「窒化ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

希土類金属酸化物と、他の金属と、水素化又は窒化によって発熱する還元剤との還元拡散反応によって、希土類金属を含む合金粉末を製造する合金粉末製造方法に、前記希土類金属酸化物、他の金属及び還元剤を、水素雰囲気又は窒素雰囲気中で加熱する工程を備える。例文帳に追加

An alloy powder production method in which rare earth metal-containing alloy powder is produced by the reduction diffusion reaction of rare earth metal oxide, the other metal and a reducing agent to be heat-generated by hydrogenation or nitriding, is provided with a step of heating the rare earth metal oxide, the other metal, and the reducing agent in a hydrogen atmosphere or a nitrogen atmosphere. - 特許庁

得られた粉末を窒化ガス雰囲気下で２５０〜７００℃に加熱し１〜３．５時間保持した後、１００℃以下に冷却する工程を２回以上繰り返し、粉末の膨張収縮による粉末の崩壊により新生面が生じ均一な窒化が実現できる。例文帳に追加

Steps in which the obtained powder is heated up to 250 to 700°C, is held for 1 to 3.5 hr in a nitrogen gas atmosphere, and is thereafter cooled to ≤100°C are repeated two or more times, and, by the collapse of the powder by the expansion-contraction of the powder, a new face is formed, thus uniform nitriding can be achieved. - 特許庁

酸素過剰の雰囲気において、アンモニアを還元剤とする窒素酸化物の還元反応やアンモニアの窒素への酸化反応と、一酸化炭素および炭化水素の除去を単一の触媒で行うことができる排ガス浄化触媒並びに、排ガス浄化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst and a method for purification of exhaust gas which enable carrying out the reduction reaction of a nitrogen oxide with ammonia as a reducing agent or the oxidation reaction of ammonia to nitrogen and removal of carbon monoxide and hydrocarbons with a single catalyst in an oxygen-excessive atmosphere. - 特許庁

バルブメタル粉末を焼結して多孔質固体電解コンデンサ用バルブメタル焼結体を得るプロセスにおいて、窒素を含まない不活性ガス雰囲気下で焼結し、あるいはさらに引き続き窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で冷却することによって、窒化物の生成を抑制した焼結体を得、これによって固体電解コンデンサのリーク電流を小さくする。例文帳に追加

In the process that sinters bulb metal powder to obtain a bulb metal sintered body for a porous solid electrolytic capacitor, the sintering of bulb metal powder in an inert gas atmosphere not including nitrogen, or furthermore, the following cooling in an inert gas atmosphere not including nitrogen will obtain a sintered body with a nitride product being controlled, thereby reducing leakage current of a solid electrolytic capacitor. - 特許庁

アルゴンガスあるいは窒素ガス雰囲気下において、ホウ素粉末と酸化ガリウム粉末とからなる混合粉末を１６００℃以上に加熱することにより反応させ、酸化ガリウムナノワイヤーを生成させる。例文帳に追加

The galium oxide nanowire is produced by reacting a mixture comprising a boron powder and a galium oxide powder under heating at 1,600°C or higher in an argon or nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。例文帳に追加

The production method comprises a process where a powdery mixture containing silicon carbide powder and hexagonal boron nitride powder is heat-treated at 1,450 to 1.650°C in a vacuum or in an inert gas atmosphere before being fired. - 特許庁

無機粒子の表面上で、ホウ素源と窒素源になる化合物の重合反応を行って得られた前駆体、あるいは、窒化ホウ素粉末を無機塩の溶液に含浸し、溶媒を除去して得られた前駆体を、非酸化性または酸化性雰囲気下で少なくとも一度焼成する。例文帳に追加

A precursor obtained by performing a polymerization reaction of a compound to be a boron source with a compound to be a nitrogen source on the surface of the inorganic particle or a precursor obtained by dipping boron nitride powder in a solution of an inorganic salt and removing the solvent is fired at least a time under a non-oxidizing or oxidizing atmosphere. - 特許庁

