「レーザ発振波長」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

レーザ光源は、波長７５９ｎｍから７６８ｎｍに存在する酸素吸収線の中から選択された１つの吸収線の波長の２倍の波長を有するレーザ光を発振する分布帰還型半導体レーザと、二次非線形光学効果を有する光導波路と、分布帰還型半導体レーザの出力と光導波路の一端とを接続する偏波保持ファイバとを備えた。例文帳に追加

The laser light source includes distribution feedback-type semiconductor laser having a wavelength twice the wavelength of a single absorption line selected from among the oxygen absorption rays existing at a wavelength 759 nm to 768 nm, an optical waveguide having a secondary nonlinear optical effect and a polarization maintaining fiber connecting the output of the distribution feedback-type semiconductor laser and one end of the optical waveguide. - 特許庁

レーザー媒質１０の固体結晶にラマン結晶を使用し、レーザー媒質１０を励起させてレーザー光を発生させるレーザー発振器１２と、レーザー媒質１０から発生したレーザー光を共振させる反射鏡１６及びレーザー出力鏡１８と、角度調整により可視域を発振する多波長の中から選択的に単一波長を取り出し可能とする高調波素子２２とを備えるレーザー装置１を構成する。例文帳に追加

There is formed a laser apparatus 1 provided with: a laser oscillator 12 using a Raman crystal for a solid crystal of a laser medium 10 and exciting the laser medium 10 to generate laser beams; a reflecting mirror 16 and a laser output mirror 18 resonating the laser beams generated from the laser medium 10; and a harmonic element 22 selectively extracting a single wavelength from multiple wavelengths oscillating a visible region by angular adjustment. - 特許庁

固体レーザ素子の側方に半導体レーザアレイを配置し、半導体レーザアレイにおける固体レーザ素子とは反対側の端面と、固体レーザ素子における半導体レーザアレイとは反対側の側面に、半導体レーザアレイの発振波長に対する高反射コーティングを施し、励起光に対する光共振器を構成する。例文帳に追加

A semiconductor laser array is disposed on the side of a solid state laser element, a high reflection coating for the oscillation wavelength of the semiconductor laser array is applied to the end face of the semiconductor laser array on the side opposite to the solid state laser element and the side face of the solid state laser element on the side opposite to the semiconductor laser array thus constituting an optical resonator for pumping light. - 特許庁

３素子以上のレーザ素子を有する端面発光型のレーザアレイチップを具備し、前記レーザアレイチップがサブマウントを介してヒートシンクに固定してある半導体レーザ装置において、レーザアレイチップ内におけるレーザ素子の動作温度の差異を低減し、各レーザ素子間の発振波長の差異低減を実現する。例文帳に追加

To reduce a difference between the operating temperatures of laser devices within a laser array chip and reduce a difference between the oscillation wavelengths of respective laser devices in a semiconductor laser apparatus comprising an end face emitting type laser array chip with laser devices having three devices or more in a state with the laser array chip being fixed to a heat sink via a sub-mount. - 特許庁

波長５３２ｎｍのコヒーレント光を発振するグリーンレーザー発振器１０と、このグリーンレーザー発振器１０からの光を入射光として入射する単結晶四ホウ酸リチウム，ＬＢ４（以下ＬＢ４と言う）結晶ボックス２３とを備える。例文帳に追加

The system is equipped with a green laser oscillator 10 which oscillates coherent light of 532 nm in wavelength and single-crystal lithium tetraborate LB4 (hereinafter LB4) crystal box 23 where the light from the green laser oscillator 10 is made incident as the incident light. - 特許庁

レーザ発振器５ａから発振された基本波（波長１０６４ｎｍ）を波長変換素子５ｂで必要回数だけ波長変換して所望の高調波（例えば、４倍波）を出射させ、この高調波を板状の被加工物４の表面に照射して加工する。例文帳に追加

A desired harmonic wave (for example, a fourfold wave) is emitted by wavelength-converting a basic wave (1,064 nm wavelength) oscillated by the laser oscillator 5a, by the necessary number of times with a wavelength-converting element 5b, and the object 4 is irradiated with the harmonic wave on its front surface to be machined. - 特許庁

波長多重伝送装置の光源として用いる単一縦モード半導体レーザ素子において、活性層のバンドギャップによって決定する利得ピーク波長と、活性層の実効屈折率と回折格子の間隔によって決定する発振波長のずれを小さくし、発振効率を高くする。例文帳に追加

To reduce the difference between a gain peak wavelength determined by a band gap of an active layer and an oscillation wavelength determined by an effective refractive index of the active layer and an interval between diffraction gratings, in a single longitudinal mode semiconductor laser device used as a light source for a wavelength division multiplex transmission apparatus, and hence improve oscillation efficiency. - 特許庁

