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「レーザ発振波長」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > レーザ発振波長に関連した英語例文

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レーザ発振波長の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 803



例文

温度によって発振波長の変化する半導体レーザ1の駆動電流11やレーザ光出力の変化によって発振波長が変動しても、常にこの駆動電流やレーザ光出力の変化に応じて半導体レーザ1の設定温度が基準電圧補正回路15で補正されるため、発振波長の変動を抑えることができる。例文帳に追加

Even when the oscillation wavelength of the semiconductor laser 1 changing in the oscillation wavelength according to the temperature is changed by a change of a driving current 11 or a laser beam output of the laser 1, a set temperature of the laser 1 is always corrected by a reference voltage corrector 15 in response to the change of the driving current or the laser beam output, and hence the change of the oscillation wavelength can be suppressed. - 特許庁

レーザドライバ4は、第1の発振期間と第2の発振期間で時間に対する発振波長変化速度の絶対値が異なるようにレーザ1を動作させる。例文帳に追加

The laser driver 4 operates the laser 1 so as to differ absolute values of oscillation wavelength change speed to time in the first oscillation period and the second oscillation period. - 特許庁

レーザ発振器1で波長450nm以上540nm以下のレーザー光(第1波長光L1)を発生させ、その第1波長光L1を非線形光学結晶2で波長225nm以上270nm以下の光(第2波長光L2)に変換して結合ミラー5へ送る。例文帳に追加

A laser oscillator 1 generates laser light (first wavelength light L1) of 450 to 540 nm in wavelength and the first wavelength light L1 is converted by a nonlinear optical crystal 2 into light (second wavelength light L2) of 225 to 270 nm in wavelength, which is sent to a coupling mirror 5. - 特許庁

発振波長が900nmより短波長でも高い信頼性と大きな発振波長の可変幅を両立することが可能な半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which can satisfy a dual requirement of high reliability and a variable width of a large oscillation wavelength even if the oscillation wavelength is shorter than 900 nm. - 特許庁

例文

大容量の波長多重伝送を行う場合には半導体レーザダイオードの発振波長のより精密な制御が必要となるが、発振波長の制御を高精度化すると、構成が複雑・高コスト化してしまう。例文帳に追加

To solve problems that more precise control for the oscillation wavelength of a semiconductor laser diode is required for the wavelength division multiplexing transmission with large capacity but that the structure of the device is complicated and its cost increases when the oscillation wavelength is controlled with high accuracy. - 特許庁


例文

励起光用光源106は、波長1064nmのレーザー光を発振するファイバーレーザー502と、ファイバーレーザー502から受光したレーザー光を第2高調波に変換するポーリングファイバー503とから成る。例文帳に追加

The light source 106 comprises a fiber laser 602 for oscillating a laser beam of wavelength 1064 nm and a polling fiber 503 for converting the laser beam received from the fiber laser 502 to a second higher harmonic wave. - 特許庁

レーザ光の中心波長が1300〜1440nmの範囲にある半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の発振状態が安定した半導体レーザモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser module which has a center wavelength in the range of 1,300 and 1,440 nm for laser light and which keeps a semiconductor laser element in a stable oscillation state. - 特許庁

YAGレーザ発振器12から出射される第1のレーザ光と、該第1のレーザ光をOPO14で波長変換した第2のレーザ光とを可動フィルタ16に入射させる。例文帳に追加

The laser ranging device makes a first laser beam emitted from a YAG laser oscillator 12 and a second laser beam wavelength-converting the first laser beam with OPO 14 incident on a movable filter 16. - 特許庁

レーザ光2の波長を可変とするレーザ発振器1にはレーザ光2の照射強度を調整するレンズ3が設置されており、レンズ3を通してレーザ光2が集光もしくは拡大されて照射点4に導かれる。例文帳に追加

