「キー n」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

When a user continuously depresses an automatic M key formed on an operation part 10, a control part 9 extracts n broadcasting channels satisfying a prescribed standard from many receivable broadcasting channels without considering differences in the contents of programs, excluding channels having the same program contents from the extracted n broadcasting channels and finally registers m broadcasting channels smaller than the n broadcasting channels.例文帳に追加

操作部１０に備わったオートＭキーが利用者によって長押しされると、制御部９は、受信可能な多数の放送チャンネルの中から所定の基準を満たすｎ個の放送チャンネルを番組内容の異同を考慮せずに抽出した後、これら抽出したｎ個の放送チャンネルの中から番組内容が同一のものを排除して、最終的にｎ個よりも少ないｍ個の放送チャンネルを登録する。 - 特許庁

When a key input is not accepted (ST2), the number of times of continuing erroneous operation is set as n=n+1 (ST7) and a decision is made whether the number of times n ≥C (a set value up to output of a first voice guidance) or not (ST8).例文帳に追加

キー入力を受け付けないと（ＳＴ２）、誤操作の連続回数ｎ＝ｎ＋１とし（ＳＴ７）、回数ｎ≧Ｃ（最初の音声ガイダンスの出力までの設定値）であるか判定し（ＳＴ８）、ＮＯのときはＳＴ１に戻り、ＹＥＳのときはフラグＦ（最初の音声ガイダンスの出力済みか否かのフラグ）＝１か判定する（ＳＴ９）。 - 特許庁

Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11).例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐベース領域３に挟まれたｎ^- ドリフト領域１の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極１０の一部領域をショットキー接触（ショットキー接合１１）させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。 - 特許庁

Information on N (number) patients is not obtained but information on only one patient can be obtained, and the medical examination can be begun without the selection of the information on the patients which is usually done (S77).例文帳に追加

付加した患者キーと既設キーとを合わせ、ワークリスト要求として情報システム（ＳＣＰ）１１へ出力し（Ｓ７４）、従来のようにＮ人分の患者情報を取得するのでなく、当該一人分のみの患者情報を取得し、従来のように患者情報の選択を行なうことなく検査が開始できる（Ｓ７７）。 - 特許庁

When a PLAY key of an operating part 19 is depressed after a video file is selected on the navigation screen N, a control part 16 reproduces video data of the video file all over the screen and when an OK key of the operating part 19 is depressed, on the other hand, the video data of the video file are reproduced on the small screen S.例文帳に追加

制御部１６は、ナビ画面Ｎでビデオファイル選択された後、操作部１９のＰＬＡＹキーが押下されると、このビデオファイルのビデオデータを全画面で再生し、一方、操作部１９のＯＫキーが押下されると、このビデオファイルのビデオデータをスモールスクリーンＳに再生する。 - 特許庁

The N-th authentication key has a number of applying times of a hash function to random numbers smaller by one than that of an (N-1)th authentication key transmitted when the mobile terminal 1 moved to a wireless area under the command of a wireless access point 2-1.例文帳に追加

この第Ｎ番目の認証キーは、移動端末１が無線アクセスポイント2-1配下の無線エリアに移動した際に送信した第（Ｎ−１）番目の認証キーよりも、乱数に対するハッシュ関数の適用回数が１回少ないものである。 - 特許庁

When a user inputs a character string for search through a character button, a navigation device 1 retrieves a keyword including the input character string, and calculates a number N(=K-M) by subtracting the number of characters M of the input character string from the number of characters K of each keyword.例文帳に追加

ナビゲーション装置１は、ユーザが検索のための文字列を文字ボタンから入力すると、当該入力文字列を含むキーワードを検索し、各キーワードの文字数Ｋから入力済みの文字列の文字数Ｍを引いた数Ｎ（＝Ｋ−Ｍ）を求める。 - 特許庁

When the number of utterances stored and managed for each word of the example sentence R reaches a predetermined value (e.g., 3), a message screen M showing whether the word is registered or not (Y/N) as vocabulary notebook data is displayed, and the word is registered in the vocabulary notebook only by operating a "Y" key.例文帳に追加

そして、当該例文Ｒの単語毎に記憶管理される発音回数が所定の回数（例えば３回）になると、該当の単語について単語帳データとして登録するか否か［Ｙ／Ｎ］のメッセージ画面Ｍが表示され、［Ｙ］キーの１キー操作で単語帳登録できる。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子１０は、ショットキー電極５、３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The potential difference between the Schottky electrode 3 and a cathode electrode 4 varies, and thereby a condition where current is carried between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a condition where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is formed into a depletion layer to cut a current path between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 can be selected.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

When a disk is supplied from a disk slot 13 and the disk slot 13 is closed, an operated key among N pieces of keys 21-1 to 21-N corresponding to respective users for instance and the storage location inside a storage section 12 of the supplied disk are associated with each other and stored in a memory 4 as a disk storage table.例文帳に追加