該蛍光体は、Ｌｉの酸化物、アモルファス窒化ケイ素、ＡｌＮを含む物質、金属Ｍの酸化物、ランタニド金属酸化物を混合し得られた混合粉末を不活性ガス雰囲気中で焼成することにより得られる。例文帳に追加

The phosphor is prepared by subjecting a powder mixture prepared by mixing lithium oxide, amorphous silicon nitride, an AlN-containing substance, an oxide of the metal M, and a lanthanide metal oxide to firing in an inert gas atmosphere. - 特許庁

低品位炭に金属および／または金属化合物を担持させ、これを窒素雰囲気下で４００℃以上、９００℃未満の温度範囲で加熱焼成して炭化処理することにより、多孔質炭からなる触媒を得ること。例文帳に追加

The method for manufacturing the catalyst for hydrocracking heavy hydrocarbons comprises the steps of: depositing a metal and/or a metal compound on lower grade coal; heating/burning the coal deposited in a nitrogen atmosphere in a temperature range of ≥400°C and <900°C; and carbonizing the heated/burned coal to obtain porous coal being the catalyst. - 特許庁

窒化可能な金属元素を含む水溶液を可燃性液体と混合して形成されたＷ／Ｏ型エマルジョンを、可燃性液体が完全燃焼しかつ金属元素が大気中で最も安定な酸化物を形成するために必要な必要酸素量より少ない酸素量を含む雰囲気中で噴霧燃焼し、噴霧燃焼時には燃焼雰囲気中に窒素原子を含ませる。例文帳に追加

A w/o type emulsion prepared by mixing an aqueous solution containing a metal element capable of being nitrided with an inflammable liquid is sprayed and combusted in an atmosphere containing oxygen in the quantity smaller than oxygen demand necessary for completely combusting the inflammable liquid and forming a most stable oxide of the metal element and nitrogen atom is added in the combustion atmosphere at the time of the spray combustion. - 特許庁

二酸化錫粉末及び水酸化第二錫粉末から選ばれる少なくとも一種の錫化合物粉末と窒化珪素粉末とを混合した後、非酸化性雰囲気下で加熱焼成することを特徴とする珪素含有二酸化錫粉末の製造方法である。例文帳に追加

A method for producing silicon-containing tin dioxide powder comprises the steps of: mixing at least one kind of tin compound powder selected from tin dioxide powder and stannic hydroxide powder with silicon nitride powder; and heating/firing the obtained mixture under a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

アルミニウム合金粉末からなる圧粉成形体を、第１の温度および窒素ガス雰囲気中で加熱保持することにより、アルミニウム合金粉末同士を焼結させるとともに、アルミニウム合金粉末の旧粉末粒界に窒化アルミニウムを反応生成させて焼結体を形成する。例文帳に追加

A green compact composed of aluminum alloy powder is heated and held at a first temperature in a nitrogen-gas atmosphere, thereby, the mutual aluminum alloy powder particles are sintered and aluminum nitride is formed by reaction in the original powder grain boundaries of the aluminum alloy powder to form a sintered compact. - 特許庁

酸化膜又は酸窒化膜に対してオゾン又は酸化性ガスの活性種の雰囲気中でのアニール処理を施すことにより電気的な膜質特性を大幅に改善することが可能な被処理体の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method of a substance to be treated, in which electric membranous property can be greatly improved by performing annealing treatment to an oxide film or an oxynitride film in atmosphere of active species of ozone or oxidized gas. - 特許庁

ＳｉＣ層の表面にＣＶＤ酸化膜を堆積した後に、そのＣＶＤ酸化膜およびＳｉＣ層に対し、窒化処理および水蒸気を含んだ酸素雰囲気での熱処理を行う。例文帳に追加

After the CVD oxide film is deposited on the surface of the SiC layer, the CVD oxide film and the SiC layer are subjected to a nitriding treatment and a heat treatment under the oxygen atmosphere containing water vapor. - 特許庁

アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。例文帳に追加

On a substrate where amorphous silicon etc., are formed, an alloy layer consisting essentially of copper containing metal elements and nitrogen is formed in a nitrogen plus argon atmosphere by using a copper-metal alloy target to which metal having negative generation free energy for nitride is added. - 特許庁

ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３中に新たに窒素を導入する。例文帳に追加

Nitrogen is newly introduced in the gate insulating film 3 nearby an end of the gate electrode 5 by carrying out nitriding processing in an atmosphere containing nitrogen after a polysilicon film 4 is bonded onto the gate insulating film 3 and the gate electrode 5 is patterned in a pattern and before the source-drain region 9 is formed. - 特許庁

粉砕粉を窒素雰囲気下で焼成することにより焼成粉を生成し、焼成粉を粉砕することにより再粉砕粉を生成し、再粉砕粉を焼結させることにより炭化珪素焼結体を生成する。例文帳に追加

The silicon carbide sintered compact is manufactured by firing pulverized powder under a nitrogen atmosphere to form fired powder, pulverizing the fired powder to form the re-pulverized powder and sintering the re-pulverized powder. - 特許庁

窒化した鉄粉末にＳｉ粉末またはフェロシリコン粉末を添加し混合したのち真空または水素雰囲気中、温度：３００〜９００℃で加熱することを特徴とするＳｉ濃度勾配層被覆鉄粉末の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing Si concentration gradient layer-coated iron powder, Si powder or ferrosilicon powder is added to nitrided iron powder so as to be mixed, and thereafter, the mixture is heated at 300 to 900°C in a vacuum or a hydrogen atmosphere. - 特許庁

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process. - 特許庁

焼結助剤を含有する窒化アルミニウム板状焼結体をカーボン還元性雰囲気下で焼成することによって焼結助剤が低減された窒化アルミニウム焼結体を製造するに際し、少なくとも表層が窒化ホウ素緻密体により構成された板状体を該窒化アルミニウム板状焼結体の上下に積層した状態で焼結を行う。例文帳に追加

In manufacturing an aluminum nitride sintered compact in which the content of a sintering aid is reduced by firing an aluminum nitride platy sintered compact containing the sintering aid in a carbon reducing atmosphere, sintering is done in a state where the upper and lower sides of the aluminum nitride platy sintered compact are laminated with platy bodies at least whose surface layer is composed of a boron nitride densified body. - 特許庁

気相成長法により、反応容器内にて、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、実質的に水素を含まない雰囲気中、前記反応容器内の温度を所定の温度に保持してアニーリングをすることにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。例文帳に追加

After a gallium nitride based compound semiconductor layer doped with p-type impurities is grown in a reaction container by vapor phase epitaxial growth, annealing is performed in an atmosphere substantially containing no hydrogen while keeping a specified temperature level in the reaction container thus converting the gallium nitride based compound semiconductor doped with p-type impurities into a p-type gallium nitride based compound semiconductor layer. - 特許庁

また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。例文帳に追加

The sintered compact can be obtained by sintering a formed body containing an aluminum nitride powder having a mean particle diameter of 0.1-20 μm and an auxiliary sintering agent of 0-0.1 pt.mass to the aluminum nitride powder under a neutral or a reducing atmosphere until the mean particle diameter reaches 15-30 μm. - 特許庁

酸化ストロンチウム、水酸化ストロンチウム、珪化ストロンチウム、および窒化ストロンチウムから選択される１種以上のストロンチウム化合物と、窒化珪素と、窒化アルミニウムと、酸化アルミニウムと、酸化ユーロピウムとを含む蛍光体原料混合物を、Ｎ_２含有ガス雰囲気下、１４００℃〜２２００℃で焼成して蛍光体を得る焼成工程を有する蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a phosphor includes a calcinating step which calcinates a phosphor material mixture containing one or more sorts of strontium compounds chosen from strontium oxide, strontium hydroxide, strontium silicate and strontium nitride, silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and europium oxide under the N_2-containing gas atmosphere at 1,400°C-2,200°C to obtain the phosphor. - 特許庁

