「下部構造体」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明によるドライバの冷却構造は、ドライバ本体（１）のヒートシンク（６）下部の側部口（２０）からのエア吸入により下部口（４）からのエアをジェットポンプ効果によって積極的に吸入し、エア量を多くして冷却効率を向上させる構成である。例文帳に追加

The cooling structure of the driver positively sucks air from the lower opening (4) by the jet pump effect by air suction from the side opening (20) below a heat sink (6) of the driver body (1) to increase the amount of air, thereby improving the cooling efficiency. - 特許庁

車体前部構造１０は、フロントバンパ１６の下部３３がバルクヘッド１２の下部材２２に取り付けられ、フロントバンパ１６の上方にフロントグリル１７が配置され、フロントグリル１７の上部がバルクヘッド１２の上部材２１に取り付けられている。例文帳に追加

In this vehicle body front structure 10, a lower part 33 of a front bumper 16 is mounted on a lower member 22 of a bulkhead 12, the front grille 17 is arranged on an upper side of the front bumper 16, and an upper part of the front grille 17 is mounted on an upper member 21 of the bulkhead 12. - 特許庁

オーブン窯Ｐ内の熱板上に置いた被加工物に対し加熱処理を行うよう熱板下方に当該熱板自体を加熱するガスバーナー構造の下部熱源５を配置し、この下部熱源５を移動調整する移動調整手段３１を設ける。例文帳に追加

The oven apparatus carries out a heating process to an object to be processed put on the hot plate in the oven furnace P by arranging a lower heat source 5 with a gas-burner structure to heat the hot plate itself below the hot plate, wherein the oven is provided with a shift adjusting means 31 to shift and adjust the lower heat source 5. - 特許庁

下階の管理区域１０の床に設置される下部フレーム１４と、下部フレームから上方のセル床１６を貫いて立設されるサイドフレーム１８と、上階のセル２０内でサイドフレームの上端部で支えられる上部フレーム２２により枠構造体を構成する。例文帳に追加

A frame structure is composed of a lower frame 14 placed on the floor of a controlled area 10 at the lower level, a side frame 18 erected from the lower frame 14 through a cell floor 16 above the frame 14 and an upper frame 22 supported at the upper end of the side frame 18 in a cell 20 at the upper level. - 特許庁

本発明の断熱容器４は、架台部１１と周壁部１２とを有する下部容器３と、天板部６と胴体部５と下部開口部とを有し、真空状の二重壁構造に形成された上部容器２と、を備えた構成を有する。例文帳に追加

The insulation container 4 comprises a lower part container 3 having a chassis part 11 and a surrounding wall part 12, and an upper part container 2 which has the top plate part 6, a body part 5, and the open bottom and is formed in double wall structure of vacuum state. - 特許庁

この目的のために、ディスプレイサー６４は、層状化構造体８０の平面にほぼ直交する方向に下部ハウジング構成部材８中に挿入されるようになっており、かつ取付け位置において、上述の下部ハウジング構成部材８に関して所定位置に固定される。例文帳に追加

The displacer 64 is inserted into the lower part housing structural member 8 in a direction roughly orthogonal with a flat surface of the stratification structural body 80 and is fixed at a specified position concerning the lower part housing structural member 8 at a mounting position. - 特許庁

引き出された下部ユニットを金庫筐体に収納する際、その下部ユニットの収納過程で高精度の位置決めを完結させて高さ調整が不要となる収納構造を可能にし、これに基づいて品質の向上及び生産性の向上を図ることができる紙葉類取扱装置を提供する。例文帳に追加

To provide a paper sheet handling device which improves quality and productivity by providing a storage structure which eliminates the need for height adjustment by completing high-precision positioning in a storing process of a lower unit when the lower unit having been drawn out is stored in a safe housing. - 特許庁

カラーフィルター２０は、互いに平行で透過光を透過する下部干渉膜１ａおよび上部干渉膜１ｂと、これら干渉膜の間隔を変化させるための下部動作制御電極７ａおよび上部動作制御電極７ｂならびに支持構造体８を有する。例文帳に追加

The color filter 20 includes: a lower interference film 1a and an upper interference film 1b which are parallel to each other and transmit the transmission light; a lower movement control electrode 7a and an upper movement control electrode 7b for changing intervals of the interference films; and a support structural body 8. - 特許庁

遮炎部の中間に一対の串置き部を立設し、この串置き部の間の下部に網を設けた構造体の下部に、底面に凹凸の溝を有しこの凸部側面に切り欠き窃設し、周縁部が立脚した部材を係止することを特徴とする焼き鳥器具。例文帳に追加

