「プラズマ周波数」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

広いＲＦ周波数領域で、かつ広いＲＦパワー領域でプラズマプロセスの面内均一性を向上させること。例文帳に追加

To enhance in-plane uniformity of a plasma process in a wide RF frequency area and also in a wide RF power area. - 特許庁

この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。例文帳に追加

Combination of the frequency of a high frequency power supply (36) for plasma generation and the specific dielectric constant of a dielectric member (30) is designed to satisfy this condition. - 特許庁

プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。例文帳に追加

High-frequency electric power of predetermined frequency, and power may be supplied to a stage 2 from a high-frequency power source 44 during plasma oxidation. - 特許庁

光熱写真画像形成材料、高周波数プラズマ気相成長薄膜の塗設方法及び画像記録方法例文帳に追加

PHOTOTHERMAL PHOTOGRAPHIC IMAGE FORMING MATERIAL, COATING METHOD FOR HIGH FREQUENCY PLASMA VAPOR GROWTH FILM AND IMAGE RECORDING METHOD - 特許庁

周波数の高いマイクロ波帯でも使用可能なプラズマ耐食部材を提供し、その製造方法をも提供すること。例文帳に追加

To obtain a plasma corrosion-resistant member usable even in a microwave band at a high frequency and to provide a method for producing the member. - 特許庁

プラズマ源に印加する高周波電力の高周波数化を行っても、処理の均一性を確保し、またノイズによる誤作動を防止する。例文帳に追加

To secure uniformity in treatment even if the frequency of high-frequency power to be applied to a plasma source is increased, and to prevent malfunction due to noise. - 特許庁

高周波電力はパルス発生器２のパルス周波数に同期してオン／オフさせて、プラズマ発光を変化させる。例文帳に追加

The high frequency power is turned on/off in synchronism with the pulse frequency of a pulse generator 2 thus varying plasma light emission. - 特許庁

放電を安定化する十分な高周波数のパルス列の支援による共面型プラズマディスプレイパネルの駆動方法例文帳に追加

METHOD OF DRIVING COPLANAR-TYPE PLASMA DISPLAY PANEL WITH AID OF PULSE TRAIN OF FREQUENCY HIGH ENOUGH TO STABILIZE DISCHARGE - 特許庁

常圧プラズマ処理において、電力効率と安定性を確保可能な給電周波数の範囲の汎用的な設定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a general-purpose setting method of the range of a supply current frequency, enabling securing electric power efficiency and stability in normal pressure plasma processing. - 特許庁

周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。例文帳に追加

High-frequency power with different frequencies is supplied to generate glow discharge plasma and to form a thin film of a semiconductor or insulator. - 特許庁

また、プラズマアークにパルス状の溶接電流を通電し、このパルス状の溶接電流の周波数を１００Ｈｚ以上に設定する。例文帳に追加

In addition, a pulsed welding current is energized to the plasma arc to set the frequency of this pulsed welding current at 100 Hz or higher. - 特許庁

プラズマ表示パネルにおいて、各サブフィールドにおける画面負荷率によって維持放電パルスの周波数を異ならせて設定する。例文帳に追加

A frequency of a sustain pulse varies according to a screen load ratio in each subfield. - 特許庁

水晶振動子表面上にプラズマ発生させながらその共振周波数を測定する周波数調整装置において、プラズマ発生に起因する耐圧を超えるスパイクノイズが発振回路に入り込むのを効果的に抑制する。例文帳に追加

To provide a frequency adjustment apparatus for measuring a resonance frequency of a crystal resonator while generating a plasma on the surface of the crystal resonator, the apparatus that can effectively suppress intrusion of a spike noise in excess of a withstanding voltage of an electronic member used in oscillation circuit caused by the produced plasma into the oscillation circuit. - 特許庁

生成するプラズマは被検査物表面に１本あるいは複数の線状のレーザープラズマを生成させて指向性の良い、決められた周波数帯を持った電磁波を放射させることが出来る。例文帳に追加

The electromagnetic waves with good directivity and a defined frequency band can be irradiated by generating one or a plurality of linear laser plasma on the inspection object surface. - 特許庁

