「レーザ発振波長」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することが可能なバー状半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a bar-shaped semiconductor laser device that suppresses an increase of variations in oscillation wavelength. - 特許庁

一定の変化速度で発振周波数を変化させることができる波長走査型レーザ光源を提供すること。例文帳に追加

To provide a wavelength scanning laser light source which is capable of changing the oscillation frequency, at a fixed varying speed. - 特許庁

また、この電子写真感光体を、３８０〜６００ｎｍに発振波長を有するレーザを露光光源とする画像形成装置に搭載する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor is mounted on an image forming device which uses a laser having the oscillation wavelength from 380 to 600 nm as the exposure light source. - 特許庁

また、この電子写真感光体を、４００〜６００ｎｍに発振波長を有するレーザを露光光源とする画像形成装置に搭載する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor is mounted in an image forming device which uses a laser having the oscillation wavelength from 400 to 600 nm as the exposure light source. - 特許庁

周期的利得構造を有する固体媒体と共振器とを組み合わせてなる波長可変固体レーザー発振器。例文帳に追加

In the solid-state laser oscillator that can vary the wavelength, a solid-state medium with periodical gain structure is combined with a resonator. - 特許庁

活性光の光源は、発振波長が２５６ｎｍの固体レーザー又は蒸気圧が０．１ｋＰａ以下の低圧水銀灯が適している。例文帳に追加

As a light source of active light, a solid laser with an oscillation wavelength of 256 nm or a low pressure mercury lamp with a vapor pressure of 0.1 kPa or less is preferable. - 特許庁

簡単な冷却方法で、安定した波長で発振する半導体レーザアレイを使用した光送信器を目的としている。例文帳に追加

To obtain an optical transmitter using a semiconductor laser array which oscillates at a stable wavelength, using a simple cooling method. - 特許庁

ファイバグレーティングレーザの発振波長の温度変動率を低減することができるフェルール生産物及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferrule product and the manufacturing method by which the temperature fluctuation rate of the oscillation wavelength of a fiber grating laser is reduced. - 特許庁

反射膜４３は、レーザ光の発振波長における屈折率が基板１１の屈折率と実効屈折率との間の値となっている。例文帳に追加

The refractive index of the film 43 at the oscillation wavelength of laser light is adjusted to an intermediate value between the refractive index and effective refractive index of the substrate 11. - 特許庁

光レベル制御器１は、レーザ発振器２から出射された波長が異なる２つのビーム強度を独立に制御する。例文帳に追加

The optical level controller 1 controls independently controls intensities of two beams which are emitted by a laser oscillator 2 and differ in wavelength. - 特許庁

レーザの駆動電流を制御する方法による光出力制御では発振波長を長期間安定に維持させること。例文帳に追加

To stably maintain an oscillation wavelength for a long period in optical output control by a method for controlling the driving current of a laser. - 特許庁

温度制御装置による温度制御を行った場合においても所望の発振波長が得られる、半導体レーザの制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of controlling a semiconductor laser which can give a desired oscillating wavelength even when temperature is controlled by a temperature control device. - 特許庁

レーザー３１は煤塵の平均粒径２μｍ以上の波長の光線を炉底に滞留する高温物体の表面に向けて発振する。例文帳に追加

A laser 31 produces a light beam of a wavelength of the average particle diameter of 2 μm of soot and dust or longer toward the surface of the high-temperature object remaining on the bottom of the furnace. - 特許庁

長波長領域で発振し、閾値電流が小さく高効率な半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which oscillates in the long wavelength region and provides a small threshold current with high efficiency, and also to provide an optical communication device using the laser device. - 特許庁

短時間で所定の光周波数特性を測定し得る波長可変レーザの発振光周波数の測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for measuring the oscillation light frequency of a variable wavelength laser in which specific optical frequency characteristics is measured in a short period of time. - 特許庁

水平共振器型で発振波長が６５０ｎｍ未満の半導体レーザであり、以下の構成を備えている。例文帳に追加

A horizontal resonator type semiconductor laser with an oscillation wavelength less than 650 nm, has the following configuration. - 特許庁

活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。例文帳に追加

At the wavelength at which the phase velosity in the active waveguide core 25 becomes equal to the phase velosity in the propagation constant tuning core 23, a laser oscillation is generated. - 特許庁