In the chicken grill, a pair of skewer placing parts are erected in the middle or a flame shield part, and a member having a rugged groove on its bottom face, notching the lateral side of the projection and grounding its peripheral edge is locked on the lower part of a body structure equipped with a net over its lower part between the skewer placing parts. - 特許庁

半導体装置のキャパシタは、半導体基板上の所定の下部構造上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、低い漏洩電流の特性を有するＡｌＯＮ膜と、前記ＡｌＯＮ膜上に形成され、前記ＡｌＯＮ膜に比べて相対的に高い誘電率を有するＹＯＮ膜と、前記ＹＯＮ膜上に形成された上部電極とを含む。例文帳に追加

The capacitor of the semiconductor device is formed on a lower electrode formed on the predetermined lower structure of a semiconductor substrate, is formed on the lower electrode, is formed on an AlON film having the characteristics of a low leakage current, is formed on the AlON film, and includes a YON film having a relatively higher dielectric constant than that of the AlON film and an upper electrode formed on the YON film. - 特許庁

半導体発光素子において、下部クラッド層３１と、下部クラッド層の一側の上部に順次に形成された活性層３２、上部クラッド層３３及び第１電極３４と、下部クラッド層の他側の表面に形成された凹凸構造パターン領域上に形成された第２電極３５と、を備える半導体発光素子である。例文帳に追加

A semiconductor LED comprises a lower cladding layer 31, active layer 32 formed on the upper part of one side of the lower cladding layer in sequence, upper cladding layer 33, a first electrode 34, and a second electrode 35 formed on a concavo-convex structural pattern region on the surface of the other side of the lower cladding layer. - 特許庁

さらに冷却ダクトの下部に、飛散したトナーを吸引する飛散トナー吸引ダクトを設け、冷却ダクトと飛散トナー吸引ダクトとを一体化した積層構造とする。例文帳に追加

Furthermore, a scattering toner suction duct, sucking in scattered toner, is provided below the cooling duct and a laminated structure is formed integrating the cooling duct and the scattered toner suction duct. - 特許庁

上部電極４および下部電極２のうちのうちの少なくともいずれか一方が、酸化物導電体層と金属層とを交互に積層した積層電極構造を有している。例文帳に追加

At least one of the upper electrode 4 and the lower electrode 2 has a lamination electrode structure formed by alternately laminating oxide conductor layers and metal layers. - 特許庁

半導体基板のメモリ記憶セルの方法および構造は、基板に形成された深いトレンチの下部を覆ってドーパント源材料を形成することを含む。例文帳に追加

The method and the structure of a memory storage cell in a semiconductor substrate include forming of a dopant source material, covering a lower portion of a deep trench formed in the substrate. - 特許庁

前記半導体装置はヒューズ領域を有する周辺回路領域と、トランジスター及びビットライン上に形成されたキャパシターを有する下部構造物が形成されたセル領域とに仕分けられる。例文帳に追加

The semiconductor device is divided into a peripheral circuit region having a fuse region and a cell region where a lower structure is formed with a transistor and a capacitor formed on a bit line. - 特許庁

レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。例文帳に追加

A surface emission semiconductor laser element chip having an oscillation wavelength of 1.1-1.7 μm and a resonator structure including reflectors provided above and below a light emitting active layer is employed. - 特許庁

このナノ構造体１３ａ〜１３ｃは、その場成長により形成され、それにより前記チャンネル２の側壁４，５上及び前記下部壁３上に堆積された金属触媒の層となる。例文帳に追加

These nanostructures 13a-13c are formed by in situ growth, constituting a metal catalyst layer deposited over the sidewalls 4, 5 and the bottom wall 3 of the channel 2. - 特許庁

犠牲層１０５を除去した後、下部電極１４１および上部電極構造体１７１が形成されている基板１０１を、フッ化水素ガス中に所定の時間配置する。例文帳に追加

After removing the sacrifice layer 105, a substrate 101 formed with a lower electrode 141 and an upper electrode structure 171 is arranged in hydrogen fluoride gas for a prescribed time. - 特許庁

第１コンデンサ１４０は、その多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第１下部電極１４１と第１上部電極１４２との対向面積が所定面積となるように形成されている。例文帳に追加

A first capacitor 140 is built-in this multilayer wiring structure, so that opposing areas of a first lower electrode 141 and a first upper electrode 142 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become a prescribed area. - 特許庁

