「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

排気ガス中の炭化水素（ＨＣ）、一酸化炭素（ＣＯ）および窒素酸化物（ＮＯｘ）を浄化するのに適し、とくに、リーン雰囲気下におけるＮＯｘ浄化性能がさらに一段と向上した排ガス浄化用触媒を提供する。例文帳に追加

To provide the subject catalyst suitable for purifying hydrocarbon(HC), carbon monoxide(CO) and nitrogen oxide(NOx) in exhaust emission and still more enhanced in NOx purifying capacity in a lean atmosphere. - 特許庁

六方晶窒化ホウ素を炭化水素ガス雰囲気においてその長周期結晶構造が微細化されるように粉砕することにより、ナノ構造化・炭化水素化された窒化ホウ素を骨格とし、加熱により水素を放出する第１の水素貯蔵材料を得る。例文帳に追加

A first hydrogen storage material, which has nano-structurized and hydrocabonized boron nitride as a skeleton and desorbs hydrogen by heating, is obtained by crushing hexagonal boron nitride under a hydrocarbon gas atmosphere so that the long period crystal structure is minute. - 特許庁

一酸化炭素，水素，窒素を含む雰囲気ガスを高いＳＶ値においても効率的に発生させることができる小型の雰囲気ガス発生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a small atmosphere gas generating equipment which can effectively generate atmosphere gas including carbon monoxide, hydrogen and nitrogen at the value of high SV. - 特許庁

雰囲気ガスＧ中でシリコンウェーハＷを熱処理して内部に新たに空孔を形成する熱処理工程を有し、該熱処理工程の前記雰囲気ガスは、Ｎ_2が分解可能な温度よりも低い分解温度の窒化ガスを含む。例文帳に追加

The manufacturing method has a heat treatment stage for newly forming pores in the silicon wafer W by heat-treating the silicon wafer W inside an atmospheric gas G, which includes nitrogen gas having decomposable temperature which is lower than the temperature at which N_2 can be resolved. - 特許庁

浸炭窒化方法は、雰囲気が制御される雰囲気制御工程と、被処理物に付与される温度履歴が制御される加熱パターン制御工程とを備えている。例文帳に追加

The carbo-nitriding method comprises an atmosphere control step of controlling the atmosphere, and a heating pattern control step of controlling the temperature history to be given to an object. - 特許庁

本発明による窒化アルミニウム単結晶の製造方法では、窒素元素を含む非酸化性雰囲気中において、一種以上の遷移金属元素を総量で１〜５０原子％の範囲内で含むアルミニウム合金を溶融させて所定時間維持することによって、アルミニウムの窒化を促進させて窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。例文帳に追加

In the method of producing the aluminum nitride single crystal, the aluminum nitride single crystal is grown by melting an aluminum alloy containing at least one transition metal element in an amount of 1 to 50 atom.% in total, in a non-oxidizing atmosphere containing nitrogen and maintaining the alloy in a molten state for a predetermined time so as to accelerate nitriding of aluminum. - 特許庁

ＳｍＦｅＮ系粉末磁石材料の製造を、ＳｍＦｅ系合金の粉末を雰囲気ガスで窒化させて行なうに当り、均一な窒化を実現することにより、各組成の磁石合金において到達できる最高度の磁気特性を有する粉末磁石材料を得る方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a method by which an SmFeN-based powdery magnet material having the highest magnetic characteristic that is reachable by magnet alloys of different compositions can be obtained by realizing uniform nitridation at the time of manufacturing the powdery magnet material, by nitriding the powder of an SmFe-based alloy with an atmospheric gas. - 特許庁

ガラス基板１上に、窒素ガスを含む雰囲気でPVD法によりMo窒化物を含む膜を緩衝層２として形成した後、Arガス雰囲気でPVD法によりMo膜をMo電極膜３として形成することで、被膜の内部応力を低減することができ、剥がれ難くできる。例文帳に追加

After forming a film including an Mo nitride on the glass substrate 1 as a relaxed layer 2 by a PVD method under an atmosphere that contains nitrogen gas, an Mo film is formed as the Mo electrode film 3 by the PVD method under an Ar gas atmosphere, thus reducing internal stresses of a film and preventing ready peeling. - 特許庁

