「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、ダイス４１とともに原料形成体３２に不活性雰囲気、たとえば窒素雰囲気下で８００℃、６時間の熱処理を施し炭化する。例文帳に追加

Then the raw material formed body 32 is heat-treated together with the dice 41 in an inert atmosphere such as a nitrogen atmosphere at 800°C for 6 hours and carbonized. - 特許庁

更には、燐酸肥料を製造するに際しては、死亡獣畜の炭化処理の前に予め処理雰囲気を窒素雰囲気へ置換することが好ましい。例文帳に追加

Further, in the production of a phosphate fertilizer, is desirable that the treatment atmosphere is adjusted to a nitrogen atmosphere before the carbonization of livestock. - 特許庁

減圧雰囲気下におけるアンモニアと活性窒素を含む窒化促進ガスを利用したガス窒化処理によって、オーステナイト系ステンレス鋼の表面に窒化層を形成すると、その上に酸化層を形成し易い。例文帳に追加

When the nitriding layer is formed on the surface of the austenitic stainless steel by gas nitriding treatment using a nitriding promotion gas comprising ammonia and active nitrogen in an evacuated atmosphere, the oxidizing layer is easily formed thereon. - 特許庁

処理容器２内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を窒化する窒化方法において、減圧雰囲気下にてＨ_２ とＮＨ_３ とを用いることにより前記窒化処理を行なって窒化膜７６、８２を形成する。例文帳に追加

In the nitriding method for nitriding the surface of the workpiece W that is made at a prescribed temperature in a treating vessel 2, the nitriding is performed by using H_2 and NH_3 under a reduced pressure atmosphere to form nitride films 76, 82. - 特許庁

塑性加工が施された鋼材を、アンモニアガスの含有量が、３８％以上、９０％未満である混合ガス雰囲気下、６５５℃以上、６６５℃以下の窒化温度で窒化する窒化処理工程を有する窒化処理鋼材の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the nitridation-treated steel comprises a process where the plastic-worked steel is nitrided at a nitriding temperature of 655 to 665°C in a gaseous mixture atmosphere having a gaseous ammonia content of 38 to <90%. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とほう素を含有する粉末を混合した粉末を、窒素を含む不活性の雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素を作製することを特徴とする窒化ほう素粉末の製造方法を用いる。例文帳に追加

In a manufacturing method of the boron nitride powder, a powder mixture of a powder containing a metal oxide and a boron-containing powder is heat-treated in an inert atmosphere including nitrogen to prepare boron nitride. - 特許庁

四塩化ハフニウム（HfCl_4）を窒素雰囲気下にてエタノールに溶解し、ハフニヤゾル液を作る。例文帳に追加

A hafnia sol liquid is prepared by dissolving a hafnium tetrachloride (HfCl_4) in ethanol under a nitrogen atmosphere. - 特許庁

窒化シリコン膜３２が水素を透過しないので、熱処理雰囲気中に水素を含めなくてよい。例文帳に追加

Since hydrogen does not penetrate the silicon nitride film 32, hydrogen may not be contained in a thermal treating atmosphere. - 特許庁

触媒体を使用温度または窒化温度に加熱する際には触媒体を水素雰囲気に保つ。例文帳に追加

The catalyst is kept in hydrogen atmosphere during it is heated to the operating temperature or nitriding temperature. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体膜１３ｅの表面は雰囲気２１に露出されている。例文帳に追加

The surface of the gallium nitride semiconductor film 13e is exposed to the atmosphere 21. - 特許庁

本発明は、ガス雰囲気内での加工品表面の、結合層なしのガス窒化方法に関する。例文帳に追加

To provide a process of gas-nitriding a surface of a workpiece without forming a bond layer in a gas atmosphere, and the gas-nitrided workpiece in particular, a spring. - 特許庁

浸炭窒化方法は、雰囲気制御工程５０と、加熱パターン制御工程６０とを備えている。例文帳に追加

The carbonitriding method comprises an atmosphere control process 50 and a heating pattern control process 60. - 特許庁

