「ターンオン時間」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

高速のターンオン時間を供給する電流ミラー回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a current mirror circuit providing a fast turn-on time. - 特許庁

このような半導体装置の保護回路内に設ける第１のスイッチには、半導体装置のゲート閾値電圧および半導体装置のターンオン時間以上のターンオン時間を設定する。例文帳に追加

In a first switch arranged in a protective circuit of such a semiconductor circuit, a gate threshold voltage of the semiconductor device and a turn-on time not smaller than the turn-on time of the semiconductor device are set. - 特許庁

ターンオン時間及びターンオフ時間のバランスが良く、高速の作動が可能な、誤動作の無い安定なＭＯＳ半導体リレーを提供する。例文帳に追加

To provide a stable MOS (Metal Oxide Semiconductor) semiconductor relay having good balance between a turn on time and a turn off time, performing high-speed operation, and no malfunction. - 特許庁

半導体スイッチ素子のターンオン時間およびターンオフ時間の短縮化を図れる半導体スイッチ素子の駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a drive circuit for a semiconductor switch element which can shorten the turn on time and turn off time of the semiconductor switch element. - 特許庁

アクティビティ予測ユニット１３０は各ＩＣユニットについてターンオン時間とターンオフ時間を決める。例文帳に追加

The activity prediction unit 130 determines turn-on and turn-off times for IC unit. - 特許庁

ドライバトランジスタのゲートのターンオン後に短時間に亘ってドライバのソース−ドレイン回路のターンオンを遅延させる遅延系は、ドライバトランジスタのゲート容量によって補助的なブーストが得られるようにさせる。例文帳に追加

In a delay system for delaying turning-on of the source drain circuit of a driver for a short time after turning on of the gate of a driver transistor, auxiliary boosting is obtained by the gate capacitance of the driver transistor. - 特許庁

ドライバトランジスタのゲートのターンオン後に短時間に亘ってドライバのソース−ドレイン回路のターンオンを遅延させる遅延系は、ドライバトランジスタのゲート容量によって補助的なブーストが得られるようにさせる。例文帳に追加

A delay scheme which delays turn-on of a source-drain circuit of a driver for a short time after turn-on of a gate of a driver transistor, allows the gate capacitance of the driver transistor to provide an extra boost. - 特許庁

スイッチングトランジスタＱ１のターンオフ時の回路動作の変化を検出し、その検出時期からあらかじめ設定された所定時間後にＱ１を強制的にターンオンさせるターンオン時期制御系がある。例文帳に追加

There is a turn-on period control system, which detects the change of the circuit operation at turn off of a switching transistor Q1 and forcibly turns on the Q1 after a given time which is set in advance from the detection period. - 特許庁

遅れ時間コントローラ３は、半導体素子のターンオン時及びターンオフ時毎に各電圧検出器からの各ピーク電圧を取り込み、各ピーク電圧が均等になるよう、半導体素子のターンオン時及びターンオフ時毎に前記各時間遅れ発生器に設定する遅れ時間を自動調整する。例文帳に追加

A delay time controller 3 takes in the respective peak voltages from the voltage detectors, when the semiconductor elements turn on and turn off, and adjusts automatically the delay times to be set in the respective time delay generators when the semiconductor elements turn on and turn off, in such a manner that the respective peak voltages are uniform. - 特許庁

これにより、ターンオン，ターンオフ時間を短縮した短パルス状の充電電圧を形成することができ、上記目的を達成することができる。例文帳に追加

Accordingly the short pulse-like charge voltage with shortened turn-on and turn-off time can be formed to achieve the above purpose. - 特許庁

その場合には可変遅延回路１７’が、主スイッチング素子３のターンオンタイミングの遅れ時間ｔ１を短くするように調整する。例文帳に追加

In this case, a variable delay circuit 17' makes adjustment, to reduce a delay t1 in the turn-on timing on the main switching element 3. - 特許庁

この回路は、持続時間すなわち幅を変える交互に切り替わるゲートパルスを提供することによりスイッチング素子（５０，５２）を交互にターンオンする。例文帳に追加

This circuit alternately turns on switching devices (50, 52) by providing alternating gate pulses varying in duration or width. - 特許庁

したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。例文帳に追加

Turning on the low breakdown voltage transistor Q2 to turn on the high breakdown voltage transistor Q1 reduces a variation in turn-on time. - 特許庁

高耐圧で、且つターンオン時間が短く、高速動作が可能で、スイチング損失が小さい電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for power which has a high break down voltage property and a short tune-on time and can be operated at high speeds and has a small switching loss. - 特許庁

ラッチアップの耐性を向上させながら放電能力またはターンオン時間を適正に制御するようにしてトレードオフ関係を除去する。例文帳に追加

To provide an electrostatic protective circuit capable of removing a trade-off relation by properly controlling discharge capability or turn-on time while improving latch-up resistance. - 特許庁

電圧駆動型素子のターンオン時における、遅延時間、ノイズ及び損失の低減が要求されている。例文帳に追加

To satisfy a requirement that a delay time, noise and loss at the turn-on of a voltage-drive element should be reduced. - 特許庁

ターンオン時間を容易に変更することができる定電流回路を付加した光結合型半導体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an optically coupled semiconductor device furnished with a constant current circuit capable of easily changing a turn-on time. - 特許庁

これにより、差動入力センス・トランジスタＮ１、Ｎ２のトランジスタ・ターンオン電圧が予測可能となり、応答時間が高速化される。例文帳に追加

Thereby, transistor turn-on- voltage of the differential input sense transistors N1, N2 can be predicted, and response speed is increased. - 特許庁

ＩＧＢＴ３０のターンオン時にエミッタ側の配線インダクタンス６０に流れるコレクタ電流がゲート入力容量３４の電圧を抑制する起電力を発生するが、前記ゲートコイル７０の蓄積エネルギーがこの起電力を相殺してターンオン時間を短縮させターンオン損失を軽減する。例文帳に追加

While a collector current flowing to a wiring inductance 60 on an emitter side generates electromotive force for suppressing the voltage of the gate input capacitor 34 at the time of turning on the IGBT 30, the stored energy of the gate coil 70 offsets the electromotive force, shortens turn-on time and reduces the turn-on loss. - 特許庁

上記課題を解決するために、ターンオフ指令信号入力時からターンオン指令入力までの時間が設定値以上であった場合は、前記電流検出値の大きさに関わらず、前記ゲート駆動条件をターンオン動作が遅くなるような回路に切り換えて動作させる。例文帳に追加

When the time from the input of a turn-off command signal to the input of a turn-on command is over a set value, this gate driving circuit changes the gate drive conditions so as to delay the turn-on operation, regardless of the above detected current value. - 特許庁

光絶縁素子のターンオン時間及びターンオフ時間をともに短縮することで、応答性を向上することができるインタフェース回路を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an interface circuit which can improve a responsiveness by shortening both the turn-on time and the turn-off time of an optical insulating element. - 特許庁

その結果、静電保護用ダイオード８はターンオンせず、静電保護用ダイオード（ｐｎ接合ダイオード）のチャージ時間の抜き去り時間というペナルティを免れる。例文帳に追加

Consequently, the diode 8 for antistatic protection will not turn on, and the penalty which is the exclusion time of a charge time of the diode for antistatic protection (p-n junction diode) is avoided. - 特許庁

各スイッチングレギュレータにおけるトランジスタ（１０１２，１０２２，１０３２）のターンオンの時間が一定の順序に配列され、それぞれのレギュレータが１サイクルにおける所定時間に電流を取り出す。例文帳に追加

The turn-ON times of the transistors (1012, 1022, 1032) in each switching regulator are arranged in the constant sequence and respective regulators extract a current within the predetermined time in one cycle. - 特許庁

スイッチ回路５は、ゲート電圧Ｖgateに基づいてスイッチ電流Ｉsを制御し、オン時間回路１は、ターンオン期間Ｔonに時間を計測して、駆動電圧Ｖrsをグランド電位にする。例文帳に追加

A switch circuit 5 controls the switch current Is based on the gate voltage Vgate and an ON time circuit 1 measures the time during the turn on interval Ton and brings a drive voltage Vrs to the ground potential. - 特許庁