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。例文帳に追加

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen. - 特許庁

液体状のアクリロニトリルに三塩化硼素を反応させて付加物とし、該付加物をさらに三塩化硼素の雰囲気下で重合させて重合物とした後、不活性ガスの雰囲気中、５００℃以上３０００℃以下の温度で熱処理することを特徴とする炭窒化硼素材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a boron carbonitride material, liquid acrylonitrile is reacted with boron trichloride into an adduct, the adduct is further polymerized in an atmosphere of boron trichloride into a polymerized product, and thereafter, the polymerized product is heat-treated at 500 to 3,000°C in an inert gas atmosphere. - 特許庁

酸化マグネシウム粉末に窒化アルミニウム粉末、焼結助剤、可塑剤および溶剤を混合してなるスラリーからグリーンシートを作製し、そのグリーンシートから成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下で焼結する。例文帳に追加

A green sheet made of slurry obtained by mixing aluminum nitride powder, a sintering aid, a plasticizer and a solvent to magnesium oxid powder is prepared. - 特許庁

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。例文帳に追加

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere. - 特許庁

フラン樹脂などの熱硬化性樹脂に粒径５０μｍ以下の黒鉛粉末を混合し、板状に加工した後、加熱硬化させ、窒素ガス雰囲気下、７００〜２８００℃の温度で処理して炭素化する。例文帳に追加

The production method for the carbon plate comprises mixing a thermosetting resin such as a furan resin with a graphite powder having a particle diameter of ≤50 μm, forming the resulting mixture into a plate form, curing the formed plate by heating, and carbonizing the cured plate by treating it at 700-2,800°C in a nitrogen-gas atmosphere. - 特許庁

窒化物の生成自由エネルギーがアルミニウムより小さい元素である触媒元素を含む触媒元素含有粉末２２とアルミニウム粉末２１を混合した混合粉末を、アルミニウム粉末の融点以上１４００℃以下の窒素雰囲気下で反応させることにより、窒化アルミニウム粉末を製造する。例文帳に追加

The aluminum nitride powder is produced by reacting a mixture of a powder 22, containing a catalyst element having a smaller free energy for generating a nitride than that of aluminum, and an aluminum powder 21 under nitrogen atmosphere at not lower than the melting point of the aluminum powder and not higher than 1,400°C. - 特許庁

シリコン窒化酸化膜の形成方法は、（イ）表面を終端した水素原子が脱離しない雰囲気温度にて、シリコン層４０の表面を熱酸化することによって、シリコン酸化膜４２を形成する工程と、（ロ）得られたシリコン酸化膜４２を窒化処理することによって、シリコン窒化酸化膜４２Ａを得る工程から成る。例文帳に追加

The formation method includes (1) a step of forming a silicon oxide film 42 by thermally oxidizing a surface of a silicon layer 40 at an atmosphere temperature at which hydrogen atoms terminated on its surface are not detached, and (2) a step of obtaining a silicon nitride oxide film 42A by subjecting the obtained silicon oxide film 42 to a nitriding process. - 特許庁

窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。例文帳に追加

A protective film essentially comprising gallium oxide and/or indium oxide and having a surface roughness of not more than 5 nm in terms of a square mean value is formed on the surface of a nitride semiconductor substrate by heat treating the nitride semiconductor substrate in an atmosphere containing air or oxygen or by exposing the surface of the nitride semiconductor substrate to oxygen plasma. - 特許庁

少なくとも窒素元素を含む一定ガス圧力の雰囲気中で、レーザー光をパルス状にチタン酸化物焼結物に照射し、該チタン酸化物と対抗する位置に配した基板上に、部分窒化チタン酸化物薄膜を製膜する。例文帳に追加

