「プラズマ曝露」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

機械的な強度が補強され、かつ低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐プラズマ性部材の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member having reinforced mechanical strength and sufficiently durable against low pressure high density plasma exposure. - 特許庁

このプラズマ６を放電空間３から被処理物９に吹き付けることによって被処理物９をプラズマ６に曝露させる。例文帳に追加

An object 9 to be processed is exposed on the plasma 6 by blowing the plasma 6 to the object 9 from the space 3. - 特許庁

低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐プラズマ性部材およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member which sufficiently withstands exposure of a low-pressure, high-density plasma, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐プラズマ性部材およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member which sufficiently withstands exposure of a low-pressure high-density plasma, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

低圧高密度プラズマ曝露に対して、十分耐える耐プラズマ性部材及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member which sufficiently withstands low-pressure, high-density plasma exposure, and to provide a production method therefor. - 特許庁

低圧高密度プラズマ曝露に対しても十分耐える耐プラズマ性部材およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member exhibiting sufficient durability to plasma when it is exposed to low pressure and high density plasma, and to provide a method of producing the same. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度が高い真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor for a vacuum-ultraviolet-excited light emitting element, having high luminance after exposed to plasma. - 特許庁

プラズマチャージ評価基板を、半導体装置の製造工程で使用されるプラズマに曝露する工程と、プラズマチャージ評価基板を調べることにより、プラズマが基板に与えるプラズマチャージ量を評価する工程とを具備する。例文帳に追加

A plasma charge evaluation method comprises a process for exposing a plasma charge evaluation substrate to plasma used in the manufacturing process of a semiconductor device; and a process for evaluating the amount of plasma charge given to the substrate by plasma, by examining the plasma charge evaluation substrate. - 特許庁

この後、酸素を含むガス６に曝露した被処理物４の表面に再びプラズマ３を供給する。例文帳に追加

Thereafter, the plasma 3 is again supplied to the surface of the workpiece 4 subjected to the exposure of the gas 6 containing oxygen. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度が高く、かつ緑色の色純度の良い真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor for a vacuum-ultraviolet-excited light emitting element, having high luminance after exposed to plasma and having good color purity regarding green. - 特許庁

当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。例文帳に追加

The method further includes a step of exposing the activated oxidized surface layer to a second process gas containing non-plasma-excited hydrogen gas. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度の低下が少ない真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent material for a vacuum-ultraviolet-excited light-emitting element, scarcely causing deterioration in luminance after exposed to plasma. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度が高い蛍光体および該蛍光体を含有してなる蛍光体ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor having high luminance after exposed to a plasma, and to provide a phosphor paste containing the phosphor. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度の低下が少ない真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent material for a vacuum-ultraviolet RAY-excited light-emitting element, which is reduced in the lowering of the luminance after the exposure to plasma. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度の低下が少ない真空紫外線励起発光素子用の蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor used for vacuum-ultraviolet-excited luminescent elements and undergoes little deterioration of luminance when exposed to a plasma. - 特許庁

熱処理およびプラズマ曝露による輝度の低下が少ない真空紫外線励起発光素子用の蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a blue phosphor for vacuum ultraviolet-exciting light-emitting devices slight in luminance drop attributable to heat treatment or plasma exposure. - 特許庁

プラズマ曝露後の輝度の低下が少ない、真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor material for a vacuum ultraviolet ray-excited luminescent element, having less reduction in luminance after exposing to plasma. - 特許庁

そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。例文帳に追加

Subsequently, ALD processing is performed continuously on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film subjected to plasma nitriding so that the surface is not exposed to the atmosphere, and a silicon nitride film is deposited thereon (step S3). - 特許庁

原料気体をプラズマ分解してイオン化し、そのプラズマ雰囲気に曝露することで試料にイオンをドーピングする際に、試料の温度の上昇を抑制する。例文帳に追加

To suppress rise of the temperature of a sample, to prevent the sample from being charged, and to control acceleration energy of the ions, when ions are doped into the sample by ionizing a material gas by subjecting it to plasma decomposition, and by exposing the sample to the plasma atmosphere. - 特許庁

被処理物４の表面にプラズマ３を供給した後、プラズマ３を供給した被処理物４の表面を酸素を含むガス６に曝露する。例文帳に追加

After the plasma 3 is supplied to the surface of the workpiece 4, the surface of the workpiece 4 supplied with the plasma 3 is subjected to exposure of a gas 6 containing oxygen. - 特許庁

