「ツェ」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

インダクタンス２４，２５の接続部Ｃ４と、インダクタンス２７，２８の接続部Ｃ５とを接続する双極のツェナーダイオード３１，３２を備えている。例文帳に追加

The circuit is also equipped with bipolar Zener diodes 31, 32 for connecting the connection part C4 of the inductances 24, 25 to the connection part C5 of the inductances 27, 28. - 特許庁

そのため、スイッチング素子２のオン時間が広がっても、スイッチング素子２の両端間電圧は常にツェナーダイオード21の動作電圧でクランプされる。例文帳に追加

The voltage across the switching element 2 is thereby clamped at the operating voltage of the Zener diode 21, even if the one interval of the switching element 2 is widened. - 特許庁

各信号入力ライン２１乃至２４によって入力された音声信号は、抵抗Ｒ１とツェナーダイオード１６を有する単一のバイアス回路４１によって所定のバイアス電圧がかけられる。例文帳に追加

Voice signals inputted via individual signal input lines 21-24 are applied with a predetermined bias voltage by a single bias circuit 41 having a resistor R1 and a Zener diode 16. - 特許庁

第１及び第２のツェナーダイオード群４，６によって、ＳｉＣ−ＪＦＥＴ２にかかるサージ電圧をクランプしたり、サージエネルギを放出したりすることができる。例文帳に追加

The first and second zener diodes 4, 6 can clamp the surge voltage to the SiC-JFET 2 or discharge surge energy. - 特許庁

ＷＰＭによって与えられる位相シフトを示すモニタ光を作り出すために導波路型モニタリング構造がマッハツェンダ型干渉計を形成するようにＷＰＭと並列で光学的に結合される。例文帳に追加

A waveguide monitoring structure is optically coupled in parallel with the WPM so as to form a Mach-Zehnder interferometer therewith for generating monitor light that indicates a phase shift imparted by the WPM. - 特許庁

ＤＡコンバータとツェナーザップ等を用い、ザッピング前でも、ＩＣの特性をほぼ設計値に合わせることができる集積回路調整装置を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit adjusting device which can adjust the characteristic of IC to a design value even before zapping through the use of a DA converter, a Zener zap and the like. - 特許庁

非対称マッハ・ツェンダー干渉計（ＭＺＩ）は、低いリプルを有するより広範な通過帯域を提供するために、小型低損失アレイ導波路格子（ＡＷＧ）に結合された低減駆動電圧を有する。例文帳に追加

The asymmetric Mach-Zehnder interferometer (MZI) has a reduced drive voltage coupled to a compact low-loss arrayed waveguide grating (AWG) to provide a broader passband with low ripple. - 特許庁

半導体素子形成領域、抵抗素子形成領域等を含む半導体基板の上に第１の絶縁膜を介して多結晶シリコンから成るツェナーザップダイオード半導体層１３を設ける。例文帳に追加

A zenerzap diode semiconductor layer 13 formed of polycrystalline silicon is installed on the semiconductor substrate including a semiconductor element forming region and a resistance element forming region through a first insulating film. - 特許庁

ＤＡコンバータ１０の最上位ビットＭＳＢの入力端子Ｔ５には、インバータとしてのトランジスタＱ１やツェナーザップＺ５Ｘ等を接続する。例文帳に追加

A transistor Q1 as an inverter and the Zener zap Z5X are connected to the input terminal T5 is the highest bit MSB of the DA converter 10. - 特許庁

容易にプロラミン蛋白を高度に純化し、脱色度を高め、経済的にみてもツェインの安定生産が可能な、プロラミン蛋白の分離方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for the separation of prolamin proteins to easily purify the prolamin proteins in high purity, increase the decoloration degree and enable the stable economical production of zein. - 特許庁

このツェナーザップダイオード半導体層１３にＮ^＋型半導体領域２１とこれを包囲するＰ型半導体領域２２及びＰ^＋型半導体領域２３を設ける。例文帳に追加

An n^+ type semiconductor region 21, and a p-type semiconductor region 22 and a p^+ type semiconductor region 23 around the region 21 are arranged on the Zener zap diode semiconductor layer 13. - 特許庁

