「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化チタン膜１６ａの形成は、化学気相成長法と、アンモニア雰囲気下でのアニールとを１６回繰り返すことにより行う。例文帳に追加

The formation of the titanium nitride film 16a is performed by repeating a chemical vapor depositing method and annealing under an ammonia atmosphere 16 times. - 特許庁

この脱硫脱硝剤により、気体中の硫黄酸化物と窒素酸化物を除去でき、さらにこの脱硫脱硝剤は還元雰囲気で再生することができる。例文帳に追加

The agent can be regenerated in a reducing atmosphere. - 特許庁

窒素ガス単独あるいは窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気で１１５０〜１３００℃で１秒以上の第１のＲＴＡ処理を行った後、酸化性ガス雰囲気あるいは非酸化性ガス雰囲気で７００〜１１００℃で５秒以上の第２のＲＴＡ処理を行う。例文帳に追加

After first RTA treatment is performed independently in a nitrogen gas or in a mixed gas atmosphere of the nitrogen gas and an inert gas at a temperature ranging from 1,150 to 1,300°C over 1 second, a second RTA treatment is performed in an oxidative gas atmosphere or in an nonoxidative gas atmosphere at a temperature ranging from 700 to 1,100°C for 5 seconds or longer. - 特許庁

サファイア単結晶基板１をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分１Ｂを形成する。例文帳に追加

A surface-nitrided part 1B is formed by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in an atmosphere containing nitrogen such as ammonia and heating the sapphire single crystal substrate 1 for a predetermined time. - 特許庁

窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。例文帳に追加

The volume resistivity of the body consisting essentially of aluminum nitride is reduced by exposing the body to a soak temperature of at least about 1,000°C in an atmosphere deficient in nitrogen, such as an atmosphere consisting essentially of argon. - 特許庁

電荷蓄積処理は、未反応の水素および酸素の混合気体中において高温に加熱し水素および酸素を反応させて窒化シリコン膜３を酸化するもの、塩素を含む酸化雰囲気中で酸化する高温の水素雰囲気中で窒化シリコン膜を酸化するもの、などがある。例文帳に追加

The charge accumulation treatment is applied by oxidizing a silicon nitride film 3 by reacting hydrogen and oxygen in the mixed gas of non-reacted hydrogen and oxygen by heating the film 3 to a high temperature, or the silicon nitride film is oxidized in the hydrogen atmosphere of a high temperature, which is oxidized in an oxidizing atmosphere containing chlorine, or the like. - 特許庁

本発明の窒化物製造装置１では、窒素化合物ガス雰囲気にした反応管３の内部に窒素化合物のガス解離促進部６を共存させる。例文帳に追加

In the apparatus for producing a nitride 1, a gas dissociation accelerating part 6 of a nitrogen compound is made to coexist inside a reaction tube 3 which is made into a nitrogen compound gas atmosphere. - 特許庁

本発明は、III族金属と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法にある。例文帳に追加

In the method for producing the group III nitride, the group III nitride is obtained by heat-treating a group III metal and lithium nitride in an ammonia atmosphere. - 特許庁

第２の発明は、III族金属と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。例文帳に追加

Alternatively, the method for producing the group III nitride comprises obtaining the group III nitride by heat treating a group III metal and lithium nitride in an ammonia atmosphere. - 特許庁

蛍光体を構成する金属元素を２種以上含有する合金を含む原料を、酸化亜鉛の共存下に、窒素元素を含有する雰囲気中で加熱する窒化物又は酸窒化物蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing nitride or oxynitride phosphor includes heating a starting material comprising an alloy comprising two or more metal elements constituting a phosphor under coexistence of zinc oxide in a nitrogen element-containing atmosphere. - 特許庁

第４の発明は、遷移金属原料物質と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。例文帳に追加

Alternatively, the method for producing the transition metal nitride comprises obtaining the transition metal nitride by heat treating a transition metal raw material and lithium nitride in an ammonia atmosphere. - 特許庁

本発明においては、成形体を窒化硼素製容器又は窒化硼素で内張りされた容器に入れ、窒素体積分率が８０％以上の非酸化性ガス雰囲気中、温度１８００℃以上で焼結することが好ましい。例文帳に追加

