「シールドリング」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

玉１９を設置した軸受空間２１の両端開口のうち、一方向クラッチ側の内端開口を、非接触型のシールドリング３９により塞ぐ。例文帳に追加

In both end openings of a bearing space 21 provided with a ball 19, an inside end opening on a one-way clutch side is sealed by a non-contact type seal ring 39. - 特許庁

シールドリング，フォーカスリング等に用いられる，プラズマ処理装置用石英部材１５１に発生している，ダイアモンド研削後の多数のクラック１５５を，例えば粒度＃３２０〜４００の砥粒による表面加工を行って除去する。例文帳に追加

Many cracks 155 occurred in the quartz member 151 for plasma treatment device used for a shield ring, focus ring, etc., after diamond grinding are removed by polishing the surface of the member 151 with abrasive grains having a grain size of #320-400. - 特許庁

プラズマエッチング装置用シリコンリングを平均結晶粒径：１μｍ以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されている支持リング１、フォーカスリング、シールドリング１２とする。例文帳に追加

The silicon ring for use of the plasma etcher comprises the support ring 1, the focus ring, and the shield ring 12 made of polycrystalline silicon made of ultrafine crystal grains with an average particle diameter of 1 μm or less. - 特許庁

ガラスセラミック等よりなる誘電体基板が有する配線層の一部に接合された、ヒートシンク、シールドリング等の機能を担う金属体の接合信頼性を向上させた金属体付配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board with metal which are joined to a part of wiring layers formed on and in a dielectric substrate composed of a glass ceramic, etc., respectively function as a heat sink, shield ring, etc., and improved in junction reliability. - 特許庁

プラズマ処理中において、クランプリング、シールドリング及び均一化リングの局所への放電の集中を抑制して、パーティクルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus that reduces particle generation by preventing a clamped ring, a shield ring, and an equalization ring from intensively discharging electricity to a local region during plasma treatment. - 特許庁

磁気シールドリングの位置決めを正確且つ簡便に行って、磁気ヘッドの重量バランスの均衡を保つと共に、生産効率の向上や製造歩留まりの向上を図ることができる構造の磁気ヘッド装置を提供する。例文帳に追加

To keep the weight balance of a magnetic head and to improve the production efficiency or the manufacture yield by accurately and easily positioning a magnetic shield ring. - 特許庁

ハウジング４とプーリユニット１との間で、かつ軸体部５周りの隙間空間部Ｓに、軸体部５およびハウジング１の一方に固定されるシールドリング５２が設けられている。例文帳に追加

A shield ring 52 to be fixed to one of the shaft body part 5 and the housing 4 is provided on a clearance space part S around the shaft body part 5 between the housing 4 and the pulley unit 1. - 特許庁

このシールドリング９ａの内周縁部を、上記内輪５ａの端部外周面に設けた円筒面部１６に近接対向させて、環状隙間１０ａを設ける。例文帳に追加

The inner peripheral edge part of the shielding ring 9a is opposed in proximity to a cylindrical surface part 16 provided at the end part outer peripheral surface of the inner ring 5a, to provide an annular clearance 10a. - 特許庁

プラズマエツチング装置内でウエハをプラズマエッチングする際に生じるパーティクルを出来るだけ、その発生を抑えた支持リング、フォーカスリング、シールドリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンリングを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon ring for use of a plasma etcher such as a support ring, a focus ring, and a shield ring with minimized generation of particles at the time of plasma-etching a wafer in the plasma etcher. - 特許庁

さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。例文帳に追加

The apparatus is further provided with a high-frequency power source 16 which is connected to the upper electrode and operates in the region of HF or VHF, and a plasma shield ring 20 in which a secondary plasma is generated in the front of its internal surface between the upper and lower electrodes. - 特許庁

プラズマ処理装置における支持リング、フォーカスリング、シールドリングなどのシリコンリングを、材料ロスを少なくして安価に製造することができ、かつ、その取り扱いも容易で、しかも不純物の発生の少ないシリコンリングを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon ring which can be inexpensively manufactured as a silicon ring such as a support ring, a focus ring and a shield ring in a plasma treatment apparatus and reduces loss in materials and can be easily handled and hardly causes impurities. - 特許庁

このシールドリング１５ａは、断面形状が半円形状の管で構成されたリング１６ａ、このリング１６ａの表面を覆うように設けられたコーティング１７ａ、およびリング１６ａに設けられた孔１８ａとから構成する。例文帳に追加

The shield ring 15a comprises a ring 16a having a cross-sectional shape formed with a semicircular tube, a coating 17a formed to cover a surface of the ring 16a, and a hole 18a formed on the ring 16a. - 特許庁

また、誘電体基板２の図面上側に形成された金属体４は、シールドキャップ５０と接合させるためのシールドリングの機能を有し、他方、誘電体基板の図面下側に形成された金属体４は、ヒートシンクの機能を有する。例文帳に追加

Further, the metal body 4, which is formed at the upperside of a drawing, of the dielectric substrate 2 has a function of a sealed ring for joining to a sealed cap 50, whereas the metal body 4, which is formed at the lowerside of the drawing, of the dielectric substrate has a function of a heat sink. - 特許庁