この製造方法は、純鉄や鉄合金、鉄化合物といったFeを含有する母材に磁場を印加した状態で、窒素雰囲気といった窒素元素含有ガス雰囲気下で上記母材を加熱してα”Fe_16N_2相を生成する工程を具える。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step of generating an α"Fe_16N_2 phase by heating an Fe-containing base material such as pure iron, an iron alloy or an iron compound in a nitrogen element-containing gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere, while applying a magnetic field to the base material. - 特許庁

窒化アルミニウムの焼結体７にレーザ加工を施して切削溝５ａ又は切削端面５ｂ等の切削加工面５を有する成形体１を得るとき、前記焼結体７の被切削部７ａを酸素雰囲気又は窒素雰囲気Ａ下において、その被切削部７ａにレーザビーム４を照射する。例文帳に追加

When the molding 1 with the cut surface 5 including the cut groove 5a or the cut edge 5b or the like is produced by processing the aluminum nitride sintered body 7 with the laser beam, the cut part 7a of the sintered body 7 is irradiated with the laser beam 4 in an atmosphere A of oxygen or nitrogen. - 特許庁

金属アルミニウム、あるいは、アルミニウム合金をアノード酸化して得られるアルミニウム酸化物を含む成形体を、窒素またはアンモニアガス、あるいは窒素とアンモニアガスを含む雰囲気下に加熱、焼成することを特徴とする窒化アルミニウム成形体の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing an aluminum nitride formed body, a formed body containing metal aluminum or aluminum oxide obtained by anodically oxidizing an aluminum alloy is heated and fired in an atmosphere containing nitrogen or ammonia gas or nitrogen and ammonia gas. - 特許庁

窒化前に予め仕上げ加工をするか、焼結材の熱処理を真空雰囲気で実施するか、予めスチーム処理を施した後、窒化することにより、必要量の窒化深さを形成させ、寸法の膨張および変形を抑えることで前記課題を解決することが可能となる。例文帳に追加

Necessary depth of nitriding is formed and expansion and deformation of dimension is limited by performing finish machining before nitriding a vane 21, performing heat treatment of sintered material in vacuum atmosphere, or nitriding after steam treatment. - 特許庁

マルエージング鋼をアンモニアガス雰囲気中で加熱して窒化処理する場合に、アンモニアガスが分解するのを抑制して、マルエージング鋼の表面に窒化層が容易に形成されるようにすると共に、マルエージング鋼の表面に数十μｍ程度の薄い窒化層を均一に形成できるようにする。例文帳に追加

To easily and uniformly form a thin nitriding layer of about several tens μm on the surface of maraging steel by suppressing the decomposition of gaseous ammonia at the time when the maraging steel is heated and is subjected to nitriding treatment in a gaseous ammonia atmosphere. - 特許庁

そして、このクラッド層２４に高温の炭素やケイ素あるいは窒息の化合物ガスの雰囲気に置くことにより炭素やケイ素や窒素を金属格子に侵入させる侵炭処理や侵ケイ処理，窒化処理を行なってその表層部あるいは全層をセラミック化する。例文帳に追加

Carburizing treatment, silicifying treatment, nitriding treatment for intruding carbon, silicon and nitrogen into a metal grid while placing the clad layer 24 in the atmosphere of the high temperature compound gas of carbon, silicon or nitrogen so as to form a surface layer or the whole layer into ceramic. - 特許庁

ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ_3）または亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）のうち少なくとも１種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。例文帳に追加

Thereby, nitrogen of high concentration can be incorporated in silicon/silicon dioxide interface between a gate oxide 24 and the lightly doped drain structure 38. - 特許庁

β型炭化ケイ素を８０〜９９％、金属窒化物を１〜１０％、金属ホウ化物を０〜５％、窒素含有有機物を０〜８％、それぞれ含む原料を成形後、窒素ガス雰囲気下１８００〜２３００℃で焼結してｎ型熱電変換材料とする。例文帳に追加

