「劈開面」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

新たな基板生産物４１は劈開面４１ａを有する。例文帳に追加

The new substrate product 45 has a cleavage plane 41a. - 特許庁

基板裏面からの劈開面に半導体メサの断面が現れている。例文帳に追加

A section of the semiconductor mesa appears from the backside of the substrate, on the cleavage surface. - 特許庁

基板の劈開性が乏しい場合においても、劈開により形成される共振器端面あるいは端面の平坦性を良好にする。例文帳に追加

To upgrade an end face of a resonator formed by cleavage or the flatness of the end face even when the cleavage of a substrate is poor. - 特許庁

この支持基板１４では、ダイシングラインＤＬ１，ＤＬ２が、支持基板１４の表面に垂直な劈開面、即ち第５の劈開面Ｃ、及びそれと直交する第６の劈開面Ｄに対して平行とはならない。例文帳に追加

In this supporting substrate 14, dicing lines DL1 and DL2 are not parallel to cleavage planes which are perpendicular to the front surface of the supporting substrate 14, i.e., a fifth cleavage plane C and a sixth cleavage plane D crossing them at right angles. - 特許庁

結晶鉱物がある一定の方向に割れて劈開面を作る現象例文帳に追加

of a crystal, a phenomenon in which it breaks in one particular direction and creates a {plane of cleavage}  - EDR日英対訳辞書

レーザーデバイスの劈開面を加工する方法及びレーザーデバイス例文帳に追加

METHOD OF MACHINING CLEAVED SURFACE OF LASER DEVICE, AND THE LASER DEVICE - 特許庁

半導体レーザ素子の劈開端面処理方法およびその処理装置例文帳に追加

CLEAVAGE END FACE PROCESSING METHOD AND DEVICE OF SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT - 特許庁

良好な品質の劈開面を有する窒化物半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser which has cleavage surfaces of good quality. - 特許庁

第２半導体層３０を劈開し一対の共振器端面を形成する。例文帳に追加

The second semiconductor layer 30 is cleaved to form a pair of resonator end surfaces. - 特許庁

（１０−１０）面４に沿った劈開、分割を容易に行うことができる。例文帳に追加

Cleavage and division along the (10-10) plane 4 can easily be performed. - 特許庁

また、各共振面は、活性層及び基板のうちの少なくとも活性層に形成された劈開ガイド溝２０３に沿って劈開されている。例文帳に追加

Also, the respective resonance surfaces are cleaved along a cleavage guide groove 203 formed on at least the active layer between the active layer and the substrate. - 特許庁

劈開によるウエハの個片化において、個片化されたチップの劈開面の整直性と、チップへの粘着剤屑の付着の防止を両立する。例文帳に追加

To provide both smoothness (linearity) of the cleavage plane of an individualized wafer chip and prevention of adhesion of rubbish of the pressure sensitive adhesive to the chip when individualizing a wafer by cleavage. - 特許庁

ウェーハ強度を低下させることなく、少ない投資で実現可能であり、かつ、きれいな劈開面で形成され、高い劈開面精度を持つＯＦを、高い歩留まりで得ることが可能な半導体ウェーハの劈開方法、および劈開治具を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cleaving a semiconductor wafer that maintains wafer strength, is reduced in investment and manufactures OFs at a high yield, with fine cleavage surfaces, and with high cleavage profile irregularity, and to provide its associated cleavage jig. - 特許庁

基板１の結晶方位面に沿って劈開形成した劈開分離面８０を第１のスラブ導波路３を通る光の経路と交わるように形成して第１のスラブ導波路３を劈開分離する。例文帳に追加

A cleaved and separated surface 80 is formed by cleavage along the crystal orientation surface of the substrate 1 so as to cross the path of light passing through the first slab waveguide 3 to separate by cleaving the first slab waveguide 3. - 特許庁

オリエンテーションフラットまたはインデクスフラットが劈開面で形成されるウェハにおいて、その劈開面を高歩留りに形成することのできる化合物半導体ウェハ及びその劈開方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor wafer wherein a cleavage plane is formed with high yield, in a wafer in which an orientation flat or an index flat is formed by the cleavage surface, and also to provide its cleavage method. - 特許庁

インゴット１０の状態で、劈開面４を形成する位置に劈開方向と平行に最終劈開面長さ未満の切り込み１１を入れ、その後スライスしてウェハ１とする。例文帳に追加

In the state of an ingot 10, a cut 11 which is less smaller a final cleavage surface length is made, where a cleavage surface 4 is formed in parallel with the cleaving direction, and then the ingot is sliced into wafers 1. - 特許庁

二次劈開によって下面６２１に対して垂直方向から傾斜した方向に劈開される第２のレーザダイオードチップ６２は、劈開に先立ってダイシングにより形成した上下の面に垂直な垂直面部分６２５ａと、二次劈開による劈開面部分６２５ｂとによってその側面６２５が形成されている。例文帳に追加