しかし、無機の半導体レーザー素子は発振波長が６２０〜８００ｎｍ程度と比較的長く、記録密度を高める事が困難であった。例文帳に追加

An organic semiconductor laser is composed of an anode 11, a first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, and a cathode 15. - 特許庁

アッテネータ１１を、波長変換素子であるＫＴＰ４４及びＢＢＯ４５よりもレーザ発振器４１側に位置させる。例文帳に追加

An attenuator 11 is positioned closer to the side of a laser oscillator 41 than to a KTP(KTiOPO4 crystal) 44 and BBO(β-BaB2O4 crystal) 45 as wavelength conversion elements. - 特許庁

レーザ発振器の出力光の波長がシーディング光に同調しているかどうかを確認して、波長制御を行うことが可能な波長同調回路を得ること。例文帳に追加

To provide a wavelength tuning circuit recognizing whether the wavelength of the output light of a laser oscillator is tuned to shading light or not and controlling the wavelength. - 特許庁

機械的可動部を設けることなく、温度等の使用環境が変化しても発振波長を一定に維持して波長安定化を図ることができる小型の波長変換レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a small wavelength conversion laser device in which the wavelength can be stabilized by sustaining a constant oscillation wavelength, even if the operating environment such as temperature changes without providing a mechanically movable portion. - 特許庁

このとき変調器とレーザの波長の発振波長とバンドギャップ波長の差は上記素子設定温度上昇に比例した分だけ大きくとることが伝送特性を維持するために必要である。例文帳に追加

Difference between the oscillation wavelength and the band gap wavelength of a modulator and a laser must be set larger by an amount proportional to a set temperature rise of the element in order to sustain the transmission characteristics. - 特許庁

このようにして透過屈折率を変化させることにより、波長可変光源100-1を作製後でも、ＤＦＢレーザの発振波長と、半導体アレイ導波路格子120-1の透過帯域中心波長を一致させることができる。例文帳に追加

In this manner, the transmission refractive index is changed, whereby even after the variable-wavelength light source 100-1 is manufactured, the oscillation wavelength of the DFB laser can be made coincident with the central wavelength of the transmission band of the semiconductor array waveguide lattice 120-1. - 特許庁

第２のパルスレーザ発振器が、第２の電気信号に同期し、パルスの繰り返し周波数が第２の周波数であり、波長が第１の波長と異なる第２の波長である第２の光パルスビームを出力する。例文帳に追加

A second pulse laser generator synchronizes with the second electrical signal, and outputs a second optical pulse beam of which a repetitive frequency of the pulse is the second frequency and the wavelength is the second wavelength different from the first. - 特許庁

レーザ発振器１３０が有する被増幅光の波長とは異なる励起光波長の光に関する光共振器１３５における励起光波長の光の光路上に光増幅媒体１７１が配置される。例文帳に追加

An optical amplifier medium 171 is arranged on the optical path of light of stimulation light wavelength of an optical resonator 135 relating to the light of the stimulation light wavelength different from the wavelength of amplified light that a laser oscillator 130 has. - 特許庁

低損失でかつ波長無依存可変動作および平坦性スペクトル特性が可能な波長可変フィルタおよびそれを用いた高出力でかつ安定な発振モード選択を可能にする広帯域波長可変レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a tunable filter wherein wavelength independent variable operation with low loss and flatness spectral characteristics are made possible and to provide a wide band wavelength tunable laser which uses the same and wherein a high output stable oscillation mode can be selected. - 特許庁

溶接部３０及び周辺部に光を照射しつつ、ＹＡＧレーザーの発振波長より短波長側の波長帯域を透過可能な光学バンドパスフィルタ２６を通して、溶接部３０及び周辺部を撮影する。例文帳に追加

Images of a weld part 30 and its peripheral part are picked up through an optical band-pass filter 26 capable of transmitting the light in the wavelength band on the wavelength side shorter than the oscillation wavelength of the YAG laser beam while applying the light to the weld part 30 and its peripheral part. - 特許庁

レーザ光の発振波長を変化させる波長変換素子を備えた光デバイスにおいて、波長変換素子の温度調整を簡単な構造で効率よく高精度に実現する光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical device including a wavelength conversion element to change an oscillation wavelength of a laser beam in which temperature adjustment of a wavelength conversion element is efficiently and highly precisely achieved with a simple structure. - 特許庁