In this method, it is preferable that the formed body is charged in a vessel made of boron nitride or lined with boron nitride and sintered at a temperature of ≥1,800°C in a non-oxidizing gas atmosphere wherein the volume percentage of nitrogen is ≥80%. - 特許庁

そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。例文帳に追加

Plasma is generated under an atmosphere of a gas containing nitrogen atoms and plasma nitridation is performed on part of the oxide film, so that a semiconductor substrate in which an insulating film containing nitrogen atoms is formed over the oxide film is obtained. - 特許庁

加工室内を窒素ガス雰囲気とし、窒素ガス雰囲気で窒素ガスと金属粉末の混合流体を加工基材に吹き付けることにより、金属粉末が酸化することなく基材表面に金属膜が形成でき、簡単に安定して加工基板の金属による配線パターンを形成できた。例文帳に追加

The inside of a working chamber is made into a gaseous nitrogen atmosphere, and a mixed fluid of gaseous nitrogen and metal powder is sprayed on a working substrate in the gaseous nitrogen atmosphere, thus a metal film can be deposited on the surface of the substrate without oxidizing the metal powder, and a wiring pattern by the metal can easily and stably be formed on the working substrate. - 特許庁

窒化アルミニウム原料粉末１００重量部に対して炭素質物質１〜１５重量部含む混合粉末を非酸化性雰囲気中１６００〜１８５０℃で熱処理した後、酸化性雰囲気中６００〜８００℃で熱処理することを特徴とする窒化アルミニウム粉末の製造方法に係る。例文帳に追加

A method for producing this aluminum nitride powder comprises heat treating the powdery mixture of an aluminum nitride raw material powder and 1-15 pts.wt. of a carbonaceous substance based on 100 pts.wt. of the raw material powder at 1,600-1,850°C in a non-oxidative atmosphere and then heat treating at 600-800°C in an oxidative atmosphere. - 特許庁

このＳＯＩ基板を作製する前に、半導体ウエハにアルゴンガス雰囲気などの非酸化性雰囲気下、または酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下で１１００℃以上の熱処理を行う。例文帳に追加

Before this SOI substrate is manufactured, heat treatment is performed on the semiconductor wafer at 1,100°C or higher under a non-oxidizing atmosphere such as an argon gas atmosphere or a mixed atmosphere of an oxygen gas and a nitrogen gas. - 特許庁

鉄合金、アルミニウム合金またはチタン合金を母材とした被処理物を、窒素ガスと水素ガスとを主成分とするグロー放電により発生させたプラズマ雰囲気中で、揺動または振動させつつ窒化し、上記被処理物の最表面層に鉄の窒化物、アルミニウムの窒化物またはチタンの窒化物を均一に生成させることを特徴とする被処理物のプラズマ窒化装置および窒化方法。例文帳に追加

Regarding the plasma nitriding device and nitriding method for a workpiece, a workpiece using an iron alloy, an aluminum alloy or a titanium alloy as a base material is nitrided while being rocked or vibrated in a plasma atmosphere generated by glow discharge essentially consisting of gaseous nitrogen and gaseous hydrogen, and the nitride of iron, the nitride of aluminum or the nitride of titanium is uniformly formed on the outermost surface layer of the workpiece. - 特許庁

金属珪素粉末と、窒化促進元素を有する水溶性化合物の水溶液又はアルコール溶液を混合して成形し、該成形体を窒素ガス中、又は窒素ガスを含む非酸化性雰囲気中で反応焼結を行う窒化珪素反応焼結体の製造方法。例文帳に追加

In the production method for a silicon nitride reaction sintered compact, a metallic silicon powder is mixed with an aqueous solution or an alcohol solution of a water-soluble compound having a nitriding acceleration element and molded; and the resultant molded product is reaction sintered in a non-oxidative atmosphere containing a nitrogen gas. - 特許庁

次に、前記融液中において生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる。例文帳に追加

Then, at least one of the nitride of the group III element formed in the melt and a raw material of the nitride of the group III element in the melt is vaporized, and the formed vapor is crystallized on the surface of a substrate, arranged in the atmosphere, to form or grow the nitride crystal of the group III element. - 特許庁