A titanium oxide sintered material is irradiated with pulsed laser light in an atmosphere including at least a nitrogen element at constant gas pressure so as to form a partially nitrided titanium oxide thin film on a substrate placed at a position opposing to the titanium oxide material. - 特許庁

窒化アルミニウム焼結体の製造工程において、有機化合物を含有する窒化アルミニウム成形体を非酸化性雰囲気中にて脱脂して得られた脱脂中間体であって、ＪＩＳ Ｚ ８７２１に規定する明度がＮ６以下、好ましくはＮ４以下である。例文帳に追加

The degreased intermediate whose lightness is designated as N6 or less in JIS Z 8721, favorably N4 or less, is obtained by degreasing an aluminum nitride formed body containing an organic compound under a non-oxidized atmosphere in the manufacturing process of the aluminum nitride sintered compact. - 特許庁

シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜に対して圧力５０Ｔｏｒｒ以下のＮＨ_3ガス雰囲気中１０００℃以上の温度で６０秒以下の熱処理を施すことによって前記シリコン酸化膜に窒素を導入してシリコン酸窒化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxidizing film is formed on the silicon substrate and treated thermally in an NH_3 gas atmosphere at a pressure of at most 50 Torrs, at a temperature of at least 1,000°C for at most 60 sec, so that nitrogen is introduced in the silicon oxidizing film, and the silicon oxidizing and nitriding film is formed. - 特許庁

付活元素Ｍ１、２価の金属元素Ｍ２、及び４価の金属元素Ｍ４を含む窒化物又は酸窒化物蛍光体の製造にあたり、原料として、付活元素Ｍ１及び２価の金属元素Ｍ２を含有する合金と、４価の金属元素Ｍ４の窒化物とを使用し、該原料を窒素元素を含有する雰囲気中で加熱する蛍光体の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing phosphor, when a nitride or oxynitride phosphor comprising an activation element M1, a divalent metal element M2 and a tetravalent metal element M4 is produced, an alloy comprising the activation element M1 and the divalent metal element M2 and a nitride of the tetravalent metal element M4 are used as starting materials, and the starting materials are heated in a nitrogen element-containing atmosphere. - 特許庁

ほう素系化合物粉末またはほう素を含む混合粉末を窒素ガスを含む雰囲気下でアーク溶解させることによって得られる窒化ほう素ナノ物質の合成方法において、合成した窒化ほう素粉末を求電子試薬、求核試薬の少なくとも一つから選択される極性有機溶媒中に溶解させた後、精製分離する。例文帳に追加

In a synthetic method of a boron nitride nano-substance, where the substance is obtained by arc melting a powder of boron nitride or a mixed powder containing boron in an atmosphere containing nitrogen gas, this method uses at least a polar organic solvent selected from the group consisting of an electrophilic reagent and a nucleophilic reagent to dissolve the synthesized boron nitride powder and then to refine and separate the boron nitride cluster. - 特許庁

ＡｌＮ−Ａｌ_２Ｏ_３複合ワイヤの製造方法であり、Ａｌ粉末と酸化鉄粉末の混合粉末を窒素雰囲気中において１０００〜１４００℃で熱処理することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing an AlN-Al_2O_3 composite wire comprises heat treating a mixed powder of an Al powder and an iron oxide powder at 1000-1400°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

大気圧または大気圧近傍の圧力下の塩素含有ガス雰囲気中で、円筒型回転電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間でプラズマ１３を生成して、プラズマ１３をIII族窒化物半導体６の表面と接触させることにより、III族窒化物半導体６の表面を加工する。例文帳に追加

A plasma 13 is generated between a cylindrical rotary electrode 2 and the surface of a group III nitride semiconductor 6, in the gas atmosphere containing chlorine under the atmospheric pressure or near it, so that the plasma 13 contacts the surface of the group III nitride semiconductor 6 for processing the surface of the group III nitride semiconductor 6. - 特許庁