The side face 625 of the second laser diode chip 62 which is secondarily cleaved in the direction inclined from the direction which is perpendicular to its lower surface 621 is formed of a vertical plane section 625a which is perpendicular to its upper and lower surfaces formed by dicing before cleaving and a cleavage plane section 625b formed by the secondary cleaving. - 特許庁

原子オーダで平坦な広い領域を持つ清浄な劈開面を高い再現性で作製することができる劈開方法および劈開装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a cleaving method capable of forming a clean cleaving surface having a flat wide region in an atomic order with high reproducibility, and a cleavage device. - 特許庁

ウエハ１の劈開を行う前に、ウエハ１表面の劈開ライン１０１上に、凹溝１００が、少なくとも劈開ライン１０１とストライプコア２ａとが重なる部分にストライプコア２ａを分断するように形成される。例文帳に追加

Before cleaving the wafer 1, recessed grooves 100 are formed on a cleavage line 101 on the surface of the wafer 1 so that a stripe core 2a is divided on a portion where at least the cleavage line 101 and the stripe core 2a are superposed to each other. - 特許庁

導波路１２は、劈開端面１６とは異なる斜め端面１７を出射端面として有する。例文帳に追加

The waveguide 12 has, as an emitting end surface, the inclined end surface 17 different from the cleavage end surface 16. - 特許庁

これにより、ｒ面およびａ面を劈開面とすることができ、略直方体の素子を得ることができる。例文帳に追加

Thereby, (r) face and (a) face can be used as wall interface and nearly rectangular prism element can be obtained. - 特許庁

劈開面を有する半導体ウェハの加工方法及びその方法で得られる半導体ウェハ例文帳に追加

WORKING METHOD ON SEMICONDUCTOR WAFER COMPRISING CLEAVED SURFACE, AND SEMICONDUCTOR WAFER OBTAINED THEREBY - 特許庁

ＣＯＤ劣化が生じにくい半導体レーザ素子を得るための劈開端面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleavage end face processing method for obtaining a semiconductor laser element which hardly suffers from COD deterioration. - 特許庁

劈開によらずミラー端面を形成可能な構造を有する半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor opto-electrical element having a structure which allows the formation of a mirror end face without performing cleavage. - 特許庁

一方、劈開後に残った第１の基板４０は、その表面を研磨して再使用する。例文帳に追加

Meanwhile, the first substrate 40 left after cleavage is reused by polishing the surface thereof. - 特許庁

劈開面に擦りキズの発生を低減可能な、半導体バーを作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor bar that reduces the occurrence of scratches on the cleavage plane. - 特許庁

劈開面における割れや欠けが発生し難い半導体光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor optical element in which break and crack in a cleavage plane are hard to occur. - 特許庁

出射ビーム２１が劈開端面１６に対して垂直に出射されるようにしている。例文帳に追加

The emission beam 21 is emitted at right angles to the cleavage end surface 16. - 特許庁

半導体積層１５は、第２の方向に延びる第１及び第２の劈開面１７ａ、１７ｂを有する。例文帳に追加

The semiconductor lamination 15 has first and second cleavage surfaces 17a and 17b extending in a second direction. - 特許庁

オリエンテーションフラットが劈開面で形成される円形ウェハ、あるいはインデクスフラットが劈開面４で形成される円形ウェハにおいて、劈開面４とウェハ外周部５との接続する部分がウェハ外周部５とは別の円弧６ａ、６ｂで形成されている形状、あるいは、劈開面４とは別の直線で形成されている形状とする。例文帳に追加

In a circular wafer wherein an orientation flat is formed into a cleaved plane, or in a circular wafer wherein an index flat is formed into a cleaved plane 4, joint parts between the cleaved plane 4 and the periphery 5 of the wafer are formed into circular arcs 6a and 6b different from the periphery 5 of the wafer or into straight lines different from the cleaved plane 4. - 特許庁

半導体積層体１２０は、シリコンの面方位である｛０１１｝面と平行な面を劈開面１１３に持ち、該劈開面１１３は端面ミラーを構成する。例文帳に追加

The semiconductor laminate 120 has cleavage planes 113 parallel to a plane (011) that is the plane orientation of silicon, and the cleavage planes 113 constitute the end surface mirror. - 特許庁

Ｎｉ／Ａｕ膜７およびＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を介してＣ面サファイア基板１上のＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＰ基板８とをそれらの劈開容易方向が一致するように接合後、Ｃ面サファイア基板１を除去し、ｐ型ＧａＰ基板８をその劈開容易方向に沿って劈開することによりＧａＮ系半導体層を劈開して共振器端面を形成する。例文帳に追加

The method also comprises the steps of connecting the GaN semiconductor layer on the board 1 to the substrate 8 via the film 7 and the film 9, so that easy directions of cleavage for the semiconductor layer and the substrate coincide, then removing the board 1, cleaving the substrate 8 along the its easy direction of cleavage, thereby cleaving the semiconductor layer to form the end face of a resonator. - 特許庁