硼酸又は無水硼酸と含窒素高分子化合物の混合物を、窒素雰囲気中で加熱し、硼酸又は無水硼酸を還元・窒化することにより六方晶窒化硼素を合成する。例文帳に追加

The h-BN is synthesized by heating a mixture composed of boric acid or boric anhydride and a nitrogen-containing polymeric compound in a nitrogen atmosphere and reducing/nitriding the boric acid or boric anhydride. - 特許庁

遷移金属又は遷移金属の合金を含む基材からなる基層１３と、基材を窒素雰囲気下で窒化して得られた窒化層１４とを備え、窒化層１４は開裂１５を有する。例文帳に追加

A base layer 13 made of a base material containing transition metal or an alloy of transition metal and a nitrided layer 14 obtained by nitriding a base material under a nitrogen atmosphere are provided, of which, the nitrided layer 14 has a cleavage 15. - 特許庁

窒化アルミニウム粉末を、酸素含有雰囲気下で熱処理することにより、窒化アルミニウム粉末の表面に酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程を有する。例文帳に追加

The treating method of an aluminum nitride powder includes a process for forming an aluminum oxide layer or an aluminum oxynitride layer on the surface of the aluminum nitride powder by heat treating the aluminum nitride powder in an oxygen-containing atmosphere. - 特許庁

例えば、熱処理を１ｐｐｍ以上の酸素又は／及び窒素を含む雰囲気下又は大気雰囲気下で、母材自体の少なくとも１種の構成元素の酸化反応又は窒化反応の最低温度以上の温度で行なう。例文帳に追加

For example, the heat treatment is carried out under the atmosphere containing ≥1 ppm oxygen or/and nitrogen or under the air atmosphere at a temperature not lower than the lowest temperature in the oxidizing reaction or nitriding reaction of at least one constituent element of the base material itself. - 特許庁

加熱窒化処理の際に、窒素原子を含有するガスＡ、Ｂが流通可能な多孔質体３、４を雰囲気５に対して接触させる。例文帳に追加

During the nitriding under heating, porous bodies 3 and 4 through which gases A and B containing nitrogen atoms can be allowed to flow are brought into contact with the atmosphere 5. - 特許庁

添加元素群の窒化物は、窒素雰囲気中で加熱処理することによって、ワイヤ材料の表面側に分散される。例文帳に追加

The nitrides of the group of additive elements are dispersed on the surface side of the wire material by heating treatment in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

希土類金属を、窒素と水素の混合雰囲気中で、該金属の融点以上、該金属の窒化物の融点以下の温度で焼成する。例文帳に追加

A rare earth metal is baked at a temperature of the melting point of the metal or above and the melting point of the nitride of the metal or below in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen. - 特許庁

浸炭窒化処理された軸受鋼が窒素を含まない雰囲気下にて７８０℃以上９００℃以下の温度で加熱拡散処理される。例文帳に追加

The bearing steel subjected to the carbonitriding treatment is subjected to diffusion treatment at a temperature of 780-900°C in an atmosphere not containing nitrogen. - 特許庁

浸炭窒化処理された鋼材が窒素を含まない雰囲気下にて７８０℃以上９００℃以下の温度で加熱拡散処理される。例文帳に追加

The steel subjected to the carbonitriding treatment is subjected to heating diffusion treatment at 780 to 900°C in a nitrogen-free atmosphere. - 特許庁

その後、成形体を焼成炉にて窒素雰囲気下で1700℃、 4時間の焼成を行い、メリライト相を有する窒化珪素質焼結体基材を得た。例文帳に追加

The resulting compact was fired in a furnace at 1,700°C for 4 h in N2 atmosphere to obtain a silicon nitride sintered compact containing melilite. - 特許庁

シリコーンゴムに黒鉛粉末と窒化硼素を混合したものを所要の形状に賦形後、酸化雰囲気下で３８０℃まで昇温して焼成し、更に窒素雰囲気下で１１００℃まで昇温して焼成する。例文帳に追加

A mixture obtained by mixing graphite powder and boron nitride in silicone rubber is shaped in required shape, then fired at a temperature raised to 380°C in an oxidizing atmosphere, and further baked at a temperature raised to 1100°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