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。例文帳に追加

Consequently, electron density n_e and electron temperature T_e of the plasma can be calculated from resonance frequency dependency of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma. - 特許庁

圧電素子の近傍で高密度の補助的なプラズマを発生させ、圧電素子から見たプラズマ・インピーダンスを低下させ、エッチング電流を増加させて調整速度を向上させた圧電素子の周波数調整装置を提供する。例文帳に追加

To provide a frequency adjusting device for a piezoelectric element which is improved in adjusting speed by increasing an etching current by generating auxiliary plasma of high density nearby the piezoelectric element and decreasing plasma impedance viewed from the piezoelectric element. - 特許庁

ヘリウム（Ｈｅ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスを混合してガス供給管４１へ供給し、電源４４から所定周波数の電圧を電極４３に印加してプラズマを発生し、プラズマジェット４５を生成する。例文帳に追加

Mixture of helium (He) gas and argon (Ar) gas is supplied to a gas supply tube 41, and a voltage of a given frequency is applied from a power supply 44 on an electrode 43 to have plasma generated, thereby, plasma jet 45 is generated. - 特許庁

プラズマの生成と加速とのそれぞれで駆動周波数を最適化することで、プラズマの生成／加速の両能力の向上が図れる電磁誘導加速装置、を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic induction accelerator, capable of improving both the capabilities of the formation/acceleration of plasma by optimizing drive frequency in the formation and the acceleration of plasma. - 特許庁

プラズマ放電中に、高周波電源の出力周波数を変化させ、電圧分布の極小点を移動させ、一対の放電電極内でのプラズマ生成量を均一化させる。例文帳に追加

By moving the local minimum point of the voltage distribution through the change of the output frequency of the high-frequency power source during the plasma discharge, the plasma generation amount within a pair of discharge electrodes is made uniform. - 特許庁

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。例文帳に追加

This allows to calculate the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma from the resonance frequency dependence of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma. - 特許庁

解像度の高いプラズマディスプレイにおいて、階調数と輝度を取れるようにし、且つ、垂直周波数が高い非標準信号にも対応することができる多階調表示プラズマディスプレイの駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for driving a multi-level display plasma display, capable of enhancing the number of gray levels and its luminance and also adaptable to a nonstandard signal having a higher vertical frequency in the plasma display having high resolution. - 特許庁

さらに、プラズマ放電回路部４は、放電制御装置１００からの制御信号に応じてプラズマ電流の周波数特性を可変させるフィルタ回路４３を含んで構成される。例文帳に追加

Further, the plasma discharge circuit part 4 includes a filter circuit 43 capable of changing the frequency characteristics of the plasma current in accordance with a control signal from the discharge control device 100. - 特許庁

ハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマに対する優れた耐食性を有し、高周波印加時に周波数依存性がなく、プラズマの安定性を発現することが可能な焼結体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sintered body having excellent corrosion resistance to halogenic corrosive gases and plasmas thereof, having no dependency on the frequency in the application of high frequency, and capable of developing the stability of plasmas; and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルに用いる放電ガスのＸｅ分圧が高い場合にも，好適な維持放電パルスの周波数が放電効率を向上することのできるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma display device and a method for driving a plasma display panel with which the frequency of excellent sustain discharge pulses can increase discharge efficiency even when Xe partial pressure of discharge gas used for the plasma display panel is high. - 特許庁

圧縮プラズマ３１を発生するための緩和プラズマ３２の励起用に、パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた５０ｋＨｚ〜４ＭＨｚのパルス繰り返し周波数ｆがパルス状電流用に用いられ、励起エネルギが、緩和プラズマ３２に結合される。例文帳に追加

For exciting the relaxing plasma 32 to generate the compressed plasma 31, pulse repetition frequencies f of 50 kHz to 4 MHz with pulse widths equal to the pulse repetition period are used for pulse-shaped currents and excitation energy is coupled into the relaxing plasma 32. - 特許庁

このプラズマ処理方法では、プラズマ処理に用いられるプラズマを形成する工程と、基板１１および基板ホルダ１２の少なくとも一方に、周波数が１〜１００Ｈｚの交流バイアス電圧を印加する工程とを備える。例文帳に追加

