「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

結晶成長後、Ｍｇ原子の活性化のために、窒素雰囲気において７００℃で１０分間の熱処理を行う。例文帳に追加

Heat treatment is performed at 700°C for 10 minutes in nitrogen atmosphere for activating Mg atoms after a crystal is grown. - 特許庁

前記含窒素炭素化合物は、粉末状のポリイミドに対して、不活性雰囲気中、５００〜２０００℃の熱処理を施すことにより得られるものである。例文帳に追加

The nitrogen-containing carbon compound is obtained by applying heat treatment to a powdery polyimide at 500-2,000°C in an inert atmosphere. - 特許庁

または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。例文帳に追加

Or a step of forming the amorphous oxide layer 2 is performed in an atmosphere containing at least one of an ozone gas, a nitrogen oxide gas and the like. - 特許庁

並びに、この触媒を用いて酸素過剰雰囲気下において、メタンの存在下に窒素酸化物を分解する排ガス浄化方法。例文帳に追加

In the method for cleaning exhaust gas, nitrogen oxides are decomposed by using the catalyst in the oxygen enriched atmosphere and in the presence of methane. - 特許庁

次に、ＳｉＯ_2膜２に対して、窒化性ガス雰囲気下で熱処理を行うことにより、ＳｉＯ_2膜２をＳｉＯＮ膜３に変化させる。例文帳に追加

Then, the SiO_2 film 2 is changed into an SiON film 3 by subjecting the SiO_2 film 2 to a heat treatment in a nitriding type gas atmosphere. - 特許庁

この後、酸素を遮断した窒素雰囲気中で印刷箇所に紫外線を照射し、紫外線硬化型インキを硬化させる。例文帳に追加

After that, by irradiating ultraviolet rays on a printed site in a nitrogen atmosphere, from which oxygen is excluded, the ultraviolet curable is cured. - 特許庁

めっき層形成後に酸化性雰囲気４００℃以上の温度で熱処理し、最表層に窒素含有酸化チタン皮膜を形成した。例文帳に追加

After the deposition of the plating layer, heat treatment is performed at ≥400°C in an oxidizing atmosphere to form the nitrogen-containing titanium oxide film on the outermost surface layer. - 特許庁

噴霧燃焼中には酸素不足の還元性雰囲気となり、しかも可燃性液体の不完全燃焼により生成する炭素成分の存在によって還元性雰囲気がさらに強力なものとなって、金属元素周囲に存在する窒素原子が金属元素と反応し窒化反応が進行する。例文帳に追加

A reducing atmosphere of oxygen deficiency is formed during the spray combustion and the reducing atmosphere becomes further powerful in the presence of a carbon component generated by the incomplete combustion of the inflammable liquid and nitrogen atom existing around the metal element is reacted with the metal element to progress the nitriding reaction. - 特許庁

熱間押出時のビレット加熱を加熱炉内で窒素雰囲気にした状態で行い、粉末を充填したビレット内部に窒素を注入することにより加熱と窒化処理を同時に行った後熱間押出を行うことを特徴とする高窒素含有粉末ハイス鋼の製造方法。例文帳に追加

In this method for producing high nitrogen powder high speed steel, billet heating at the time of hot extrusion is performed in a nitrogen atmosphere in a heating furnace, heating and nitriding treatments are simultaneously performed by injecting nitrogen into the inside of the billet charged with powder, and hot extrusion is performed thereafter. - 特許庁

この方法では、窒素ガス雰囲気中で約６００〜１，４００℃の温度にペレットを加熱してから、真空中で加熱して、ペレットに接触する窒素をペレットの内部に拡散して、窒化物の析出を抑える。例文帳に追加

In this method, the pellet is heated in vacuum after being heated to a temperature of about 600-1,400°C in nitrogen gas atmosphere, whereby the nitrogen in contact with the pellet is diffused into inside of the pellet to suppress the precipitation of the nitrogen. - 特許庁

酸化雰囲気中で窒化アルミニウム基板を部分的に酸化して、酸化アルミニウムを含む部分を窒化アルミニウム基板内に形成することによって低熱伝導部分１２０を形成する。例文帳に追加

The low thermal conducting portion 120 is formed, by oxidizing partially the aluminum nitride substrate in an oxidation atmosphere and by forming a portion, containing aluminum oxide in the aluminum nitride substrate. - 特許庁

