「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

熱処理を行う際の気相雰囲気中に、Ｏ_2、Ｏ_3、Ｎ_2Ｏなどの酸化性のガスを含ませることで、熱処理の温度を低くしても十分なキャリア濃度を有するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を製造することができる。例文帳に追加

By making oxidizing gas such as O2, O3 or N2O be contained in the gaseous atmosphere for the heat treatment, a p-type group-III nitride semiconductor having sufficient carrier concentration can be manufactured even if the temperature of the heat treatment is lowered. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法等の気相成長法によりｐ型窒化物層４を成長させた後、アンモンニア等の水素化物ガスを含まず、かつ、水素を含む希ガスの雰囲気内において冷却を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the p-type nitride compound semiconductor comprises the steps of growing the p-type nitride layer 4, grown by vapor phase growth method such as MOVPE method, and then cooling the layer 4 in an atmosphere of rare gas which does not contain hydrogenated gas, such as ammonia or the like, and which contains hydrogen. - 特許庁

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added. - 特許庁

対向する２つの電極間に高分子樹脂製セルを配置し、大気圧近傍の圧力雰囲気で、窒素雰囲気下で前記対向電極間に電界を印加して放電を発生させた後、酸素を含むガスに放電処理した部分を曝すことで前記樹脂製セルを親水化処理する。例文帳に追加

The cell made of the high-molecular resin is arranged between two counter electrodes and, after an electric field is applied across the counter electrodes under a nitrogen atmosphere in a pressure atmosphere near to atmospheric pressure to produce discharge, a part subjected to discharge treatment is exposed to an oxygen-containing gas to perform the hydrophilizing treatment of the cell made of the resin. - 特許庁

シリコン基板１内部に酸素イオンを注入した後、雰囲気ガス中の熱処理によりシリコン基板内部に埋め込みシリコン酸化膜３を形成するＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記雰囲気ガスを、窒化ガスを含むガスとする。例文帳に追加

A method for manufacturing an SOI wafer comprises the steps of implanting oxygen ions in a silicon substrate 1, and then forming an embedding silicon oxide film 3 in the substrate by heat treating in an atmospheric gas; and in this case, the atmospheric gas is a gas which contains a nitride gas. - 特許庁

マルエージング鋼製の金属リングを周長補正後、該金属リングを非酸化雰囲気下に亜時効処理し、時効析出反応が停止する温度まで冷却処理した後、少なくともアンモニアガスを含む雰囲気下で窒化処理する。例文帳に追加

This heat treatment method comprises correcting a peripheral length of the metal ring made of a maraging steel, then sub-aging the metal ring in a non-oxidative atmosphere, subsequently cooling it to such a temperature as an again precipitation reaction stops, and nitriding it in the atmosphere including at least an ammonia gas. - 特許庁

本発明による窒化ホウ素系多孔体ＢＣ_XＮ（０≦Ｘ≦１）を製造する方法は、メソポーラスカーボンとホウ素源とを混合する工程と、混合する工程によって得られた混合物を、窒素雰囲気中、１３００℃〜１８００℃の温度で、３０分〜６０分間、加熱する工程とを包含する。例文帳に追加

The boron nitride-based porous body includes whole porous bodies expressed by general formula: BC_XN (0≤X≤1) (that is to say, boron nitride porous bodies and boron carbonitride porous bodies). - 特許庁

得られた塊状崩壊物を粒度４メッシュ（タイラーメッシュ）分級し、篩上の塊状崩壊物は破砕して、窒素を含有する雰囲気中で熱処理をすることにより、希土類鉄系合金粉末を窒化し、湿式処理により、副生成物を除去する。例文帳に追加

The obtained lumpy collapsed material is subjected to particle size 4 mesh (tyler mesh) classification, the lumpy collapsed material on a sieve is crushed, and heat treatment is performed in an atmosphere comprising nitrogen, so as to nitride the rare earth-iron-based alloy powder, and by-products are removed by wet treatment. - 特許庁

透明基板２上に少なくとも１層の金属窒化物膜３が形成されてなる透明積層体１であり、金属窒化物膜３が、少なくとも酸素分子及び／又は水分子が存在する雰囲気中において酸化されうるものである。例文帳に追加

