「ツェ」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

マッハツェンダー導波路を構成する２つの光路３Ａ、３Ｂに、それぞれの光路の対応する部分が互いに逆向きの自発分極となるようにして分極反転構造１，２を作製する。例文帳に追加

Polarization reversing structures 1 and 2 are so manufactured that the parts which correspond to respective optical paths have a self-generative polarization reversed to each other on two optical paths 3A and 3B constituting a Mach-Zehnder waveguide. - 特許庁

出力端子からツェナーダイオードを通してレベルシフト回路へ負荷電流が流れる経路を遮断して、出力端子を完全にハイインピーダンスにする出力回路を提供する。例文帳に追加

To provide an output circuit in which an output terminal is brought into a high impedance state completely by shutting a load current flowing from the output terminal through a Zener diode to a level shift circuit. - 特許庁

ｐｎ接合面積を大きくして耐量を大きくすると共に、ｎ形の製造ラインでも容易に製造することができる構造のアノードコモンツェナーダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide an anode common Zener diode in which a pn-junction area is enlarged, the degree of proof is increased and which can easily be manufactured even by an n-type manufacture line. - 特許庁

マイクロコンピュータ５のＡ／Ｄコンバート部の入力部５ｂに、ツェナダイオード３で設定される定電圧が与えられ、リファレンス電圧入力部５ａに電池２の電圧が与えられる。例文帳に追加

To the input part 5b in the A/D converter in a microcomputer 5, a constant voltage set by a Zener diode 3 is given and to a reference voltage input part 5a, the voltage of battery is given. - 特許庁

電源ラインＢ上のノードＮＤ２と電源ラインＧＮＤ上のノードＮＤ５との間に、ツェナーダイオード７及び通電素子２０が設けられる。例文帳に追加

The Zener diode 7 and the energizing element 20 are provided between the node ND2 on the power-supply line B and a node ND5 on the power-supply line GND. - 特許庁

雑音発生用ツェナーダイオードの選別方法であって、合否判定の所要時間を短縮でき、判定基準の一元化と客観化が可能なものを提供する。例文帳に追加

To provide a method for sorting a zener diode for generating noise that can reduce required time for acceptance determination and which can unify and objectify criteria. - 特許庁

駆動回路Ｄでは、バッテリＢの直流電圧に基づき、ツェナーダイオード５０の定電圧作用のもと、交差コイル２３及びカレントミラー回路６０のトランジスタ６１を通り電流が流れる。例文帳に追加

In a driving circuit D, a current flows through the cross coil 23 and a transistor 61 in a current mirror circuit 60 under the constant-voltage action of a Zener diode 50 based on a direct-current voltage of a battery B. - 特許庁

これにより、イグニションコイル２が外れた場合でも、固定抵抗器３０を介して接続されたＧＮＤ４０を基準として、コンデンサ４の充電電圧をツェナーダイオード３１にて検出することができる。例文帳に追加

Thereby, the charged voltage of condenser 4 can be detected by a Zener diode 31 based on GND 40 which is connected through the fixed resistor 30 even when the ignition coil 2 is detached. - 特許庁

光合波器として機能する光回路１０は、基板１６に設けられ、同様の構造を有する第１〜第３のマッハツェンダ干渉計Ｍ１〜Ｍ３を備える。例文帳に追加

The optical circuit 10 functioning as the optical multiplexer is provided to a substrate 16 and is equipped with a 1st Mach Zehnder interferometer M1, a 2nd Mach Zehnder interferometer M2, and a 3rd Mach Zehnder interferometer M3 which have similar structures. - 特許庁

トランジスタＭ４のドレイン電流は、定電流源１３の定電流Ｉ３と、ツェナーダイオードＺＤの逆方向電流Ｉ４との加算値である。例文帳に追加

The drain current of the transistor M4 is a value obtained by adding a constant current I3 of a constant current source 13 to a backward current I4 of a Zener diode ZD. - 特許庁

受信装置１０２では非対称マッハツェンダー干渉計１０７と光パルスの到着時間を分析する光学系１０８とを並列に用意することにより、位相変調器を用いずに各状態を識別できる。例文帳に追加

The receiving device 102 includes, in parallel, an asymmetric Mach-Zehnder interferometer 107 and an optical system 108 for analyzing the arrival time of an optical pulse to discriminate respective states, without having to use the phase modulators. - 特許庁

偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a Mach-Zehnder modulator, which is capable of avoiding formation of a false mask and exposure of a clad layer from a contact layer. - 特許庁

