「太陽族」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＩＩＩ族窒化物系太陽電池及びその製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE-BASED SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金を有する多接合太陽電池例文帳に追加

MULTIJUNCTION SOLAR CELL WITH GROUP IV/III-V HYBRID ALLOY - 特許庁

ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金を有する反転多接合太陽電池例文帳に追加

INVERTED MULTIJUNCTION SOLAR CELL WITH GROUP IV/III-V HYBRID ALLOY - 特許庁

ＩＩＩ・Ｖ族化合物半導体太陽電池およびその製造方法例文帳に追加

III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

より短波長の光電変換を行うＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜太陽電池素子を、多接合型太陽電池素子の前段に設置する。例文帳に追加

A group III-V nitride thin-film solar cell element performing photoelectric conversion of light with further short wavelengths is installed at a pre-stage of a multi-junction solar cell element. - 特許庁

III-V族化合物太陽電池セルの表面電極形成プロセスを簡略化できる太陽電池セル構造及び太陽電池セル作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell structure and a method of manufacturing a solar cell wherein the surface electrode forming process for a group III-V compound solar cell can be simplified. - 特許庁

太陽電池用金属プリカーサー形成材、太陽電池用金属プリカーサーの製造方法およびＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族系化合物太陽電池の製造方法例文帳に追加

METAL PRECURSOR FORMATION MATERIAL FOR SOLAR CELL, METHOD OF MANUFACTURING METAL PRECURSOR FORMATION MATERIAL FOR SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING IB-IIIA-VIA-BASED COMPOUND SOLAR CELL - 特許庁

ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびその製造方法例文帳に追加

FILM SOLAR CELL ELEMENT BASED ON IB-IIIA-VIA COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

Ｉｂ—ＩＩＩｂ—ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE OF THIN-FILM SOLAR CELL - 特許庁

Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池およびその製造方法例文帳に追加

GROUP I-III-VI CHALCOPYRITE TYPE THIN FILM SOLAR BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

太陽電池モジュール２は有機系材料特に芳香族ポリアミドフィルム材料からなる。例文帳に追加

The solar cell module 2 consists of an organic material, in particular, an aromatic polyamide film material. - 特許庁

ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金からなる太陽電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a solar cell composed of a group IV/III-V hybrid alloy. - 特許庁

Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパライト型薄膜系太陽電池及びその製造方法例文帳に追加

GROUP I-III-VI CHALCOPYRITE TYPE THIN-FILM-BASED SOLAR CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

安価に、膜質が良好な金属プリカーサーを製造することができる太陽電池用金属プリカーサー形成材、太陽電池用金属プリカーサーの製造方法およびIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal precursor formation material for solar cell with which a metal precursor having good film quality can be manufactured at low cost, a method of manufacturing the metal precursor formation material for solar cell, and a method of manufacturing an IB-IIIA-VIA-based compound solar cell. - 特許庁

本発明は、ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびこのような太陽電池素子を製造するための方法に関するものである。例文帳に追加

To provide a film solar battery element based on a IB-IIIA-VIA compound semiconductor, and a method of forming such a solar cell element. - 特許庁

セラミック基板１２６と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体型太陽電池１０２と、ヒートシンク１２０とを含む集光型光電池システムを用いた太陽電池受け構造１００とする。例文帳に追加

The receiver structure 100 for use in a concentrating photovoltaic system includes a ceramic substrate 126, a III-V compound semiconductor solar cell 102, and a heat sink 120. - 特許庁

Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で形成された薄膜を有する太陽電池素子例文帳に追加

FORMATION METHOD OF Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SOLAR CELL ELEMENT HAVING THE THIN FILM FORMED BY THE METHOD - 特許庁

また、上記（Ｂ）Ｃ９系芳香族炭化水素樹脂の水素化物の水素化率が４０％以上である太陽電池用封止材シートである。例文帳に追加

Further, in the sealing material sheet for solar cell, the C9-based aromatic hydrocarbon resin (B) has a hydrogenation rate of ≥40%. - 特許庁

III族窒化物半導体等のウルツ型化合物半導体を用いた高効率な太陽電池を得られるようにする。例文帳に追加

To provide a high-efficiency solar cell using a wurtzite compound semiconductor such as a group III nitride semiconductor. - 特許庁

ＩＢ族元素リッチ組成のＩＢ−IIIＢ−VIＢ半導体からなる光吸収層を備えた太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a solar battery equipped with a light absorption layer consisting of a IB-IIIB-VIB semiconductor of group IB element rich composition. - 特許庁

絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。例文帳に追加

The solar cell has a photoelectric conversion layer including a semiconductor layer including an Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element on an aluminum substrate provided with an insulative anodic oxidation film. - 特許庁

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIａ族元素を含有する半導体膜を光吸収層として備えた太陽電池におけるエネルギー変換効率を向上させる。例文帳に追加

To improve energy conversion efficiency of a solar cell that is provided with a semiconductor film containing a Ib group element, a group IIIb element and a VIa group element as an optical absorption layer. - 特許庁