A lens 3 which adjusts the radiation intensity of laser light 2 is installed in a laser oscillator 1 which varies the wavelength of the laser light 2 and the laser light 2 is converged or expanded through the lens 3 and guided to an irradiation point 4. - 特許庁

例文

測定光として、レーザ光源2からの出射したレーザ光を分光したポンプ光と、レーザ発振器2から出射したレーザ光L3をパラ波長変換装置7により出力させたプローブ光L4、L5とを用いる。例文帳に追加

A pumping light obtained by spectrally separating laser light emitted from a laser light source 2, and probe lights L4 and L5 outputted by a pare-wavelength converting device 7 while wavelength-converting laser light L3 emitted from a laser oscillator 2, are used as measuring light. - 特許庁

例文

波長が変換されないため、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが発振した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失されることなく放出される。例文帳に追加

Since the wavelengths are not converted, the energy of the first laser beam 11A and the second laser beam 11B oscillated from the first semiconductor laser element 10A and the second semiconductor laser element 10B are emitted without loss. - 特許庁

複数の発振可能な遷移波長帯が存在するとき、1つの遷移波長帯の発振を抑制し、他の1つの遷移波長帯で発振および増幅させることが可能な光ファイバと、これを用いた光増幅発振装置、レーザ光発生装置、レーザディスプレイ装置およびカラーレーザディスプレイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical fiber, suppressing the oscillation of one transition wavelength band and performing oscillation and amplification in the other transition wavelength band, when a plurality of oscillatable transition wavelength bands are present, and to provide a light amplification and oscillation device, a laser beam generator, a laser display device and a color laser display device using it. - 特許庁

レーザ光を発振する活性領域と、発振したレーザ光の波長をシフトする波長可変領域とを有する波長可変半導体レーザ素子において、波長可変領域に隣接して、投入した電力の大部分を熱に変換する熱補償領域を設け、波長可変領域に投入する電力と熱補償領域に投入する電力の和を常に一定になるようにする。例文帳に追加

In the wavelength tunable semiconductor laser element which has an active region which oscillates a laser beam and a wavelength variable region which shifts the wavelength of the oscillated laser beam, a heat compensation region which changes most of inputted power into heat is provided adjacent to the wavelength variable region so that the sum of power inputted to the wavelength variable region and power inputted to the thermal compensated region always become constant. - 特許庁

基板30上に配置された第1半導体レーザ構造10と、第1半導体レーザ構造10上に配置され、第1半導体レーザ構造10の発振波長と異なる発振波長を有する第2半導体レーザ構造20と、第2半導体レーザ構造20の側面20aを被覆する絶縁膜50とを備えた半導体レーザ装置100である。例文帳に追加

A semiconductor laser device 100 is provided with a first semiconductor laser structure 10 arranged on a substrate 30, a second semiconductor laser structure 20 which is arranged on the first semiconductor laser structure 10 and has a wavelength different from that of the first semiconductor laser structure 10, and an insulation film 50 covering the side surface 20a of the second semiconductor laser structure 20. - 特許庁

微生物処理装置であって、赤外線レーザ発振器とこれから出力された赤外線レーザーの波長変換手段と、波長変換されたレーザー光からさらに所定波長レーザー光を選択するためのビームスプリッターとを具え、前記所定波長レーザー光を微生物に照射して微生物を死滅又は不活化するように構成される。例文帳に追加

An apparatus for treating microbes comprises an infrared laser oscillator, a wave length converter for the generated infrared laser, and a beam splitter for selecting laser ray of a predetermined wave length from the wave length converted laser light and constituted to sterilize or inactivate the microbes by irradiating the microbes with the laser ray having a predetermined wave length. - 特許庁

第1及び第2の半導体レーザ素子の発振波長帯域とは異なる発振波長帯域を有する第3の面発光半導体レーザ素子の積層構造28を形成し、エッチングして、第3の半導体レーザ素子30を形成する。例文帳に追加