The transparent laminate 1 is prepared by forming at least one layer of metal nitride film 3 on a transparent substrate 2, wherein the metal nitride film 3 can be oxidized in an atmosphere in which at least oxygen molecules and/or water molecules are present. - 特許庁

１）遷移元素及びその化合物ならびに２）希土類元素及びその化合物の少なくとも１種とアルミニウムとを含む原料を、窒素を含む雰囲気中で燃焼合成させることにより窒化アルミニウム系蛍光体を製造する方法に係る。例文帳に追加

The invention relates to the method for preparing the aluminum nitride based phosphor by combustion synthesizing a raw material comprising at least one kind of (1) transition element and its compound, and (2) rare-earth element and its compound and aluminum, in an atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

酸窒化物の製造方法は、少なくとも、金属または半金属の化合物の少なくとも1種を、溶融した尿素および／または溶融した尿素誘導体に溶解させて前駆体を形成し、この前駆体を、不活性または還元性の雰囲気中で加熱することにより酸窒化物を生成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing acid nitride, at least one kind of compound of metal or semimetal is dissolved into melted urea and/or a melted urea derivative to form a precursor, and the precursor is heated in an inert or reducing atmosphere to produce acid nitride. - 特許庁

水素濃度が５０％以下のＮ_２とＨ_２とを含む混合ガス雰囲気中で基板の温度を４００℃以上に保持しながら基板の下地酸化珪素膜にプラズマ窒化処理を施して下地酸珪素膜にゲート絶縁膜としての酸窒化絶縁膜を形成する。例文帳に追加

Plasma nitriding treatment is applied to a ground silicon oxide film of a substrate, while maintaining the temperature of the substrate at ≥400°C in a mixed gas atmosphere having a hydrogen concentration of 50% or less, and containing N_2 and H_2 to form an oxynitrided insulating film on the ground silicon oxide film as a gate insulating film. - 特許庁

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。例文帳に追加

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced. - 特許庁

本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。例文帳に追加

The method of manufacturing the emitter includes a containing step of containing a metal substance in a carbon nanotube, and a cutting step of baking the carbon nanotube coated on a substrate in either of an air atmosphere, nitride atmosphere, and carbon monoxide atmosphere, and cutting the carbon nanotube by oxidation reaction of an interface between the carbon nanotube and the metal substance contained in the carbon nanotube. - 特許庁

また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII Ａ族元素から選択される１以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III Ａ族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device, while a nitride is continuously being activated, an organic metal compound comprising at least one element selected out of III A group element is intermittently introduced in the activated atmosphere to form on a substrate, a film of nitride group compound comprising nitrogen and the III A group element. - 特許庁

また、黒色窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム粉末に、イットリウム化合物を、窒化アルミニウムに対してイットリウム元素換算で外率０．１重量％以上１０重量％以下添加し、成形後、１４５０℃以上１９００℃以下で１０Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気下、１時間以上焼成することによって得られる。例文帳に追加

The black aluminum nitride sintered compact is obtained by adding ≥0.1 and ≤10 wt.%, expressed in terms of outer percentage and yttrium element, based on aluminum nitride, of a yttrium compound to an aluminum nitride powder, then forming and sintering at 1450 to 1900°C under a reduced pressure atmosphere of ≤10 Torr for at least 1 hr. - 特許庁

マトリックス成分としてのＣｓＢｒ粉末とドーバントアクチベータ要素としてのＥｕＢｒ溶液を化学量論比で混合し、混合物を微粉砕、窒素雰囲気下で乾燥する。例文帳に追加

CsBr powder as a matrix component and EuBr solution as a dopant activator element are mixed by stoichiometry and the mixture is pulverized and dried under nitrogen atmosphere. - 特許庁

酸素過剰の雰囲気において、アンモニアを還元剤とする窒素酸化物の還元反応、過剰アンモニアの除去、一酸化炭素および炭化水素の除去を単一の触媒で行うことができる排気ガス浄化触媒並びに、排気ガス浄化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst for cleaning exhaust gas, by which the reduction reaction of nitrogen oxide by using ammonia as a reductant and the removal of surplus ammonia, carbon monoxide and hydrocarbons can be performed by a single catalyst in an oxygen-excess atmosphere, and to provide a method for cleaning exhaust gas. - 特許庁