After a material comprising β-type silicon carbide 80-99%, metal nitride 1-10%, metal boride 0-5%, and nitrogen-contained organics 0-80% is molded, it is sintered in a nitrogen gas atmosphere at 1800-2300°C. - 特許庁

一種類のIII族原料物質あるいは複数種類のIII族原料物質を混合したものと、アルカリ金属の窒化物とを、非酸素雰囲気中において反応させることによりIII族窒化物を得ることを特徴とするIII族窒化物の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the group III nitride yields the group III nitride by reacting one kind of a group III raw material substance or a mixture of a plurality of kinds of group III raw material substances; and an alkali metal nitride in an oxygen-free atmosphere. - 特許庁

シリコン半導体基板１表面の所定の領域にハロゲン元素４を導入し、このシリコン半導体基体表面を窒化性ガス雰囲気にさらして、ゲート絶縁膜などに用いられるシリコン窒化膜もしくはシリコン酸窒化膜５を形成する。例文帳に追加

A halogen element 4 is introduced into a prescribed region on the surface of a silicon semiconductor substrate 1, the surface of the silicon semiconductor substrate 1 is exposed to a nitriding atmosphere, and a silicon nitride film or a silicon oxide nitride film 5 used as a gate insulating film is formed. - 特許庁

次に、酸素及び窒素を含む雰囲気中でアニールすることにより、前記高融点金属の窒化膜を高融点金属の酸化窒化膜とし、前記高融点金属膜を、前記シリコン基板と反応させることにより高融点金属のシリサイド膜とする。例文帳に追加

Then, the substrate is annealed in an atmosphere containing oxygen and nitrogen, so that the nitride film of the high melting-point metal is changed into an oxidized nitride film of high melting-point metal, and the high melting-point metal film is allowed to be reacted with the silicon substrate, forming a silicide film of high melting-point metal. - 特許庁

窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。例文帳に追加

In an atmosphere of one kind or multiple kinds of gas selected from nitrogen, hydrogen, and an inert gas, a laser beam is radiated with an oxide film removed from a surface in order to form a crystalline semiconductor film having a planarized surface. - 特許庁

空気に比べて酸素分圧が高い雰囲気下では、低分子化速度を速くすることができ、空気に比べて、窒素分圧又は二酸化炭素分圧が高い雰囲気下、又は減圧状態下では、低分子化速度を遅くすることができる。例文帳に追加

The molecular weight-reducing rate can be accelerated in the atmosphere having an oxygen partial pressure higher than that in the air, and the molecular weight-reducing rate can be decelerated in the atmosphere having a nitrogen partial pressure or a carbon dioxide partial pressure higher than those in the air, or under a reduced pressure condition. - 特許庁

ジルコニアと周期表における第４族元素（但し、ジルコニウムを除く。）の酸化物との含有物を、水素含有雰囲気中、窒素含有雰囲気中又は含水雰囲気中で焼成することを特徴とするジルコニア焼結体の製造方法及びその製造方法により得られたジルコニア焼結体。例文帳に追加

This method for manufacturing the zirconia sintered compact comprises a step to sinter the substance containing zirconia and the oxide of an element (except zirconium) of group IV in the periodic table in hydrogen- containing atmosphere, a nitrogen-containing atmosphere or a moisture- containing atmosphere. - 特許庁

浸炭窒化方法は、熱処理炉内の雰囲気が採取される工程と、採取された雰囲気における未分解アンモニアの体積分率が算出される工程と、算出された未分解アンモニアの体積分率に基づいて、熱処理炉内の雰囲気が調整される工程とを備えている。例文帳に追加

The carbonitriding method includes the steps of: collecting an atmospheric gas in the heat treatment furnace; calculating the volume fraction of undecomposed ammonia in the collected atmospheric gas; and adjusting the atmospheric gas in the heat treatment furnace based on the volume fraction of the calculated undecomposed ammonia. - 特許庁

炭化ケイ素部材を使用して、不活性ガス雰囲気下、１１００℃を超える高温でシリコンウエハを熱処理する工程において、昇温時または降温時に、前記不活性ガス雰囲気中の窒素ガスの濃度が０．１％以上となるように雰囲気を置換する。例文帳に追加