半導体基板１の主面にメモリセルのゲート絶縁膜およびゲート電極５ａを形成した後、窒化雰囲気中または窒素を含んだ酸化雰囲気中で半導体基板１に熱処理を施して、露出した半導体基板１の主面に窒素を含む絶縁膜９を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film and the gate electrode 5a of a memory cell are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, then the semiconductor substrate 1 is subjected to a thermal treatment in a nitriding atmosphere or a nitrogen-containing oxidizing atmosphere, and thus a nitrogen-containing insulating film 9 is formed on the exposed main surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末と、ホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって、窒化ホウ素の微小体で構成される樹脂強化剤を得る。例文帳に追加

This resin-reinforcing material is characterized by comprising boron nitride micro bodies obtained by thermally treating a powder mixture of powder containing a metal oxide with powder containing boron in an inert atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

放電プラズマから引き出して加速された電子ビームを、浸窒処理ガスの雰囲気中に導入して浸窒処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化した浸窒処理ガスに低炭素鋼材を接触させて、該低炭素鋼材の表面から内部に、前記浸窒処理ガスの窒素原子を固溶させる。例文帳に追加

Nitriding gas is turned into plasma by introducing electron beams which are drawn from discharge plasma and are accelerated into the environment of the nitriding gas, and a low-carbon steel material is caused to be brought into contact with the nitriding gas which is turned into the plasma to perform the solid solution of nitrogen atoms of the nitriding gas from the surface into the internal part of the low-carbon steel material. - 特許庁

窒化チタン１０の表面を、150℃以上での酸素プラズマ処理または酸化雰囲気での400℃以上での熱処理により酸化させる。例文帳に追加

The surface of a titanium nitride 10 is oxidized in an oxygen plasma process at 150°C or above, or a thermal process in an oxidizing atmosphere at 400°C or above. - 特許庁

その窒化層１１１の形成のための窒化処理は、たとえば、窒素ガスもしくはアンモニアガスのいずれかもしくは両方を用い、それらガス雰囲気で上述した配線１０５ａを加熱処理することで行う。例文帳に追加

A nitrifying treatment for forming the nitride layer 111 is performed by heating the wiring 105a in an atmosphere of a nitrogen gas and/or an ammonia gas. - 特許庁

窒化物は、成長前に触媒体の表面をアンモニアなどの窒素を含む雰囲気中において１６００〜２１００℃前後の高温に加熱して窒化することにより形成する。例文帳に追加

Nitride is formed by heating to nitride the surface of catalyst at a high temperature of 1600 to 2100°C before the growth in an atmosphere including nitrogen such as ammonia. - 特許庁

窒化処理層を窒素雰囲気中で加熱する拡散処理により形成された、深さ方向に硬度がなだらかに低下している窒化拡散層を表層部に具えてなる圧延工具である。例文帳に追加

The rolling tool is provided with a nitrided diffused layer formed by diffusion treatment of heating a nitriding treatment layer in a nitrogen atmosphere and whose hardness is gradually reduced to the depth direction at the surface layer part. - 特許庁

続いて、同一反応炉内で、窒素（Ｎ）を含有する酸化性窒素ガスとして、ＮＯ、Ｎ_2 ＯまたはＮＯ_2 のいずれかを含むガスの雰囲気中で、加熱処理により酸窒化して、膜厚ＢのＳｉＯ_x Ｎ_y 膜３を形成する。例文帳に追加

Subsequently, oxidation and nitriding are performed by the heating treatment in the atmosphere of gas containing either of NO, N2O or NO2 as oxidation nitriding gas containing nitrogen (N) in the same reaction furnace to form the SiOxNy film 3 of film thickness B. - 特許庁

窒化アルミニウム又は窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板との接合を、窒素雰囲気下の焼成によって、接合強度を維持しつつ、縁部の未接合部分を著しく軽減させて行うこと。例文帳に追加