酸素過剰雰囲気で水分共存条件下に炭化水素を還元剤として用いて窒素酸化物を分解する、金属酸化物担体にパラジウムおよび白金を担持してなる触媒である。例文帳に追加

The catalyst is obtained by making palladium or platinum support to a metal oxide carrier, and decomposes nitrogen oxide with hydrocarbon as a reducing agent in an oxygen-surplus atmosphere under the condition where moisture is coexistent. - 特許庁

（４）前記脱硝用触媒に、硫黄酸化物を含む排ガスをアンモニア雰囲気下に接触させて該排ガス中の窒素酸化物を除去する排ガスの浄化方法。例文帳に追加

The waste gas cleaning method is also a method (4) for removing nitrogen oxides from a sulfur oxide- containing waste gas by bringing the waste gas into contact with the catalyst for nitrogen oxide removal in ammonia atmosphere. - 特許庁

酸化雰囲気でＨＣを用いてＮＯｘを還元させる選択還元型窒素酸化物還元触媒を用いると共に、リーン運転時のＮＯｘ浄化率を向上させる。例文帳に追加

To use a selective reduction type nitrogen oxide reducing catalyst for reducing NOx with HC in an oxidizing atmosphere, and increase a NOx purification rate during a lean operation. - 特許庁

カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデンの混合物を窒素気流中、１８００Ｋ〜２２００Ｋの温度範囲で約２０〜４０分間保持する。例文帳に追加

A mixture of a carbon nanotube, boron oxide, copper oxide, and molybdenum oxide is kept at 1,800-2,200 K in a nitrogen gas flow for about 20-40 min. - 特許庁

前記雰囲気Ａを酸素ガスにするとレーザビームにより形成された切削加工面５に窒化アルミニウムの原料成分であるアルミニウムが酸化されて酸化アルミニウムＭが形成される。例文帳に追加

If the atmosphere A is oxygen gas, aluminum which is a raw material constituent of aluminum nitride is oxidized and an aluminum oxide M is formed on the cut surface 5 formed with the laser beam. - 特許庁

シリコン酸化膜が表面に形成されたシリコン基板に対して微量の酸素ガスを含む窒素ガス雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜を膜厚２．５ｎｍ以下に薄膜化する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate, the silicon substrate is thermally treated in a nitrogen gas atmosphere which contains a small amount of oxygen gas to reduce the silicon oxide film to 2.5 nm or below in thickness. - 特許庁

また酸化雰囲気下、８５０℃〜１２００℃で１時間〜１０時間程度加熱することにより、焼結体の表層を酸化させることからなるホットプレート用窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the sintered aluminum nitride compact for the hot plate comprises heating the sintered compact in an oxidizing atmosphere at 850 to 1,200°C for 1 to 10 hr to oxidize the surface layer of the sintered compact. - 特許庁

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。例文帳に追加

In working with a sample comprising the silicon oxide film, a mixed atmosphere of chlorine gas containing no fluorine element and aluminum is turned into a plasma, for suppressing etching speed of a silicon oxide film, resulting in superior working characteristics. - 特許庁

非酸化性ガス雰囲気下で熱処理を施す偏析工程で、シリコン基板１０とシリコン酸化膜１３との界面にシリコン窒化膜層１４が偏析される。例文帳に追加

In a segregation step for heat treatment in a non-oxidative gas atmosphere, a silicon nitride film layer 14 is segregated on a boundary between the silicon substrate 10 and the silicon oxide film 13. - 特許庁

還元雰囲気遮蔽剤としては、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ等の単体、及びこれらの金属元素の窒化物、珪化物等の化合物を使用することができる。例文帳に追加

A simple substance of Ta, W, Mo and the like, or a compound of the metal element such as a nitride and silicide can be used as the shielding agent of the reductive atmosphere. - 特許庁

その後、アンモニアを含む雰囲気中において５００℃以上且つ上記の結晶化温度以下で熱処理を行い、金属珪酸化膜を金属珪酸窒化膜にする。例文帳に追加

Thereafter, the substrate is heat-treated at a temperature of ≥500°C and not more than the crystallization temperature of the metal silicificated film in an ammonia-contained atmosphere to turn the metal silicificated film into a metal silicate nitride film. - 特許庁