テラヘルツ波装置３００は、固定された第１波長を有する第１レーザー光を発振する波長固定レーザー３１０と、可変する第２波長を有する第２レーザー光を発振する波長スイープレーザー３２０と、前記第１レーザー光と前記第２レーザー光を結合させるカプラー３３０と、前記カプラーで放出された混合光をテラヘルツ波に変換する発生器３４０と、を含み、テラヘルツ波の周波数が連続的に可変されるように構成される。例文帳に追加

A terahertz wave apparatus 300 includes: a wavelength-fixed laser 310 emitting first laser light having a fixed first wavelength; a wavelength-swept laser 320 emitting second laser light having a variable second wavelength; a coupler 330 coupling the first laser light with the second laser light; and a generator 340 converting mixed light emitted from the coupler into a terahertz wave where a frequency of the terahertz wave is continuously varied. - 特許庁

３９０〜４２０ｎｍ波長のレーザビームを発振するレーザ発振部と、レーザビームを集光させるレンズと、レーザビームを反射させ感光体上を走査させる回転多面鏡と、レーザビームの位置を検知し、印刷書き出し位置を制御する為の検知センサとを備えた電子写真式印刷装置の光学ユニットにおいて、前記レーザビームの走査線上に蛍光部材を配置する。例文帳に追加

In the optical unit of the electrophotographic type printer provided with a laser oscillating part oscillating the laser beam having 390 to 420 nm wavelength, a lens condensing the laser beam, a rotary polygon mirror reflecting the laser beam and scanning a photo conductor and a detection sensor detecting the position of the laser beam and controlling a print beginning position, a fluorescent member is disposed on a scanning line of the laser beam. - 特許庁

このとき、多モード発振半導体レーザ１０１の出力光を光フィルタ１０３で波長領域においてフィルタリングする事により、波長フィルタ１０３の通過波長特性によって定まる波長多重光信号が波長多重光送信機１００より出力される。例文帳に追加

At this time, the output light of the semiconductor laser 101 is subjected to filtering in a wavelength region by using the optical filter 103, and a wavelength multiplexing optical signal determined by pass wavelength characteristic of the optical filter 103 is outputted from the transmitter 100. - 特許庁

前記反射器のうちの少なくとも一方は、埋設ブラッググレーティングを構成し、前記グレーティングは、前記レーザ発振波長で最大の反射率を有するとともに、前記共振キャビティーの長さを変えて前記レーザ発振波長を変化させるチューニング手段を備えている。例文帳に追加

At least one of the reflectors constitutes an embedded Bragg grating, the grating has a largest reflectivity in the laser oscillation wavelength, and has a tuning means for changing the lengths of the resonance cavities to change the laser oscillation wavelength. - 特許庁

発振波長の異なる複数の半導体レーザ素子を備えるとともに、低い電圧を発生する電源回路を用いて短い波長の半導体レーザ素子をも駆動することができる半導体レーザ装置および光装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser apparatus comprising a plurality of semiconductor laser devices of different lasing wavelengths and driving even a semiconductor laser device with a short wavelength, using a power supply circuit that generates low voltages, and also to provide an optical apparatus. - 特許庁

量子ドットレーザ素子に印加される電流が発振開始電流条件よりも大きい場合、異なる波長を有するレーザが各量子ドット活性領域で同時に得られ、それにより、多波長量子ドットレーザ素子の適用が達成される。例文帳に追加

If current applied to the quantum dot laser device is greater than an oscillation initiation current condition, lasers having different wavelengths can be simultaneously obtained in each quantum dot active region, and this allows the application of a multiwavelength dot laser device to be achieved. - 特許庁

ホログラフィック再生装置４０は、レーザダイオード４２から出射される再生用レーザ光の縦モード波形をマルチモード化し、その発振波長の１つが記録時にレーザ光の波長と略一致するように制御する。例文帳に追加

The holographic reproducing apparatus 40 is controlled in such a manner that the longitudinal mode waveform of reproducing laser light emitting from a laser diode 42 is made into a multimode and that one of the oscillation wavelengths is controlled to be almost equal to the wavelength of the laser light during recording. - 特許庁

装置の小型化を実現し、複数段階の波長変換を高い変換効率で高出力のレーザ光を得、さらに各段階の波長変換により得られたレーザ光を適切に取り出して活用できるレーザ発振装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser oscillation apparatus capable of obtaining a small physical size, obtaining high output laser beams through a plurality of steps of wavelength conversion at high conversion efficiency, and properly taking out the laser beams obtained by wavelength conversion at each step and utilizing them. - 特許庁