スイッチングにおけるターンオン、ターンオフ時間を制御し、常にスイッチング時間が最少となるスイッチング素子ゲート駆動回路の創出を目的とする。例文帳に追加

To provide a switching element gate drive circuit capable of always minimizing switching time by controlling turn-on and turn-off time in switching operations. - 特許庁

電圧信号生成回路３はターンオン時間よりも長い時間をかけてＭＯＳ−ＦＥＴ２を非導通状態から導通状態に変化させるようにゲート電圧信号を生成する。例文帳に追加

The generator circuit 3 generates a gate voltage signal so as to change the MOS-FET 2 from a non-conducting state to a conducting state, taking time longer than its turn-on time. - 特許庁

電気アーク溶接機において、スイッチの誘導時間が長く、２つの並列の一次回路のクランプ回路にとり適当な時間で適切にターンオンすることができ、コンデンサがバランスがとれる電気アーク溶接機の電源の提供。例文帳に追加

To provide a power source of an electric arc welder in which the induction time of switches is long, the clamping circuits of two parallel primary circuits can be suitably turned on in a suitable time, and the balance of capacitors can be taken. - 特許庁

バッファ回路４ａ〜４ｃにＭＯＳトランジスタを用いるため、ターンオン時間Ｔｏｎおよびターンオフ時間Ｔｏｆｆを短くでき、スイッチング損失を小さくできる。例文帳に追加

Since MOS transistors are used for the buffer circuits 4a-4c, the turn-on time Ton and the turn-off time Toff can be shortened, and the switching loss can be reduced. - 特許庁

マイクロプロセッサは、バーストモードサイクルの不感時間間隔の終了時間を監視し、スイッチをターンオンさせる同期制御信号を生成する。例文帳に追加

The microprocessor monitors the completion time of the dead time interval of a burst mode cycle, and generates a synchronous control signal for turning a switch on. - 特許庁

これにより、フォトモスリレーのターンオン及びターンオフ時間を短縮して、入力側サンプリングスイッチの応答性を向上することができる。例文帳に追加

Thus, the turn-on and the turn-off time of the photo MOS relay are shortened, and the responsiveness of the input side sampling switch can be improved. - 特許庁

補助巻線インダクタＬ2は、ターンオフ期間Ｔoffに時間が経過すると、補助巻線電圧Ｖauxを負の電圧から上昇させ、ターンオン期間Ｔonに補助巻線電圧Ｖauxを正の電圧に維持する。例文帳に追加

Upon elapsing the turn off interval Toff, an auxiliary winding inductance L2 increases the auxiliary winding voltage Vaux from a negative level and sustains the auxiliary winding voltage Vaux at a positive level during the turn on interval Ton. - 特許庁

したがって、ゲート抵抗３３の抵抗値を小さく設定することによって、ゲート電流を大きくし、ターンオンするスイッチング時間を短くすることができる。例文帳に追加

Accordingly, a switching time for turning on can be shortened by increasing the gate current by setting the resistance value of a gate resistor 33 to a small value. - 特許庁

本発明は、ターンオン時間を犠牲にすることなく、駆動電流を低減することができるフォトＭＯＳリレー駆動回路およびそれを用いた半導体試験装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photo MOS relay drive circuit capable of reducing a drive current without sacrificing turn-off time, and a semiconductor test device using the same. - 特許庁

電力変換装置を構成するスイッチ素子のターンオン時において、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEを検出しないマスク時間の短縮化を図る。例文帳に追加

To shorten masking time, when a voltage VCE between a collector and an emitter is not detected, when a switch element constituting a power converting device is turned on/off. - 特許庁

トランジスタ５、６のターンオン時およびターンオフ時にリンギングが生じるが、時間経過とともにリンギング周波数がずれてノイズエネルギーのスペクトルが広帯域に拡散し、ノイズのピークレベルが下がる。例文帳に追加

Though ringing occurs at turn on and turn off of the transistors 5 and 6, the ringing frequency displaces itself as time passes to spread the spectrum of noise energy in a wide band, resulting in dropping of the peak level of the noise. - 特許庁