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a solar cell including a photoelectric conversion layer formed of at least one compound semiconductor consisting of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and an insulating layer formed by anodizing Al, in which degradation of insulating characteristics caused by a crack in the insulating layer can be prevented even when the photoelectric conversion layer is formed at a high temperature exceeding 500°C. - 特許庁

本発明に係る太陽電池用金属プリカーサー形成材１０は、複数の粒子１２が基体１１上に堆積されている太陽電池用金属プリカーサー形成材であって、粒子１２は、IIIＡ族元素を含むコア粒子１６と、コア粒子１６の周りを被覆し、IＢ族元素を含む被覆物質１４とを有することを特徴とする。例文帳に追加

A metal precursor formation material 10 for solar cell according to the present invention has a plurality of particles 12 deposited on a base 11, and the particles 12 have core particles 16 containing a group IIIA element, and a coating substrate 14 which covers peripheries of the core particles 16 and contains a group IB element. - 特許庁

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained. - 特許庁

α−ジケトン／芳香族アミン化合物／脂肪族アミン化合物／トリハロメチル基置換ｓ−トリアジン化合物系のような、芳香族アミン化合物及びｓ−トリアジン化合物系を含む光重合開始剤を用いた歯科用修復材料の太陽光安定性（耐変色性）を良好なものとする。例文帳に追加

To improve stability to sunshine (color fastness) of a dental restorative material using a photopolymerization initiator containing an aromatic amine compound and an s-triazine compound base such as α-diketone/aromatic amine compound/aliphatic amine compound/trihalomethyl group-substituted s-triazine compound base. - 特許庁

『乳母車(映画)』『陽のあたる坂道(小説)』『若い川の流れ』では太陽族映画やアクション映画とは違う石原裕次郎の新しい一面を引き出した。例文帳に追加

In "Ubaguruma" (Baby Carriage), "Hi no Ataru Sakamichi" (The Sunny Slope) and "Wakai Kawa no Nagare" (The Stream of Youth), he brought out a new side to Yujiro ISHIHARA that was different from that exhibited in taiyozoku (juvenile delinquency-themed films) and action films.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

三級芳香族アミン化合物、非対象型スクアリリウム化合物に、優れた電子アクセプターであるフラーレンを導入することで得られる、太陽発電用有機増感色素である。例文帳に追加

The organic sensitizing dye for solar power generation is obtained by introducing a fullerene being an excellent electron acceptor to a tertiary aromatic amine compound or an asymmetric squarylium compound. - 特許庁

（Ａ）エチレン・酢酸ビニル共重合体樹脂、及び、（Ａ）との相溶性が高い（Ｂ）Ｃ９系芳香族炭化水素樹脂の水素化物を含む太陽電池用封止材シートである。例文帳に追加

The sealing material sheet for solar cell contains an ethylene vinylacetate copolymer resin (A) and a hydride of a C9-based aromatic hydrocarbon resin (B) having high compatibility with (A). - 特許庁

本発明の太陽電池用裏面保護フィルムは、含珪素ゴムの存在下、芳香族ビニル化合物を含む単量体を重合して得られたグラフト重合樹脂等の、含珪素熱可塑性樹脂を含む樹脂層を備える。例文帳に追加

The back surface protective film for solar cells includes a resin layer including silicon-containing thermoplastic resins, such as graft polymer resins, obtained by polymerizing a monomer including an aromatic vinyl compound, under the existence of silicon-containing rubber. - 特許庁

面方向液透過速度が０．１ｍｍ／ｍｉｎ〜１００ｍｍ／ｍｉｎである芳香族ポリアミド多孔質膜をセパレーターとして用いて色素増感型太陽電池とする。例文帳に追加

In the dye-sensitized solar cell, an aromatic polyamide porous membrane in which a plane direction liquid transmission rate is 0.1 to 100 mm/min is used as a separator. - 特許庁

金属裏面電極の結晶配向性を改善してＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパライト化合物の結晶配向性を改善し、光電変換効率を向上させた太陽電池の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a solar cell improved in photoelectric conversion efficiency by improving crystal orientation of a group I-III-VI chalcopyrite compound by improving crystal orientation of a metal back electrode. - 特許庁

本発明は、理論上の光電変換効率が３４％以上であり、工業製品レベルにおいても光電変換効率が２７％以上であるＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体多接合型太陽電池セルを提供する。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor multijunction solar battery cell having a theoretical photoelectric conversion efficiency of 34% or higher and photoelectric conversion efficiency of 27% or higher, in the level of an industrial product as well. - 特許庁

光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nanowhisker composing an optelectronic device, solar cell, photodetector or the like, and to provide a method of manufacturing the same by a plurality of nanowhiskers which comprise group III-V semiconductor materials and of which a width is controlled. - 特許庁

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第ＩＶ族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。例文帳に追加