炭素原子と窒素原子から構成されるＣＮ_ｘナノチューブ、酸化ホウ素及び酸化銅を窒素雰囲気中で１５００Ｋ〜２５００Ｋの高温下に反応させ、ナノ粒子構造を有する窒化ホウ素ナノ粒子の内部に固体状窒素を内含させる。例文帳に追加

A CN_x nanotube comprising carbon and nitrogen atoms is reacted with boron oxide and copper oxide at 1,500-2,500 K in a nitrogen atmosphere to provide the boron nitride nanoparticle with a nanoparticle structure containing solid-state nitrogen. - 特許庁

窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第１図（a）に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも２時間保持する工程を含む。例文帳に追加

The method for producing aluminum nitride includes a step of maintaining a raw material mixture consisting of lithium nitride and aluminum in the composition and the temperature in the shaded region in the binary phase diagram related to the lithium nitride and aluminum shown in fig.1 (a) for at least 2 hours under normal pressure nitrogen atmosphere. - 特許庁

処理すべきチタン材を窒素ガス又は窒素ガスを含む不活性ガスの雰囲気中で高温度及び高圧力下で所定時間保持してなす熱間等方圧加圧処理からなる窒化処理を行うことによりチタン材の表面に窒化層を形成してチタン材の表面を硬化させる。例文帳に追加

The nitriding layer is formed on the surface of the titanium material so as to harden the surface of the titanium material, by applying the nitriding treatment consisting of the hot isotropic pressing treatment, in which the titanium to be treated is held for a prescribed time in the atmosphere of the nitrogen gas or the inert gas containing the nitrogen gas under condition of the high temperature and the high pressure. - 特許庁

かかるチタン薄板は、冷間圧延後で油分が付着したチタン薄板の表面を除去した後に、酸化・窒化雰囲気で所定の焼鈍処理をするか、あるいは焼鈍後又は焼鈍・酸洗後に酸化・窒化雰囲気で所定の焼鈍処理を加えることにより得られる。例文帳に追加

Such a titanium sheet can be obtained by applying a prescribed annealing treatment in an oxidizing/nitriding atmosphere after removing the surface of the titanium sheet having adhering oil after cold rolling, or applying prescribed annealing treatment in an oxidizing/nitriding atmosphere after annealing or after annealing/picking. - 特許庁

または、原料粉末に対し炭素を近接配置した状態で窒素ガス含有雰囲気中において焼成することにより、酸窒化物ペロブスカイトを生成させ、これを粉末化して塗膜を形成し、この塗膜を熱処理する。例文帳に追加

Or, material powder is baked with carbon disposed close thereto in an atmosphere containing gaseous nitrogen, oxynitride perovskite thus produced is pulverized to form a coating film, and this coating film is heat-treated. - 特許庁

炭化ケイ素粉末、非金属系焼結助剤、及び窒素化合物の混合物を、窒素雰囲気下で焼結する工程を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。例文帳に追加

This method for producing the silicon carbide sintered body is characterized by a step for sintering a mixture of a silicon carbide powder, a nonmetallic sintering adjuvant and a nitrogen compound in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

炭化珪素半導体装置の製造方法を、炭化珪素層２が形成されたウエハを二窒化酸素雰囲気中で熱処理して上記炭化珪素層２上に二酸化珪素膜５を成膜すると同時に窒化処理を行う窒化処理工程と、上記ウエハを、水蒸気を含んだ酸素雰囲気中で熱処理する熱処理工程と、を含んでなることとした。例文帳に追加

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes: a nitriding process for heat-treating a wafer in which a silicon carbide layer 2 is formed in an oxygen dinitride atmosphere, for forming a silicon dioxide film 5 on the silicon carbide layer 2, and for performing nitriding treatment; and a heat treatment process for heat-treating the wafer in an oxygen atmosphere containing vapor. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム含有物の製造方法は、窒化物の生成自由エネルギーがアルミニウムより小さい元素である触媒元素を、窒素雰囲気下で加熱された溶融アルミニウム中に位置させることにより、触媒元素を触媒とした窒化反応を生じさせ、窒化アルミニウムを含有する窒化アルミニウム含有物を生成する第１熱処理工程を具備する。例文帳に追加