電圧源ＶＢからダイオードＤ１０を通して端子Ｐ１に電圧を与え、各ツェナーザップダイオードＺ１，Ｚ２，Ｚ３に電流源であるトランジスタＱ４，Ｑ６，Ｑ８のコレクタ電流を流す。例文帳に追加

A voltage is applied from a voltage source VB through a diode D10 to a terminal P1, and the collector currents of transistors Q4, Q6 and Q8 serving as current sources are supplied to Zener Zap diodes Z1, Z2 and Z3. - 特許庁

イオン電流検出回路において、コンデンサ１７と直列に積分抵抗２１を設け、ツェナーダイオード１５に対してコンデンサ１７と積分抵抗２１との直列回路を並列に接続する。例文帳に追加

An ion current detecting circuit is provided with an integrating resistor 21 so as to be in series with a capacitor 17, wherein a series circuit of the capacitor 17 and the integrating resistor 21 is connected in parallel to a Zener diode 15. - 特許庁

制限基板40のコネクタ101に、それぞれのリード線39の電圧を本体制御基板38の電圧より小さい所定値以下に制限するツェナダイオードZDを設ける。例文帳に追加

The connector 101 of the control board 40 is provided with a zener diode ZD for limiting the voltage of the respective lead wires 39 to a prescribed value smaller than the voltage of the main body control board 38 or below. - 特許庁

広い範囲の過大電圧の印加にも対応して電子デバイスを保護することができ、かつツェナーダイオードの過熱や破壊が生じることがなく、しかも回路構成が極めて簡易である電子デバイス保護回路を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device protective circuit which is capable of protecting an electronic device to meet application of overvoltage in wide area, and eliminating overheat or breakdown of a Zener diode, and has a very simple circuitry. - 特許庁

光フィルタ１は、第１光入出力端１０１と第２光入出力端１０２との間に３つのマッハツェンダ干渉計１４１〜１４３が縦続接続されている。例文帳に追加

The optical filter 1 is provided with three Mach-Zehnder interferometers 141-143 cascaded between a 1st optical input/output terminal 101 and a 2nd optical input/output terminal 102. - 特許庁

最終段のトランジスタＱ６のコレクタとその前段のトランジスタＱ４のコレクタを接続するグランドラインには、トランジスタＱ６のコレクタ側をカソードとする極性でツェナーダイオードＤＺ１が接続されている。例文帳に追加

To a ground line connecting a collector of the last stage transistor Q6 and a collector of a stage before transistor Q4, a Zener diode DZ1 is connected by the polarity with a collector side of the transistor Q6 serving as a cathode. - 特許庁

電解効果トランジスタＱを用いた駆動回路において、電解効果トランジスタＱのゲートＧとソースＳとの間にツェナーダイオードＺＤ１１、ＺＤ１２〜ＺＤｎ１、ＺＤｎ２を複数並列に設ける。例文帳に追加

In the drive circuit using a field effect transistor Q, a plurality of Zener diodes ZD11, ZD12-ZDn1, and ZDn2 are provided in parallel between the gate G and the source S of the field effect transistor Q. - 特許庁

既存のデュオバイナリー光送信機の短所を除去し、パターン長さ及びマッハツェンダー変調器のバイアス位置による依存性問題を解決する。例文帳に追加

To solve a problem of dependency caused by a pattern length and a bias position of a Mach-Zhender modulator by removing defect of existing duobinary optical transmitters. - 特許庁

チップ２内にＬＤＭＯＳＦＥＴ１１が形成されるとともに、ゲート電圧昇圧用ツェナーダイオード群１３がチップ２内において一端をＬＤＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子に接続した状態で形成されている。例文帳に追加

In a chip 2, an LDMOSFET 11 is formed, and a Zener diode group 13 for boosting a gate voltage is formed in a state in which one end is connected with a gate terminal of the LDMOSFET 11. - 特許庁

対称マッハツェンダ干渉計回路（対称ＭＺＩ）と非対称ＭＺＩでなる光路長差設定回路とを交互に多段縦列接続したラティス型光フィルタにおける、集積度を高める。例文帳に追加

To heighten the degree of integration in a lattice type optical filter formed by alternately longitudinally connecting symmetrical Mach Zehnder interferometer circuits (symmetrical MZIs) and optical path length difference setting circuits of asymmetrical MZIs in a multistage shape. - 特許庁

入力電源（Ｖｉｎ）をＴＲ１のドレイン（Ｄ）に入力し、そのソース（Ｓ）から出力電源（Ｖｏｕｔ）として出力され、ＴＲ１のゲート（Ｇ）とグラウンド（ＧＮＤ）との間にツェナーダイオード（Ｄ１）が配置されている。例文帳に追加