The laminate structure 28 of a third surface luminescent semiconductor laser element having an oscillation wavelength band different from the oscillation wavelength bands of the first and second semiconductor laser elements is formed and etched to form a third semiconductor laser element 30. - 特許庁

所定範囲で発振波長が可変であって第1の波長の光を発振する第1の半導体レーザ123と、第1の波長と異なる第2の波長の光を発振する第2の半導体レーザ122と、第1の波長の光の第2高調波を発生することが可能な第2高調波素子133とを含む。例文帳に追加

The semiconductor laser apparatus comprises a first semiconductor laser 123 for oscillating a light having a first wavelength with a variable oscillation wavelength in a predetermined range, a second semiconductor laser 122 for oscillating the second wavelength different from the first wavelength, and a second harmonic element 133 which can generate a second harmonic wave of the light having the first wavelength. - 特許庁

互いに異なる波長レーザ光を発振する複数のレーザ部が同一基板上に形成された半導体レーザ素子において、複数のレーザ部のそれぞれに含まれる不純物の種類が、レーザ部間で互いに異なる半導体レーザ素子である。例文帳に追加

In the semiconductor laser device constituted of forming a plurality of laser units for oscillating laser light of mutually different wavelengths on the same substrate, the sorts of impurities contained in respective laser units are mutually different among the laser units. - 特許庁

また、互いに異なる波長レーザ光を発振する複数のレーザ部を同一基板上に形成する半導体レーザ素子の製造方法において、先に形成されるレーザ部と後に形成されるレーザ部とをそれぞれ異なる結晶成長方法を用いて形成する半導体レーザ素子の製造方法である。例文帳に追加

In the semiconductor laser device manufacturing method for forming a plurality of laser units for oscillating laser light of mutually different wavelengths on the same substrate, the laser unit to be formed later is formed by a crystal growth method different from that of the laser unit formed before. - 特許庁

レーザ発振用組成物が板状に成型されてなる固体レーザ発振デバイスであって、前記レーザ発振用組成物は、加熱後の急冷却開始温度により固体状態における発振波長が変化するものであり、その板状の1箇所から他箇所に渡り発振波長が徐々に変化するグラデーション構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

In the solid-state laser oscillation device, the laser oscillating composition is formed into a plate-like shape, and the laser oscillating composition is characterized by having a gradation structure in which the oscillation wavelength in the solid state changes depending on the rapid cooling start temperature after heating and the oscillation wavelength gradually changes from one part of the plate-like shape to another part. - 特許庁

ペリクル材料等として用いた場合に短波長光(発振波長193nmのArFエキシマレーザー、発振波長157nmのF_2エキシマレーザー)に対して高い透明性と耐久性を有する有用な含フッ素重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a useful fluorine-containing polymer which has high transparency and durability to a short wavelength light (ArF excimer laser with an oscillation wavelength of 193 nm, or F_2 excimer laser with an oscillation wavelength of 157 nm) at the time of using as a pellicle material or the like. - 特許庁

本発明は、波長0.4〜8μmの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a laser element and a material for solid-solution semiconductor laser element, with which a laser element which oscillates in an infrared region of wavelength 0.4-8 μm and operates near room temperature with variable wavelength, especially a laser element of a lattice matched double heterojunction structure and a quantum well structure is manufactured. - 特許庁

第1のYAGレーザ10は連続波の基本波YAGレーザ光LB_cw(波長1064nm)を生成し、第2のYAGレーザ12は高速繰り返しパルス発振の第2高調波QスイッチYAGレーザ光LB_SHG(波長532nm)を生成する。例文帳に追加

A first YAG laser 10 generates a YAG laser beam LBCW (wave length is 1,064 nm) having continuous fundamental waves and a second YAG laser 12 generates a second higher harmonic Q-switched YAG laser beam LBSHG (wave length is 532 nm) of a high speed repetitive pulse oscillation. - 特許庁