また、誘電体基板２の図面上側に形成された金属体４は、シールドキャップ５０と接合させるためのシールドリングの機能を有し、他方、誘電体基板の図面下側に形成された金属体４は、ヒートシンクの機能を有する。例文帳に追加

The metal 4 formed on the upside of the board 2 in the Fig. functions as a shield ring to be joined to a shield cap 50 and the metal 4 formed on the underside of the board 2 in the Fig. functions as a heat sink. - 特許庁

ガラスセラミック等よりなる誘電体基板が有する配線層の一部に接合された、ヒートシンク、シールドリング等の機能を担う金属体の接合信頼性を向上させた金属体付配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a metal body attached wiring board which is joined to a part of a wiring layer included in a dielectric substrate made of glass ceramics or the like, and raises reliability in joining of a metal body which is in charge of a function of a heat sink, a sealed ring, or the like. - 特許庁

さらに連結棒先端部と被挿着端部２１との間、および金属製シールドリング５と被挿着端部２１との間に、それぞれ閃絡防止用の第一ギャップＧ１および第二ギャップＧ２を有し、各ギャップ間隔の変動を防止する間隔変動防止手段を備えている。例文帳に追加

Further, they comprise a first gap G1 and a second gap G2 for preventing instantaneous short circuit between the connecting-rod top end and the insertion top end 21 and between the metallic shield ring 5 and the insertion top end 21 respectively, and have an interval fluctuation preventing means for preventing the fluctuations of the interval of each gap. - 特許庁

これにより、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓをシールドリング７によって塞いで半導体ウェハ１の容量測定または微小電流測定を行うことにより、浮遊容量の数値を低減して電気的特性検査を行うことができる。例文帳に追加

Thus, a clearance S between the probe card 3 and the opening 4a of the shield plate 4 is clogged by the shield ring 7 to make a capacity measurement or a micro current measurement of the semiconductor wafer 1, thereby reducing a numerical value of a stray capacitance to carry out an electric characteristics inspection. - 特許庁

プレート１８の底面１８ａと外箱２５の上面２５ａとの間には棒状部材１６および受け部２１の接続部位を包囲するシールドリング２２が挟み込まれ、棒状部材１６および受け部２１の接続部位に入射する電磁波を遮蔽するようになっている。例文帳に追加

A shield ring 22, encircling the connection part between the bar-shaped member 16 and the receiving part 21, is interposed between the bottom surface 18a of the plate 18 and the upper surface 25a of the outer box 25, to thereby shield an electromagnetic wave entering the connection part between the bar-shaped member 16 and the receiving part 21. - 特許庁

ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯを主成分とし、０〜３重量％のＺｒＯ_2を含むエミッタと、このエミッタが充填された３重コイルからなるフィラメントと、このフィラメントの周囲にメッシュ状金属からなるシールドリングを設けた。例文帳に追加

An emitter having BaO, CaO, and SrO as the main component and containing ZrO2 or 0 to 3 wt.%, a filament consisting of three-fold coil filled up with this emitter, and a shield ring composed of a mesh state metal are installed at the surroundings of this filament. - 特許庁

コイル装置は、コイル台１と、このコイル台１に支持されて高周波磁界を発生する誘導加熱コイル２と、前記コイル台１に装着され、前記コイル２の外周を覆って磁気シールドを行うシールドリング３とを備える。例文帳に追加

The coil device is provided with a coil board 1, an induction heating coil 2 supported by this coil board 1 and generates high frequency magnetic field, and a shield ring 3 that covers the outer circumference of the coil 2 and carries out magnetic shield. - 特許庁

さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。例文帳に追加

Moreover, it is provided with a high-frequency power source 16 connected to the upper electrode 12 and operating in the region of HF or VHF and a plasma shield ring 20 in which, on a space between the upper electrode and lower electrode, secondary plasma is generated before the surface on the inside thereof. - 特許庁

プラズマ処理装置における処理室内に配設される部品（例えばシールドリング）の形状に形成された炭素と水素の結合を有する有機材料の表面層ｔに，この表面層に含まれる炭素に結合されている水素をフッ素に置換する表面フッ素化処理を施す。例文帳に追加

On a surface layer t of an organic material which has a bonding of carbon and hydrogen formed on a figure of component (e.g., shield ring) located in a processing room of a plasma processing apparatus, a surface fluorination treatment, which replaces hydrogen bound with carbon contained in the surface layer with fluorine, is performed. - 特許庁

例えば石英製のシールドリングを備えたプラズマ処理装置の場合には、フルオロカーボンガス（Ｃ_ｘＦ_ｙ）を用いてウエハＷのシリコン酸化膜にレジスト膜を介して所定のパターンに即したエッチング処理を行うと、図８に示すようにウエハＷの外周縁部でのレジスト膜のエッチングレートがその内側よりも上昇し、レジスト膜のエッチングレートが不均一になる。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus that can improve a uniformity of a thin film by etching a resist film uniformly or improve a uniformity of the other plasma treatments, when the thin film being a treated object is etched by using a predetermined pattern through the resist film or the other plasma treatment are applied. - 特許庁