「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

第２の層間絶縁膜１４の上層は、プラズマ雰囲気中においてい導電性を示す絶縁体であるシリコン窒化膜１３により形成されている。例文帳に追加

The upper layer of the second interlayer insulating film 14 is formed of a silicon nitride film 13, which is an insulator displaying conductivity in a plasma atmosphere. - 特許庁

コーティング膜を形成する前に、汚染物などを除去するために共振器端面をプラズマ雰囲気に暴露しても、初期ＣＯＤレベルを高いものとすることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor laser device by which an initial COD level can be made high, even if a resonator end face is exposed in a plasma atmosphere in order to eliminate a contamination or the like before forming a coating film. - 特許庁

誘電体層は、約 850°Ｃ乃至約 1000 °Ｃの温度で、約１× 10 ^-7乃至約１× 10 ^-5の圧力のアンモニア雰囲気内に上記表面を配置することによって、結晶質シリコン窒化物で形成される。例文帳に追加

The dielectric layer 3 is set on that surface at about 850-100°C in an ammonia atmosphere of about 1×10-7-1×10-5 pressure to thereby form a crystalline Si nitride. - 特許庁

炭化ケイ素繊維が織り込まれた織物の複数の層から形成されたプリフォームなどの基材１７が反応室１５内に配置され、窒素雰囲気中で加熱される。例文帳に追加

A substrate 17, such as a preform composed of a plurality of layers of a woven fabric partially woven from silicon carbide fibers, is placed in a reaction chamber 15 and is heated in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

窒素雰囲気中における焼入温度での均熱保持期間中に、加熱室内に硫化水素ガスを供給することによってワーク表面に浸硫層を生成させ、この状態で焼入れを施す。例文帳に追加

By feeding hydrogen sulfide gas into a heating chamber in the course of the duration of soaking and holding at quenching temperature in a nitrogen atmosphere, a sulfurized layer is formed on the work surface and quenching is applied in such a state. - 特許庁

ベニコウジ色素またはベニコウジ色素で染色した食品または化粧品を、脱酸素剤存在下、酸素濃度１０％以下、窒素濃度９０％以上の雰囲気下、または減圧条件下で保存する。例文帳に追加

Monuscus color or a food or a cosmetic dyed with Monuscus color is preserved in the presence of an oxygen scavenger in an atmosphere having ≤10% oxygen concentration and ≥90% nitrogen concentration or under reduced pressure. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、ポリシリコンプラグ上に、コンタクトメタルを介してバリアメタルを形成するステップと、基板温度を５００℃以上として、バリアメタルを窒化性ガス雰囲気下で熱処理するステップとを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a barrier metal on a polysilicon plug via a contact metal, and a step of performing heat treatment to the barrier metal in a nitriding atmosphere at a substrate temperature of 500°C or higher. - 特許庁

本法では、肉、魚や野菜類などの食材を、酸化防止ガス、例えばアルゴン、窒素ガスなどのガス雰囲気中で加熱調理することで、表面が軟らかくなるなど良好な品質を有する調理食材を得ることができる。例文帳に追加

This method for cooking a food material comprises cooking the food material such as meat, fish and vegetables in a gas atmosphere of anti-oxidant gas, for instance, argon and nitrogen gas so as to obtain the cooking food material having excellent quality such as having a soft surface. - 特許庁

しかる後に、不純物を打ち込んだ低濃度領域（６０４ａ）を窒素雰囲気中で温度が約３００℃の条件で約１時間の熱処理を行なって、不純物を活性化する。例文帳に追加

After that, the low-concentration region (604a) implanted with impurities is subjected to heat treatment at about 300°C for about 1 hour in a nitrogen atmosphere, and thereby the impurities are activated. - 特許庁

この多孔質体の内部に触媒含有溶液を含浸した後、多孔質体を窒素雰囲気中で再焼結して緻密化し、緻密焼結体（傾斜複合材）とする。例文帳に追加

After a catalyst-containing solution is impregnated into the inner part of the porous body, the porous body is resintered in a nitrogen atmosphere and densified into a dense sintered compact (functionally gradient composite material). - 特許庁

接着熱処理は熱処理室の温度を１１００℃を越える温度にし、酸化速度の遅い窒素ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気中で行う。例文帳に追加

