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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > シリコン温度センサに関連した英語例文

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シリコン温度センサの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 33



例文

圧電温度センサシリコンウエハ温度測定冶具例文帳に追加

PIEZOELECTRIC TEMPERATURE SENSOR AND SILICON WAFER TEMPERATURE MEASURING TOOL - 特許庁

温度センサは、pn接合シリコンダイオードである。例文帳に追加

The temperature sensor is a pn junction silicon diode. - 特許庁

また、温度センサ5のセンサ本体6をシリコン樹脂15でコーティングする。例文帳に追加

The sensor body 6 of the temperature sensor 5 is coated with a silicone resin 15. - 特許庁

シリコン単結晶の温度勾配測定方法、温度センサーおよびこれを用いた育成方法例文帳に追加

METHOD FOR DETERMINING TEMPERATURE GRADIENT FOR SILICON SINGLE CRYSTAL, THERMOSENSOR AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE SAME - 特許庁

例文

高温の雰囲気の中でシリコンウエハの温度を測定し、シリコンウエハの表面温度の測定を行うとき、シリコンウエハの出来るだけ多点の表面温度を測定できる圧電温度センサの提供例文帳に追加

To provide a piezoelectric temperature sensor, capable of measuring surface temperature of a silicon wafer in as many points as possible in measurement of surface temperature of the silicon wafer in a high-temperature atmosphere. - 特許庁


例文

シリコン/ゲルマニウム(SiGe)超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。例文帳に追加

To provide a silicon/germanium (SiGe) superlattice temperature sensor, together with a production method thereof. - 特許庁

絶縁層上シリコン結晶体光学導波マイケルソン干渉式温度センサ例文帳に追加

ON-INSULATING LAYER CRYSTALLINE SILICON OPTICAL WAVEGUIDE MICHELSON INTERFEROMETER TYPE TEMPERATURE SENSOR - 特許庁

温度補償用素子30がセンサ素子2a毎にシリコン基板11でのセンサ素子2aに隣接した位置に作り込まれている。例文帳に追加

A temperature compensation element 30 is provided at a position adjoining the sensor element 2a of the silicon substrate 11 for each sensor element 2a. - 特許庁

pHセンサ30、温度センサ40、流量センサ50が、次亜塩素酸イオンを検出する次亜塩素酸イオンセンサ20が形成されたシリコン基板よりなる基板1に集積化されている。例文帳に追加

A pH sensor 30, a temperature sensor 40, a flow rate sensor 50 are integrated on a base board 1 formed of a silicon substrate provided with a hypochlorous acid ion sensor detecting a hypochlorous acid ion. - 特許庁

例文

上記課題を解決するために、温度センサと、温度センサを収容する空間を外周部に連通させて形成したワークシリコンウェハと備える温度検出装置を提供する。例文帳に追加

The temperature detector including a temperature sensor and a work silicon wafer that is formed by putting a space for accommodating the temperature sensor in communication with the outer circumference is provided to solve the problem. - 特許庁

例文

シリコン基板サイズを大きくすることなく、熱電対の数を増やして高出力化し、温度分解能の高い熱型赤外線センサを得る。例文帳に追加

To obtain a thermal type infrared sensor with a high temperature resolution by increasing the number of thermocouples for increasing output without increasing a silicon substrate size. - 特許庁

シリコン基板に形成され高温度で使用されるガスセンサの電極を、気密性を確保しながら外部に引き出す。例文帳に追加

To draw out the electrodes of a gas sensor formed on a silicon substrate and used at a high temperature to the outside while assuring an airtightness. - 特許庁

温度センサ17はシリコン樹脂135に埋まるようにして先部空間部134の内部に設けられている。例文帳に追加

The temperature sensor 17 is buried into the silicone resin 135 and provided inside the tip part space part 134. - 特許庁

コントローラは、上記融液から引上げ中のシリコン単結晶棒24の直径を検出する直径検出センサ25の検出出力を、シリコン単結晶棒の引上げ速度及びヒータの温度にフィードバックすることにより、シリコン単結晶棒の直径を設定直径になるように制御する。例文帳に追加

A controller controls the diameter of the silicon single crystal bar to achieve a predetermined diameter by feeding back an output from the detection sensor 25 to the pull-up speed of the silicon single crystal bar and the temperature of the heater. - 特許庁

ドライバ70により各温度センサープローブ75からの温度検出信号に基づいてペルチェ素子73を駆動させて容器71に受容されたシリコンオイル72の温度を調節することにより、測定チップ9内の温度が所定の温度となるように制御する。例文帳に追加

By driving a Peltier element 73 by a driver 70 based on temperature detection signals from the respective probes 75 to adjust the temperature of the silicone oil 72 received in the vessel 71, the temperature in the measurement chip 9 is so controlled as to be set at the predetermined value. - 特許庁