To reduce the unjoined part of edge parts remarkably and to keep the joining strength at the same time by carrying out the joining of a ceramic body consisting essentially of aluminum nitride or silicon nitride to a copper plate by firing in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

上記管状窒化アルミニウムは、原料として、繊維状アルミナを用い、窒素ガス雰囲気下、１６００℃〜１９００℃で、還元窒化することで製造することができる。例文帳に追加

The tubular aluminum nitride can be manufactured by using fiber-like alumina as a raw material and reduction-nitriding at 1,600-1,900°C under a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜５と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜４，６とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜２０として形成する。例文帳に追加

A multi-layer film wherein a silicon nitride film 5 which is formed by plasma chemical vapor-phase method in an atmosphere comprising hydrogen-contained gas molecules and silicon nitride-oxide films 4 and 6 having a refractive index lower than the silicon nitride film are laminated is formed as a protective film 20 for supplying a silicon substrate with hydrogen. - 特許庁

内燃機関４の排気中の窒素酸化物を酸化雰囲気下で吸蔵し、該窒素酸化物を還元雰囲気下で還元するとともに該窒素酸化物からアンモニアを生成する吸蔵還元触媒１と、該アンモニアを吸蔵するとともに該アンモニアを還元剤として該窒素酸化物を還元する選択還元触媒２とを設ける。例文帳に追加

This exhaust emission control device of the internal combustion engine includes a storage/reduction catalyst 1 which stores the nitrogen oxides contained in the exhaust emission from the internal combustion engine 4 under an oxidizing atmosphere, reduces the nitrogen oxides under a reducing atmosphere, and generates ammonia from the nitrogen oxides and the selective reduction catalyst 2 which stores the ammonia and reduces the nitrogen oxides using the ammonia as a reducer. - 特許庁

内燃機関４の排気中の窒素酸化物を酸化雰囲気下で吸蔵し、該窒素酸化物を還元雰囲気下で還元するとともに該窒素酸化物からアンモニアを生成する吸蔵還元触媒１と、該アンモニアを吸蔵するとともに該アンモニアを還元剤として該窒素酸化物を還元する選択還元触媒２とを設ける。例文帳に追加

The exhaust gas cleaning device is provided with a selective reduction catalyst 1 that occludes nitrogen oxides contained in exhaust emissions of an internal combustion engine 4 under an oxidative atmosphere, and reduces the nitrogen oxides under reduction atmosphere and generates ammonia from the nitrogen oxides, and a selective reduction catalyst 2 that occludes the ammonia and reduces the nitrogen oxides using the ammonia as a reducing agent. - 特許庁

ＳｉＯ_２換算として0.02ｗｔ％以上、２ｗｔ％未満の酸素を含み、比表面積が0.5m^２/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰囲気下にて、温度1400℃以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。例文帳に追加

For the method for manufacturing a silicon nitride-based power, the raw material contains oxygen in the range of ≥0.02 wt.%, <2 wt.% in SiO2 conversion and has a specific surface area of ≥0.5 m2/g, is characteristically heated above 1,400 degree C in the non-acidic atmosphere of nitrogen or nitrogen/hydrogen. - 特許庁

酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程の前に、アルミニウムを窒素雰囲気下で熱処理することにより、前記アルミニウムと窒素を反応させて前記窒化アルミニウム粉末を製造する工程を備えていてもよい。例文帳に追加

A process for producing the aluminum nitride powder by heat treating aluminum in a nitrogen atmosphere to react the aluminum with nitrogen may be provided before the process for forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer. - 特許庁

第１の溶体化と第２の溶体化とは、１〜１０％の水素を含み、雰囲気露点−７〜０℃の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first and second solid solution treatments are applied under the nitrogen atmosphere containing 1-10% hydrogen with the dew point of the atmosphere -7 to 0°C, and in the temperature range not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁

黒鉛坩堝表面を窒素雰囲気中で一酸化ケイ素蒸気と反応させて坩堝を製造する方法。例文帳に追加

A method of manufacturing the crucible by making the graphite crucible surface react to silicon monoxide steam in a nitrogen atmosphere, is also provided. - 特許庁