The process for producing the aluminum nitride containing material includes a first heat treatment step where a catalyst element having a smaller free energy of formation of nitride than that of aluminum is positioned in molten aluminum heated in a nitrogen atmosphere to cause nitridation using the catalyst element as a catalyst and form a material containing aluminum nitride. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板１上に窒化ホウ素膜２を形成する工程と、窒化ホウ素膜２上にアルミニウム膜３を形成する工程と、アルミニウム膜３及び窒化ホウ素膜２を窒素雰囲気中で加熱処理してアルミニウム膜３を溶融させることにより、基板１上に窒化アルミニウム含有膜４を形成する工程とを具備する。例文帳に追加

The method for producing the aluminum nitride-containing film includes: a process for forming a boron nitride film 2 on a substrate 1; a process for forming an aluminum film 3 on the boron nitride film 2; and a process for forming the aluminum nitride-containing film 4 on the substrate 1 by heat-treating the aluminum film 3 and the boron nitride film 2 in a nitrogen atmosphere to melt the aluminum film 3. - 特許庁

窒化ホウ素１００重量部、ホウ酸マグネシウム０．１〜２０重量部、ホウ酸カルシウム０．１〜２０重量部を含有する混合物を、非酸化性雰囲気ガス下、温度１９００℃〜２２００℃で焼成して窒化ホウ素を結晶化することを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a hexagonal boron nitride powder includes crystallizing boron nitride by firing a mixture containing 100 pts.wt. of boron nitride, 0.1-20 pts.wt. of magnesium borate, and 0.1-20 pts.wt. of calcium borate in a non-oxidizing gas atmosphere at a temperature of 1,900-2,200°C. - 特許庁

複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。例文帳に追加

In a method for producing boron nitride particles, the composite particles are fired at 600-1,300°C in a non-oxidative atmosphere, and then fired again at 1,600-2,200°C in the non-oxidative atmosphere. - 特許庁

活性炭担体上への貴金属化合物の固定化工程で貴金属化合物担持活性炭を好ましくは不活性ガス雰囲気下、例えば窒素雰囲気下で、好ましくは温度１００〜４５０℃で、好ましくは１〜３時間以上熱処理する。例文帳に追加

In the process for fixing the noble metal compd. on the activated carbon carrier, the noble metal compd. supported activated carbon is heat-treated pref. at 100-450°C for 1-3 hr or more in an inert gas atmosphere, for example, in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

窒素ガスとアンモニアガスの混合ガス雰囲気中で、ホウ素と窒素と酸素とからなる化合物の蒸気の存在の下に、硫化亜鉛双晶ナノウィスカーを加熱することによって窒化ホウ素で被覆された硫化亜鉛ナノ構造物を形成する。例文帳に追加

A zinc sulfide nanostructure coated with boron nitride is formed by heating zinc sulfide twin crystal nanowhiskers in the presence of a vapor of a compound comprising boron, nitrogen, and oxygen in an atmosphere of a mixed gas of a nitrogen gas and an ammonia gas. - 特許庁

本発明は、比表面積の大きい酸化チタン（以下、「ＴｉＯ_２」という）を、所定アンモニア雰囲気において所定温度で加熱して、部分的に窒化させて得られる窒化化合物を用いた電極用材料である。例文帳に追加

The material of an electrode uses a nitride compound obtained by heating titanium oxide (hereafter, called as TiO_2) with a large specific surface area at a designated temperature and to partially nitride. - 特許庁

窒化アルミニウム焼結体をその表面粗さが０．６〜０．８μｍになるまで薬液で粗化処理した後、非酸化性雰囲気下、特定条件で熱処理して窒化アルミニウム焼結体を改質する方法。例文帳に追加

The method for modifying an aluminum nitride sintered compact comprises graining it with a chemical solution to a surface roughness of 0.6-0.8 μm and heat-treating the roughened sintered compact in a non-oxidizing atmosphere under specified conditions. - 特許庁

窒素雰囲気下、０．４℃／ｍｉｎ〜７．０℃／ｍｉｎの昇温速度で、５０℃〜１１０℃の範囲まで金属リチウムを加熱する工程を有する窒化リチウムの製造方法。例文帳に追加

This method for producing lithium nitride includes a process for heating metallic lithium to a temperature within the range of 50-110°C at a temperature elevation rate of 0.4-7.0°C/min in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