高調波レーザ発振器10は、レーザ発振器本体11と、レーザ発振器本体11から出力されたレーザ光Lを集光させる集光レンズ12と、集光レンズ12により集光されたレーザ光Lの波長を変換して高調波レーザ光L′を発生させる非線形光学結晶素子13とを備えている。例文帳に追加

The higher harmonic laser oscillator 10 is provided with a laser oscillator main body 11, a condenser lens 12 for condensing laser beams L outputted from the laser oscillator main body 11 and a non-linear optical crystal element 13 for converting the wavelength of a laser beam L condensed by the condenser lens 12, and for generating a higher harmonic laser beam L'. - 特許庁

少なくとも一つのレーザ光出射面に対し誘電体膜を形成した半導体レーザにおいて、誘電体膜として、出射面における反射率の波長依存性をレーザ発振波長近傍で極大または極小にし、かつレーザ発振波長における出射面の反射率を10%以上、25%以下に設定する複数種類の誘電体の積層膜を用いたものである。例文帳に追加

In a semiconductor laser with dielectric films formed on at least one light emission surface, the wavelength dependency of reflectance on the light emission surface is maximized or minimized near the oscillation wavelength of the laser for the above dielectric films, and multiple kinds of dielectric films are used with the light emission surface reflectance set more than 10% but less than 25% at the laser oscillation wavelength. - 特許庁

少なくとも2つ以上の異なる波長発振することができ、これら異なる波長の光の射出位置を全て等しくすることができる化合物半導体レーザ、及び異なる波長の光の中から任意の波長の光を取り出すことができる化合物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor laser capable of oscillating at at least two different wavelengths and making equal all of the emission positions of the light having these different wavelengths, and a compound semiconductor laser element capable of taking out light having an arbitrary wavelength from among light having different wavelengths. - 特許庁

ユーザが所定の蛍光試薬を選択指示すると、先の各種蛍光試薬に対応する励起波長の情報に基づいて、その選択指示された蛍光試薬に対応する励起波長を読み出し、その励起波長レーザ光の発振波長としてレーザ光源6に設定する。例文帳に追加

When the user selects and indicates a predetermined fluorescence reagent, an excitation wavelength corresponding to the selected and indicated fluorescence reagent is read out on the basis of information on the excitation wavelengths corresponding to the various previous fluorescence reagents, and the excitation wavelength is set in the laser beam source 6 as an oscillation wavelength of the laser beam. - 特許庁

広い波長範囲(例えば12nm以上の範囲)において、1つの変調器でDFBレーザ発振波長とバンドギャップ波長との波長差Δλが同一となるように変調することができる半導体レーザ装置及びその駆動方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device and its drive method, which can modulate so that difference in wavelength Δλ between oscillation wavelength of a DFB laser and a bandgap wavelength becomes the same, using a single modulator, over a wide range of wavelengths (for example, a range of 12 nm or larger). - 特許庁

レーザーダイオード13を、冷却手段33による冷却により、固体レーザー媒体24の吸収波長と一致する発振波長で動作するように制御する。例文帳に追加

The laser diode 13 is controlled so as to operate with an oscillation wavelength agreeing with an absorption wavelength of the solid laser medium 24 by cooling by the cooling means 33. - 特許庁

また、レーザ発振器3で波長1000nm以上1100nm以下のレーザー光(第3波長光L3)を発生させ、反射部材4を介して結合ミラー5へ送る。例文帳に追加

A laser oscillator 3 generates laser light (third wavelength light L3) of 1,000 to 1,100 nm in wavelength, which is sent to the coupling mirror 5 through a reflecting member 4. - 特許庁

波長可変半導体レーザー素子1を波長800nmで発振させ、コレット12に吸着保持したSHG素子13の導波路にレーザー光が入射するように、SHG素子12の位置を調整する。例文帳に追加

The position of the SHG element 12 is adjusted so that the variable wavelength semiconductor laser element 1 oscillates with a wavelength 800 nm and laser light impinges on a waveguide of the SHG element 13 suctionally held on a collet 12. - 特許庁

