「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

窒素ガスにより、効率的な直接冷却と、被洗浄表面近傍の雰囲気における酸素濃度の最適化が可能となる。例文帳に追加

An effective direct cooling and optimization of oxygen density of the atmosphere at neighboring area of the object to be cleaned are made possible by the nitrogen gas. - 特許庁

特別な雰囲気制御を必要とせず、簡便で高効率な窒素がドープされた酸化亜鉛を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a simple and efficient method for producing nitrogen-doped zinc oxide without requiring any special atmosphere control. - 特許庁

窒素及び一酸化炭素を含有し、但し実質的に水素を含有しない炉内雰囲気中で焼結を行う。例文帳に追加

Disclosed is a sintering method characterized in that, in a method for sintering a metal material in a furnace atmosphere wherein the furnace atmosphere is a substantially hydrogen-free atmosphere comprising nitrogen and carbon monoxide. - 特許庁

不純物を注入した後に、６００℃で１時間、窒素雰囲気中にアレイ基板Ｂを保持して、不純物を活性化させる。例文帳に追加

An array substrate is held in nitrogen atmosphere for one hour at 600°C after an impurity is implanted, and then the impurity is activated. - 特許庁

そして、炉２内を無酸化雰囲気状態に保持するために炉２内に導入された窒素ガスを、炉２の上方から排出している。例文帳に追加

Nitrogen gas, introduced into the oven 2 to keep the inside of it in an non-oxidizing atmosphere is exhausted from above the oven 2. - 特許庁

このとき水分による半導体素子の劣化を防止する観点から、内部空間内を窒素雰囲気とするのが望ましい。例文帳に追加

In the light of preventing the semiconductor device from being deteriorated by moisture, it is desirable that the inside of the internal space is made into nitrogen environment. - 特許庁

そして、炉２内を無酸化雰囲気状態に保持するための窒素ガスを、テープ入口１５付近で炉２内に導入している。例文帳に追加

Then, gaseous nitrogen for holding the inside part of the furnace 2 in an oxygen free atmospheric state is introduced to the furnace 2 near the tape input port 15. - 特許庁

窒化アルミニウムガリウム層の成長中に成長雰囲気中にインジウム原料を供給する。例文帳に追加

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light emitting element comprises a step of supplying an indium material into a growing atmosphere during growing of a gallium aluminum nitride layer. - 特許庁

金属窒化物の耐湿性処理を施した湿度雰囲気下で動作する蛍光体粒子を提供する。例文帳に追加

To provide fluorescent substance particles to which a moisture-resistant treatment using a metal nitride has been applied and which operates under a moist atmosphere. - 特許庁

酸素と窒素との化合物からなるガスの雰囲気中で、基板温度を例えば１１００℃にして、１時間の間アニールを行なう。例文帳に追加

In a gas atmosphere composed of a compound of oxygen and nitride, a substrate temperature is set to, for example, 1,100°C, to anneal in one hour. - 特許庁

ホットプレス法による窒化珪素質焼結体の製造において、原料に還元雰囲気遮蔽剤を配合する。例文帳に追加

This method for producing the silicon nitride-based sintered body by a hot-press method comprises formulating a shielding agent of a reductive atmosphere with the raw material. - 特許庁

この光触媒顔料粒子Ｂ１は、水素化チタンと、二酸化チタンとを混合した混合物を窒素雰囲気以外の不活性雰囲気において焼成することにより得たものである。例文帳に追加

The photocatalytic pigment particle B1 comprises titanium sub-oxide having a chemical composition of Ti_2O_3 and is obtained by firing a mixture of titanium hydride and titanium dioxide in an inert atmosphere except a nitrogen atmosphere. - 特許庁

この熱処理は、非酸化性かつ非窒化性雰囲気下で行うが、このとき、ｎ型ドリフト領域２が所望の濃度に維持されるように、ドーパントが混入された雰囲気下にて、熱処理する。例文帳に追加

The heat treatment is conducted under the non-oxidizing and non-nitriding atmosphere, and at this time the heat treatment is conducted under the atmosphere of dopant being mixed so that the n-type drift region 2 can be kept at the desired density. - 特許庁

本方法では、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により成膜前に、Ｏ_2 雰囲気中又はＮ_2 Ｏ（亜酸化窒素）雰囲気中でウエハに熱処理を施す。例文帳に追加

Before depositing the silicon oxide film by plasma CVD, the wafer is heat-treated in an O2 atmosphere or N2O(nitrous oxide) atmosphere. - 特許庁