前記窒化処理は、全体の６０〜８０容量％のアンモニアを含み、残部が窒素である雰囲気下、ラーソン・ミラーパラメータＰが１４．７〜１５．３の範囲となる時間と温度とを設定して、前記金属リングを加熱する。例文帳に追加

The above nitriding treatment comprises setting such a time and a temperature that the Larson-Miller parameter P is in a range of 14.7-15.3, and heating the above metal ring in the atmosphere which contains ammonia of 60-80 vol.% of the total capacity and the balance nitrogen. - 特許庁

ＲＴＡ処理における雰囲気ガスに含まれる窒化ガスを０．０５％以上０．５％未満、又は１ｓｃｃｍを越えて１０ｓｃｃｍ以下の範囲として、この窒素量により析出量をコントロールする。例文帳に追加

Precipitation quantity is controlled by the nitrogen quantity of the nitride gas contained in the ambient gas of RTA (Rapid Thermal Annealing) processing, wherein the nitride gas is in the range of 0.05% or more and less than 0.5%, or more than 1 sccm (standard cubic centimeter per minute) and 10 sccm or less. - 特許庁

アルミニウムおよび窒化アルミニウムを含む粉末材料を成形して成形体を得、この成形体を窒化性雰囲気中で加熱して一体化し、この際アルミニウムの一部を窒化させ（３ｂ）、成形体中のアルミニウムのうち窒化されなかった部分４を窒化アルミニウム中に分散相として残留させる。例文帳に追加

A power material containing aluminum and aluminum nitride is compacted, and the resultant compacted body is heated in a nitriding atmosphere and integrated, and at this time, a part of the aluminum is nitrided (3b) and the unnitrided part 4 of the aluminum in the molded body is allowed to remain as the dispersed phase in the aluminum nitride. - 特許庁

シリコーンゴムと窒化硼素を含む組成物を所要の形状に賦形した後、酸化雰囲気下で７００℃まで昇温して焼成し、更に窒素雰囲気下で１１００℃まで昇温して焼成して酸化珪素骨格の多孔体とする。例文帳に追加

A composition comprising silicone rubber and boron nitride is shaped in required shape, then fired at a temperature raised to 700°C in an oxidizing atmosphere and further fired at a temperature raised to 1100°C in a nitrogen atmosphere to form a porous body of silicon oxide skeleton. - 特許庁

型表面に窒素イオン又は／及び酸素イオンを注入した後、窒素ガス雰囲気内でチタン又はクロムの蒸着と酸素イオンの注入とを同時に／又は交互に行って型表面に窒化チタン又は窒化クロム膜を形成させる。例文帳に追加

After nitrogen ions and/or oxygen ions are injected in a mold surface, the vapor deposition of titanium or chromium and the injection of oxygen ions are simultaneously and/or alternately performed in a nitrogen gas atmosphere to form a titanium nitride film or chromium nitride film on the mold surface. - 特許庁

III族元素窒化物結晶の製造方法であって、窒素含有ガスおよびドーパントを含むガスの雰囲気中で、アルカリ金属を含む融液中において、III族元素と前記窒素と前記ドーパントとを反応させることにより結晶成長させる工程を含むIII族元素窒化物結晶の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the nitride crystal of the group III element includes a process for growing the crystal by reacting the group III element, nitrogen and a dopant in a melt containing an alkali metal in an atmosphere of a gas containing the nitrogen-containing gas and the dopant. - 特許庁

続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第１のピーク濃度を有し、表面近傍に第２のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film, composed of oxynitride silicon having a first peak concentration near the interface with the substrate and having a second peak concentration near a surface, is formed by further introducing nitrogen into the oxynitride silicon film, by exposing the substrate in a nitrogen-plasma atmosphere. - 特許庁

基板２が設置されている窒素を含む雰囲気中に、ＩＩＩ族元素の蒸気４ａとアルカリ金属の蒸気５ａとを供給することにより、基板２上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。例文帳に追加

The production method causes a group III nitride crystal to grow on a substrate 2 by supplying the vapor 4a of a group III element and the vapor 5a of an alkali metal into a nitrogen-containing atmosphere wherein the substrate 2 is placed. - 特許庁