Input power (Vin) is inputted to the drain of a TR1 and output power (Vout) is outputted from its source (S), and a Zener diode (D1) is arranged between the gate (G) of the TR1 and the ground (GND). - 特許庁

マッハ−ツェンダー型の干渉光学系における１対の分岐光導波路７Ａ，７Ｂの少なくとも一方に、その分岐光導波路を伝搬する光波信号を変調するリング共振型位相シフタを設ける。例文帳に追加

A ring resonator type phase shifter to modulate an optical wave signal transmitted by a branching optical waveguide is mounted on at least one of a pair of the branching optical waveguides 7A, 7B in a Mach-Zehnder type interference optical system. - 特許庁

また、ＬＥＤチップ３の電極３３（ＬＥＤチップ３のアノード）は、ワイヤ５により半導体素子４の電極４２（ツェナーダイオードのカソード及び抵抗素子の一端）に接続してある。例文帳に追加

Further, an electrode 33 of the LED chip 3 (an anode of the LED chip 3) is connected to an electrode 42 of the semiconductor element 4 (a cathode of the zener diode and one end of a resistive element) by the wire 5. - 特許庁

ツェナーダイオード１１の選別と逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｇ）の選定とによる簡便な手段で高い周波数帯域での良好な周波数変化をもつ白色雑音信号１１ａを得ることができる。例文帳に追加

Thus, the white noise signal 11a, having satisfactory frequency change in the high frequency band, can be obtained with a simple means with the selection of the Zener diode 11 and the selection of the reverse bias voltage Vb(G). - 特許庁

ツェナーダイオード９は、ゲート配線１４とソース配線１３との間に接続され、そのゲート配線−ソース間において交互に並ぶＮ^＋型領域１０およびＰ型領域１１を有している。例文帳に追加

The zener diode 9 has an N^+-type region 10 and a P-type region 11 that are connected between a gate interconnection 14 and a source interconnection 13 and are arranged alternately between the gate interconnection and the source interconnection. - 特許庁

複数のマッハツェンダー型導波路を入れ子構造に組み合わせた光変調器における合波部に合流する出力信号強度を適正に調整し、信号出力を容易に安定化する。例文帳に追加

To facilitate stabilizing a signal output by suitably adjusting intensities of output signals entering a multiplexer of an light modulator having a plurality of Mach-Zehnder type waveguides combined into a nesting structure. - 特許庁

サージが印加されたときのツェナーダイオード群の動作抵抗を低減させ、かつ、ブレークダウン時のコーナー部における外周耐圧部の電流密度を低減させることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can reduce the operation resistance of a Zener diode group when a surge is applied and also reduce the current density of an outer circumferential dielectric strength part of a corner part in case of a breakdown. - 特許庁

漏電保護プラグの動作確認用テスト回路７のテストスイッチ７ａと並列に、所定電圧より高圧の過電圧が印加されると導通するツェナーダイオードなどの素子を擬似漏電回路８として接続する。例文帳に追加

Elements such as a Zener diode that conducts when a voltage higher than a predetermined is applied are connected in parallel with a test switch 7a of an operation confirmation test circuit 7 of the leakage protection plug as a pseudo earth leakage circuit 8. - 特許庁

平滑用チョークコイル４の二次巻線４ｂは、一端が共通電位に接続され、他端がツェナーダイオード７を介して第２のＦＥＴ５のゲートに接続されている。例文帳に追加

The secondary coil 4b of the smoothing choke coil 4 is connected to the common potential at one end and the gate of the second FET 5 via a zener diode 7 at the other end. - 特許庁

１個の絶縁用ホトカプラ４にＣＲフィルタ部２、ツェナーダイオード３を介して複数の時分割用ホトカプラＰＣ１〜ＰＣ４を並列接続する。例文帳に追加

A plurality of time division photocouplers PC1 to PC4 are connected, in parallel with the insulating photocoupler 4 via a CR filter 2 and a Zener diode 3. - 特許庁

また、コーナー部Ｂ２では、最内周側のフィールドプレート１７ａとその隣のフィールドプレート１７ｂとがツェナーダイオード群１８ａを介さずに電気的に接続されている構造とする。例文帳に追加

At a corner B2, the field plate 17a on the innermost circumference side and a field plate 17b next to it are electrically connected to each other not through the Zener diode group 18a. - 特許庁

