「ダイナミック膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ダイナミックフォーカス電極、及び、ダイナミックフォーカス電極に隣接して配置された電極の少なくとも１つＧ４は、少なくとも絶縁支持体２１に植設される植設部Ｇ４Ｐの表面に形成された金属酸化膜１００を備えている。例文帳に追加

A dynamic focus electrode and at least one electrode G4 placed adjacent to the dynamic focus electrode has at least a metal oxide films 100 formed on the surface of an implanted part G4P which is implanted in a insulating supporting member 21. - 特許庁

暗電流の低下を防ぎ、Ｘ線電荷変換膜特性が安定して成膜の歩留まりが改善され、しかも高効率でダイナミックレンジの広い高性能のＸ線平面検出器を提供すること。例文帳に追加

To provide a high-performance X-ray plane detector with high efficiency and a wide dynamic range which has a stabilized X-ray charge converting film characteristic by preventing a decline in dark current and hence can accomplish a consequent improved film forming yield. - 特許庁

ホログラフィック記録層を、多層化することなく且つ厚みむらや散乱、ダイナミックレンジの不均一性を伴うことなく厚膜化したホログラフィック記録媒体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a holographic recording medium and a method for manufacturing the same by which a holographic recording layer can be made thick without carrying out multilayering or involving unevenness in thickness, scattering or non-uniformity of a dynamic range. - 特許庁

ポリシリコン薄膜トランジスターを用いたＡ／Ｄ変換回路において、十分なＡ／Ｄ変換ダイナミックレンジをとることを可能にする。例文帳に追加

To provide an A/D converting circuit which uses a polysilicon thin film transistor, the A/D converting circuit being capable of having a sufficient A/D conversion dynamic range and suitable to the polysilicon thin film transistor. - 特許庁

ろ過時に自己阻止型のダイナミック膜の形成をなくし、水溶性ペクチンを含有した透明タイプの透明果汁を得ることができる果汁の製造法およびそれに用いる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing fruit juice by which formation of a self-prevention type dynamic membrane is eliminated when filtered and transparent fruit juice containing a water-soluble pectin can be obtained and to provide an apparatus used for the production method. - 特許庁

回路規模を小さくするとともに、装着者の発話による鼓膜の振動成分に対して十分なダイナミックレンジを確保することによりＳ／Ｎを確保することを可能とする、イヤホンマイク、及び送受話装置を提供する。例文帳に追加

To provide an earphone microphone and a transmitter/receiver device of which the circuit scale is reduced and a dynamic range is sufficiently secured for the vibration component of an eardrum caused by the talk of a wearer, resulting in securing an S/N ratio. - 特許庁

小領域内積分値ＳＤＡが比較閾値ＦＤＴより大きく、且つ小領域内の輝度のダイナミックレンジＳＤＲが比較閾値ＤＣＴより大きい場合、当該小領域は次膜領域であると判定される。例文帳に追加

When the integration value SDA in the small area is greater than a comparative threshold FDT and the dynamic range SDR of luminance in the small area is greater than a comparative threshold DCT, the relevant small area is determined as a caption area. - 特許庁

得られる膜は親水性で、低背景蛍光をもち、高タンパク質結合性を有し、優れたタンパク質試料スポット形態保持性を有し、広いダイナミックレンジ（高い信号／雑音比、すなわち高い検出能力）を有する。例文帳に追加

The resulting membrane is hydrophilic, exhibits low back ground fluorescence, has high protein binding, is excellent in retention of protein sample spot morphology and has an extended dynamic range (high signal-to-noise ratio, that is, enhanced sample detectability). - 特許庁

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having high signal detection sensitivity and a wide dynamic range, in a thin-film transistor using an oxide semiconductor layer. - 特許庁

軽量で剛性が高く、かつ、高温下であっても、剛性の変化が少ないことから、携帯電話などに使用するダイナミック型平面スピーカーの振動膜の部材に好適に使用しうる積層複合材を提供すること。例文帳に追加

To provide a laminated composite material which is lightweight and has high rigidity and the rigidity of which is hardly changed even at high temperature and consequently which can be used suitably as a member of a diaphragm of a dynamic planar speaker to be used in a cellular phone or the like. - 特許庁

基板面に半導体層がｐ−Ｓｉからなる薄膜トランジスタを備えるダイナミックレシオレスシフトレジスタにあって、フローティング状態になるノードに容量を介して固定電位に接続させる。例文帳に追加

This is a dynamic ratioless shift register provided with thin film transistors of which the semiconductor layer is formed of p-Si on a substrate surface, and the register is connected with a floating state node via capacitance at a fixed potential. - 特許庁

成膜温度（約１００°Ｃ以下）が従来のダイナミックミキシング法を用いた場合（約３００°Ｃ〜４００°Ｃ）よりも低くなるため、成膜時における変形や破損等の不具合の発生を招くことなく、基板Ｋの表面に機能性薄膜が形成される。例文帳に追加

Thereby, the functional thin film is formed on the surface of the substrate K, without causing problems such as deformation or damage during film formation, because the film forming temperature (less than about 100°C) is lower than that in a conventional dynamic mixing method (about 300°C to 400°C). - 特許庁

金属酸化物を主に含有する透明導電膜で、前記金属酸化物の金属元素イオンをＭとした時、前記透明導電膜のダイナミックＳＩＭＳ測定におけるＭＳｉＯ_３とＭのピーク強度比（ＭＳｉＯ_３／Ｍ）が０．５〜２０であることを特徴とする透明導電膜。例文帳に追加

The transparent conductive film mainly containing a metal oxide has a peak intensity ratio of MSiO_3 to M (MSiO_3/M) of 0.5 to 20in a dynamic SIMS measurement of the transparent electrode film, provided a metal element ion of the metal oxide is M. - 特許庁