This plasma treatment method comprises a step for forming plasma used for the plasma treatment, and a step for applying an AC bias voltage of a frequency of 1 to 100 Hz to at least to either of the substrate 11 and a substrate holder 12. - 特許庁

周波数が低いので、電子に比べて質量が重いイオンも周波数に追従して動くことができ、プラズマが電極板９側に張り付く。例文帳に追加

Since the frequency is low, even an ion having a heavier mass as compared with an electron can move while following up the frequency and the plasma sticks to the electrode plate 9 side. - 特許庁

前記プラズマ４０を形成するに際し、電極３４，３６間には正弦高周波電圧を印加し、かつ、その正弦高周波電圧の周波数よりも低い周波数で電圧印加を断続させる。例文帳に追加

The method also includes applying sinusoidal high-frequency voltage between the electrodes 34 and 36, and intermittently continuing the voltage application at a lower frequency than that of the sinusoidal high-frequency voltage, when forming the plasma 40. - 特許庁

プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続される、電子ワークピースを製造するための装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for manufacturing an electronic workpiece in which first and second electrodes within a plasma chamber are respectively connected to low frequency and high frequency RF power supplies. - 特許庁

複数の整合回路網を有する多周波数整合回路網の為に適合されるプラズマリアクタ用多周波数ダイナミックダミー負荷を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma reactor multi-frequency dynamic dummy load suited for a multi-frequency matching circuit networks having a plurality of matching circuit networks. - 特許庁

映像信号の垂直走査周波数の変化に対応可能なプラズマディスプレイ装置において、垂直走査周波数が高い場合でも、表示できる階調を減少させないこと。例文帳に追加

To prevent gradation to be displayed from being reduced even when a vertical scan frequency is high with respect to a plasma display device compli ant to the change of the vertical scan frequency of a video signal. - 特許庁

サブフィールド構造により階調表示するプラズマディスプレイ装置において、ＰＦＣを装備しない電源部起因の電源リップル周波数と映像信号フィールド周波数が異なるとフリッカが発生する。例文帳に追加

To solve the problem that flicker is generated when a power supply ripple frequency caused by a power supply section without power factor correction is different from a video signal field frequency, in a plasma display apparatus which performs grayscale display by a sub-field structure. - 特許庁

このプラズマ処理装置では、バイアス制御用高周波（ＬＦ）のパワーをプロセスに応じた特性てパルス変調するだけでなく、ＬＦパワーのパルス変調に同期してその周波数（ＬＦ周波数）もパルス変調する。例文帳に追加

In the plasma processing device, the power of high frequency (LF) for bias control is pulse-modulated at a characteristics corresponding to the process, and further, in synchronization with the pulse modulation of the LF power, its frequency (LF frequency) is pulse-modulated, as well. - 特許庁

パルスの周波数はプラズマＰ中のイオンの振動周波数以下であり、パルス周期Ｔ、パルス幅ｔ、パルス高さｈはイオン入射が最適化されるよう制御部６２で制御される。例文帳に追加

The frequency of the pulse is the one equal to or below the oscillation frequency of the ions in the plasma P, the pulse cycle T, pulse width (t) and pulse height (h) are controlled at a control part 62 in such a manner that the incidence of the ions is made optimum. - 特許庁

ＲＦ駆動プラズマプロセスチャンバ内の異常状態を、可変周波数ＲＦ電源の周波数が設定した上下限外に移動したかどうかを検出することにより、検出する。例文帳に追加

To detect abnormal conditions within an RF-powered plasma process chamber, by detecting whether the frequency of a variable-frequency RF power supply has moved to the outside of established lower and upper limits. - 特許庁

高周波電源２を設けてプラズマ１８が着火した際の空洞共振器の共振周波数に一致した発振周波数を供給し、チューナー７は高周波電源２の発振周波数において高周波電源２とプラズマ１８が着火したチャンバー５との整合をとるように設定する。例文帳に追加

An oscillation frequency in conformity with the resonance frequency of the cavity resonator when the plasma 18 is ignited by installing a high frequency power supply 2, and a tuner 7 is configured to obtain consistency of the high frequency power supply 2 with the chamber 5 in which the plasma 18 is ignited at the oscillation frequency of the high frequency power supply 2. - 特許庁