金属製ソリッドステム2とセンサ支持部材4とをフローセンサモジュールの利用環境温度の範囲内でゴム状弾性を有する接着用樹脂11、例えば、シリコン樹脂によって気密に接着結合する。例文帳に追加

The metal solid stem 2 and the sensor supporting member 4 are airtightly coupled by bonding using a bonding resin 11, for example, a silicone resin having rubber-like elasticity within a temperature range or a circumstance for using the flow sensor module. - 特許庁

この温度センサーを用い、単結晶表面の垂直方向温度勾配を測定することによって、引き上げ条件を制御するシリコン単結晶の育成方法。例文帳に追加

The other objective method for growing a silicon single crystal comprises using the above thermosensors and determining the temperature gradient in the perpendicular direction on the surface of the single crystal to control the pull conditions for the single crystal. - 特許庁

ヒートローラと転写材との離型剤であるシリコンオイルを加熱するオイルヒータと、シリコンオイルの温度を検出するサーミスタを備えてシリコンオイル加熱を行う画像形成装置において、シリコンオイルの残量を検出するオイル液面高さセンサなしに、オイルの残量検知を行うことが出来る画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming device that is equipped with an oil heater for heating silicone oil being a release agent for a heat roller and a transfer material and a thermistor for detecting the temperature of the silicone oil so as to heat the silicone oil, and that is constituted to detect the residual amount of silicone oil without using an oil liquid level sensor for detecting the residual amount of the silicone oil. - 特許庁

単一方形シリコン(SSS)センサを使用し、典型的なホイートストンブリッジセンサの複雑さを低減すること、圧力感度を高めてオンチップ電圧を減少し、平均電力使用を低減すること、および圧力測定値と温度測定値との間の温度勾配を低減することができる。例文帳に追加

To reduce complexity in a typical Wheatstone bridge sensor, using a single square silicon (SSS) sensor, to reduce an on-chip voltage by enhancing pressure sensitivity to reduce average electric power use, and to reduce a temperature gradient between a pressure measured value and a temperature measured value. - 特許庁

アモルファスシリコン系感光体への帯電電流値から、電位センサ温度サーミスタ等の高価なデバイスを使用することなく、アモルファスシリコン系感光体の温度上昇による表面電位の低下(暗減衰特性)分を補正し、常に安定したアモルファスシリコン系感光体の表面電位を得ることができる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus in which a stable surface potential on an amorphous silicon photoreceptor can be always obtained by correcting a decrement in the surface potential (dark decay characteristics) due to temperature elevation of the amorphous silicon photoreceptor based on a charging current to the amorphous silicone photoreceptor, without using an expensive device such as a potential sensor or a temperature thermistor. - 特許庁

機械室11内の凝縮器吸込み位置での温度センサ21の位置をショーケース前面側に近づけ、また、棚加温用ヒータ線を陳列棚の前側と奥側の前側シリコンコードヒータ17aと奥側シリコンコードヒータ17bとの二つに分けて配設した。例文帳に追加

A position of a temperature sensor 21 in a condenser suction position in a machine room 11 is made to approximate the front face side of the showcase, and a rack-heating heater line is arranged so as to be divided into two of a front-side silicon cord heater 17a and a depth-side silicon cord heater 17b at the front side and the depth side of the display rack. - 特許庁

支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を一旦酸素含有雰囲気に露出させてから、50℃ないし500℃の温度で加熱に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含んでなる方法によってセンサ素子を製造する。例文帳に追加

The sensor element is manufactured by a process wherein gold is laminated on a support and silicon is laminated thereon to obtain a laminate and this laminate is once exposed to an oxygen-containing atmosphere to be heated to 50-500°C to form a mixed layer containing gold and silicon. - 特許庁

1つの実施形態では、P−Nデバイスを形成するステップは、不純物をシリコンピンの内部に選択的に拡散させるステップと、P−Nデバイスを温度センサとして動作するように構成するステップとを含む。例文帳に追加

In one embodiment, forming the P-N device includes selectively diffusing an impurity into the silicon pin and configuring the P-N device to operate as a temperature sensor. - 特許庁

シリコン微細加工技術を応用した複合的にセンサ感度を向上させることができる温度検出装置および熱型赤外線検出装置を得る。例文帳に追加

To provide a temperature detector and a thermal infrared-ray detector capable of enhancing sensor sensitivity compoundingly applied with a silicon fine micro-work technique. - 特許庁

3本の熱電対が挿入されたカスケード温度センサ57を保温チューブ36内に敷設し、各熱電対の熱接点にシリコンからなる測温片をそれぞれ固着する。例文帳に追加

A cascade temperature sensor 57 to which three thermo-couples are inserted is laid in the heat insulation tube 36, and a temperature measuring piece composed of silicon is fixed to the hot junctions of the respective thermo-couples respectively. - 特許庁