液体又は固体状の窒素含有物質をハロゲン化硼素で処理した後、ハロゲン化硼素の雰囲気下又は不活性ガスの雰囲気下で熱処理する炭窒化硼素の製造方法。例文帳に追加

A liquid or solid nitrogen-containing substance is treated with boron halide, and heat treatment is performed thereto in an atmosphere of boron halide or in an atmosphere of an inert gas. - 特許庁

基板１上に導電膜２を形成し、続いて酸素雰囲気下又は窒素雰囲気下において導電膜２をレーザ加熱することで、導電パターンを形成する領域以外の領域を酸化又は窒化（即ち、絶縁化）する。例文帳に追加

A conductive film 2 is formed on a substrate 1 and then the region excluding the region where the conductive pattern is formed is oxidized or nitrided (namely, insulated) by laser heating the conductive film 2 under an oxygen atmosphere or nitrogen atmosphere. - 特許庁

シリコンと窒素とを含む第１のガスと、窒素と水素とを含む第２のガスと、を減圧雰囲気において加熱した触媒に作用させることにより、シリコン窒化膜を形成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

A first gas containing silicon and nitrogen and a second gas containing nitrogen and oxygen are made to act on a heated catalyst in a pressure-reduced atmosphere, thus forming the silicon nitride film. - 特許庁

および遷移元素及び希土類元素の少なくとも１種とアルミニウムとを含む原料を、窒素を含む雰囲気中で窒化合成させた後、窒素を含む雰囲気中１０５０℃を超える温度で焼成することにより窒化アルミニウム系蛍光体を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the aluminum nitride-based fluorescent substance comprises subjecting a raw material containing at least one kind of the transition element and the rare earth element and further containing the aluminum to nitriding synthesis in an atmosphere containing nitrogen, and then firing the synthesized material at a temperature higher than 1,050°C in an atmosphere containing the nitrogen. - 特許庁

金属窒化物粉末とほう素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含むガス、水素、不活性ガスの少なくとも一つから成る雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素クラスターを製造する。例文帳に追加

A boron nitride cluster is manufactured by heat-treating a powder prepared by mixing a metal nitride powder and a powder containing boron in an atmosphere comprising at least one among a gas containing nitrogen, hydrogen, and an inert gas. - 特許庁

マルエージング鋼の表面を硬化する窒化処理方法において、４３０℃〜４８０℃の窒化処理温度で、残留アンモニア濃度を時間の経過に応じて１０％未満から７０％以上まで増加させる窒化雰囲気中で窒化処理して窒化層を形成する。例文帳に追加

In the nitriding treatment method for hardening the surface of maraging steel, nitriding treatment is performed in a nitriding atmosphere where the concentration of residual ammonia is increased from <10 to ≥70% in accordance with the passage of time at a nitriding treatment temperature of 430 to 480°C to form a nitrided layer. - 特許庁

窒素ガスを含む雰囲気中において、タングステンからなる第１のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、シリコン窒化酸化膜１０３の表面部を窒化すると共に、シリコン窒化酸化膜１０３の上に、ゲート電極の下層部となるタングステン窒化膜１０４を堆積する。例文帳に追加

In an atmosphere containing nitrogen gas, sputtering is executed using a first target comprising tungsten to nitride the surface part of the silicon nitriding oxide film 103, while a tungsten nitride film 104 which is to be the lower layer part of a gate electrode is deposited on the silicon nitride oxide film 103. - 特許庁

また、非酸素雰囲気下で、ガリウム化合物粉末とアルカリ金属の窒化物粉末を粉砕してもよい。例文帳に追加

Further, the gallium compound powder and a powder of an alkali metal nitride can be pulverized in an oxygen-free atmosphere. - 特許庁

ゲート酸化膜の形成方法は、半導体基板を準備する工程と、半導体基板上に、窒素含有量が５％未満の酸素窒素混成ガスの雰囲気下で熱処理を進行して第１次酸化窒化膜を形成する工程と、窒素含有量が５％以上の酸素窒素混成ガスの雰囲気下で熱処理を進行して第２次酸化窒化膜を形成する工程とを含む。例文帳に追加