窒化物／タングステンナノ複合粉末の製造方法に、窒化物とタングステンを混合するとか、窒化物とタングステン合金を混合する段階と、上記混合物を不活性雰囲気でミリングマシーンを使用して機械的合金化することを含む。例文帳に追加

The method for producing nitride/tungsten nanocomposite powder comprises: a step where a nitride and tungsten are mixed or a nitride and a tungsten alloy are mixed; and a step where the mixture is subjected to mechanical alloying in an inert atmosphere using a milling machine. - 特許庁

溶融アルミニウム４を窒素ガス雰囲気中でマグネシウム５を助剤として９００から１３００℃までの範囲に昇温して窒化アルミニウム６を溶融アルミニウム４上に直接形成し、アルミニウム４と窒化アルミニウム６とを接合し、Ａｌ−ＡｌＮ複合材料８を製造する。例文帳に追加

Molten aluminum 4 is heated in the range of 900 to 1,300°C in a nitrogen gas atmosphere using magnesium 5 as an auxiliary agent to form aluminum nitride 6 directly on the molten aluminum 4, and bond the aluminum nitride 6 to the aluminum 4, to manufacture the Al-AlN composite material 8. - 特許庁

窒化珪素25〜60質量％および窒化硼素40〜75質量％を骨材とし、焼結助剤を添加した原料粉末に、ジルコニアを骨材の 0.1〜20質量％の量で添加し、還元性雰囲気で焼成する。例文帳に追加

The ceramic is obtained by adding zirconia in an amount of 0.1-20 mass%, based on aggregate, to a raw material powder containing, as the aggregate, 25-60 mass% silicon nitride and 40-75 mass% boron nitride, and a sintering aid, and firing the resulting mixture in a reducing atmosphere. - 特許庁

窒化珪素25〜60質量％および窒化硼素40〜75質量％を骨材とし、焼結助剤を添加した原料粉末に、ジルコニアを骨材の 0.1〜20質量％の量で添加し、還元性雰囲気で焼成する。例文帳に追加

This black-colored free-cutting ceramics is obtained by adding a sintering aid to an aggregate consisting of 25-60 mass% silicon nitride and 40-75 mass% boron nitride to prepare raw material powder, adding zirconium of 0.1-20 mass% based on the aggregate to the raw material powder and sintering the zirconium-added powder in a reducing atmosphere. - 特許庁

アンモニア性窒素、鉄イオンおよびマンガンイオンを含む還元性雰囲気の地下水を次亜塩素酸イオンの供給量を抑えて浄化する。例文帳に追加

To clean underground water under a reducing atmosphere containing ammonium nitrogen, ferric iron, and manganese ion while suppressing a supplying quantity of hypochlorous ion. - 特許庁

半導体チップの電極接合を、接着剤及び半田用フラックスの塗布及び窒素雰囲気中での硬化により行う。例文帳に追加

The electrode of the semiconductor chip is bonded by application of an adhesive and flux for soldering and by curing them in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

封入雰囲気８０には、窒化物半導体レーザ素子１０中に含まれる水素の拡散を抑制する成分が含有されている。例文帳に追加

A component for suppressing a diffusion of hydrogen included in the nitride semiconductor laser element 10 is included in the sealed atmosphere 80. - 特許庁

元素として窒素を含有するガスを含むガス雰囲気中において、薄膜２１５と基板２２０をアニールし、スピンコート膜２１５を結晶化させる。例文帳に追加

The thin film 215 and the substrate 220 are annealed to crystallize spincoated film 215 in a gaseous atmosphere containing gas including nitrogen as an element. - 特許庁

電荷発生層２となる金属酸化物はエアロゾルデポジション法を用いて形成し、必要に応じて窒素や酸素雰囲気下にて作製する。例文帳に追加

The metal oxide constituting the charge generating layer 2 is formed by an aerosol deposition method optionally in an atmosphere of nitrogen or oxygen. - 特許庁

そして、窒素雰囲気中において、積層構造部３に対して、ｐ型不純物を活性化させるアニール処理を行なう。例文帳に追加

In a nitrogen atmosphere, the laminate structure portion 3 is subjected to annealing processing for activating p-type impurities. - 特許庁