そこで、半導体装置１の高集積化が可能である構造について、上部電極１０、下部電極８共、その膜厚方向に引張り応力を持つ膜を用いた。例文帳に追加

In the structure of a semiconductor device permitting high integration, a film having tensile stress in the direction of film thickness is employed in both upper and lower electrodes 10, 8. - 特許庁

そして、下部電極上に形成した凸部又は凹部領域を強誘電体が安全に覆い、強誘電上に存在する凸部又は凹部領域を上部電極が安全に覆う構造とする。例文帳に追加

It is structured so that the ferroelectric safely covers the protrusion region or the concave region formed on the lower electrode and the upper electrode safely covers the protrusion region or the concave region formed on the ferroelectric. - 特許庁

このＳｉ基板上に下部電極層１４、強誘電体層１６および上部電極層１８が順次に積層してキャパシタ構造２０が形成されている。例文帳に追加

A lower electrode layer 14, a ferroelectric layer 16 and an upper electrode layer 18 are successively laminated on the Si substrate 10, and a capacitor structure 20 is formed. - 特許庁

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。例文帳に追加

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device. - 特許庁

下部積み重ねユニット、中間積み重ねユニット、及びカバー積み重ねユニットは、一体構造を形成するように、取り外し可能なように接続されている。例文帳に追加

The lower stacking unit, the intermediate stacking unit, and the cover stacking unit are detachably connected to form a unitary structure. - 特許庁

薄膜容量素子１０は、基板１２上に、ボンディング層１４，下部電極１６，誘電体薄膜１８，上部電極２０を順に積層した積層構造となっている。例文帳に追加

A membrane capacity element 10 consists of a laminating structure composed of a bonding layer 14, a lower electrode 16, a dielectric membrane 18, and an upper electrode 20 laminated in order on a substrate 12. - 特許庁

同一半導体基板１に、ＭＩＳ構造のトランジスタ１５と、下部電極５と上部電極８間にキャパシタ絶縁膜７を介在させたキャパシタ１６とが設けられている。例文帳に追加

A semiconductor substrate 1 is provided with a transistor 15 of an MIS structure and a capacitor 16 formed by interposing a capacitor insulating film 7 between a lower electrode 5 and an upper electrode 8. - 特許庁

保持容量７は、誘電体膜を上部電極７Ｔと下部電極７Ｂとで挟んだ積層構造を有し、信号配線２と重なる様にその下方に配されている。例文帳に追加

The holding capacitor 7 has a laminated structure holding a dielectric film between an upper electrode 7T and a lower electrode 7B and is disposed below the signal wiring 2 so as to be superposed thereon. - 特許庁

拡散隔離層は半導体基板内に形成されて素子領域の基底面及び下部側壁を囲み、トレンチ分離構造はエピタキシャル層を垂直に貫通して素子領域の上部側壁を囲む。例文帳に追加

The trench separating structure surrounds the upper side wall of the device area in a state where the structure vertically penetrates the epitaxial layer. - 特許庁

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。例文帳に追加

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22. - 特許庁

下部電極、誘電体膜、及び上部電極からなるキャパシタであって、前記上部電極が第１アンドープポリシリコン膜106aとドープポリシリコン膜106ｂと第２アンドープポリシリコン膜106ｃの積層構造で形成される。例文帳に追加

A capacitor consists of a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode, and the upper electrode is formed of a laminated structure of a first undoped polysilicon film 106a, a doped polysilicon film 106b and a second undoped polysilicon film 106c. - 特許庁

燃料電池自動車の車体下部構造において、燃料ガス管路の下面がアンダーカバーに覆われていても、ガス漏れの点検を簡単にすることができるようにする。例文帳に追加

To easily check gas leakage even if a lower face of a fuel gas pipeline is covered with an undercover, in a vehicle body lower part structure of a fuel cell powered car. - 特許庁

薄膜コンデンサ１００は、下部電極２０、誘電体膜３０、及び上部電極４０が基板１０上に順次積層されてなる積層構造を有する。例文帳に追加

The thin film capacitor 100 has a layered structure that is formed by laminating a lower electrode 20, a dielectric film 30, and an upper electrode 40 in sequence on a substrate 10. - 特許庁

例えば、ソース電極１９からドレイン電極２０間の抵抗を低抵抗化させる構造は、下部半導体層９ａの側面に形成された第１導電型の高濃度不純物層１６である。例文帳に追加

For instance, the structure that decreases resistance between the source electrode 19 and the drain electrode 20 is a first conductivity type high-concentration impurity layer 16 formed on a side surface of a lower semiconductor layer 9a. - 特許庁