ダイオードＤ１，Ｄ２は、逆電流防止用であり、そのうちダイオードＤ２は、第２電線線５２からダイオードＤ１、抵抗Ｒ３及びツェナダイオードＺＤを通って電流が漏れることを防止する。例文帳に追加

Diodes D1, D2 are used for reverse current prevention, and the diode 2 of the two diodes prevents a current from leaking through the diode D1, the resistor R3, and a Zener diode ZD from the second power supply line 52. - 特許庁

そして、閾値を超えると判断される場合、スイッチング素子５６をオンすることで、パワースイッチング素子Ｓのゲートの電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に制限する。例文帳に追加

When it is determined that the threshold is exceeded, a switching element 56 is turned on to limit the gate voltage of the power switching element S almost to the breakdown voltage of a Zener diode 58. - 特許庁

第１のマッハツェンダ干渉計Ｍ１は、第１の光カプラＣ１と、第１及び第２の光導波路ｗ１，ｗ２と、第２の光カプラＣ２とを有する。例文帳に追加

The 1st Mach Zehnder interferometer M1 has a 1st optical coupler C1, a 1st optical waveguide w1 and a 2nd optical waveguide w2, and a 2nd optical coupler C2. - 特許庁

ＡＷＧ２０の各入力導波路２１，２２は、ＡＷＧ２０の光周波数スペーシングと同じ自由スペクトル領域を有するマッハツェンダー干渉計で構成されている。例文帳に追加

The input wave guide paths 21, 22 of the AWG20 are composed of Mach-zehnder interferometers having the same frequency spacing as the AWG20. - 特許庁

さらに別の動作モードでは、インタフェース回路１１２のツェナーダイオード１１８がブラウンアウトおよびブラックアウト状態の間に電源１０を制御する。例文帳に追加

In still another operating mode, a Zener diode 118 of the interfacing circuit 112 controls the power source 10 between brown-out state and black-out state. - 特許庁

ツェナーダイオードＺＤ２は、ＭＯＳトランジスタＮ２がオフのときに、ＭＯＳトランジスタＮ２のドレインとソースとの間の電圧を所定値にクランプする。例文帳に追加

When the MOS transistor N2 is in an off-state, the zener diode ZD2 clamps the voltage between the drain and the source of the MOS transistor N2 at a predetermined value. - 特許庁

ツェナーダイオード１５のアノード側の電位を調整し、メモリセルアレイ２３にかかる高電圧を調整するための電圧補正データがメモリセルアレイ２３に書き込まれている。例文帳に追加

Voltage correction data for adjusting a potential of a Zener diode 15 on the anode side and adjusting high voltage applied to the memory cell array 23 are written into the memory cell array 23. - 特許庁

経時変化によりモニタ用素子による順方向電圧値が上昇してコンバータ出力値が過剰になるのを防止するためにツェナーダイオードＺＲ，ＺＧ，ＺＢにより出力リミッタが構成されている。例文帳に追加

In order to prevent that the forward voltage value by the monitor element increases with aging and a converter output value becomes excessive, the output limiter is configured by Zener diodes ZR, ZG and ZB. - 特許庁

また、平面でｐ^＋＋型半導体領域１２を取り囲み、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２とによるツェナー接合よりも深い溝部１７を形成する。例文帳に追加

Groove parts 17 surrounding the p^++ type semiconductor regions 12 and deeper than the zener junction by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor region 12 are formed. - 特許庁

ウエハテストの工程では、結線導通手段３０であるツェナーダイオード２９がメタル抵抗２６とコンパレータ２７の入力側との結線を遮断する。例文帳に追加

In a wafer test step, a Zener diode 29 as a connection conducing means 30 shields the connection between the metal resistor 26 and an input side of the comparator 27. - 特許庁

半導体装置この発明は、一つの半導体基板に複数の回路部を備え、それぞれ個別に静電放電（ＥＳＤ：ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅ）などのサージ電圧保護用の縦型ツェナーダイオードを備え、特に車載用に用いられる半導体装置に関する。例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH PLURAL CIRCUIT PARTS ON ONE SEMICONDUCTOR BOARD AND PROVIDED WITH VERTICAL ZENER DIODE FOR PROTECTING SURGE VOLTAGE FROM ESD (ELECTROSTATIC DISCHARGE) RESPECTIVELY INDIVIDUALLY, AND FOR USE PARTICULARLY IN VEHICLE - 特許庁