光出力を変化させても半導体レーザ発振波長を正確に安定化でき、高密度に波長多重することができる半導体レーザ温度制御回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser temperature control circuit capable of accurately stabilizing an oscillation wavelength of a semiconductor laser even when an optical output is changed, and multiplexing the wavelength in high density. - 特許庁

各半導体レーザ素子の発振波長に対して所定の反射率を示す共通の低反射膜を出射端面に備える多波長半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a multiwavelength semiconductor laser having a common low-reflective film at emission end faces, which exhibits predetermined reflectance over an emission wavelength of each semiconductor laser element. - 特許庁

無線周波数発振器は、半導体レーザに無線周波数信号を注入して、多重波長出力を生成し、光学投影システムは、その半導体レーザの多重波長出力を用いて、画像を投影する。例文帳に追加

The radio frequency oscillator injects the radio frequency signal in the semiconductor laser, and generates multi- wavelength output, and the optical projection system projects an image using the multi-wavelength output of the semiconductor laser. - 特許庁

半導体レーザにより励起され、その励起光によりレーザ発振する光を波長変換する波長変換装置において、安定光出力を得、ノイズを低減させる。例文帳に追加

To obtain stable optical output and reduce noise in a wavelength converting device which is stimulated by a semiconductor laser and performs wavelength conversion of a laser oscillation light by the stimulation light. - 特許庁

一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするDWDM用波長可変レーザモジュールを使用する。例文帳に追加

A wavelength variable laser module for DWDM which mounts one electrical field absorption modulator integrated laser, and can be varied in oscillation wavelength by temperature control is used. - 特許庁

これにより共鳴反射素子47と半導体レーザ41間で共振器が形成され、半導体レーザの特定波長での発振を安定に行うことができ、安定した高効率な波長変換光の出力を得ることができる。例文帳に追加

Accordingly, a resonator is formed between the resonance reflection element 47 and the semiconductor laser 41, the semiconductor laser can be stably oscillated at the specific wavelength, and stable and high-efficiency wavelength-converted light can be output. - 特許庁

励起光波長の変動があっても、安定した状態で高効率な976nm近傍波長による励起が適用可能なYb添加ガラスを用いたファイバレーザ発振器およびファイバレーザ増幅器を得ることを目的としている。例文帳に追加

To provide a highly efficient fiber laser oscillator and fiber laser amplifier using Yb addition glass, capable of applying excitation with wavelength of around 976 nm in a stable state even when fluctuations in an excitation light wavelength occur. - 特許庁

レーザ発振器10より出射された不可視域の波長を持つレーザ光は、非線形光学結晶16によって可視域の波長に変換される。例文帳に追加

The laser beam emitted from a laser oscillator 10 and having a wavelength in an invisible light range is transformed into a wavelength in a visible light range with a nonlinear optical crystal 16. - 特許庁

そして、面発光レーザ共振器板10の長手方向Qの異なる位置に励起光を入射させることにより、前記共振波長に応じた互いに異なる波長を有するレーザ光を発振させることができる。例文帳に追加

Exciting lights are incident at a different position in the longitudinal direction Q of the surface-emitting laser resonator plate 10, whereby it is possible to oscillate laser beams having mutually differing wavelengths, in correspondence with the resonance wavelength. - 特許庁

波長レーザ・アレー10は、共通のn−InP基板12上に異なる発振波長を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子13a〜13fをアレー状に配列したものである。例文帳に追加

In a multi-wavelength laser array 10, ridge-waveguide semiconductor laser elements 13a to 13f are arranged in an array shape, where the ridge-wave semiconductor laser elements have a different oscillation wavelength on a common n-InP substrate 12. - 特許庁