炭素系フィラメント３６は、塩素化塩化ビニル樹脂などの焼成後にアモルファス炭素となる高分子樹脂に黒鉛および窒化硼素を混合し所望の形状に成型後、不活性雰囲気中で焼成したものである。例文帳に追加

The carbon-based filament 36 is produced by mixing a polymer resin, such as a chlorinated poly(vinyl chloride) resin being fired into amorphous carbon, with graphite and boron nitride, forming the resulting mixture into a desired shape, and firing the formed body under an inert atmosphere. - 特許庁

リーン雰囲気で運転をおこなうガソリンエンジンやディーゼルエンジンなどの内燃機関から排出されるＮＯ_Xを、副生成物の亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）をともなうことなく浄化できる浄化装置とすることを課題とする。例文帳に追加

To provide a purifying device capable of purifying NOx discharged from an internal combustion engine such as a gasoline engine and a diesel engine to drive in lean atmosphere without being accompanied by dinitrogen monoxide (N2O) of a by-product. - 特許庁

ヤシ殻活性炭を４０００ｐｐｍの一酸化窒素を含む不活性ガス雰囲気下で、８００℃で３時間熱処理することにより、窒素を原子比で０．３〜０．６％、酸素を原子比で０．７〜１．２％含有する多孔質炭素を製造し、電気二重層キャパシタ用の電極材料とする。例文帳に追加

Porous carbon containing 0.3 to 0.6 atom% nitrogen and 0.7 to 1.2 atom% oxygen is manufactured by carrying out a heat treatment on palm shell activated carbon at 800°C for three hours in an inert gas atmosphere containing 4,000 ppm nitrogen monoxide to provide the electrode material for the electrode for electric double layer capacitor. - 特許庁

透明樹脂フィルム基板上に、ケイ素単体ターゲットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより、窒化ケイ素膜を形成して、水蒸気透過度が０．０５ｇ／ｍ^２／日以下且つ平行光線透過率が８０％以上であるバリア性透明積層フィルムを形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film is formed on a transparent resin film substrate by the sputtering of a silicon target in a nitrogen-containing atmosphere to form the silicon nitride film to form a barrier transparent laminated film with a steam permeability of 0.05 g/m^2/day and parallel light transmissivity of 80% or more. - 特許庁

概ね柱状体の外形を有し、かつ相対する端面間に開口する互いに平行な複数の貫通孔を有する窒化ケイ素質フィルタの封止方法であって、前記端面の各々について、封止すべき貫通孔の開口部の近傍に金属ケイ素粒子を含む組成物を選択的に充填した後、前記窒化ケイ素質フィルタを窒素雰囲気下で熱処理し、前記組成物に含まれる金属ケイ素粒子を窒化させて窒化ケイ素にして封止することを特徴とする窒化ケイ素質フィルタの封止方法。例文帳に追加

In this sealing method, a composition containing metal silicon particles is selectively packed in the vicinity of the opening of the through-holes to be sealed on each end surface, then the silicon nitride filter is subjected to heat treatment in a nitrogen atmosphere so that the metal silicon particles contained in the composition are nitrided and formed into silicon nitride for sealing. - 特許庁

その後、所定のガス雰囲気中での熱処理により当該シャドウマスク６の表面から所定の深さの層内に窒素と炭素を浸透させ、急冷却して当該シャドウマスクの層内表面近傍に金属炭化物６Ｃおよび金属窒化物６Ｎを析出させると共に、金属炭化物および金属窒化物のオーステナイトがマルテンサイト化した部位を有せしめる。例文帳に追加

Then, nitrogen and carbon are penetrated into the layer of a prescribed depth from the surface of the shadow mask 6 by a heat treatment in a prescribed gas atmosphere, and by rapid cooling, metal carbide 6C and metal nitride 6N are deposited at the vicinity of the surface in the layer of the shadow mask, and the portion where the austenite of the metal carbide and the metal nitride become martensitic is obtained. - 特許庁