低圧高密度のプラズマ曝露などに対しても十分耐え、かつ高周波の透過性がすぐれている耐プラズマ性部材およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma resistant member which is satisfactorily durable against the exposure with the plasma of low pressure and high density and is excellent in the transmission of high-frequency, and a producing method of the plasma resistant member. - 特許庁

プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。例文帳に追加

The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4. - 特許庁

プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板１５を曝露させることによって、基板１５上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板１５との間に格子１７が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板１５に向かう帯電した粒子の流れを低減する。例文帳に追加

A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles. - 特許庁

多孔質材料は、カーボンフェルトを構成する少なくとも一部のカーボン繊維の、少なくとも表面を、例えば含フッ素ガスの低温プラズマに曝露させる等してＣ−Ｆ結合を導入した。例文帳に追加

This porous material has a C-F bond introduced, for example, by exposing at least the surfaces of at least part of carbon fibers constituting a carbon felt to low temperature plasma of a fluorine-containing gas. - 特許庁

このような薄膜トランジスタは、半導体層の形成前にゲート絶縁層を大気雰囲気に曝露し、プラズマ処理を行うことで作製することができる。例文帳に追加

Such a thin film transistor can be manufactured by exposing the gate insulating layer to an air atmosphere and performing plasma treatment on the gate insulating layer before the semiconductor layer is formed. - 特許庁

プラズマ曝露や過度な過熱による、基材や金属酸化物薄膜へのダメージを抑えながら、結晶性の金属酸化物薄膜を効果的に形成する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique of effectively forming a thin crystalline metal oxide film while suppressing the damage on a base material and the thin metal oxide film due to plasma exposure and excessive overheat. - 特許庁

ＰＤＰなどにおける真空紫外線照射時にプラズマ曝露後の輝度の低下が少ない、真空紫外線励起発光素子用蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent substance for vacuum UV ray-exciting light-emitting elements, which little deteriorates brightness after plasma exposure on vacuum UV ray irradiation in PDP or the like. - 特許庁

共振器端面１６、１７上にコーティング膜１８、１９を形成する前に、共振器端面１６、１７を、窒素ガスを含むガスからなるプラズマ雰囲気に曝露する。例文帳に追加

Before the coating films 18 and 19 are formed on the end faces 16 and 17 of the resonator, the end faces 16 and 17 are exposed to a plasma atmosphere of nitrogen-containing gas. - 特許庁

プラズマ強化堆積プロセスを用いて層の洗浄された表面上にポリマー層が形成され、酸化ガスへの曝露に対し層の洗浄された表面が保護される。例文帳に追加

A polymer layer is formed on the cleaned surface of the layer using a plasma-enhanced deposition process to protect the cleaned surface of the layer against exposure to an oxidizing gas. - 特許庁

このようにプラズマ曝露によって素子分離領域を形成したとしても素子の動作に影響を与えることはなく、良好な絶縁特性が得られる。例文帳に追加

Even when the element isolation region is thus formed through the plasma exposure, the operation of the element is not affected and excellent insulation characteristics can be obtained. - 特許庁

上部クラッド層の上面のうち活性層の光軸に沿って配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露して、活性層の利得を活性層の光軸に沿って周期的に変調する。例文帳に追加

A plurality of portions, in the upper surface of the upper cladding layer which portions are arranged along the optical axis of the active layer, are exposed to inductively coupled plasma, and gain of the active layer is periodically modulated along the optical axis of the active layer. - 特許庁

磁気薄膜を低出力の反応性プラズマに曝露することで、磁気薄膜の接着性はそのままにして、磁気的、電気的性質を転化することができる。例文帳に追加

By exposing the magnetic thin film to a reactive plasma having a low output, magnetic and electrical properties can be transformed, while an adhesive property of the magnetic thin film being left as it is. - 特許庁

蛍光体へのエネルギー供給および熱処理による輝度の低下が少ない蛍光体、特にプラズマ曝露および熱処理による輝度の低下の少ない蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a phosphor whose luminance deterioration caused by energy supply to the phosphor and by thermal treatment is little, especially the phosphor whose luminance deterioration caused by plasma exposure and by thermal treatment is little. - 特許庁

コーティング膜を形成する前に、共振器端面をプラズマ雰囲気に曝露することによって汚染物などを除去しても、初期ＣＯＤレベルを向上させることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor laser device which is capable of improving an initial COD level, even if contaminants etc. are removed by exposing the end face of a resonator to a plasma atmosphere, before forming a coating film. - 特許庁