相互に異なる発振波長を有する第１のレーザー光源１０Ａから射出する第１のレーザー光ＬＡと第２のレーザー光源１０Ｂから射出する第２のレーザー光ＬＢとをダイクロイックミラー３により合流して、レジスト膜５に斜方から入射させる。例文帳に追加

A first laser beam LA emitted from a first laser beam source 10A and a second laser beam LB emitted from a second laser beam source 10B having oscillation wavelengths different from each other are joined to each other by a dichroic mirror 3 and made incident onto a resist film 5 from an oblique direction. - 特許庁

１台のレーザ発振器から出力したレーザ光を２つの異なる波長の基本波と高調波に分割し、それぞれのレーザ光を用いて同一目的の加工を行うことのできるレーザ加工装置及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser machining device, which splits a laser beam output from a single laser oscillator into two different wavelengths, or a fundamental wavelength and a harmonic wavelength, and achieves machining using these two laser beams for the same purpose; and also to provide a method using the same. - 特許庁

基本励起光源として、１．０７９５μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＰレーザーでＫＴＡ光パラメトリック発振器を励起し該光パラメトリック発振器のアイドラー出力（波長３．５０〜３．５５μｍ）で、タイプ−２（第２種）９０°位相整合したＺＧＰ光パラメトリック発振器を励起。例文帳に追加

A KTA optical parametric oscillator is excited by using a Nd:YAP laser laser-oscillating at 1.0795 μm wavelength as a basic exciting light source and a ZGP optical parametric oscillator of a type-2 (the second sort) cut in 90° phase matching is excited by using the idler output (3.50 to 3.55 μm wavelength) of the KTP optical parametric oscillator. - 特許庁

すなわち本発明は、半導体レーザーチップからの出射光をコリメートし、ウェッジ型の狭帯域反射ミラーで特定波長の光を一部帰還させ、特定波長に発振波長を固定するものであり、半導体レーザーの発振波長安定化に、ウェッジ型のフィルターを用いた波長安定化レーザーであって、ウェッジ型のフィルターの一面が狭帯域バンドパスフィルターであり、もう一方の面が反射率制御された広帯域フィルターまたは光学研磨面からなり、狭帯域バンドパスフィルター側の面が半導体レーザーと対向する側に設置される。例文帳に追加

One surface of the wedge type filter is a narrow band-pass filter and the other surface is formed of a wide band-pass filter or optically polished surface whose reflectivity is controlled; and the surface of the narrow band-pass filter side is installed opposite the semiconductor laser. - 特許庁

本発明は、主ピークの他に副ピークがある波長選択フィルタを用いた波長可変レーザにおいても、部品を増やさず、且つ透過型波長選択フィルタや反射型波長選択フィルタの場合でも安定なシングルモード発振を実現することである。例文帳に追加

To prevent the increase of components even in a wavelength tunable laser using a wavelength selection filter having a sub-peak in addition to a main peak, and also to achieve stable single-mode oscillation, even in a transmission-type wavelength selection filter or a reflection-type wavelength selection filter. - 特許庁

レーザ光源の発振波長、記録時の使用波長、再生時の使用波長、更には情報の検出を行う波長帯域の最適な関係の指針を提供し、より実用的な光記録再生方式及び光記録再生装置を提供する。例文帳に追加

To provide guidance of an optimum relation among an oscillation wavelength of a laser light source, an operating wavelength at the time of recording, an operating wavelength at the time of reproduction, and further a wavelength band for detecting information, and to provide a more practical system and a device for optical recording and reproduction. - 特許庁

これにより、半導体レーザ１の実効的な共振器長が基板１０の厚さの分だけ長くなり、複数の軸モードで発振が生じるので、温度変化により発振波長がシフトした場合であっても、いずれかの軸モードにおいて、シフトした後の発振波長における波長オフセット量が、光出力が最大となるときの波長オフセット量と等しいか、それに近い値になる。例文帳に追加

Consequently, the effective resonator length of a semiconductor laser 1 becomes longer by the thickness of the substrate 10 and oscillations are generated in a plurality of axis modes, so even when an oscillation wavelength is shifted due to temperature change, a wavelength offset amount at the oscillation frequency having been shifted is equal to or substantially equal to a wavelength offset amount at which the optical output becomes maximum in one of the axis modes. - 特許庁

ロッカ用エタロンのエタロンピーク周期よりも狭い帯域におけるレーザ発振を行った上で波長ロッカを利用することができるレーザモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a laser module capable of utilizing a wavelength locker after laser oscillation in a band narrower than the etalon peak cycle of an etalon for locker. - 特許庁

１つの固体結晶から多波長のレーザー光を同時に得ることができ、信頼性と発振効率が高く、小型で安価なレーザー装置の提供。例文帳に追加

To provide a small-sized inexpensive laser apparatus obtaining laser beams of multiple wavelengths from a single solid crystal at the same time and having high reliability and oscillation efficiency. - 特許庁