レーザ発振スペクトル線幅が狭く、かつ光出力を減少することなく高速応答できる任意な波長制御が可能な単一波長で動作する高性能、高信頼度な半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance, high-reliability semiconductor laser device which operates at a single wavelength and allows arbitrary wavelength control, while a laser oscillation spectral line width is narrow, for fast response with out reducing optical output. - 特許庁

半導体レーザ光源11の反射面11aとチャープトグレーティング226とから構成される光共振器により、光合波回路215により波長選択された波長λ_1のレーザ光が発振出力される。例文帳に追加

A laser beam with a wavelength λ1 selected by an optical multiplexing circuit 215 is generated by an optical resonator constituted of the reflection surface 11a of a semiconductor laser light source 11 and a chirped grating 226. - 特許庁

波長多重光送信機100に入力される電気信号は、波長多重光送信機100内のレーザ駆動回路102に導かれた後、多モード発振の半導体レーザ101を直接電流変調する。例文帳に追加

The electric signal which is to be inputted in the transmitter 100 is introduced to the laser driving circuit 102 in the transmitter 100 and directly current- modulates the semiconductor laser 101 of multimode oscillation. - 特許庁

遮光する波長がいかなる波長レーザ保護メガネを装着しても、レーザ光線の発振状況を確実に視認して安全に作業可能とする。例文帳に追加

To provide a laser beam machine which enables an operator to visually confirm laser beam oscillating condition without fail and to work safely even when the operator wears laser protective goggles for shielding the operator's eyes from a laser beam with any wavelength. - 特許庁

外部共振器型波長可変レーザにおいて、単一横モード発振する半導体レーザと外部光学系との結合効率を高めて、安定でかつ容易に波長制御を行う。例文帳に追加

To enable a semiconductor laser included in an external resonator-type wavelength-variable laser, which oscillates in a single lateral mode and is coupled with an external optical system, to be improved in coupling efficiency with the external optical system so as to easily and stably control the wavelength of its laser radiation. - 特許庁

さらに、複数のレーザ光源のうち、所定の発振波長(例えば、最短の発振波長)のレーザ光源から出射されたレーザ光を反射して複数の対物レンズ206,207の一つに導き、他のレーザ光源から出射されたレーザ光を透過する打ち上げミラー(ダイクロイックミラー)208を備える。例文帳に追加

Furthermore, the optical pickup device includes a rising mirror (dichroic mirror) 208 which reflects a laser beam emitted by a laser light source of a predetermined oscillation wavelength (such as the shortest oscillation wavelength) among the plurality of laser light sources so as to lead the laser beam to one of the plurality of objective lenses 206 and 207, and transmits the laser beam emitted by the other laser light source. - 特許庁

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還(DFB)レーザ2と、DFBレーザが阻止帯域に含まれる第1の波長レーザ発振するようにDFBレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。例文帳に追加

A device for shaping waveform of signal light is provided with a distributed feedback(DFB) laser 2 having a blocking band that is defined as the range of wavelengths which can be oscillated from the laser 2, and a driving circuit 4 which supplies a driving current to the laser 2 so that the laser 2 may oscillate at a first wavelength contained in the blocking band. - 特許庁

レーザ発振器1から出射されたレーザー光2をfθレンズ5により集光して被加工物7上に照射することにより、被加工物7の所定位置に穴開け加工するレーザー加工装置において、レーザ発振器1と被加工物7との間に、レーザー光2の所定波長のみを選択して透過させる波長選択手段3を備える。例文帳に追加

The laser machining device, with which a predetermined position of a work 7 is drilled by irradiating the work 7 with a laser beam 2 emitted from a laser oscillator 1 and condensed by an fθ lens 5, is provided with a wave length selection means 3 which selectively makes only a predetermined wave length of the laser beam 2 pass between the laser oscillator 1 and the work 7. - 特許庁

例文

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還(DFB)レーザ2と、DFBレーザが阻止帯域に含まれる第1の波長レーザ発振するようにDFBレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。例文帳に追加

The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band. - 特許庁

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