その後、高周波電界の印加を中止し、プラズマ処理チェンバ内を酸化性ガス雰囲気あるいは窒化性ガスの雰囲気に置き換え、再び、高周波電界を印加して前記の基板上に形成されているシリコン薄膜のプラズマ酸化処理あるいはプラズマ窒化処理を行うシリコンナノ結晶構造体の形成方法。例文帳に追加

Then, the silicon thin film is subjected to plasma oxidation or plasma nitriding treatment by discontinuing the application of the high-frequency electric field, replacing the atmosphere inside the chamber with an oxidizing or nitriding gas atmosphere and resuming the application of the high-frequency electric field. - 特許庁

焼結助剤を含有しない窒化アルミニウムを主成分とする成形体を非酸化雰囲気下で焼成して得られた焼結体の上面に、焼結助剤を含有する窒化アルミニウムを主成分とする脱脂済みの成形体を接触させ、非酸化雰囲気下で少なくとも１回焼成した後、この焼結体の表面を研削する。例文帳に追加

A degreased compact consisting essentially of aluminum nitride containing a sintering aid is brought into contact with the upper surface of a sintered compact obtained by burning a compact consisting essentially of aluminum nitride containing no sintering aid, then is burned under a non-oxidizing atmosphere at least one time to obtain the sintered compact and the surface of the sintered compact is ground. - 特許庁

表面に窒化層を介して硬質膜被覆層を組合せて複合処理を施した鉄鋼材において、窒化層の表面硬さ（Ｈｎｓ）を下記式（Ｉ）で示される範囲とした鉄鋼材および窒化処理後、還元雰囲気で熱処理する方法であり、耐摩耗性に優れた表面層を形成することによって、工具、金型、機械部品に適した表面改質層を形成した鉄鋼材を提供する。例文帳に追加

In an iron steel material in which a hard film coating layer is combined to the surface via a nitriding layer, and subjected to compounding treatment, the surface hardness (Hns) of the nitriding layer is controlled to the range shown by the following formula. - 特許庁

窒素ガス及びアンモニアガスの一方又は両方から成る雰囲気の加熱室内において鋼を４００〜６５０℃の温度範囲で無酸化加熱すると共に、加熱室内に窒化促進ガスとして、例えばアセチレンガスに代表される鎖式不飽和炭化水素ガスを窒素ガス若しくは水素ガス、又はその両方で希釈した状態、あるいは希釈することなくそのままの状態で供給する。例文帳に追加

In a heating chamber of the atmosphere consisting of one or both of gaseous nitrogen and gaseous ammonium, steel is subjected to non-oxidated heating in a temperature range of 400-650°C, and nitriding-promoted gas such as chain unsaturated hydrocarbon gas represented by acetylene gas in a state diluted with gaseous nitrogen or gaseous hydrogen or both of them, or in an original state without dilution is fed into the heating chamber. - 特許庁

このＷＣ粉は、Ｗ酸化物とカーボン粉、あるいはＷ酸化物とＣｒ酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。例文帳に追加

The WC powder is obtained by mixing a W-oxide and carbon powder or the W-oxide, a Cr-oxide and carbon powder and then reducing and carbonizing the resulting mixture by heating it in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

そして、マスク酸化膜２を除去した後、非酸化性または非窒化性の減圧雰囲気下にて熱処理を行ってシリコン基板１でのトレンチ３内面を平滑化する。例文帳に追加

The mask oxide film 2 is removed, a thermal treatment is performed under non-oxidative or non-nitriding reduced-pressure atmosphere, and the inner faces of the trenches 3 in the silicon substrate 1 are smoothed. - 特許庁

酸素過剰雰囲気下でも十分な窒素酸化物浄化が可能な、排ガス浄化用触媒とその製造方法および浄化方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a catalyst for cleaning an exhaust gas which is capable of sufficiently cleaning a nitrogen oxide even under an oxygen-rich atmosphere as well as a method for manufacturing the catalyst and a method for cleaning an exhaust gas. - 特許庁