同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ素子を実現することができる。例文帳に追加

The semiconductor laser element having the plurality of waveguides with changed oscillation wavelength in the same substrate surface, for example, the semiconductor laser element of AlGaIn base is attained. - 特許庁

ダブルクラッドファイバー６０１は、集光レンズ５０５で集光されたレーザー光を種光源として、波長が１０６４ｎｍのレーザー光を発振する。例文帳に追加

The double clad fiber 601 oscillates a laser beam of wavelength 1064 nm by use of the laser beam converged by a condenser lens 505 as a spices light source. - 特許庁

制御回路22は、半導体レーザ16の発振波長が一定になるように、光電変換された電気信号に基づいて半導体レーザ16の温度を調整する。例文帳に追加

The control circuit 22 controls the temperature of the semiconductor laser 16 based on the electric signal converted photoelectrically, so that the oscillation wavelength of the semiconductor laser 16 is made constant. - 特許庁

レーザ光の発振波長において高い反射率を有する部材を高い品質で効率的に溶接することができるレーザ溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam welding method which can efficiently weld, with high quality, a member having high reflectivity in the oscillating wavelength of laser beams. - 特許庁

光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device capable of suppressing variations in the oscillation wavelength of a semiconductor laser due to the effect of heat conduction from an optical amplification element to the semiconductor laser. - 特許庁

半導体レーザ素子と第２高調波発生素子とを備える光源装置において、半導体レーザ素子の出力や発振波長の安定化を図る。例文帳に追加

To stabilize an output and an oscillation wavelength of a semiconductor laser element in a light source device equipped with the semiconductor laser element and a second harmonic generation element. - 特許庁

光学非線形性を利用することで発振されるレーザー光の同調波長域を拡張することで、広帯域性を保持し、また、レーザー共振器内に発生するＡＳＥノイズを低減する。例文帳に追加

To hold a wideband property by expanding a tuning wavelength area of laser light which is oscillated by using optical non-linearity and to reduce ASE noise generated in a laser resonator. - 特許庁

被検出光がフッ素分子Ｆ2レーザの場合でも、基準光を使用して露光中に発振レーザ光Ｌのスペクトルの中心波長が変動しないようにする。例文帳に追加

To prevent the center wavelength of the spectrum of an oscillation laser beam from fluctuating during exposure by using reference light even if light to be detected is a fluorine molecule F2 laser beam. - 特許庁

本ＤＦＢレーザは、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λ_eを設定した回折格子を共振器構造内の活性層の近傍に備えたレーザ素子である。例文帳に追加

The DFB laser is a laser element having a diffraction grating where an oscillation wavelength λ_e is set independently of the light gain distribution of an active layer near the active layer in a resonator structure. - 特許庁

レーザ光源の発振波長が急激に変化しても、レーザ光の収束位置を焦点深度内とすることができるピックアップ対物レンズ及びピックアップ対物レンズの設計方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pickup objective lens for converging laser beams within the depth of focus even if the oscillation wavelength of a laser light source changes abruptly, and to provide a method of designing the pickup objective lens. - 特許庁

レーザ発振装置１０１およびレーザ増幅部１０３を共通として、２波長を選択的に出力することができるので、装置を小型化および低コスト化することができる。例文帳に追加

The system is compactified and the cost is reduced because two wavelengths are selectively output, using a laser oscillator 101 and the laser amplifying part 103 in common. - 特許庁

最大波長が３５０ｎｍ〜４２０ｎｍのレーザー発振光源を用いたレーザー・ダイレクト・イメージング装置に適し、精細なパターンを効率良く形成するのに有用で、かつ保存安定性に優れたペースト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a paste composition suitable for a laser direct imaging device using a laser oscillation light source having a maximum wavelength of 350-420 nm, useful for efficiently forming a fine pattern, and excellent in storage stability. - 特許庁

レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。例文帳に追加

A surface emission semiconductor laser element chip having an oscillation wavelength of 1.1-1.7 μm and a resonator structure including reflectors provided above and below a light emitting active layer is employed. - 特許庁

レーザ発振波長を変更可能であって、光学的損失を抑えつつ光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which is variable in laser oscillation wavelength and can have an optical processing element integrated on the same substrate while suppressing optical loss. - 特許庁

青色から緑色の領域に発振波長を有する半導体レーザであって、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止することで低しきい値電流の半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser of low threshold current by preventing the deterioration of luminous efficacy caused by piezo-polarization, which is the semiconductor laser having an oscillation wavelength in a region ranging from blue to green. - 特許庁