このように、点火コイルで検出用高電圧を発生することから、高価なコンデンサやツェナーダイオードを備える必要がないため、低コストで耐久信頼性の高いイオン電流検出装置を構成することができる。例文帳に追加

Thus, the high voltage for detection is generated in an ignition coil and therefore expensive capacitor and Zener diode are not required, so that the inexpensive ion current detecting device with high durability and reliability can be formed. - 特許庁

超音波センサＳの端子１０１，１０１間に逆直列接続された一対のツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２によって圧電素子１０４を過電圧から保護することができる。例文帳に追加

A pair of zener diodes ZD1 and ZD2 is anti-serially connected between terminals 101, 101 of an ultrasonic sensor S so that a piezoelectric element 104 can be protected from an overvoltage. - 特許庁

前記ツェナーダイオードによるリミッタ値は異なるレベルに設定され、経時変化によりリミッタ動作が実行されても、カラーバランスの大きな崩れを防止させるように構成される。例文帳に追加

Limiter values of the Zener diodes are set in different levels and even if the limiter operation is performed by aging, great loss of the color balance is prevented. - 特許庁

外部端子とＧＮＤとの間にツェナーダイオードが配置されてなる半導体装置であって、小型でノイズ（注入）耐量が高く、安価な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a small and low-cost semiconductor device with a large noise (injection) resistance wherein Zener diodes are inserted between external terminals and GND. - 特許庁

レーザ光源１０からのレーザ光Ｌoutを、マッハ・ツェンダ干渉計に準ずる構成の干渉計において、２つの光路ＯＰ１，ＯＰ２に分離する。例文帳に追加

A laser beam Lout from a laser light source 10 is split into two light paths OP1 and OP2 in an interferometer, having a constitution according to Mach-Zehnder interferometer. - 特許庁

パワーＭＯＳＦＥＴ５２のドレイン端子とゲート端子との間にツェナーダイオード群５５が接続され、ドレイン端子からのサージ電圧の印加によりブレークダウンする。例文帳に追加

Zener diode group 55 are connected between the drain terminal and the gate terminal of a power MOSFET 52, which is broken down by the applied surge voltage from the drain terminal. - 特許庁

そして、第１の抵抗Ｒ１とツェナーダイオードＺ１との並列回路と、第２の抵抗Ｒ２とヒューズＦ１との並列回路とは直列接続されている。例文帳に追加

A parallel circuit of the first resistor R1 and the Zener diode Z1 is connected in series with a parallel circuit of the second resistor R2 and the fuse F1. - 特許庁

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。例文帳に追加

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6. - 特許庁

前記ノコギリヤシ抽出物とプロラミン系タンパク質との混合質量比（ノコギリヤシ抽出物：プロラミン系タンパク質）が１０：５〜１０：３０である態様、該プロラミン系タンパク質が、ツェインである態様、などが好ましい。例文帳に追加

Desirable embodiments include one wherein the saw palmetto extract/prolamin protein mass ratio (saw palmetto extract:prolamin protein) is 10:5 to 10:30, and one wherein the prolamin protein is zein. - 特許庁

クランプリセット回路は、第１の電力コンバータの磁化エネルギと第２の電力コンバータの電圧とを低下させるように設けられたツェナーダイオードおよびレジスタを含み得る。例文帳に追加

The clamp reset circuit can include a Zener diode and a resistor that are provided to reduce the magnetizing energy of the first power converter and a voltage through the second power converter. - 特許庁

抵抗１および２の間に、演算増幅回路４の一方の入力端子が接続され、その他方の入力端子はツェナーダイオード（定電圧ダイオード）３のカソードが接続される。例文帳に追加

Between the resistors 1 and 2, one input terminal of an operational amplifier circuit 4 is connected, and to the other input terminal the cathode of a Zener diode (constant-voltage diode) 3 is connected. - 特許庁

同一半導体基板１上にて光λ１が導波する方向に半導体光増幅器５０とマッハツェンダ変調器６０とが集積されている。例文帳に追加

A semiconductor optical amplifier 50 and a Mach-Zehnder modulator 60 are integrated in the direction of guiding light λ1 on one and the same semiconductor substrate 1. - 特許庁