原料粉末の塗膜を形成し、この塗膜中の原料粉末に対し炭素を近接配置した状態で窒素ガス含有雰囲気中において焼成することにより、酸窒化物ペロブスカイトを生成させる。例文帳に追加

A coating film is formed of material powder and baked in an atmosphere containing gaseous nitrogen with carbon disposed close to the material powder in the coating film, thereby producing oxynitride perovskite. - 特許庁

この焼結体は、窒化珪素粉末と所定の焼結助剤粉末とを、窒素雰囲気下、特に、１０〜１００ｋｇ／ｃｍ^2の圧力でガス圧焼成することにより、容易に、且つ安価に製造することができる。例文帳に追加

The sintered compact is easily produced at a low cost by the gas power burning of silicon nitride powder with a preferred sintering additive powder in a nitrogen atmosphere especially at 10-100 kg/cm2 pressure. - 特許庁

窒素雰囲気圧力は０.０５〜１.０ＭＰａ、金属チタン粉末の添加量が５〜５０重量％、窒化ホウ素粉末の添加量が２〜４０重量％、及び混合時間は０.５〜５０時間であることが望ましい。例文帳に追加

The pressure of the nitrogen atmosphere is preferably 0.05 to 1.0 MPa, the amount of the metal titanium powder to be added 5 to 50 wt.%, the amount of the boron nitride powder to be added 2 to 40 wt.% and the mixing time 0.5 to 50 hours. - 特許庁

窒素雰囲気圧力は０.０５〜１.０ＭＰａ、金属チタン粉末の添加量が５〜６０重量％、窒化ホウ素粉末の添加量が２〜４０重量％、及び混合時間は０.５〜５０時間であることが望ましい。例文帳に追加

Desirably, the pressure of a nitrogen atmosphere is 0.05 to 1.0 MPa, the amount of metal titanium powder is 5 to 60 wt.%, the amount of boron nitride powder to be added is 2 to 40 wt.%, and the mixing time is 0.5 to 50 hr. - 特許庁

窒素酸化物（ＮＯ_X ）ガス雰囲気中で使用され、しかもその使用中において窒素酸化物ガスにより劣化されることなく安定に機能する内燃機関用潤滑油組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a lubricating oil composition for internal combustion engines which is used in a nitrogen oxide (NOx) gas atmosphere and is stably functional without any deterioration caused by the nitrogen oxide gas during use. - 特許庁

ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を形成したのち、ＮＦ_3 などのハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理を行い、ｐ型不純物を活性化する。例文帳に追加

After forming a nitride semiconductor 12 including p-type impurities, the p-type impurities are activated by heat treatment in atmosphere containing such a halogenated nitrogen gas as NF_3. - 特許庁

この窒化アルミニウム脱脂中間体を非酸化性雰囲気中で焼成することにより、不良品を発生させることなく、高熱伝導率あるいは黒色度の高い窒化アルミニウム焼結体を確実に製造することができる。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact with the high thermal conductivity or the high blackness and without causing inferior goods can be certainly manufactured by firing the degreased intermediate for aluminum nitride under a non-oxidized atmosphere. - 特許庁

ガラスのような基材をマグネトロンスパッタリング容器（７、８、９）に導入し、窒素及び炭化水素雰囲気においてケイ素をスパッタリングして窒化ケイ素及び炭化ケイ素を含むフィルムを基材上に作る。例文帳に追加

A base material of glass or the like is introduced into magnetron sputtering vessels 7, 8 and 9, and silicon is sputtered in an atmosphere of nitrogen and hydrocarbon to form a film contg. silicon nitride and silicon carbide on the base material. - 特許庁

III族窒化物薄膜５２を成長させた後、ドーパントの分子線を停止させ、代わりに雰囲気中に炭化水素ガスを導入し、炭素が添加されたIII族窒化物薄膜から成る絶縁膜５３を形成する。例文帳に追加

A dopant molecular beam is stopped after aIII nitride thin film 52 is grown, a hydrocarbon gas is introduced into an atmosphere instead of it, and an insulating film 53 of III nitride thin film loaded with carbon is formed. - 特許庁

さらに、予備成形体３２に対して窒化ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。例文帳に追加

In addition, by performing the heat treatment to the preform 32 in the atmosphere of gaseous nitrogen, the Fe-based alloy having layers which has a diffusion layer 20 formed by the diffusion of carbide and nitride in a base material can be obtained. - 特許庁