The bonding and heat-treating process is conducted in a heat treatment chamber in an atmosphere of a mixed gas of a nitrogen gas and an oxygen gas and of a slow oxidation speed at over 1100°C. - 特許庁

高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride sintered compact exhibiting suitable volume resistivity when being used for a base body material of a static chuck under a high temperature atmosphere and having small temperature dependency of the volume resistivity. - 特許庁

雰囲気などに含まれる水分が、共振器端面およびその上に形成されたコート膜中に拡散するのを防止した、信頼性、耐久性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable and high rigidity nitride semiconductor laser element wherein diffusion of water included in the atmosphere is prevented into an end surface of a resonator and into a coating film formed thereon. - 特許庁

コンタクトホール８Ｄの側面および底面を覆う水素含有絶縁膜、たとえば第１のプラズマ窒化膜９Ａを形成し、水素雰囲気中で熱処理を行う。例文帳に追加

Subsequently, a hydrogen containing insulating film, e.g. a first plasma nitride film 9A covering the side face and the bottom face of the contact hole 8D is formed and heat-treated in a hydrogen atmosphere. - 特許庁

ｎ型ＳｉＣ基板１０上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ_2膜を形成した後、ＮＯガス雰囲気中で１２５０℃の温度で１時間熱処理を行うことで、ＳｉＯ_2膜を窒化してパッシベーション膜２３とする。例文帳に追加

After an SiO_2 film is formed on an n-type SiC substrate 10 by plasma CVD, heat treatment is performed in NO gas atmosphere at 1,250°C for one hour and a passivation film 23 is formed by nitriding the SiO_2 film. - 特許庁

重合性ビニル系単量体を重合させて得られた樹脂粒子の表面を含窒素芳香族化合物に由来する重合体で被覆した後、不活性ガスの雰囲気下で焼成する。例文帳に追加

The method for producing the hollow carbon particle includes steps for coating a surface of a resin particle obtained by polymerizing a polymerizable vinyl-based monomer with a polymer derived from a nitrogen-containing aromatic compound, and sintering the resin particle in an inert gas atmosphere. - 特許庁

上記障壁（１０６）を形成するためＳｉ含有雰囲気内で反応性スパッタリングを行うことにより遷移金属−窒化物をＳｉと同時に堆積させる。例文帳に追加

Transition metal-nitride and silicon are deposited at the same time by reactive sputtering in an atmosphere containing silicon to form the barrier (106). - 特許庁

またその製造に際しては、ＣＭＰによる研磨処理の後に、非窒化性雰囲気でプラズマ処理を行い、第２の層間絶縁膜３の上層部および導体膜５の上層部にダメージ層を形成する。例文帳に追加

When manufacturing the semiconductor, it is plasma processed by a non-nitriding atmosphere after being polish processed by CMP to form a damage layer on an upper layer portion of the second interlayer insulating film 3 and on an upper layer portion of the conductive layer 5. - 特許庁

また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。例文帳に追加

By applying a reverse sputtering treatment and a heat treatment under nitrogen atmosphere to the buffer layer, the buffer layer having the higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer can be formed. - 特許庁

加熱成形方法により得られたガラス光学部材３０に対して行うガラス光学部材の熱処理方法において、熱処理を窒素ガス（Ｎ_２）等の非酸化性ガスの雰囲気中で行う。例文帳に追加

In the heat-treatment method of an optical glass member performed for a glass optical member 30 which is obtained by a heat-forming method, heat-treatment is performed in an atmosphere of a non-oxidizing gas such as nitrogen gas (N_2). - 特許庁

炭素短繊維を連続的に抄造することにより得られた炭素繊維紙に、熱硬化性樹脂を含浸した後、加熱プレス成形し、窒素雰囲気下１２００℃以上で焼成する炭素電極基材の製造方法。例文帳に追加

This carbon electrode material is manufactured by impregnating a carbon fiber paper, which is obtained by continuously sheet-forming the carbon short fibers into a sheet of paper, with the thermosetting resin, and pressing for formation, while heating, and burning it under the nitrogen atmosphere at 1,200°C or more. - 特許庁

次に、６００℃の窒素雰囲気中で６時間熱処理を行い、非晶質シリコン層５ａを結晶化して結晶シリコン層５ｂに変換する（ステップ２０４）。例文帳に追加

Then an amorphous silicon layer 5a, having a thickness of 1 μm, is formed on the Ni layer (step 203), and the silicon layer 5a is crystallized into a crystalline silicon layer 5b by heat-treating the layer 5a for six hours in a nitrogen atmosphere, maintained at 600°C (204). - 特許庁