劈開方向が直交する基板の受光面側にテクスチャを配列してなる太陽電池セルにおいて、テクスチャは、これらの劈開方向に沿って形成されたそれぞれの底辺で互いに隣接し、少なくとも一方の劈開方向に沿う底辺が断続することを特徴とする。例文帳に追加

In a solar cell, where textures are arranged on the light- receiving face side of a substrate having orthogonal directions of cleavage, the textures are contiguous to each other on each bottom side formed along these directions of cleavage and the bottom side is intermittent along at least one cleavage direction. - 特許庁

スクライブ溝と劈開面とのズレ幅を低減し、より高精度な外観寸法で、劈開面が高品質な鏡面を有するチップに加工することが可能なスクライブ溝の加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for working a scribe groove by which a gap width between a scribe groove and a cleaved surface can be reduced and a chip with a cleaved surface having a high-quality mirror surface can be made in a highly accurate and external dimension. - 特許庁

例えば、図１の顕微鏡写真に示すように、ＤＡＳＴ結晶の劈開面は、ａ軸と平行方向および（００１）面と平行方向に劈開面を有しており、ここに前記直線状欠陥が存在する。例文帳に追加

For example, as shown in a microphotograph of Fig. 1, a cleavage surface of a DAST (4-dimethylamino-N-methyl-4-stilbazolium tosylate) crystal has a cleavage surface in a direction parallel to an axis (a) and parallel to a (001) plane and the linear defect exists here. - 特許庁

窒化物系化合物半導体の劈開面と同じ劈開面を有し、かつ、導電性を有する二硼化物単結晶基板と、それを用いた半導体レーザダイオード及び半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diboride single crystal substrate having a cleavage plane same as that of a nitride compound semiconductor, and also having electric conductivity, to provide a semiconductor laser diode and a semiconductor device using the same, and to provide their production methods. - 特許庁

本発明は半導体レーザー素子の劈開面上において傾きや凸凹の形成を防止するようリッジを劈開面内側に埋め込んだ半導体レーザー素子及びその製造方法に関するものである。例文帳に追加

To provide a high reliability semiconductor laser element with superior laser oscillation property and its manufacturing method, by forming a ridge on the cleavage surface of the semiconductor laser element at a position apart from the cleavage surface by prescribed distances so as to prevent tilt and unevenness from being formed to simplify the construct of the cleavage surface thereby the tilt and the unevenness are prevented from occurring. - 特許庁

スライスされた個々のウェハにおけるオリエンテーションフラットの劈開面の劈開精度を向上させ、製造スループットを向上することのできる半導体結晶を得ること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor crystal capable of improving manufacture throughput, by improving the cleavage precision of cleavage surfaces of orientation flats of individual sliced wafers. - 特許庁

窒化物半導体レーザ素子において、基板漏洩モードを抑制し、ミラー端面の少なくとも積層体側領域では平坦な劈開を可能とし、劈開ラインを直線にする。例文帳に追加

To obtain a nitride semiconductor laser element in which substrate leakage mode is suppressed, a flat cleavage can be ensured at least in the laminate side region of a mirror end face, and the cleavage line can be made straight. - 特許庁

半導体ウエハ１の表面にスクライブライン９を入れた後、劈開用ブレード８を用いて、このスクライブライン９に沿った半導体ウエハ１の劈開を行い、ウエハ片１ｂを分断する。例文帳に追加

In the method of the technology, a scribe line 9 is formed on a surface of a semiconductor wafer 1, and then the semiconductor wafer 1 is cleft along the scribe line 9 by using a cleaving blade 8, thereby separating off a wafer piece 1b. - 特許庁

ウエハ表面を保護しつつ、脆く割れ易いウエハであっても、正確に劈開できるように、ウエハ劈開用のけがき線を形成する装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for forming a marking-off line for cleaving a wafer so as to accurately cleaving even a brittle wafer while protecting the wafer front surface. - 特許庁

交差分離面８とそれに連通する非交差分離面１８を基板１の劈開面４３と一致しない面とする。例文帳に追加

The intersecting surface 8 and a non-intersecting surface 18 communicating with it are formed so as not to come into contact with a cleavage plane 43 of the substrate 1. - 特許庁

半導体素子２は、側面に劈開面３を有しており、表面には２次元コード６が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor element 2 has a cleavage surface 3 on a side surface, and also has the two-dimensional code 6 formed on the surface. - 特許庁

劈開された表面に対するエッチングは水素表面処理およびウェットエッチングを使用して行える。例文帳に追加

The etching to the cleaved surface is performed by hydrogen surface treatment and wet etching. - 特許庁

サファイア基板を用いながらも、劈開面を光共振器面とするIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride laser diode with a cleavage plane as a light resonator surface, while using a sapphire substrate, and its manufacturing method. - 特許庁