素子分離膜１２の形成されたシリコン基板を急速加熱（ＲＴＰ）炉に装着し、酸化・窒化雰囲気中にて５００〜８００℃に加熱してシリコン基板１１上に酸窒化膜１３を形成する（ｃ）。例文帳に追加

A formed silicon substrate of an element separation film 12 is fitted to a rapid thermal process(RTP) furnace and is heated at 500-800°C within oxidizing/nitriding atmosphere, thus forming an oxide-nitride film 13 on a silicon substrate 11 (c). - 特許庁

オーステナイト系ステンレス鋼箔を圧延後、希ガスあるいは非酸化性ガス雰囲気で焼鈍を行い、かつ該焼鈍炉の雰囲気ガスとシールガスが実質的に窒素を含まないことにより、ステンレス鋼箔の焼鈍時の窒化を抑止する。例文帳に追加

Austenitic stainless steel foil is rolled, is thereafter annealed in a noble gas or nonoxidizing gas atmosphere, and the atmospheric gas and a sealing gas in the annealing furnace do not substantially comprise nitrogen, so that the nitriding of the stainless steel foil on the annealing is suppressed. - 特許庁

本製造方法は１次焼成を、窒素を含む圧力１ｋｇ/ｃｍ^2以上の非酸化性雰囲気において、温度１４５０℃〜１６００℃にて行い、更に２次焼成を窒素を含む圧力１００〜２０００ｋｇ/ｃｍ^2以下の非酸化性雰囲気中、温度１３００℃〜１７００℃でＨＩＰにて行う。例文帳に追加

This method for producing the ceramic sintered compact comprises carrying out a first baking in a nonoxidizing atmosphere containing nitrogen under ≥1 kg/cm2 at 1,450°C to 1,600°C and further a second baking by a HIP method in a nonoxidizing atmosphere containing nitrogen under 100-2,000 kg/cm2 at 1,300°C to 1,700°C. - 特許庁

窒素雰囲気中での焼鈍時における窒化を抑制して磁気特性を効果的に向上させ、またさらには溶接性も併せて向上させた電磁鋼板を提供する。例文帳に追加

To improve a magnetic characteristic effectively by preventing nitriding during annealing in a nitrogen atmosphere and provide an electromagnetic steel sheet further having an improved weldability. - 特許庁

本発明の窒化ケイ素多孔質体の製造方法では、金属Ｓｉ粉末と金属Ａｌ粉末と酸化イットリウム粉末Ｙ_2Ｏ_3と酸化アルミニウム粉末Ａｌ_2Ｏ_3とを含む成形用材料を所定の形状に成形し、該成形体を仮焼した後、窒化可能な雰囲気中で反応焼結させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon nitride porous body is carried out by forming a forming material containing metal Si powder, metal Al powder, yttrium oxide powder Y_2O_3 and aluminum oxide powder Al_2O_3 into a prescribed shape, calcining the formed body and reacting and sintering the calcined formed body under a nitriding atmosphere. - 特許庁

鉄を酸素、並びに窒素を含む気体雰囲気中で加熱溶融して得られる「酸窒化鉄」のような酸素・窒素含有鉄化合物が、水に混合されてなる混合液や、この混合液を静置して得られる上澄み液を主成分とする健康飲料である。例文帳に追加

The health drink consists mainly of mixture liquid produced by adding an oxygen/nitrogen-containing iron compound such as "iron oxynitride" obtained by fusing iron in gaseous atmosphere containing oxygen and nitrogen to water or a clear supernatant liquid obtained by still standing the same. - 特許庁

この場合、前記酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程は、前記窒化アルミニウム粉末を製造した後に、前記窒化アルミニウム粉末を室温まで冷却せずに酸素雰囲気下に置くことにより前記酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程であるのが好ましい。例文帳に追加

In this case, it is preferable that the process for forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer is a process comprising forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer by arranging the aluminum nitride powder in the oxygen-containing atmosphere without cooling the aluminum nitride powder to room temperature after the aluminum nitride powder is produced. - 特許庁

炭化水素を還元剤として酸素過剰の雰囲気下に窒素酸化物を還元するにあたり、幅広い温度範囲で高い窒素酸化物の除去性能を得ると共に、未反応の炭化水素の排出をも低減しうる排ガス浄化方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exhaust emission control method and a device that can ensure high removal performance for nitrogen oxides in a wide temperature range and also reduce the emission of unreacted hydrocarbon, in reducing nitrogen oxides under an oxygen-rich atmosphere with the use of hydrocarbon as a reducing agent. - 特許庁