ディスクがディスク投入口１３から投入され、ディスク投入口１３が閉じられるときに、例えばユーザごとに対応するキー２１−１〜２１−ＮのＮ個のキーのうちの操作されたキーと、投入されたディスクの格納部１２内の格納箇所とが対応付けられディスク格納テーブルとしてメモリ４に記憶されている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

A gallium nitride-based semiconductor Schottky diode manufactured from an n+ doped GaN diode having a thickness of 1-6 μm is provided on a sapphire substrate.例文帳に追加

１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

An electrode 7 forming a Schottky junction together with the semiconductor layer 1 is formed on the semiconductor layer 1 from which N atoms on the surface have been removed in this step.例文帳に追加

この工程によって表面のＮ原子４が除去された半導体層１上に、半導体層１とショットキー接合を形成する電極７を形成する。 - 特許庁

The metal electrode portion comes into Schottky contact with an n-type semiconductor region exposed on the upper face of the semiconductor substrate, and comes into ohmic contact with the semiconductor electrode portion.例文帳に追加

金属電極部は、半導体基板の上面に露出するｎ型半導体領域にショットキー接触しているとともに、半導体電極部にオーミック接触している。 - 特許庁

A cathode electrode 27 is formed in ohmic contact on the n-type GaN layer 26 and an anode electrode 28 is formed in Schottky contact on the AlGaN layer 24.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層２６上にオーミック接触して、カソード電極２７が形成され、ＡｌＧａＮ層２４上にショットキー接触して、アノード電極２８が形成されている。 - 特許庁

In a CH1 side photothyristor and a CH2 side photothyristor, a shot key barrier diode 44 is formed between a p-gate diffusion region 33 and an n-type silicon substrate 31.例文帳に追加

ＣＨ1側のフォトサイリスタとＣＨ2側のフォトサイリスタとにおいて、Ｐゲート拡散領域３３とＮ型シリコン基板３１との間にショットキーバリアダイオード４４を形成している。 - 特許庁

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁

The switching circuit 10 includes the Schottky diode 8 equipped with an n-type Ga_2O_3 substrate 80 comprising β-Ga_2O_3 single crystal.例文帳に追加

スイッチング回路部１０は、β—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。 - 特許庁

The field effect transistor has a WN/Al drain electrode Schottky-joined to a GaN channel layer 104 via an n^+ region (diffusion region) 112 below the drain electrode 109.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。 - 特許庁

The anode electrode 5 and the p-type anode region 3 are in ohmic contact with each other, while the anode electrode 5 and the n-type drift layer 2 form a Schottky junction 6.例文帳に追加

このアノード電極５とｐアノード領域３とはオーミック接触しており、アノード電極５とｎドリフト層２とはショットキー接合６が形成される。 - 特許庁

A Schottky electrode 220 composed of a Pt thin film with a film thickness of 0.1 μm is formed on a substrate 210 composed of n-type zinc oxide of a thickness 2 mm.例文帳に追加

厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。 - 特許庁

A high resistance region 11 having a substantially high resistivity is inserted between a p-column 10 forming parallel p-n layers 15 and a Schottky electrode 7.例文帳に追加

並列ｐｎ層１５を構成するｐコラム１０と、ショットキー電極７との間に実質的に高比抵抗のｎ高抵抗領域１１を介在させる。 - 特許庁

Negative fixed charges are introduced into a passivation film 23 covering the surface of a substrate 10 to surround a Schottky electrode 11 provided on an SiC substrate 10 of n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体であるＳｉＣ基板１０上に設けられたショットキー電極１１を取り囲むように、基板１０表面を被覆するパッシベーション膜２３の中に負の固定電荷を導入する。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au gate electrode 24a of T-type structure which is Schottky-junctioned to the n-AlGaAs electron supply layer 13 via the opening part 18b is formed in the recess channel 23.例文帳に追加

そして、リセス溝２３内において開口部１８ｂを介してｎ−ＡｌＧａＡｓ電子供給層１３にショットキー接続するＴ型構造のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕゲート電極２４ａが形成されている。 - 特許庁

An SBD 10 has: an n-type GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11; a Schottky electrode 15 formed on the GaN layer 13; and a back electrode 16.例文帳に追加

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上に形成されたｎ型のＧａＮ層１３と、ＧａＮ層１３上に形成されたショットキー電極１５と、裏面電極１６とを備えている。 - 特許庁

To provide a technology of detecting a fine crystal defect present in an N-region of a wafer obtained by a Czochralski method and accurately assessing the quality of the wafer.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって得られたウェーハのＮ領域内に存在する微細な結晶欠陥を検出し、ウェーハの品質を正確に評価することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which an N-type highly doped single crystal can be stably produced without causing abnormal growth in crystal when the silicon single crystal is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