下部電極１７と上部電極１９の間に強誘電体薄膜１８を配しており、両電極の交差領域がマトリクス状に配列されるメモリセル構造となり、メモリ部２０を構成する。例文帳に追加

A ferroelectric thin film 18 is arranged between the lower electrode 17 and the upper electrode 19, the intersection area of both the electrodes is arranged in a matrix shape in a memory cell structure to constitute a memory 20. - 特許庁

下部ヘッダに供給されるボイラ水Ｗは、中空壁構造体９ａ， 9ｂを通過する間に燃焼ガス通路４を流動する燃焼ガスＧによる接触伝熱により予熱される。例文帳に追加

Boiler water W to be supplied to a lower header is preheated by contact transfer of heat owing to a combustion gas G flowing through the combustion gas path 4 while passing between the hollow wall structural bodies 9a and 9b. - 特許庁

ＢＡＷフィルタ１は、圧電体層１０を上部電極１２および下部電極１１の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。例文帳に追加

A BAW filter 1 has a structure in which a piezoelectric substance layer 10 is sandwiched between an upper electrode 12 and a lower electrode 11, and is designed to have a target pass band. - 特許庁

銅ヒューズ切断時に照射されるレーザによって、銅ヒューズの下部にあるシリコン基板へ与えるダメージの少ないヒューズの構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with a fuse structure, wherein a laser irradiated at copper fuse melting gives less damage to a silicon substrate at the lower part of copper fuse. - 特許庁

現在技術における欠点を克服するとともに、現在技術をさらに有利に向上させる改良型の移動式クレーンの下部構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a lower structure of an improved mobile crane capable of overcoming a defect in current technology and further advantageously improving the current technology. - 特許庁

半製品構造は、第１の上部フォイル・シート、第１の下部フォイル・シート、および両シートの間に配置された第１の誘電体シートを有する第１の複合シートを備える。例文帳に追加

The semi-fabricated product structure is equipped with a first upper foil sheet, a first lower foil sheet, and a first composite sheet with a first dielectric sheet interposed between the upper foil sheet and the lower foil sheet. - 特許庁

ＳｉＯ_2ハードマスク１０を共通に用いて、上部電極９／強誘電体８／下部電極７／バリア層６、５の積層構造をエッチングにより形成する。例文帳に追加

A multilayer structure of the upper electrode 9, the dielectric 8, the lower electrode 7 and barrier layers 6 and 5 is formed by etching using the SiO_2 hard mask 10 commonly. - 特許庁

それにより、従来、下部電極１とソース／ドレイン領域との電気的接続に用いられていたコンタクトプラグが設けられていない構造の半導体装置が形成される。例文帳に追加

Thus, a semiconductor device without a conventional structure is formed where a contact plug is used to electrically connect the lower electrode 1 and the source/drain area. - 特許庁

これにより、半導体装置１は、容量膜２６を下部電極２５および上部電極２８で挟み込んだ構造のＭＩＭ容量素子を備えている。例文帳に追加

Thus, the semiconductor device 1 comprises the MIM capacitance element of a structure in which the capacitance film 26 is sandwiched between the lower electrode 25 and the upper electrode 28. - 特許庁

支持基板上に形成されたＭＩＭ構造（下部電極／誘電体層／上部電極）膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する。例文帳に追加

To peel off an MIM structure (lower electrode/dielectric layer/upper electrode) film formed on a support substrate uniformly with low damage, and to transfer the MIM structure film to a transfer substrate. - 特許庁

車両１０下部に設けられたサスペンションメンバ１１の下面側を覆うアンダーカバー本体１３を有すると共に、サスペンションメンバ１１にジャッキ受圧面１１ｅを設けたアンダーカバー構造である。例文帳に追加

In the undercover structure having an undercover body 13 for covering the lower surface side of a suspension member 11 provided at the lower portion of a vehicle 10, a jack pressure receiving surface 11e is provided at the suspension member 11. - 特許庁

オフセット衝突や斜め衝突を含む前面又は後面衝突の荷重を効率的に吸収、分散してアンダボディに伝達することができる車体下部構造を得る。例文帳に追加

To provide a vehicle body lower structure capable of efficiently absorbing and distributing the load of a front or rear collision including an offset collision and an oblique collision, and transmitting it to an underbody. - 特許庁