ＬＯＣＯＳ酸化膜等により素子分離されたシリコン基板を、炉内温度を７００℃とした加熱炉に入れ、常圧下、酸素と、窒素またはアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスの雰囲気に晒す（期間Ｔ１）。例文帳に追加

A silicon substrate where an element is isolated by a LOCOS film or the like is put in a heating furnace, whose inside temperature is at about 700°C, and it is exposed to the atmosphere of a mixed gas of oxygen and an inert gas, such as nitrogen, argon, or the like (period T1). - 特許庁

さらに、コーティング膜が形成された多孔質焼結体を窒素雰囲気中で再焼結して緻密化し、製品としての複合材製切削用刃具とする。例文帳に追加

Furthermore, the porous sintered compact, on which coating membrane is formed, is resintered in a atmosphere of nitrogenous for densification to effect a cutting blade tool manufactured by combined materials as a finished product. - 特許庁

コーティング膜を形成する前に、共振器端面をプラズマ雰囲気に曝露することによって汚染物などを除去しても、初期ＣＯＤレベルを向上させることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor laser device which is capable of improving an initial COD level, even if contaminants etc. are removed by exposing the end face of a resonator to a plasma atmosphere, before forming a coating film. - 特許庁

厨芥を含む都市ごみから成る固形燃料を間接加熱型炭化炉４により窒素ガス雰囲気下で昇温速度を制御して炭化物とし、この炭化物を酸処理した後、水蒸気によるガス賦活を行って活性炭を得る。例文帳に追加

This active carbon is obtained by carbonizing a solid fuel comprising municipal refuse including garbage by controlling raising rate of temperature in an indirect heating type carbonizing furnace 4 under nitrogen has atmosphere, and then carrying out a gas activation with steam after treating the carbide with an acid. - 特許庁

６００℃以上の温度で塩素系ガス雰囲気に対して曝露される耐蝕性部材１が、窒化アルミニウムからなる焼結体６、および焼結体６の表面を被覆する化学的気相成長法によって形成された炭化珪素膜５を備えている。例文帳に追加

This member 1 to be exposed in a chlorine based gas atmosphere at ≥600°C is provided with a sintered compact 6 consisting of aluminum nitride and a silicon carbide film 5 coated on the surface of the sintered compact 6 and formed by a chemical vapor deposition method. - 特許庁

窒化アルミニウム基板を、酸素分圧が１０^−４気圧以下である雰囲気中で、好ましくは１１５０〜１５００℃で５時間以上加熱して酸化することにより表面から３〜１５μｍ程度の厚さの酸化アルミニウム層を形成する。例文帳に追加

The aluminum nitride substrate is heated and oxidized, in an atmosphere in which the partial pressure of oxygen is 10^-4 atmosphere or lower, preferably at 1,150 to 1,500°C for five hours and longer, to form an aluminum oxide layer of about 3 to 15 μm in thickness, from the surface. - 特許庁

窒化した鉄粉末にＳｉ粉末またはフェロシリコン粉末を添加し混合したのち真空または水素雰囲気中、温度：３００〜９００℃で加熱することを特徴とする内部にＳｉ濃度勾配を有する鉄粉末の製造方法。例文帳に追加

The method for producing iron powder having an Si concentration gradient at the inside is characterized in that Si powder or ferrosilicon powder is added to nitrided iron powder, so as to be mixed, and the mixture is heated at 300 to 900°C in a vacuum or in a hydrogen atmosphere. - 特許庁

酸化ストロンチウムおよび炭酸ストロンチウムの少なくとも１種を含むストロンチウム化合物と、窒化珪素と、窒化アルミニウムと、酸化アルミニウムと、酸化ユーロピウムとを含む蛍光体原料混合物を、５０ＭＰａ〜２００ＭＰａの不活性ガス雰囲気下で、１４００℃〜２２００℃で焼成する蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a phosphor includes: a step of firing a strontium compound containing at least one of strontium oxide and strontium carbonate, and a raw material mixture of a phosphor containing silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and europium oxide at 1,400-2,200°C in an inert gas atmosphere of 50-200 MPa. - 特許庁

