the keyword is calculated (4), upper n words are designated as essential conditions (AND conditions) for keyword retrieval, the other keywords are included in preferential conditions (OR conditions) (5), a document retrieval device 7 is made to perform the keyword retrieval, and a result thereof is displayed (9).例文帳に追加

入力された自然言語による質問文からキーワードを抽出し（３）、キーワードの重要度を計算して（４）上位ｎ語をキーワード検索の必須条件（ＡＮＤ条件）に指定し、他のキーワードは優先条件（ＯＲ条件）に含めて（５）文書検索装置（７）にキーワード検索させ、その結果を表示する（９）。 - 特許庁

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

When a number n of direction keys and angles θas the sensitivity of the direction keys are inputted from an input setting part 7 to the movement destination element judging part 4, a focus movement destination element corresponding to the operation of each direction key is decided for each element, and the obtained result is stored in a table processing part 5.例文帳に追加

入力設定部７から方向キーの数ｎと、方向キーの感度として角度θが移動先要素そして、判定部４に入力されると、各要素に対して、各方向キーの操作に対するフォーカス移動先要素を決定し、得られた結果はテーブル処理部５にストアする。 - 特許庁

When either of the copy start key of the display of a selection key to which the function of the copy start key is set, is depressed to instruct the copy operation (N of step S5), the usual standby is maintained (step S1) and the shift to the power saving mode (step S8) is not performed.例文帳に追加

コピー動作を指令するために、ディスプレイのコピースタートキーまたはこのコピースタートキーの機能を設定された選択キーのいずれかを押下したときは（ステップＳ５のＮ）、通常の待機状態を維持して（ステップＳ１）、省電力モードへの移行（ステップＳ８）を行わない。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14.例文帳に追加

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。 - 特許庁

NON_TER the residue at an extremity of the sequence is not the terminal residue; if applied to position 1, this signifies that the first position is not the N-terminus of the complete molecule; if applied to the last position, it signifies that this position is not the C-terminus of the complete molecule; there is no description field for this key 例文帳に追加

NON_TER配列の1端の残渣は末端残渣ではない。位置1に適用した場合，このことは最初の位置が完全分子のN-端末でないことを意味する。最後の位置に適用した場合，それはこの位置が完全分子のC-端末でないことを意味する。このキーについての説明欄は存在しない。 - 特許庁

A plurality of p-type impurity regions are disposed with equal spacing on the surface of an n-type semiconductor layer, and a first metal layer is provided to form an ohmic contact with the p-type impurity regions on the entire surface and to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層表面に複数のｐ型不純物領域と等距離で離間して配置し、全面にｐ型不純物領域とオーミック接合を形成し、ｎ型半導体層とショットキー接合を形成する第１金属層を設ける。 - 特許庁

A query issuing part 14 generates the number of N×M-pieces of retrieval patterns by making a first node in the number of N-pieces of patterns for retrieving subgraphs in a graph G include the number of M-pieces of keywords different from one another (S11) and retrieves the subgraph agreeing with each retrieval pattern from the graph G (S15).例文帳に追加

クエリ発行部１４は、グラフＧ内のサブグラフを検索するためのＮ個のパターンにおける第１ノードに対し、互いに異なるＭ個のキーワードを含ませて、Ｎ×Ｍ個の検索パターンを生成し（Ｓ１１）、グラフＧから各検索パターンに合致するサブグラフを検索する（Ｓ１５）。 - 特許庁

A gate electrode 50 is formed on the n-type AlGaAs layer 54c in a recess 47 where the contact layer 46 is partially removed, and the bottom of the gate electrode 50 is brought into Schottky contact with the non-doped AlGaAs layer 45b as buried in the n-type AlGaAs layer 45c.例文帳に追加

コンタクト層４６を一部除去したリセス４７内でｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ｃ上にはゲート電極５０が形成されており、ゲート電極５０の底面はｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ｃに埋め込まれてノンドープＡｌＧａＡｓ層４５ｂにショットキー接触する。 - 特許庁

A barrier metal 12 building a Schottky junction 26 is formed on the n^--layer 21 between the p guard rings 22 and a reverse connection diode 20 made of a p poly-silicon layer 27 and an n poly-silicon layer 28 is formed between the p guard ring 22 and the p^+-layer 24 via an oxide film 13.例文帳に追加

ｐガードリング２２で挟まれたｎ^- 層２１上にショットキー接合２６を形成するバリアメタル１２を形成し、ｐガードリング２２とｐ^+ 層２４の間に酸化膜１３を介してｐポリシリコン層２７とｎポリシリコン層２８からなる逆接ダイオード２０を形成する。 - 特許庁

On the semiconductor or the semiconductor insulator substrate, the undoped AlN layer and the n-type AlN layer are formed by epitaxial growth and then the n-type AlN layer which has extremely superior electric conductivity because of the less-defect undoped AlN layer is obtained, so that a Schttoky barrier height and an insulation breakdown voltage can be greatly increased.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

A crystalline plane of the n-type GaN layer 3 is a hexagonal (0001) face in a face where the n-type GaN layer 3 is brought into contact with a WN_x layer 4, and the crystalline plane of the WN_x layer 4 is oriented to a (111) face.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層３の上に形成されたショットキー電極６は、ＷＮ_ｘ層４を有し、ｎ型ＧａＮ層３とＷＮ_ｘ層４とが接触する面において、ｎ型ＧａＮ層３の結晶面は六方晶の（０００１）面であり、ＷＮｘ層４の結晶面は（１１１）面に配向している。 - 特許庁

The arithmetic processing part adds '1' to the variable (n), when a source key instructing the switch of the audio source is discriminated to have been depressed (step S34) and discriminates whether the n-th source in the source selection table is a 'table terminal' (step S35).例文帳に追加

演算処理部は、オーディオソースの切り換えを指示するソースキーが押下されたと判別すると、変数ｎに１を加算し（ステップＳ３４）、ソース選択テーブルにおけるｎ番目のソースが「テーブル終端」であるか否かを判別する（ステップＳ３５）。 - 特許庁

A p-type GaN-based contact layer 4 is formed to contact with the portion of the ZnO layer 6 for Schottky and the ZnO layer 5 for contact; and thereon, an MQW active layer 3, an n-type GaN-based contact layer 2, and an n-electrode 1 are laminated in succession.例文帳に追加

ショットキー用ＺｎＯ層６の一部とコンタクト用ＺｎＯ層５に接触するようにｐ型ＧａＮ系コンタクト層４が形成されており、その上には、ＭＱＷ活性層３、ｎ型ＧａＮ系コンタクト層２、ｎ電極１が順に積層されている。 - 特許庁

The cap layer 9 includes a first InGaP layer 9A which is un-doped and has a natural superlattice structure or in which n-type carriers are injected, and a second InGaP layer 9B which has the natural superlattice structure and in which n-type carriers are injected, in that order when viewed from the Schottky layer 8 side.例文帳に追加

キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 - 特許庁