油・水のエマルションを循環冷却してサスペンションの氷を造り，蓄氷するダイナミック型の氷蓄熱システムにおいて，熱交換器の壁面に油膜を造り，この油膜を保護し、氷結・閉塞を抑制し、連続製氷・蓄氷運転を可能にする方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method to form an oil film on the wall surface of a heat exchanger, protect the oil film, suppress the occurrence of freezing and closing, and to enable continuous ice making and ice storage operation, in a dynamic type ice storage heat system to make ice in suspension by effecting circulation cooling of emulsion of oil and water and to store ice. - 特許庁

塗布膜の膜厚を均一に形成することができ、ダイナミック塗布方式を採用する場合であっても、塗布開始時から終了時まで塗布液の飛散を確実に防止することができる塗布処理装置および塗布処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a coat application processor and a coat application processing method, whereby the film thickness of he coat film can be made uniform and the spattering of the coating liquid can be surely prevented from the start to the end, even when adopting a dynamic coat application method. - 特許庁

半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere. - 特許庁

単層膜または多層膜からなる膜試料の構造をＸ線反射率測定法により解析する膜構造解析方法において、同一の膜試料を分解能およびダイナミックレンジのうちの少なくともいずれかの条件が異なる測定条件により測定した複数の測定データを同時に解析することにより膜構造を決定することを特徴とする膜構造解析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film structure analyzing method constituted so as to analyze the structure of a film structure comprising a single-layer film or a multilayered film and analyzing a plurality of measuring data, which is obtained by measuring the same film sample under a measuring condition different in at least either one of resolving power and a dynamic range, at the same time to determinate the film structure. - 特許庁

ダイナミック塗布方式において塗布液の供給量を一層少なくすることができる塗布膜形成方法および塗布処理装置を提供すること、および、このように塗布液の量を少なくすることができるとともに、塗布膜の膜厚を均一化することができる塗布膜形成方法および塗布処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a coating film forming method and coating device that can further reduce the amount of coating liquid in a dynamic coating system, and at the same time can make the thickness of a coating film uniform. - 特許庁

光学系の簡素化が容易な同軸記録方式において、光記録媒体の膜厚方向に存在する複数の焦点位置の各々で、複雑な制御を行わずにホログラムをシフト多重記録して、光記録媒体の膜厚方向のダイナミックレンジの有効活用を図ることができる光記録装置及び光記録方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical recording device and an optical recording method which allow effective use of a dynamic range in the film depth direction of an optical recording medium by performing shift multi-recording of hologram without complex control at each of a plurality of focal positions existing in the film depth direction of the optical recording medium in a coaxial recording system in which simplification of an optical system is easy. - 特許庁

側鎖スペーサー基の長さの制御により、高い記録感度及びダイナミックレンジと高い回折効率とを維持し、かつ厚膜化を図ることができる光記録材料、記録特性を損なうことなく感光層を厚膜化することにより、大容量記録が可能な光記録媒体、及び大容量データの記録及び再生が可能な光記録再生装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an optical recording material which maintains high recording sensitivity, a high dynamic range and high diffraction efficiency and can increase film thickness by controlling the lengths of side chain spacer groups; to provide an optical recording medium capable of large-volume recording by thickening a photosensitive layer without deteriorating recording properties; and to provide an optical recording and reproducing apparatus capable of recording and reproducing large-volume data. - 特許庁

主鎖スペーサー基の長さの制御により、高い記録感度及びダイナミックレンジと高い回折効率とを維持し、かつ厚膜化を図ることができる光記録材料、記録特性を損なうことなく感光層を厚膜化することにより、大容量記録が可能な光記録媒体、及び大容量データの記録及び再生が可能な光記録再生装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an optical recording material which maintains a high recording sensitivity and dynamic range and high diffraction efficiency by controlling the length of a main chain spacer group and can make a film thick, an optical recording medium which permits large-capacity recording by making a photosensitive layer thick without impairing the recording characteristics, and an optical recording and reproducing device which allows recording and reproducing of large-capacity data. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。例文帳に追加

The analog circuit is formed with the use of a thin-film transistor including an oxide semiconductor which has a function as a channel formation layer, has a hydrogen concentration of 5×10^19 atoms/cm^3 or less, and substantially functions as an insulator in the state where no electric field is generated, whereby this semiconductor device having high signal detection sensitivity and a wide dynamic range can be provided. - 特許庁

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。例文帳に追加

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric. - 特許庁

ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極７をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極７間にキャパシタ下部電極７の上面と同一高さに絶縁酸化膜９を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極７上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン（ＨＳＧ−Ｓｉ７ａ）の形成する。例文帳に追加

Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

キャパシタの誘電体膜のリーク電流密度を大きくせずに誘電率を増加させることができ、また、蓄積電荷が減少するのを効果的に防止することができるキャパシタ並びにそのキャパシタを用いたダイナミック型半導体記憶装置などの半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor which can be increased in dielectric constant, without having to increase its dielectric film in leakage current density and effectively prevented from being reduced in storage charge, a semiconductor device, such as a dynamic semiconductor memory device equipped with the above capacitor, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

従って、本発明は、応答速度の優れた強誘電性液晶層を上部基板及び下部基板において、ツイストネマティック液晶層のダイナミック配向膜として利用した、視野角が優れて、一般的な横電界型の液晶表示装置の短所である開口率及び輝度低下のない面駆動方式の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

The invention provides an in-plane switching mode liquid crystal display device that uses a ferroelectric liquid crystal layer, having superior response speed as a dynamic alignment layer for a twisted nematic liquid crystal layer on the upper substrate and a lower substrate, and has superior viewing angle and no decrease in the aperture ratio and the luminance which are disadvantages of a general lateral field type liquid crystal display device. - 特許庁