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing. - 特許庁

導電性基材上に、色素が表面に吸着された金属酸化物からなる金属酸化物半導体電極と、電荷移動層と、対向電極とを順次有する色素増感型太陽電池において、該金属酸化物が、表面に白金族元素を有するチタン酸アルカリ金属の針状結晶と、チタン酸アルカリ土類金属とを含有することを特徴とする色素増感型太陽電池。例文帳に追加

In the dye-sensitized solar cell provided with a metal oxide semiconductor electrode made of metal oxide with dyes absorbed on the surface, a charge transfer layer, and an opposing electrode in that order on a conductive base material, the metal oxide contains needle crystal of alkali metal titanate having a platinum-group element on the surface and alkaline earth metal titanate. - 特許庁

エチレン−酢酸ビニル共重合体、架橋剤を含む太陽電池用封止膜であって、更に、炭素原子数６〜３０個であり、アミン価３４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の脂肪族アミンを、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体１００質量部に対して、０．１質量部より多く１．０質量部以下の含有量で含むことを特徴とする太陽電池用封止膜。例文帳に追加

The sealing film for a solar cell, including ethylene-vinyl acetate copolymer and a crosslinking agent, and containing aliphatic amine, having a carbon atom number of 6 to 30 and an amine value of 340 mgKOH/g or larger, larger than 0.1 parts by mass and 1.0 parts by mass or smaller par 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer. - 特許庁

成長用基板を準備し、該成長用基板上に順に重ねられた状態で半導体物質の層を堆積して、ＧｅＳｉＳｎなどのIV／III−V族ハイブリッド合金により構成される少なくとも１つの補助電池を含む太陽電池を形成し、該半導体基板を取り除くことからなる太陽電池の製造方法が示されている。例文帳に追加

The present invention relates to the method of manufacturing the solar cell that includes forming a solar cell including at least one auxiliary battery composed of a group IV/III-V hybrid alloy such as GeSiSn by preparing a growth substrate and depositing a sequence of layers of semiconductor material on the growth substrate; and removing the semiconductor substrate. - 特許庁

窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。例文帳に追加

A nitride semiconductor solar cell includes: a first semiconductor layer 102 comprising a III-V nitride semiconductor and including a first pn junction; and a second semiconductor layer 104 comprising a III-V nitride semiconductor and including a second pn junction different in bandgap from the first semiconductor layer 102. - 特許庁

裏面電極膜１１の上に部分的に設けたＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を含む絶縁層１２と裏面電極１１あるいは部分的に設けた絶縁層１２の上に光吸収層となる半導体薄膜１３を形成した構成を含む薄膜太陽電池。例文帳に追加

A semiconductor thin film 13 which becomes a light absorption layer is formed on an insulating layer 12 containing Ia group element or Vb group element partially provided on a back electrode 11 and the back electrode 11 or the partially provided insulating layer 12. - 特許庁

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer. - 特許庁

これに対して高山らの国体論は、当時広く浸透していた「家」を中心とする国民意識に基づき、「皇室は宗家にして臣民は末族なり」とし、宗家の家長たる天皇による日本（＝「君臣一家」）の統治権を正当化する（高山「我国体と新版図」、『太陽』3巻22号）。例文帳に追加

On the contrary, the national polity theory of Takayama was based on pervasive public sense which put priority on 'family,' and insisted that 'the Imperial Family was a head family and subjects belonged to branch families,' the emperor regarded as a head of the family (= 'Imperial members and subjects belonged to the same family lime') had a right to rule Japan (Takayama's 'Our national polity and new territory,' "the sun" No. 22, volume 3).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

芳香族ポリカーボネート樹脂の優れた透明性、機械物性を保持しつつ太陽光線が直接当たる屋外用途や液晶ディスプレー用のフィルムとして使用する際に、色相の劣化の少ないポリカーボネート構成体を提供する。例文帳に追加

To provide a polycarbonate sub-unit which is reduced in hue deterioration when used as a film for outdoor applications to be exposed directly to sunlight or for a liquid crystal display while keeping the transparency and mechanical properties of an aromatic polycarbonate resin. - 特許庁

ゲルマニウム半導体の成長用基板を準備し、半導体物質層を順に重ねられる状態で半導体成長用基板上に堆積して、ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金から構成される補助電池を含む太陽電池を形成する方法を示している。例文帳に追加

The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell by providing a germanium semiconductor growth substrate; and depositing on the semiconductor growth substrate a sequence of layers of semiconductor material forming a solar cell, including an auxiliary battery composed of a group IV/III-V hybrid alloy. - 特許庁

有機金属化合物を原料として用いたＣＶＤ法によりＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ_2 族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ_2 ）薄膜を形成する方法において、太陽電池の光吸収層として適切な抵抗率の薄膜が得られる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of obtaining a thin film, having a resistivity suitable as the light-absorbing layer of a solder cell in a method for forming an Ib-IIIb-VIb2 compound semiconductor (CuInS2) thin film by a CVD method (chemical vapor deposition method), using an organic metallic compound as its raw material. - 特許庁