This method to form a gate oxide film includes a process in which a semiconductor substrate 21 is prepared, a process in which heat treatment is performed in a mixture of oxygen nitrogen gas atmosphere (nitrogen content: less than 5%) to form a first oxynitride film, and a process in which heat treatment is performed in another oxygen-nitrogen mixed gas atmosphere (nitrogen content: more than 5%) to form a second oxynitride film 28. - 特許庁

浸炭窒化方法は、０．８質量％以上の炭素を含有する鋼からなる被処理物を、アンモニア、一酸化炭素、二酸化炭素および水素を含む雰囲気中で加熱することにより浸炭窒化する浸炭窒化方法であって、雰囲気制御工程５０と、加熱パターン制御工程６０とを備えている。例文帳に追加

The carbo-nitriding process is to perform the carbo-nitriding by heating a work consisting of steel containing ≥0.8 mass% carbon in an atmosphere containing ammonia, carbon monoxide, carbon dioxide and hydrogen, and comprises an atmosphere control step 50 and a heating pattern control step 60. - 特許庁

ガラス多孔質体に窒素雰囲気中で加熱して窒素添加した後、水蒸気処理により部分脱窒素し、次いで不活性ガス含有雰囲気下に９００℃以上ガラスの粘性流動を起こさない温度以下の温度範囲に２時間以上保持し、その後加熱透明化する。例文帳に追加

Porous glass is heated in a nitrogen atmosphere thereby adding nitrogen to the glass, then treated with steam to effect partial denitrification followed by the heat treatment in an inert gas atmosphere in a temperature range from 900°C to the temperature at which the glass causes no viscous flow for ≥2 hours and the glass is clarified with heat. - 特許庁

窒化アルミニウム膜７上に、窒化アルミニウム膜７に対する酸素を含む雰囲気でのプラズマ処理により形成された、窒化アルミニウム膜７より平滑化された酸化物層７ａを設ける。例文帳に追加

Furthermore, the aluminum nitride film 7 is subjected to a plasma treatment in an oxygen-containing atmosphere to form an oxide layer 7a on the aluminum nitride film 7, the oxide layer 7a is made smoother than the aluminum nitride film 7. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム含有物の製造方法は、窒素雰囲気下で、アルミニウムと窒化ホウ素を同一の容器内で加熱して前記アルミニウムを溶融することにより、窒化アルミニウムとアルミニウムを含有する塊状の窒化アルミニウム含有物を生成する工程と、前記塊状の窒化アルミニウム含有物の形状を加工する工程と、前記加工された窒化アルミニウム含有物を窒素雰囲気下で加熱処理することにより、前記窒化アルミニウム含有物が含有するアルミニウムの一部を窒化させる工程とを具備する。例文帳に追加

The method of manufacturing the aluminum nitride-containing material comprises a step for producing a massive aluminum nitride-containing material containing aluminum nitride and aluminum by heating and melting aluminum and boron nitride in the same vessel under a nitrogen atmosphere, a step for machining the shape of the massive aluminum nitride-containing material and a step for nitriding a part of aluminum contained in the machined aluminum nitride-containing material. - 特許庁

金属窒化物および非金属窒化物の一種以上を、水素雰囲気にて機械的粉砕処理し、Ｎ−Ｈ結合を生成させることにより水素貯蔵窒化物材料とする。例文帳に追加

The hydrogen storage nitride material is produced by mechanically crushing a metal nitride and one or more nonmetal nitrides in a hydrogen atmosphere to form a N-H bond. - 特許庁

配向性ＣＮ_x（０＜Ｘ≦０．１）ナノチューブを酸化ホウ素および酸化銅の粉末合体とともに窒素雰囲気中の高温下で反応させることで、表層が窒化ホウ素の、ホウ素・炭素・窒素ナノチューブとする。例文帳に追加

The boron/carbon/nitrogen nanotube whose surface layer is coated with boron nitride is obtained by bringing a grain-oriented CN_x(0<X≤0.1) nanotube into reaction with a powdery combination of boron oxide and copper oxide at a high temperature in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