次いで該時効処理が施されたリング４に対し不活性気体とアンモニアとの混合雰囲気下で窒化処理を施す。例文帳に追加

The aged rings 4 are nitrided under a mixed atmosphere of the inert gas and ammonia. - 特許庁

第一の窒化物系半導体結晶層３の表面を酸素を含む雰囲気にさらし、その上に第二の窒化物系半導体結晶層を５形成し、第一の窒化物系半導体結晶層３よりも第二の窒化物系半導体結晶層５の転位密度を減少させる。例文帳に追加

The surface of a first nitride semiconductor crystal layer 3 is exposed to an atmosphere containing oxygen, a second nitride semiconductor crystal layer 5 is formed thereon, and the second nitride semiconductor crystal layer 5 is set lower in dislocation density than the first nitride semiconductor crystal layer 3. - 特許庁

鋼材質の造り分けおよび機能付与を目的として高温ガス雰囲気中での窒化を適用する際に、窒化効率が高くすることで生産性を向上させ、かつ窒化後の鋼材質に関して窒化の不均一に起因する材質の不均一を抑制する。例文帳に追加

To improve the productivity of nitriding in a high-temperature gas atmosphere, which is employed for the purpose of separately manufacturing steel materials and imparting functions to them, by increasing nitriding efficiency, and to inhibit nonuniformity of the steel material after being nitrided, which is caused by nonuniformity of nitriding. - 特許庁

本発明の実施形態による酸窒化物蛍光体の製造方法は、一般式（Ｓｒ，Ｅｕ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８で表される化合物、窒化ケイ素またはケイ素粉、および窒化アルミニウムを混合し、加圧窒素雰囲気中で焼成する工程を含むことを特徴とするものである。例文帳に追加

The process for the production of the oxynitride fluorescent substance includes a step of mixing a compound represented by the general formula: (Sr, Eu)_2Si_5N_8, silicon nitride or silicon powder, and aluminum nitride, and then firing the mixture in a nitrogen atmosphere under high pressure. - 特許庁

時効処理後、リングＷを前記時効処理温度に維持し、予め所定の窒化処理温度に加熱された窒化処理室２に移動し、少なくともアンモニアガスを含む雰囲気下で該窒化処理温度に所定時間保持して窒化処理を施した後、冷却する。例文帳に追加

After the aging treatment, the ring W is held to the aging treatment temp., is moved to a nitriding treatment chamber 2 previously heated to a prescribed nitriding treatment temp., is held to the nitriding treatment temp. for a prescribed time in an atmosphere at least contg. gaseous ammonia, is subjected to nitriding treatment and is subsequently cooled. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって窒化ホウ素微小体の水素吸蔵材料を得る。例文帳に追加

In the method for manufacturing the hydrogen occlusion material, the hydrogen occlusion material of boron nitride fine body is obtained by heat-treating a powder in which a powder containing a metal oxide and a powder containing boron are mixed in an inactive atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、炭化水素、含酸素化合物あるいは一酸化炭素の存在下、窒素酸化物を含むガスから窒素酸化物を除去するための触媒を、卑金属元素を用いて安価に提供することである。例文帳に追加

To inexpensively provide a catalyst for removal of NOx from gas containing NOx in the presence of hydrocarbons, oxygen-containing compounds or carbon monoxide in an oxidative atmosphere in which excess oxygen is present by using base metal elements. - 特許庁

該エキシマランプ１０４に噴出される窒素ガスによって、その周囲の雰囲気は窒素ガスに置換され、オゾンが外部電極に接触し、これを酸化するということが回避される。例文帳に追加

The atmosphere around the excimer lamp 104 is substituted with the nitrogen gas ejected to the excimer lamp 104 to avoid such a phenomenon that ozone comes into contact with the external electrode to oxidize the same. - 特許庁

サファイア単結晶基板１をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分１Ｂを、その表面から１０Åの深さにおける窒素含有量が２原子％以上となるように形成する。例文帳に追加

A surface nitride layer section 1B is made so that the nitrogen content at a depth of 10 Å from the surface may be 2 atom.% or over by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in nitrogen-containing atmosphere such as ammonium atmosphere. - 特許庁