エタロンの厚み加工のばらつきに影響されず、エタロンのピーク透過波長とレーザの出力のピーク発振波長を安定して一致させることができ、レーザ出力の効率及び安定度の高い半導体固体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor solid-state laser device which is not affected by the fact that an etalon is not uniform in thickness, capable of stably making the wavelength of a peak transmitted light of an etalon coincident with that of an output peak oscillation ray of a laser, and high in output efficiency and stability. - 特許庁

第１反射鏡５と第２反射鏡１４によるレーザ共振器内に利得媒質としてＮｄ：ＹＡＰ結晶６、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶７とを配置し半導体レーザ１で励起して波長９３０ｎｍ、及び波長１０３０ｎｍのレーザ発振を得る。例文帳に追加

An Nd:YAP crystal 6 and Yb:YAG crystal 7 are arranged in a laser resonator as a gain medium by using a first reflecting mirror 5 and a second reflecting mirror 14, which are excited by a semiconductor laser 1 to obtain laser oscillation with wavelengths of 930 nm and 1,030 nm. - 特許庁

また、面発光型半導体装置は、前記光共振器を構成する半導体層と同じ半導体層を有する端面発光型半導体レーザ装置の発振波長をλ_Ｇとすると、この発振波長λ_Ｇが所期の発振波長λ_ＥＭに対して所定波長差（ゲインオフセット量）△λ_ＥＭだけ短波長側に設定される。例文帳に追加

In the surface-emitting semiconductor device, if oscillation wavelength of an end surface-emitting semiconductor laser device which has the same semiconductor layer as that constituting the optical resonator is made λ_G, the oscillation wavelength λ_G is set at a short wavelength side by a difference in specified wavelength (the amount of gain offset) ▵λ_EM to a desired oscillation wavelength λ_EM. - 特許庁

ＤＦＢレーザＬＤ１〜ＬＤ８における各発振波長と光変調器１４におけるバンドギャップ波長との波長差Δλが一定になるように、光変調器１４に対するオフセットバイアスの印加、及び半導体レーザチップ１５の温度制御を行うようにした。例文帳に追加

Application of an offset bias with respect to an-optical modulator 14 and the temperature control of a semiconductor laser chip 15 are conducted, such that the difference in wavelength Δλ between respective wavelengths in DFB lasers LD1 to LD8 and the bandgap wavelength becomes constant. - 特許庁

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。例文帳に追加

At this time, the driving current of a DBR 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is adjusted to the phase matching wavelength of the light wavelength converting element 22 to control the generated harmonics P2 fixedly. - 特許庁

光の照射によりチューニング層１２にキャリアが発生し発振波長が変化する主半導体レーザ１０の下方に、チューニング層１２のバンドギャップ波長よりも短波長の光を発生する面発光型副半導体レーザ３０を配置する。例文帳に追加

A surface-emitting type sub-semiconductor laser 30 capable of generating light of a wavelength shorter than the band gap wavelength of a tuning layer 12 is arranged under a main semiconductor laser 10, in which carrier is generated in the tuning layer 12 by light irradiation and oscillation wavelengths are changed. - 特許庁

固体レーザ発振装置１の共振器内に、固体レーザ媒質11の蛍光スペクトルにおける最大ピークの波長の光を少なくとも一部吸収および／または反射し、該最大ピークの波長以外のスペクトル波長の光との強度差を小さくする光フィルタ15を備える。例文帳に追加

A resonator of a solid state laser oscillation equipment 1 incorporates an optical filter 15 to reduce intensity difference from the light of spectrum wavelength other than a maximum peak by, at least, partially absorbing and/or reflecting the light of wavelength at the maximum peak in the fluorescence spectrum of a solid state laser medium 11. - 特許庁

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。例文帳に追加

In this case, the driving current of the DBR part 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is made to match with the phase matching wavelength of the light wavelength conversion element 22 and a generated higher harmonic wave P2 is adjusted to be kept constant. - 特許庁

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。例文帳に追加

At that time, the driving current of a DBR(distributed Bragg reflector) section 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied, the oscillating wavelength of the laser 21a is matched with the phase matching wavelength of the element 22 and higher harmonics P2 being generated are controlled to constant. - 特許庁