本発明は、プラズマディスプレイパネルの駆動方法を改善して入力される垂直周波数に対応してサブフィールド個数及びサステインパルス周波数を可変させることによって、入力される垂直周波数の変化に関係なしに画面の輝度を一定に維持することができるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供するためのものである。例文帳に追加

To provide a plasma display apparatus and a driving method thereof that can keep the luminance of a screen constant without reference to variation in input vertical frequency by varying the number of sub-fields and a sustain pulse frequency corresponding to the input vertical frequency by improving a driving method of a plasma display panel. - 特許庁

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。例文帳に追加

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition. - 特許庁

周波数が変化する高周波電源装置を使用するプラズマ処理システムでも、保持している一部の周波数に対する校正データから生成する校正データにより、所定の周波数範囲で校正を行うことができる高周波測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high frequency measurement system that can be calibrated in a prescribed frequency range by calibration data generated from calibration data to a holding partial frequency even in a plasma treatment system using a high frequency power source device changing a frequency. - 特許庁

周波数整合器の演算処理回路には、記憶部を利用し、供給電力とプラズマの共振周波数の関係データ、および、真空チャンバーの電気的特性と電源側の発振周波数の関係データが予め記憶される。例文帳に追加

In an arithmetic processing circuit of a frequency matching unit, relationship data between supply power and a plasma resonance frequency and relationship data between the electric property of a vacuum chamber and an oscillation frequency on a power supply side are previously stored by utilizing a storage part. - 特許庁

周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器中に導入し、前記反応容器中で原料ガスを分解することにより、前記反応容器中に設置した被処理物に処理を施すプラズマ処理方法において、高周波電力のマッチング調整が安定して達成され、その結果、プラズマ処理特性の向上、プラズマ処理特性の再現性向上、更にはプラズマ処理コストの低減が可能なプラズマ処理方法、プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method enhancing plasma processing characteristics, reproducibility of the plasma processing characteristics, and reducing plasma processing cost by stably achieving matching adjustment of high frequency power in the plasma processing method for processing a workpiece set in a reaction vessel by introducing a plurality of high frequency powers having different frequencies into the reaction vessel and decomposing raw gas in the reaction vessel, and to provide a plasma processing apparatus. - 特許庁

また、プロセス終了検出装置は、プラズマ処理装置（１）に供給される高周波電力の発振周波数を検出する周波数検出手段と、検出された周波数データを解析し且つ発振周波数の変化率に基づいてプロセスの終了を判別する演算処理手段とを備えている。例文帳に追加

An apparatus for detecting the termination of the process includes a detecting means for detecting the frequency of the high-frequency power supplied to the plasma treatment apparatus 1, and an operation processing means for analyzing detected frequency data and judging the termination of the process on the basis of the rate of change of the oscillation frequency. - 特許庁

半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma reactor performing the processing of etching, ashing and CVD and the like on a semiconductor substrate and easily and mechanically adjusting a resonance frequency and impedance, when it is installed and a processing condition is changed. - 特許庁

100Ｖ〜50ｋＶのパルス電圧を印加して、周波数１ｋＰＰＳ(１ｋＨｚ)〜５００ｋＰＰＳ(５００ｋＨｚ)での高周波プラズマ放電を行わせるプラズマ化処理によって、化学物質流体の化学反応(分解または／および合成反応）を促進させる。例文帳に追加

The chemical reaction (decomposition reaction and/or synthetic reaction) of a chemical substance fluid is accelerated by plasma treatement applying a pulse voltage of 100 V-50 kV to perform high frequency plasma discharge with a frequency of 1 KPPS (1 kHz)-500 KPPS (500 kHz). - 特許庁

従来の装置よりも高いエッチングレートを得られ、エッチングによる被処理物へのダメージが少なく、ラジオ周波数帯で表面波ダウンストリーム負イオンの生成が可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ発生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus which can obtain an etching grade higher than a conventional one, where a damage of a treated matter due to etching is little, and which can produce a surface wave downstream negative ion in a radio frequency band; and to provide a plasma producing method. - 特許庁