ターンオンのドレイン電圧降下時間の最小限界を打破し、特にユニポーラのスイッチ素子のスイッチング損失を低減することのできる素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element for power capable of breaking the minimum limit of the drain voltage drop time of turn-on and especially reducing the switching loss of unipolar switch elements. - 特許庁

遅れ時間ｔＤ２経過後(図３のt45)に第２スイッチング回路１１１の出力をオフさせると、駆動用トランジスタＴ２のベース端子に供給される電流が減少してターンオン速度が遅くなる。例文帳に追加

When the output of the 2nd switching circuit 111 is turned off after a delay time tD2 (t45 in Fig. 3), the current supplied to the base terminal of the drive TR T2 decreases to make the turn-on speed slow. - 特許庁

各半導体素子のターンオフ時の定常電圧からゲート信号の遅れ時間を制御するのでは、素子のターンオン時ので電圧分担を均一化できない。例文帳に追加

To provide a semiconductor power converter which can make the voltage shared by each semiconductor element uniform by adjusting automatically both the timing for turn-off and the timing for turn-on. - 特許庁

これにより、高電圧パルス発生器１２と高電圧パルス発生器３３，３４のスイッチング周波数を同じとし、スイッチング素子のターンオン時間の遅れの変化をキャンセルすることができる。例文帳に追加

Thus, the switching frequency of the high-voltage pulse generator 12 becomes the same as that of the high-voltage pulse generators 33, 34, and a change in delay of the turn-on time of the switching elements is canceled. - 特許庁

入力電源の電圧変動時に複数のオンボード電源のターンオフ又はターンオン時間のばらつきによる、二次側回路への影響を防止する電源監視回路およびそれを使用する電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power supply monitor circuit that prevents influences of variation in turn-off or turn-on time of a plurality of onboard power supplies on secondary-side circuits during voltage fluctuation in input power supply and a power supply unit using the monitor circuit. - 特許庁

駆動電力の増大や、特性の不安定化、短寿命化を最小限に抑えながら、ターンオン時間を短縮させることができる電圧駆動型半導体スイッチ素子の駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a drive circuit of a voltage-driven semiconductor switching device which can reduce a turn-on time while an increase in driving power, instabilization of characteristics, and the reduction of an operation life are suppressed to minimum. - 特許庁

ターンオン時にはＶａｋの立ち上がりを検出して一定時間後に制御回路２４がゲート抵抗を大きな抵抗から小さな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。例文帳に追加

A rise of Vak is detected during turn-on, and the control circuit 24 switches the gate resistance from the large resistance to small resistance after a fixed period, suppresses surge voltage and reduces switching loss. - 特許庁

アクティビティ予測ユニット１３０は供給電圧選択回路を制御して、予測されたターンオン時間に供給電圧を個別の供給線へ選択的に通過させ、予測されたターンオフ時間に供給電圧を選択的に阻止させる。例文帳に追加

The activity prediction unit 130 controls a supply voltage selection circuit, selectively pass the supply voltage to a supply line at predicted turn-on time, and selectively inhibits the supply voltage at predicted turn-off time. - 特許庁

記憶回路１７に電圧ゼロクロスからトライアック１４がターンオンするまでの時間情報を記憶し、制御回路１８が節電率に応じた時間情報を記憶回路１７から読み出して、トライアック１４の導通タイミングを制御する。例文帳に追加

Time information from voltage zero cross to turn-on of a triac 14 is stored in a storage circuit 17s, and a control circuit 18 reads the information for the time corresponding to the power saving rate from the storage circuit 17 and controls a conduction timing for the triac 14. - 特許庁

逆回復時間検出回路５は、主スイッチング素子１のターンオン直後に電流センス素子２の寄生ダイオードに流れる逆回復電流を検出し、その逆回復電流が流れた時間の長さに基づいて主スイッチング素子１の温度を検出する。例文帳に追加

The reverse recovery time detecting circuit 5 detects a reverse recovery current flowing through a parasitic diode of the current sensing element 2 immediately after the main switching element 1 is turned on, and detects the temperature of the main switching element 1 on the basis of the length of the time when the reverse recovery current flows. - 特許庁