支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer bonded to the supporting substrate is irradiated with the pulsed laser beam in an atmosphere containing an inert gas such as nitrogen and oxygen so that the surface thereof is made rough. - 特許庁

もちろん、金属元素を添加した半導体膜を、希ガス元素、窒素、およびアンモニアから選ばれた一種または複数種を主成分とする気体をプラズマ化した雰囲気中に曝してから加熱処理を行なってもよい。例文帳に追加

Heat treatment may be effected after a semiconductor film added with a metallic element is exposed to a plasma atmosphere of gas principally comprising one kind or a plurality of kinds selected from rare gas element, nitrogen and ammonia. - 特許庁

乾燥後、一軸プレス成形によりペレット化してから、１３００℃にて窒素雰囲気下で焼成し、ナノ閉気孔を有するチタン酸バリウムの焼結体を得た。例文帳に追加

After drying, the mixture is pelletized by uniaxial press molding, and is then fired at 1,300°C in a nitrogen atmosphere to obtain a sintered compact of barium titanate having closed nanopores. - 特許庁

得られた多孔体の気孔中にアルコールで溶解したフェノール樹脂を加圧下で充填し、窒素雰囲気下で１１００℃まで昇温してフェノール樹脂を炭素化する。例文帳に追加

Phenol resin dissolved in alcohol is filled in pores of the obtained porous body under pressure, and the phenol resin is carbonized at a temperature raised to 1100°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

難水溶性を示す構造体からなり、特に水蒸気を含む雰囲気内でも使用することができ、実用に供することのできる窒素酸化物センサを提供する。例文帳に追加

To provide a nitrogen oxide sensor comprising slightly water-soluble structure, which is usable even in an atmosphere, especially containing water vapor, and is usable in practical way. - 特許庁

簡単な構造で保存に関与する保存庫内の窒素、酸素、二酸化炭素、エチレンの気体を制御でき、低ランニングコストで、青果物等を最適な雰囲気で長期間保存できること。例文帳に追加

To preserve fruit, vegetables or the like in an adequate atmosphere for a long period of time at a low running cost by controlling the gas such as nitrogen, oxygen, carbon dioxide and ethylene to be participated in the preservation of them in a storage by a simple structure. - 特許庁

ｐ型不純物をドープしたＩＩＩ族窒化物半導体を熱処理する際に、０．１体積％以上で１０体積％以下のアンモニアを含むガスを供給する気相雰囲気を用いる。例文帳に追加

When the p-type group III nitride semiconductor doped with the p-type impurities is to be heat-treated, vapor atmosphere that supplies gas containing ammonia that is equal to or more than 0.1 vol.% and at the same time equal to or less than 10 vol.% is used. - 特許庁

ガリウムトリイソプロポキシドを含有する溶液を基板に塗布してガリウムトリイソプロポキシド薄膜を形成する工程と、前記ガリウムトリイソプロポキシド薄膜をアンモニアガス雰囲気下で窒化反応させる工程とを含む、窒化ガリウム薄膜の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the thin gallium nitride film includes a process of forming a thin gallium triisopropoxide film by applying a solution containing gallium triisopropoxide to a substrate and a process of bringing the thin gallium triisopropoxide film into a nitriding reaction under a gaseous ammonia atmosphere. - 特許庁

バーティカルブリッジマン法によって四硼酸リチウム単結晶を製造する装置において、酸化防止の為に窒素雰囲気中にて単結晶を育成する際に窒素が融液に吸着することによって発生する不具合である、単結晶品質の不均一化という問題を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that the quality of a single crystal is made nonuniform and which is a nonconformity caused by adsorption of nitrogen to a melt when the single crystal is grown under a nitrogen atmosphere in order to prevent oxidation in a device for producing lithium tetraborate single crystal by a vertical Bridgman method. - 特許庁

配管のデッドスペースの残留ガスおよび圧力容器内の雰囲気ガスが反応容器内に混入するのを防止して、ＩＩＩ族窒化物結晶の物性低下を防止できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing apparatus of group III nitride crystal which can prevent the reduction in physical property of the group III nitride crystal by preventing a residue gas in the dead space of the piping and an atmosphere gas in a pressurized container from being included into a reaction vessel, and a manufacturing method. - 特許庁