この電圧クランプ回路は、自転車用ダイナモによって発電される電圧をクランプして負荷に供給するための回路であって、電力用のトランジスタ回路TR1とツェナーダイオードDZ1とを備えている。例文帳に追加

This voltage clamping circuit is a circuit which clamps a voltage generated by a bicycle dynamo and supplies the voltage to a load and has a transistor circuit TR1 for a power and a Zener diode DZ1. - 特許庁

ツェナーダイオードを用いることなく基準抵抗との合成抵抗値の増減が可能なトリミング回路及び半導体装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a trimming circuit capable of increasing/decreasing a combined resistance value with reference resistance without using a Zener diode, and to provide a semiconductor device. - 特許庁

ツェナーダイオードの配設領域に於ける絶縁膜１０３は、同ダイオードを構成する各半導体領域の延在方向Ｄ１に順次に配列した複数の溝部１０８を有する。例文帳に追加

An insulating film 103 in the arrangement region of the Zener diode has a plurality of groove sections 108 successively aligned in the extension direction D1 of each semiconductor region composing the diode. - 特許庁

半導体基板にトレンチ２２で囲んだ領域を設け、キャパシタ２３とトランジスタを用いたツェナーダイオード２４を一体に設ける構成とする。例文帳に追加

An area surrounded by a trench 22 is provided over a semiconductor substrate and zener diode 24 using a capacitor 23 and a transistor is also provided integrally. - 特許庁

制御部３３０は、第１ダイオード３３１ａ、３３１ｂ、３３１ｃと、第２ダイオード３３２ａ、３３２ｂ、３３２ｃで整流した直流電圧をツェナーダイオード３３３で電圧をＶlim以下に制限する。例文帳に追加

The control section 330 limits DC voltages rectified by first diodes 331a, 331b, 331c and second diodes 332a, 332b, 332c to Vlim or lower with a Zener diode 333. - 特許庁

ツェナーダイオード４４の降伏電流がトランジスタ４８を介してアースに流れるため、トランジスタ４８への印加電圧は所定以下になる。例文帳に追加

Since a yield current of the diode 44 flows to an earth through the transistor 48, a voltage applied to the transistor 48 becomes a predetermined value or less. - 特許庁

このため、ツェナーダイオード２６のインピーダンス（抵抗）が極端に大きくなり、トランジスタ２２のエミッタ・ベース間を流れる電流Ａ１が急激に減少する。例文帳に追加

Therefore, the impedance (resistance) of the Zener diode 26 becomes extremely large, and the current A1 flowing between the emitter and the base of the transistor 22 decreases rapidly. - 特許庁

両端が光合分波器１１００に接続されたループ導波路１２００の中央位置からずれた位置に、マッハ・ツェンダ干渉計型波長変換素子１３００を介装して、サニャック型波長変換装置を構成する。例文帳に追加

A Mach-Zehnder interferometer type wavelength converting element 1300 is interposed off the center position of a looped waveguide 1200 having both its ends connected to an optical multiplexer demultiplexer 1100 to constitute a Sagnac type wavelength converting device. - 特許庁

位相変調器１０２がＮＲＺＩ符号の駆動信号６により光１を駆動し、ＮＲＺＩ符号の光信号７を生成して、マッハツェンダー干渉計１０３に入力する。例文帳に追加

The phase modulator 102 drives light 1 with a driving signal 6 of NRZI code to generate a light signal 7 of NRZI code and inputs it to the Mach- Zehnder interferometer 103. - 特許庁

ツェナーダイオードＺＤ１は、ＭＯＳトランジスタＮ２がオフからオンになるときに、レベルシフト部５の出力電圧ＬＯを所定値にクランプする。例文帳に追加

When the MOS transistor N2 is turned on from an off-state, the zener diode ZD1 clamps the output voltage LO of the level shift part 5 at a predetermined value. - 特許庁

本発明は，基本的には，メインマッハツェンダー（ＭＺ）型導波路（８）の分岐部（５）及び合波部（６）に方向性結合器を用いる光変調器に関する。例文帳に追加

The optical modulator uses directional couplers at a branch part (5) and a multiplexing part (6) of a main Mach-Zehnder (MZ) type waveguide (8). - 特許庁