定電圧ユニット２５、２６のツェナーダイオード２９、３５の素子サイズおよび定電流回路３０、３２の出力電流値は、トランジスタ８が必要とするベース電流に対応させて互いに異なっている。例文帳に追加

Element sizes of Zener diodes 29, 35 of constant voltage units 25, 26 and output current values of the constant current circuits 30, 32 are different from each other corresponding to a base current required by a transistor 8. - 特許庁

上記式をツェルニケの多項式に代入することで、形状可変ミラー１４ａのミラーの形状は一次関数として近似され簡易な計算により算出することができる。例文帳に追加

By substituting this equation in the Zernike polynomial, the shape of the mirror of the deformable mirror 14a can be approximated as a linear function and can be calculated by simple calculation. - 特許庁

表面酸化膜下の界面近傍で発生する降伏を防ぎ、ツェナー降伏によるブレークダウン電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a bipolar transistor which prevents breakdowns in the vicinity of an interface under a surface oxide film and prevents breakdown voltage fluctuations in time which is attributable to Zener breakdown. - 特許庁

ツェナー基板のアース取りとドラムシャフトの回り止め及び抜け止めを１部品で行うことによって部品点数の削減と構造単純化を図ることができるドラムユニットを提供すること。例文帳に追加

To provide a drum unit which is capable of making the number of parts smaller and simplifying structure by performing grounding of a Zener substrate and rotation stopping and coming-off stopping of a drum shaft by one part. - 特許庁

また、ツェナーダイオードＺＤ１１１は、開閉スイッチと直列に接続され、電子スイッチ１が閉塞状態において発生する残電圧の電圧値と、酷似した電圧値の電圧を発生する。例文帳に追加

A Zener diode ZD111 is serially connected to the opening and closing switch and generates voltage of a value very similar to a voltage value of residual voltage generated when an electronic switch 1 is closed. - 特許庁

PLC型可変分散補償器１０Ａは、平面光波回路１１上の多段接続したマッハツェンダー干渉計（MZI）２１〜２５と、各MZI間に接続された可変カプラ３１〜３４とを備える。例文帳に追加

The PLC type variable dispersion compensator 10A comprises: the Mach-Zehnder Interferometers (MZI) 21-25 cascaded on a planar lightwave circuit; and variable couplers 31-34 connected to between each MZIs respectively. - 特許庁

ツェナーダイオードを用いずにフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮される発光ダイオードを提供すること。例文帳に追加

To provide a light-emitting diode(LED) that is constituted to make the light-emitting element exhibit its characteristics fully by forming a flip-chip structure, without using Zener diodes. - 特許庁

第１（第２）のツェナーダイオードの陽極（陰極）は制御回路の出力に接続し、陰極（陽極）は、制御回路の正の入力端子Ｕｄｃ＋（負の入力端子Ｕｄｃ−）に接続される。例文帳に追加

The anode (cathode) of the 1st (2nd) Zener diode is connected to the output of the gate drive circuit, and its cathode (anode) is connected to the positive input terminal Udc+ (negative input terminal Udc-) of the control circuit. - 特許庁

ソース領域とドレイン領域はその表面にシリサイド層３６を有し、ツェナダイオード２２０のＮ型不純物拡散層５４の表面には保護層５２を有している。例文帳に追加

The source region and the drain region have silicide layers 36 on their surfaces, and this semiconductor device has a protective layer 52 on the surface of the n-type impurity diffused layer 54 of the Zener diode 220. - 特許庁

入力電流Ｉ_inを検出するためシャント抵抗１０２として、基準値ＲＥＦを生成するために用いられるツェナーダイオード１０７の温度特性と同じか又は近い温度特性を持つものを用いる。例文帳に追加

As a shunt resistor 102 in order to detect the input current I_in, the resistor having the same temperature characteristic or nearly the same temperature characteristic as that of a Zener diode 107 used for generation of a reference value REF, is used. - 特許庁

しかも、メインファン４１０及びＰＳファン４３０にはツェナーダイオード５１５または５３５を介して電圧が印加されるので、最高でも２４Ｖの電圧しか加わらない。例文帳に追加

Furthermore, because the voltage is supplied to the main fan 410 and the PS fan 430 via a Zener diode 515 or 535, only the voltage of 24 V at the maximum that is added. - 特許庁

多段構成とする光回路はマッハ・ツェンダ干渉計型光回路１１１以外に、他の光回路あるいはこれらの組み合わせでも可能である。例文帳に追加

The optical circuit of multi-stage configuration may comprise other optical circuits as well as the Mach-Zehnder interferometer type optical circuit 111, or may comprise a combination of them. - 特許庁