酸化アルミニウム又は酸化ケイ素の一方又は双方と、窒化ケイ素と、窒化アルミニウムと、ユーロピウム化合物とからなる原料を空気透過度０．１ｃｍ^３／ｃｍ^２ｓＭＰａ以下の窒化ホウ素製の容器中、窒素雰囲気下で焼成することを特徴とする。例文帳に追加

A raw material comprising either or both of aluminum oxide and silicon oxide, silicon nitride, aluminum nitride and a europium compound is fired under a nitrogen atmosphere in a container made of boron nitride whose air permeability is ≤0.1 cm^3/cm^2 s MPa. - 特許庁

リチウムが存在する試料を高純度の窒素雰囲気中にさらし、窒素と常温で反応させることによって窒化リチウムを生成させ、その後、大気に曝すことなく窒素雰囲気のままＥＤＸ或いはＥＰＭＡ分析装置に導入し、窒化リチウムの窒素の分析により、定性的にリチウムの存在を確認可能な分析方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an analytical method in which a lithium-containing sample is exposed to a high-purity nitrogen atmosphere, and lithium nitride is made through reacting with nitrogen at normal temperature, and then it is introduced to an EDX or EPMA analyzer while being in the nitrogen atmosphere without being exposed to atmospheric air, and the presence of lithium can be checked qualitatively by analyzing the nitrogen of the lithium nitride. - 特許庁

更に前記鉄線の製造方法は、無酸化物雰囲気中で焼鈍することを特徴とするであり、前記無酸化物雰囲気は窒素ガス及び／又は水素ガス雰囲気下であることが好ましい。例文帳に追加

Further, a method for producing this low carbon steel wire, is peculiarly annealed in non-oxidized material atmosphere, and the above non-oxidized atmosphere is desirable to be under nitrogen gas and/or hydrogen gas atmosphere. - 特許庁

金属を含むタンパク質を、窒素雰囲気中、又はアルゴン雰囲気中、水素等の還元性ガスを含む還元性雰囲気中、若しくは、不活性ガスに水蒸気や二酸化炭素を加えた雰囲気中で加熱することで炭化させて得られる一酸化炭素触媒。例文帳に追加

The carbon monoxide catalyst is obtained by carbonization through heating protein containing metal in a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a reducing atmosphere containing reducing gas such as hydrogen, or an atmosphere of inert gas mixed with water vapor or carbon dioxide. - 特許庁

真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。例文帳に追加

When a material gas, containing a high-melting point metal and a nitrogen-containing reducing gas containing nitrogen atoms are introduced in a vacuum atmosphere to form a nitride thin film 24 made of high-melting point metal, an auxiliary reducing gas which does not contain nitrogen is introduced. - 特許庁

本発明の窒化アルミニウムの製造方法は、アルミニウム粉末を窒素ガス圧が１０５〜３００ＫＰａ以上の窒素ガス雰囲気中に保持し、５００〜１０００℃で窒化反応を進める窒化アルミニウムの製造方法であって、窒化反応が進行するときに、アルミニウム粉末を収容する反応室内に窒化反応の進行を抑制する反応抑制ガスが供給されることを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the aluminum nitride comprises holding aluminum powder in a gaseous nitrogen atmosphere of 105 to ≥300 KPa in a gaseous nitrogen pressure and progressing a nitriding reaction at 500 to 1,000°C, in which a reaction suppressing gas for suppressing the nitriding reaction is supplied into a reaction chamber charged with the aluminum powder. - 特許庁

窒化アルミニウム粉末を、可燃性ガスと搬送窒素と燃焼酸素と希釈空気により燃焼させた酸化性雰囲気下の火炎中に通して、酸化アルミニウム化した不活性保護膜を付与しながら球状化させる。例文帳に追加

Aluminum nitride powder is put through a flame in an oxidizing atmosphere obtained by combusting a flammable gas with carrier nitrogen, combustion oxygen and dilution air to spheroidize while creating an aluminum oxide inert protective membrane. - 特許庁