In the process in which silicon wafers are thermally treated in an inert gas atmosphere and at a temperature over 1,100°C by using a silicon carbide member, the atmosphere is replaced so that the concentration of a nitride gas in the inert gas atmosphere becomes 0.1% or more at the time of increasing or decreasing the temperature. - 特許庁

窒素含有気体雰囲気中に波長１７２〜１２６ｎｍの真空紫外光を照射することにより前記窒素含有気体を分解して被膜形成基板（Ｋ）の表面に吸着させると共に、前記被膜形成基板表面（Ｋ）に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて前記被膜形成基板（Ｋ）表面の窒化を行う被膜窒化方法。例文帳に追加

The surface of a film-forming substrate (K) is nitrided by irradiating atmosphere of gas containing nitrogen with vacuum ultraviolet light, having the wavelength range of 172-126 nm, decomposing the gas containing nitrogen and making it stick to the surface of the film-forming substrate (K), and irradiating the gas molecules stuck to the surface of the film-forming substrate (K) with vacuum ultraviolet light, thereby causing surface reaction. - 特許庁

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile. - 特許庁

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas. - 特許庁

その製造方法は、造管に用いる板または帯状のチタンを窒素ガス雰囲気で加熱することによって窒化熱処理して所定の窒化を施した後、その板または帯を管形状に成形し、そのつき合わせ部をアルゴンガスでシールドして溶接するものである。例文帳に追加

The manufacturing method includes: forming a sheet or a strip into tubular shape after applying specified nitriding to the sheet or the strip-like titanium used for manufacturing the pipe by carrying out nitriding and heat treatment by heating it in a gaseous nitrogen atmosphere; and shielding the butted part with gaseous argon and carrying out welding. - 特許庁

その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。例文帳に追加

Then the group-III nitride is crystal-grown by a PLD (pulse laser deposition) method of irradiating a target 3a comprising a constituent element of the group-III nitride to be grown with pulse laser light in a nitrogen atmosphere to obtain N-polar crystal having extremely high quality. - 特許庁

窒化マンガンを主成分とする耐摩耗性イオンプレーティング皮膜を、金属マンガンを蒸発源とし窒素雰囲気中でＨＣＤイオンプレーティングを行うことにより基板上形成する。例文帳に追加

A wear resistant ion plating film having manganese nitride as the main composition is formed on a substrate by performing HCD ion plating in an nitrogen atmosphere with metallic manganese as an evaporation source. - 特許庁

本発明に係るスカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法は、上記課題を解決するために、窒素ガスを含む雰囲気下で、スカンジウムアルミニウム合金を用いてスパッタリングを行うスパッタリング工程を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a scandium aluminum nitride film includes a sputtering step of using a scandium aluminum alloy to perform a sputtering under an atmosphere including a nitrogen gas. - 特許庁

アルミニウム金属板６４１とガドリニウム金属板６４２とをターゲット材料とし、アルゴン、窒素混合ガス６７の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride thin film to which gadolinium is added is manufactured, by performing sputtering in the atmosphere of gas 67 where argon and nitrogen are mixed with an aluminum metal plate 641 and a gadolinium metal plate 642 as target material. - 特許庁

バリア層１５を構成するモリブデン又はモリブデン合金層の表面に窒素雰囲気中での高速熱処理（高速熱アニール）で形成されたモリブデン酸窒化膜１８を設ける。例文帳に追加

A molybdic acid nitride film 18 formed by high-speed heat treatment (high-speed annealing) in a nitrogen atmosphere is provided on the surface of the molybdenum or molybdenum alloy layer constituting the barrier layer 15. - 特許庁

金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a metal silicon nitride film by a circulating film deposition in a plasma atmosphere using a metal amide, a silicon precursor and a nitrogen source gas as precursors. - 特許庁

育成容器内でフラックスおよびＩＩＩ族原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、窒素含有雰囲気下で、この種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する。例文帳に追加