一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。例文帳に追加

According to one embodiment, the method has steps of: providing a substrate containing a metal-containing barrier layer having the oxidized surface layer; exposing the oxidized surface layer to a flow of a first process gas containing plasma-excited argon gas to activate the oxidized surface layer; and applying substrate bias electric power during the step of exposing the oxidized surface layer to the flow of the first process gas. - 特許庁

処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置である。例文帳に追加

The device for doping ions is characterized by having a first changeover switch for connecting or disconnecting the first power source to/from the processing chamber. - 特許庁

炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method comprises the steps of machining the {0001} plane of silicon carbide, etching the surface of the silicon carbide by plasma of a material containing at least a halogen after the machining step, and exposing the surface of the silicon carbide to a plasma of a material not containing a halogen and containing at least oxygen after the etching step. - 特許庁

非晶質を含む金属酸化物膜を、温度１８０℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。例文帳に追加

The crystalline metal oxide thin film is produced by exposing a metal oxide film containing an amorphous material to low-temperature high-frequency plasma generated by exciting at least argon gas, nitrogen gas, or gas containing those gases in a high-frequency electric field at a temperature of 180°C or lower. - 特許庁

本発明は、選択的に感度を向上させた金属酸化物センサの製造するために、該センサ内部にＺｎＯセンサ電極を備えるＺｎＯセンサを形成する工程、および該ＺｎＯセンサ電極をプラズマ流に曝露する工程を包含する。例文帳に追加

A method which is provided for manufacturing the metal oxide sensor that is selectively improved in the sensitivity, comprises a step of: forming a ZnO sensor, equipped with a ZnO sensor electrode therein; and a step of exposing the ZnO sensor electrode to plasma flow. - 特許庁

基板を洗浄する洗浄装置において、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄工程と、大気圧化で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄工程とを含むことを特徴とする基板の洗浄方法。例文帳に追加

At a cleaning device which cleans a substrate, this substrate cleaning method characteristically has a first cleaning process where cleaning is done by using a cleaning liquid, and a second cleaning process where the substrate is exposed to plasma which discharges electricity under atmospheric pressure while cleaning is carried out. - 特許庁

ハロゲン系ガスのプラズマに対して曝露され、高電界が印加される１００℃以上の温度環境下で用いられる半導体製造装置用チャンバー部材であって、こうした条件下でパーティクルの発生を少なくし、体積抵抗率を高くし、かつ比誘電率も高くする。例文帳に追加

To reduce the occurrence of particles from a chamber member for semiconductor device used under a temperature environment of 100°C or higher where the member is exposed to the plasma of a halogen-based gas and a high electric field is impressed upon the member, and at the same time, to increase the volume resistivity and specific inductive capacity of the member by reducing the occurrence of particles under such condition. - 特許庁

プラズマ曝露によって第１レジスト層を除去し、剥離によって第２レジスト層及び第３レジスト層をそれぞれ除去することとしたので、エッチング工程を要することなく第１導電層及び第２導電層を形成することができる。例文帳に追加

A first resist layer is removed by plasma exposure and a second resist layer and a third resist layer are respectively removed by peeling-off, thereby forming a first conductive layer and a second conductive layer without requiring an etching process. - 特許庁

金属若しくは半導体を構成する元素、又はその元素からなるイオンを組成中に含む物質の溶液又は懸濁液を、基板上に塗布し、乾燥させた後、大気圧水素プラズマにて曝露処理することにより、基板上に薄膜を形成するための薄膜成長核を形成する。例文帳に追加

A solution or suspension of a substance containing, in a composition, an element constituting a metal or semiconductor or ions formed of the element is applied to a surface of a substrate, dried, and thereafter subjected to an exposure process by atmospheric-pressure hydrogen plasma, whereby thin-film growth nuclei for forming a thin film are formed on the substrate. - 特許庁

マイコプラズマ・ガリセプティカム培養用培地のタンパク源として、動物由来原料を使用しないことで、動物由来原料使用に起因する病原微生物の伝播や物質汚染やＢＳＥ病原体混入の危険を回避し、以って、肉及び卵などの生産物を介してヒトが摂食して病原体に曝露される危険性をなくすること。例文帳に追加

To provide a medium for culturing Mycoplasma gallisepticum, using no animal-derived raw material as its protein source so as to avoid pathogenic microbe propagation and the risk of material staining and BSE pathogen contamination attributable to the use of such animal-derived raw materials, thereby eliminate the risk of human exposure to pathogens via food products such as meat and eggs as a result of eating them. - 特許庁

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa. - 特許庁