また、アルミナ基板22の線膨張計数は、測定チップ(シリコンウエハ)11の線膨張係数に近いため、温度の影響によるセンサ基板21の歪みが生じにくい。例文帳に追加

Since the linear expansion coefficient of the alumina board 22 is close to that of a measurement chip (silicon wafer) 11, the sensor board 21 is hard to distort under the effect of temperature. - 特許庁

多孔質シリコン層10に囲まれた1個以上の単結晶または多結晶からなるアイランド20を有し、該温度センサー素子50とヒータ60と伴に、アイランド20上に孤立化学反応系を構築して集積化し、独立性良く温度制御を行う化学反応チップ。例文帳に追加

In this chemical reaction chip, an island 20 comprising one or more of single crystal or polycrystal surrounded with a porous silicon layer 10 is provided to integrate constructingly the isolated chemical reaction systems on the island 20, together with a temperature sensor element 50 and a heater 60, and temperatures thereof are controlled with the excellent independency. - 特許庁

本発明は、半田リフロー処理などの実装時の温度に耐えうる耐熱性プラスチックフィルム基板上に、結晶構造を有する半導体膜(代表的にはポリシリコン膜)を有するTFTからなる出力増幅回路と、非晶質半導体膜(代表的にはアモルファスシリコン膜)を用いたセンサ素子とを一体化させることで、高出力化及び小型化を図る。例文帳に追加

Higher output and smaller physical size are achieved by integrating an output amplifier circuit composed of TFT having a crystal structure semiconductor film (typically polysilicon film) with a sensor element using an amorphous semiconductor film (typically amorphous silicon film) on a heat-resistant plastic film substrate which can resist temperature at a time of packaging for solder reflow treatment and the like. - 特許庁

本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成された第1のダイヤフラム25および第1のゲージ抵抗7を有するアクティブゲージ抵抗形成部101と、基板1上に形成された第2のダイヤフラム26および第2のゲージ抵抗7を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部102とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor pressure sensor includes a silicon substrate 1, an active gauge resistance forming portion 101 having a first diaphragm 25 and a first gauge resistance 7 formed on the silicon substrate 1, and a dummy gauge resistance forming portion 102 for temperature compensation having a second diaphragm 26 and a second gauge resistance 7 formed on the substrate 1. - 特許庁

カンチレバ状の薄膜に、薄膜温度センサと加熱手段および励振手段を設けてあり、薄膜ヒータの加熱手段による間欠加熱時の薄膜を構成する主たる二層の熱膨張の違いに基づく反り曲がりを利用して励振手段にしたこと、主たる二層として熱膨張係数に非常に大きな差があるシリコン層とシリコン熱酸化膜を使用する。例文帳に追加

A membrane temperature sensor, a heating means and an exciting means are provided on a cantilever-shaped membrane, wherein the exciting means makes use of warpage due to difference in thermal expansion of two principal layers constituting the membrane while intermittently heated by the heating means of a membrane heater, and a silicon layer and a silicon thermally oxidized film with large difference in their thermal expansion coefficients are used as the two layers. - 特許庁

本発明による熱式湿度センサの検出素子1は、シリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板にダイアフラム2(架橋構造部)を形成し、そのダイアフラム2に、温度検出抵抗体4、5、6、7と、その温度検出抵抗体を取り囲むように配置した発熱抵抗体3を設ける。例文帳に追加

The thermal humidity sensor 1 includes a diaphragm 2 (bridge structure) formed on a planar substrate composed of a material with good thermal conductive material such as silicone and ceramics, temperature detecting resistors 4, 5, 6, 7 on the diaphragm 2, and a heating resistor 3 thereon surrounding the temperature detecting resistors. - 特許庁

サーモパイル型赤外線検出装置を格納する樹脂または金属からなるケース及びカバーのサーモパイルセンサ視野範囲の前面ケース開口部へ赤外線吸収率が低い平面シリコンフィルターを、サーモパイル型赤外線検出装置の前面位置に具備する事、及び空気層による断熱により、温度変化時に於ける検出温度精度を向上させた事を特徴としている。例文帳に追加

A flat silicon filter having a low infrared absorption rate is provided at a front face position of the thermopile infrared detector, in a front-face case opening within the visual field range of a thermopile sensor of a case and a cover made of resin or metal for housing the thermopile infrared detector, and the accuracy of temperature detection to be performed when the temperature changes is enhanced by heat insulation by an air layer. - 特許庁

例文

少なくとも部分的にシリコンにより形成されているフレーム、フレームにより保持されている膜、第一の構造により金属層中に形成されている加熱素子、第二の構造により金属層中に形成されている少なくとも1つの温度測定素子からなる質量流量センサーを提供する。例文帳に追加

To provide a mass flow sensor comprising a frame formed of silicon at least partially, a film held by the frame, a heating element formed in a metal layer by the first structure and at least one temperature measuring element formed in the metal layer by the second structure, and to improve film stability thereby compared with a conventional mass flow sensor. - 特許庁

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