That is to say, when the electron mobility is at 100 cm2/Vs or more, the Schottky contact can be formed on the n-GaN wafers irrespective of the dislocation density.例文帳に追加

すなわち、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、転位密度に関係なく、ｎ−ＧａＮ上に良好なショットキー接触が形成できる。 - 特許庁

A retrieval client 3 makes a retrieval request with a keyword or the like to a Web page retrieval system 1, and receives the N pieces of scores and URLs of the hit pages from the retrieval system 1.例文帳に追加

検索クライアント３は、Ｗｅｂページ検索システム１に対しキーワード等による検索要求を行い、検索システム１からヒットしたページのスコアとＵＲＬをＮ件受け取る。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor is constituted of both a Schottky barrier diode element 10 made of a barrier film 1, an electrode film 2, and an n-type semiconductor substrate 3 and a seating part 4.例文帳に追加

半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。 - 特許庁

Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.例文帳に追加

電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V compound semiconductor, a Schottky barrier diode, a light-emitting diode, a laser diode, and the manufacturing method of these which can reduce n-type carrier density.例文帳に追加

ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gear shift lever locking device which enables N-range parking, can secure sufficient safety against the possibility of erroneous operation, and comparatively reduces cost in a vehicle with a smart key system.例文帳に追加

スマートキーシステムが搭載された車両において、Ｎレンジ駐車が可能であり、誤操作の可能性に対して十分な安全を確保でき、しかも比較的安価である変速レバーロック装置を提供する。 - 特許庁

A storage means 103a stores information concerning to at least n number of functions among plural functions owned by an apparatus or a system assigned to a key X.例文帳に追加

記憶手段１０３ａは、キーＸへ割り当てられた、装置或いはシステムが有する複数の機能のうちの少なくともｎ個の機能に関する情報を記憶する。 - 特許庁

An ohmic electrode (50) of Ti/Al is formed directly on the back surface of n-GaN (40) being the support base, and a Schottky electrode (60) of Cu/Ni having a diameter of 100 μm is formed directly on the surface.例文帳に追加

支持基体であるｎ−ＧａＮ（４０）の裏面にＴｉ／Ａｌのオーム性電極（５０）が、表面に直径１００μｍのＣｕ／Ｎｉのショットキー電極(６０)が、直接形成されている。 - 特許庁

When ten-keys 64 are used to enter the sequence of reading the image data from a page memory 90 on the message, the printer controller 51 sets a head address of a N in 1 read table 32c.例文帳に追加

このメッセージに基づいて、ページメモリ９０から画データの読み出す順序がテンキー６４から入力されると、Ｎin１読出テーブル３２ｃの先頭アドレスがプリンタコントローラ５１に設定される。 - 特許庁

A variation per frame is calculated based on the number n of interpolation frames and a difference between the two key frames in a joint value, and supplied to a joint angle calculating part 104 by a variation calculation part 103.例文帳に追加

変化量算出部１０３は、補間フレーム数ｎと二つのキーフレーム間の関節値の差から、各フレーム毎の変化量を算出し、関節角度計算部１０４に供給する。 - 特許庁

To easily perform numerical input and to easily and rapidly input characters with the few fixed number of strikes in an input device and an input method comprising keys in m-trains and n-lines.例文帳に追加

本発明は、ｍ列ｎ行のキーを含む入力装置および入力方法に関し、数値入力を簡易に行えると共に文字を少ない一定の打鍵数で簡易かつ迅速に入力することを目的とする。 - 特許庁

When entering a percentage of magnification/reduction from a ten-key pad 16a of an operation section 16, an MPU 11 decides a multiple m/n based on the percentage.例文帳に追加

操作部１６のテンキー１６ａから拡大、縮小の百分率を入力すると、ＭＰＵ１１は、その百分率に基づいて倍率ｍ／ｎを決定する。 - 特許庁

Each of terminals (7, 8 and 9) including keys (i and j) (1≤i≤m, 1≤j≤n) is connected in one case, and not connected in another case.例文帳に追加

複数のキー（ｉ，ｊ）（１≦ｉ≦ｍ、１≦ｊ≦ｎ）が、複数の端子（７、８、９）を有して、この各端子が接続している接続状態、およびこの各端子が非接続である非接続状態のいずれかの状態になることを可能にする。 - 特許庁

In a step B1, either a power key is turned on or switching to a recording mode is effected, and then in a step B4 the attribute of the n-th storage area of a flash memory is checked.例文帳に追加

ステップＢ１で電源キーのオン又は録画モードへの切り替えを行った後、ステップＢ４でフラッシュメモリのｎ番目の記憶領域の属性をチェックする。 - 特許庁