The nitride single crystal is grown on the seed crystal substrate in a nitrogen-containing atmosphere by immersing the seed crystal substrate in a molten liquid containing a flux and a group III starting material in a growing vessel. - 特許庁

また本発明に係る窒素固定化方法は、光触媒機能を有する無機物半導体微粒子と無機物半導体微粒子を覆う導電性ポリマーを窒素を含む雰囲気中に配置して光を照射する。例文帳に追加

The nitrogen fixation method is carried out by arranging the inorganic substance semiconductor fine particle having the photocatalytic function and the conductive polymer covering the inorganic substance semiconductor fine particle in an atmosphere containing nitrogen and irradiating them with light. - 特許庁

高含窒素有機性廃棄物と、還元的雰囲気下で得られた活性炭とを１対１で混合するとともに、アンモニアを分解して硝酸を得る発酵菌とを混合する高含窒素有機性廃棄物の堆肥化方法。例文帳に追加

An organic waste with a high nitrogen content and an activated carbon obtained under a reducing atmosphere are mixed by 1 vs. 1 and a zymogeneous microorganism to produce nitric acid by decomposing ammonia is further mixed in this method. - 特許庁

少なくとも金属アルミニウムを含有している基体を１０^-3ｔｏｒｒ以下の真空中で加熱処理した後に、この加熱処理に続けて少なくとも窒素を含有する雰囲気５中で加熱窒化処理する。例文帳に追加

The substrate containing at least aluminum metal is heat treated in vacuum of ≤10-3 Torr and then subjected, in succession to the heat treatment, to nitriding under heating in an atmosphere 5 containing at least nitrogen. - 特許庁

窒素雰囲気下の高温・高圧での焼成を必要とせず、高い熱伝導率と強度を有する高熱伝導窒化ケイ素質焼結体の製造方法およびその焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a highly heat-conductive silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity and strength, with which the silicon nitride is obtained without sintering at high temp. and high pressure in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

高純度ケイ素を酸素濃度低減下の雰囲気中又は真空中で加熱溶融し、窒素ガスと１４００℃以上１５５０℃未満で反応させるα−窒化ケイ素単結晶の合成方法である。例文帳に追加

The method for synthesizing the α-silicon nitride single crystal comprises heating and melting high purity silicon under an atmosphere containing oxygen in a reduced concentration or under vacuum and then reacting the silicon with gaseous nitrogen at a temperature of ≥1,400 and <1,500°C. - 特許庁

相分離処理材3に加圧状態で窒素雰囲気中で熱処理を施して、Fe相11中のFeを窒化してα”Fe_16N_2相を生成することで磁性体4が得られる。例文帳に追加

A phase separation processing member 3 is subjected to a heat treatment under a pressurized state in a nitrogen gas atmosphere in order to nitride Fe in the Fe phase 11, generate a α"Fe_16 N_2 phase and obtain the magnetic substance 4. - 特許庁

窒素雰囲気下の高温・高圧での焼成を必要とせず、高い熱伝導率と強度を有する高熱伝導窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high heat-conductive silicon nitride-based sintered product having high heat conductivity and high strength without requiring a sintering process at a high temperature and at a high pressure in a nitrogen atmosphere, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。例文帳に追加

A method of manufacturing a piezoelectric thin film with an aluminum nitride thin film containing scandium, includes a sputtering process wherein sputtering is carried out with aluminum and scandium in an atmosphere including at least nitrogen gas. - 特許庁

また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。例文帳に追加

The etching speed is found by detecting a peak of nitrogen isotope 15N content in an etching atmosphere, when etching the nitrogen compound layers 16-26. - 特許庁

窒化アルミニウムを主成分とする成形体、脱脂体又は仮焼体を、アンモニアガスを含むガスを導入しつつ１２００〜１７００℃の温度で焼成した後、更に、窒素ガス雰囲気において１８００〜２０００℃の温度で焼成する。例文帳に追加

A molded, degreased or calcined product essentially comprising aluminum nitride is baked at 1,200-1,700°C while introducing a gas containing an ammonium gas and subsequently baked at 1,800-2,000°C in a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