白色光を再現する際に、発振波長の異なる複数のレーザ素子の間に大きな出力差が要求される場合であっても柔軟に対応することが可能な半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which can flexibly cope with even such a case that a large output difference is requested between a plurality of laser elements having different oscillation wavelengths when white light is reproduced. - 特許庁

高調波のレーザ光をモニタするパワーモニタを校正することができるとともに、パワーモニタを別途追加することなく基本波の出力をモニタすることができる波長変換レーザ発振器を得る。例文帳に追加

To obtain a wavelength conversion laser oscillator for calibrating a power monitor that monitors a laser beam of harmonic waves and monitoring an output of fundamental waves without separately adding a power monitor. - 特許庁

同一基板上に形成された複数波長半導体レーザ装置において、高温動作可能で且つ低雑音特性を有する自励発振型レーザを再現性良く得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a self-excited laser that can be operated at a high temperature and has low noise characteristics with excellent reproducibility in a multi-wavelength semiconductor laser device formed on the same substrate. - 特許庁

半導体レーザ光源１４の反射面１４ａとチャープトグレーティング２２６とから構成される光共振器により波長λ_4のレーザ光が発振出力される。例文帳に追加

A laser beam with a wavelength λ4 is generated by an optical resonator constituted of the reflection surface 14a of a semiconductor laser light source 14 and the grating 226. - 特許庁

半導体レーザ光源１３の反射面１３ａとチャープトグレーティング２２６とから構成される光共振器により波長λ_3のレーザ光が発振出力される。例文帳に追加

A laser beam with a wavelength λ3 is generated by an optical resonator constituted of the reflection surface 13a of a semiconductor laser light source 13 and the grating 226. - 特許庁

簡易な構成で発振波長を多重化し、コヒーレンシーを低下させることができる半導体レーザモジュール、およびこの半導体レーザモジュールを備えることによりスペックルノイズの低減した投射型表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser module which multiplexes oscillation wavelength and deteriorates coherency with a simple configuration, and to provide a projection type display device which reduces speckle noise by including a semiconductor laser module. - 特許庁

同様に、半導体レーザ光源１２の反射面１２ａとチャープトグレーティング２２６とから構成される光共振器により波長λ_2のレーザ光が発振出力される。例文帳に追加

Similarly, a laser beam with a wavelength λ2 is generated by an optical resonator constituted of the reflection surface 12a of a semiconductor laser light source 12 and the chirped grating 226. - 特許庁

単一波長で発振する複数個のレーザ素子２ａの配列構造２と、レーザ素子２ａからの各出力光を合流させるフォトニック結晶の導波路構造６とが、同一基板１の上に集積されている光素子。例文帳に追加

The array structure 2 of a plurality of laser elements 2a oscillated by a single wavelength and the waveguide structure 6 of photonic crystal for merging each output light from the laser elements 2a are integrated on the same substrate 1. - 特許庁

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置、および、その半導体レーザ装置を用いた光ディスク再生記録装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a high reliability, long lifetime, high output semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 nm and an optical disc reproducer/recorder employing that semiconductor laser. - 特許庁

横マルチモードパターンの光でレーザ媒質６が励起され、レーザ媒質６の発振により得られる線状の基本波を波長変換素子１０に照射して線状の変換波を出力する。例文帳に追加

The laser medium 6 is excited by light having a lateral multi-mode pattern, and the wavelength conversion element 10 is irradiated with linear fundamental waves provided by oscillation of the laser medium 6 to output linear converted waves. - 特許庁

種光２を発生させる種光源を用いて基本波レーザー４を発振させ、基本波レーザー４を基本波として和周波数混合により所望の波長の紫外光１４を出力する。例文帳に追加

A basic wave laser beam 4 is oscillated by using a seed light source for generating seed light 2 and ultraviolet light 14 having a required wavelength is outputted by sum frequency mixing by using the basic wave laser beam 4 as a reference wave. - 特許庁

これにより、半導体レーザ素子部の注入電流を固定することにより、発振波長が固定され、光増幅器の注入電流を変化させることで、レーザ素子部での光出力を変化させること出来る。例文帳に追加

Thus, the injected current of the laser element is fixed to fix the oscillation wavelength, and the injection current of the amplifier is changed to change the optical output of the laser element. - 特許庁

制御装置９は、回動装置６を介して１／２波長板３を回動させて、レーザ発振器２から出力されたレーザ光のパワーを、段階的に調整する。例文帳に追加

A control device 9 rotates the 1/2 wavelength plate 3 via a rotating device 6, and stepwise adjusts the power of the laser light outputted from a laser oscillator 2. - 特許庁

光ファイバ伝送に適した波長でレーザ光を発振し、温度特性に優れ、動作電圧の低い面発光型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a surface emitting type semiconductor laser element satisfactory in temperature characteristics and reduced in an operating voltage for oscillating laser beams with wavelength suitable for optical fiber transmission. - 特許庁