酸性チタン化合物を含窒素塩基で中和させて得た酸化チタンおよび／または水酸化チタンを、加水分解性金属化合物（例、ハロゲン化チタン）を含む雰囲気で熱処理した後、さらに水分量０.５〜４.０ｖｏｌ％のガス中で３５０℃以上の温度で熱処理して、窒素を含有する酸化チタン光触媒を製造する。例文帳に追加

Titanium oxide and/or titanium hydroxide obtained by neutralizing an acidic titanium compound with a nitrogen-containing base is heated in atmosphere containing a hydrolyzable metal compound (e.g. titanium halide) and successively heated at 350°C or higher in a gas containing 0.5 to 4.0 vol% of water to produce the nitrogen-containing titanium oxide photocatalyst. - 特許庁

本発明の方法は、導入する窒素原子を含んだ反応性化合物と酸化チタンを混合後、電離性放射線を照射して、酸化チタンおよび反応性化合物を部分的に活性化し、続いて無酸素雰囲気下で加熱処理することを含む。例文帳に追加

The method comprises the steps of mixing a reactive compound containing nitrogen atom to be introduced with titanium oxide, then casting ionizing radiation to partially activate the titanium oxide and the reactive compound and subsequently heating them in an oxygen-free atmosphere. - 特許庁

ＣＯ及びＮＯｘを含有し、化学量論量よりも過剰な酸素雰囲気の排ガスを排出する熱機関の排ガス流路に対し、ＣＯを還元剤として前記排ガス中の窒素酸化物（ＮＯｘ）を還元して浄化するＮＯｘ浄化触媒を備えた熱機関の排ガス浄化装置を配置する。例文帳に追加

The exhaust emission control device for the thermal engine equipped with the NOx elimination catalyst reducing and eliminating nitrogen oxides (NOx) in exhaust gas using CO as reducer is disposed in an exhaust gas channel of the thermal engine discharging exhaust gas in an atmosphere containing CO and NOx and oxygen excessive from stoichiometric quantity. - 特許庁

酸素とＳＯ_２が存在する酸化雰囲気下、排ガス中に少量添加または排ガス中に含まれる水素、一酸化炭素、炭化水素類、含酸素化合物等を還元剤として、該排ガス中の窒素酸化物を効率よく還元除去する触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst for efficiently reducing and removing nitrogen oxide in a exhaust gas in an oxidation atmosphere wherein oxygen and SO_2 are present by utilizing hydrogen, carbon monoxide, hydrocarbons, an oxygen-containing compound or the like added to the exhaust gas in small quantities or contained in the exhaust gas, as a reducing agent. - 特許庁

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。例文帳に追加

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure. - 特許庁

鋼材表面の不動態被膜を破壊して表面を活性化し、活性化状態を維持し、ムラのない窒化物層を形成できると同時に、雰囲気ガスの毒性や腐食性に起因する設備の複雑化及び高コスト化を排除すること。例文帳に追加

To activate the surface of steel by breaking a passive film on the surface of the steel, to maintain the activated state, to form a nitride layer free from unevenness and simultaneously to eliminate the complication of the equipment and the increase of the cost caused by the toxicity and corrosivity of atmospheric gas. - 特許庁

アンモニア含有液のアンモニアを嫌気的に生物脱窒するアンモニア含有液の処理において、アンモニア含有液を従属栄養性脱窒細菌及び嫌気性アンモニア酸化細菌に生物処理槽１４内で嫌気性雰囲気で接触させながら、一定濃度の硝酸を貯留した硝酸貯留槽１２から生物処理槽１４にアンモニアを処理するための硝酸必要量を添加する。例文帳に追加

In the treatment of the ammonia-containing liquid for anaerobically and biologically denitrifying the ammonia-containing liquid, a necessary amount of nitric acid for treating ammonia is added to a biological treatment tank 14 from a nitric acid storage tank 12 in which nitric acid of a definite concentration is stored while bringing the ammonia-containing liquid into contact with heterotrophic denitrifying bacteria and aerobic ammonium oxidizing bacteria under an anaerobic atomosphere in the biological treatment tank 14. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide sintered compact includes: a raw material mixing step to prepare raw material powder formed by mixing silicon carbide and a boron raw material including boron; and a sintering step to sinter the raw material powder in an atmosphere composed of nitrogen and argon. - 特許庁