この材料は、窒化珪素粉末と、焼結助剤粉末と、金属および／またはそれらの窒化物粉末を、全体の平均粒径が１００ｎｍ以下、粉末中の増加酸素量が０．５〜３重量％の範囲となるように粉砕混合し、この成形体を１０００〜１６００℃、窒素を含む非酸化性雰囲気下にて焼結することによって得られる。例文帳に追加

The material is obtained by pulverizing and mixing the sintering assistant powder and the metals and/or their nitride powder in such a manner that the average grain size over the entire part attains ≤100 nm and the increased oxygen quantity in the powder attains a range of 0.5 to 3 wt.% and sintering the moldings thereof under a nonoxidizing atmosphere containing nitrogen at 1,000 to 1,600°C. - 特許庁

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜３０％の水素を含み、雰囲気露点−４０〜−７０℃の範囲の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first solution heat treatment of the welded drum 2 and the second solution heat treatment of the rolled rings 4 are performed in a nitrogen atmosphere containing 1-3% hydrogen in an atmospheric dew point between -40°C to -70°C and at a temperature range of not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁

反応性の高い高純度ガリウムトリイソプロポキシドを、高温アンモニアガス雰囲気下で窒化反応させることを特徴とする窒化ガリウムの製造方法。例文帳に追加

In the method for producing gallium nitride, high purity gallium triisopropoxide having high reactivity is brought into a nitriding reaction in an atmosphere of gaseous ammonia at a high temperature. - 特許庁

また、窒化アルミニウム金属板６４３及びガドリニウム金属板６４２をターゲット材料とし、アルゴンガス６８の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride thin film, to which gadolinium is added, is manufactured by performing sputtering in the atmosphere of argon gas 68 with an aluminum nitride metal plate 643 and the gadolinium metal plate 642 target materials. - 特許庁

第１の発明は、III族金属とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the group III nitride comprises obtaining the group III nitride by reacting a group III metal and a lithium amide in an a non-oxygen atmosphere. - 特許庁

第３の発明は、遷移金属原料物質とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the transition metal nitride comprises obtaining the transition metal nitride by reacting a transition metal raw material and a lithium amide in a non-oxygen atmosphere. - 特許庁

本発明は、遷移金属原料物質とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法にある。例文帳に追加

In the method for producing the transition metal nitride, the transition metal nitride is obtained by reacting a transition metal raw material with a lithium amide in a non-oxygen atmosphere. - 特許庁

本発明は、窒化物半導体を加熱する工程と、前記窒化物半導体に、塩素系ガスと雰囲気ガスおよびアンモニアガスを導入する工程とを具備することによって、本発明の課題を解決することが可能である。例文帳に追加

A method for treating the nitride semiconductor comprises a step of heating the nitride semiconductor, and a step of introducing chlorine gas, an atmospheric gas and ammonia gas. - 特許庁

熱間等方圧加圧装置用の加熱装置において、支持台をモリブデン系の合金材料としつつも、断熱構造体の脆化による損傷や窒素高圧ガス雰囲気での窒化の問題を解消する。例文帳に追加

To resolve problems of damage due to embrittlement of a heat insulating structural body, and nitriding in a nitrogen high pressure gas atmosphere while composing a support base by molybdenum based alloy material in a heating device for a hot isotropic pressure device. - 特許庁

ウェル１ａの活性領域３の上に形成されたシリコン酸化膜に対し、Ｎ_2Ｏ雰囲気中で１０５０℃の熱処理を行うことにより、窒素を拡散させて窒素含有シリコン酸化膜４ｘを形成する。例文帳に追加

Nitrogen is diffused to form a nitrogen containing silicon oxidation film 4x by performing heat treatment of 1050°C for the silicon oxidation film formed on the active area 3 of a well 1a in an N2O atmosphere. - 特許庁

アルゴンと酸素及び他の不可避不純物とからなる混合ガスの雰囲気下で、シリコン窒化物からなるシリコン窒化膜上に感温抵抗材料をスパッタリング処理により成膜する。例文帳に追加

A temperature-sensing resistive material is formed into a film, on a silicon nitride film in an atmosphere of mixed gas of argon, oxygen, and unavoidable impurities through a sputtering treatment. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。例文帳に追加

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere. - 特許庁