本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a raw material mixing step to prepare raw material powder formed by mixing silicon carbide, and an aluminum raw material including aluminum; and a sintering step to sinter the raw material powder in an atmosphere composed of nitrogen and argon. - 特許庁

気体化された還元剤を噴霧することで窒素酸化物を吸蔵還元すると共に、硫黄酸化物によって被毒された吸蔵還元触媒２０から硫黄酸化物を放出して浄化再生する際には、液体化された還元剤を吸蔵還元触媒２０の表面に直接噴射して当該表面を液体化された還元剤によって被覆し、当該表面を局所的に還元雰囲気とする。例文帳に追加

When nitrogen oxides are occluded and reduced by spraying the gasified reducing agent and also the sulfur oxide is discharged from the occlusion reducing catalyst 20 poisoned by the sulfur oxide to be purified and regenerated, the gasified reducing agent is ejected directly to the surface of the occlusion reducing catalyst 20 so that the surface of the occlusion reducing catalyst 20 is covered with the gasified reducing agent and is locally made in a reductive atmosphere. - 特許庁

リチウム化合物、リン酸化合物及び水の混合物に炭素源を加え、窒素ガスを導入し、次いで２価の鉄化合物を添加して３０分以上混合した後水熱反応を行い、次いで不活性ガス又は還元雰囲気下に焼成することを特徴とするリン酸鉄リチウムの製造法。例文帳に追加

The method of manufacturing iron phosphate lithium includes steps for adding a carbon source to a mixture of a lithium compound, a phosphate compound and water, and introducing nitrogen gas, and adding a divalent iron compound, and mixing it for 30 minutes or longer, and carrying out hydrothermal reaction, and burning it in an inactive gas or a reducing atmosphere. - 特許庁

内燃機関１の排気通路２に排気ガス流れ方向に沿って、排気ガス中の窒素酸化物を酸素過剰雰囲気下で浄化する触媒層をメタルハニカム（金属基体）に担持したリーンＮＯｘ触媒３と、排気ガス中の少なくとも炭化水素（ＨＣ）の酸化反応を行わせる反応触媒（酸化触媒）４とを配置する。例文帳に追加

The device arranges the lean NOx catalyst 3 which carries a catalyst layer purifying nitrogen oxide in exhaust gas on a metal honey comb (metal substrate) under an excess oxygen atmosphere along the direction of an exhaust gas flow to an exhaust passage 2 of the internal combustion engine, and a reaction catalyst (oxidation catalyst) 4 which performs the oxidation reaction of at least hydrocarbon (HC) in exhaust gas. - 特許庁

加熱室１０内に大気圧を超える圧力で過熱水蒸気を充満させることにより空気を排除した還元雰囲気下に食材８を保持することにより、従来のような酸素や窒素が存在する雰囲気ではなく、過熱水蒸気を充満させることにより空気を排除した還元雰囲気で食材８が加熱されるため、メイラード反応や酸化反応が抑制され、従来の加熱方法では生じ得なかった熱化学反応が食材８に生じる。例文帳に追加

Maillard reaction and oxidation reaction are suppressed and the thermochemical reaction is generated in the hood materials 8 which is not generated by the conventional heating method because the hood materials 8 are heated in a reductive atmosphere eliminating air by filling the superheated steam, not under a conventional atmosphere where oxygen and nitrogen exist by holding the hood materials 8 in a reductive atmosphere eliminating air by filling the superheated steam in a pressure exceeding atmospheric pressure inside of a heating chamber 10. - 特許庁

ＳＩＭＯＸ基板の上部シリコン領域４２の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜４６を成長させる工程とを包含する。例文帳に追加

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included. - 特許庁

この結果、所定切替温度まで窒素ガスで低酸素雰囲気に保ちつつ、金属成分の酸化を防止すると共に、所定切替温度に達した場合には、燃料ガス及び水蒸気へと切替えることにより、改質器を用いることなく還元雰囲気を保つことができるので、燃料極の金属成分は酸化しないこととなる。例文帳に追加

As a result, a metallic component is prevented from undergoing oxidation by maintaining a low oxygen atmosphere with the nitrogen gas until reaching the prescribed switching temperature; and when reaching the prescribed switching temperature, a reducing atmosphere is maintained without using a reformer by switching to the fuel gas and the water vapor so that the metallic component of the fuel electrode is prevented from undergoing oxidation. - 特許庁