意味 | 例文 (28件) |
等密度面間のの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 28件
処理空間の平面方向におけるプラズマ密度を均一化させる等の所望のプラズマ密度分布を得ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma treatment device capable of obtaining a desired plasma density distribution such as homogenizing the plasma density in the plane direction of a treatment space. - 特許庁
画像変換処理手段32が、各焦点面画像に対して拡大率補正や画素密度変換等の補間処理を施して画素位置を合わせる。例文帳に追加
An image conversion processing means 32 gives interpolating processing such as the correction of a magnification, the conversion of pixel density to each focal surface picture to adjust the position of pixels. - 特許庁
水冷板110aの伝熱面表面には、サーモモジュール50の下面側接合板面を構成する各接合板501aがOリング60とOリング61との間のエリア全域に等密度で配置される。例文帳に追加
On a heat transfer surface of a water cooling plate 110a, bond plates 501a are disposed at equal densities over the entire area between O-rings 60 and 61 to constitute a downside bond plate surface of a thermomodule 50. - 特許庁
アンテナ線3_1〜3_4は等間隔に配置されており、各アンテナ線3_1〜3_4で生成されるプラズマは重なり合い、基板表面でのプラズマ密度が均一になるので、均一な薄膜を基板表面に成膜することができる。例文帳に追加
Because the antenna lines 31-34 are arranged in equal intervals, the plasma generated from the antenna lines 31-34 overlap each other, the plasma density on the surface of substrate is uniform, and it can form a uniform film on the surface of substrate. - 特許庁
表面の結晶面方位が(111)の面、(111)の面と等価な面、あるいはダングリングボンド密度の最も小さい面を有する化合物半導体基板1を用いて半導体装置用ウェハを形成することによって、基板とその上の半導体層との間の界面キャリアが著しく減少する。例文帳に追加
A wafer for semiconductor device is formed using a compound semiconductor substrate 1, having the surface crystal orientation face (111), the face equivalent to the face (111) or the face of the lowest density of a dangling bond, whereby interfacial carriers between the substrate and a semiconductor layer on the substrate are remarkedly decreased. - 特許庁
水冷板110aに対向する熱交換板110bの伝熱面表面に対しても、同様に、接合板501bがOリング60とOリング61間エリア内に等密度で配置される。例文帳に追加
On a heat transfer surface of the heat exchange plate 110b facing the water cooling plate 110a, similarly bond plates 501b are disposed at equal densities within an area between the O-rings 60, 61. - 特許庁
上記駆動装置8は、ターゲット4の表面に生成された各レーストラック状高密度プラズマの間隔以下の大きさの振幅で上記磁場発生機構7を等速で往復移動させる。例文帳に追加
The driving device 8 reciprocates the magnetic field generating mechanism 7 with the amplitude of the size equal to or below the interval of each race track-shaped high density plasma generated on the surface of the target 4 at uniform velocity. - 特許庁
半導体集積回路、高密度実装基板等の電子部品の層間絶縁膜、表面保護膜として有用な、ポリイミド前駆体樹脂組成物及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide polyimide precursor resin compositions useful as interlaminar insulating layers and surface protective films of electronic parts such as semiconductor integrated circuits and high density packaging substrates and a method for preparing the same. - 特許庁
この複合繊維板10と、孔なしの繊維板とを用い、接合面を互いに熱溶着して密閉した箱型構造体を得、内部に繊維状の低密度な充填材を充填して、防音床や間仕切り壁等に利用する。例文帳に追加
The composite fiber board 10 and an unperforated fiber board are used; and a box-shaped structure sealed by thermally welding joint surfaces to each other is obtained, and internally filled with a fibrous low-density filler, so as to be utilized for a soundproof floor, a partition wall, etc. - 特許庁
第1の元素を含む酸化物より成る中間層が形成されているため、ゲート絶縁膜の材料としてAl_2O_3等を用いた場合であっても、界面準位密度を低く抑えることができる。例文帳に追加
Since the intermediate layer is formed of an oxide containing the first element, interface level density can be suppressed even when Al_2O_3 or the like is employed as the material of a gate insulating film. - 特許庁
リチウム二次電池に用いる負極(104)について、その活物質層の密度を0.8g/cm^3乃至1.4g/cm^3の範囲に規定し、水平方向の電池断面の隙間(102、106等)の断面積を前記負極活物質層の断面積の0.6乃至1.8倍にする。例文帳に追加
In the negative electrode 104 used in the lithium secondary battery, the density of an active material layer is specified to the range from 0.8 g/cm^3 to 1.4 g/cm^3, and the cross section area of gaps 102, 106 or the like are specified to 0.6-1.8 times the cross section of the negative active material layer. - 特許庁
直線的な体腔内においてのラジアルスキャン面は等間隔となるが、湾曲した直線的な体腔内においてのラジアルスキャン面の間隔には湾曲径の内側は密となり外側が疎となりデータ密度が小さい領域ができてしまう。例文帳に追加
The planes of radial scans within a linear body cavity are equally spaced, while the intervals between the planes of radial scans within a curved linear body cavity are dense inside the diameter of a curve and coarse outside it, resulting in the formation of an area where the concentration of data is small. - 特許庁
このガスケット用基材から打ち抜くことで、ポリウレタンフォーム層(フォームシート)が、両面にスキン層を有し、且つ密度が150〜500kg/m^3であり、25%圧縮時の硬さが0.1MPa以下であるガスケット1とし、携帯電話等の筐体部材間の止水等に用いる。例文帳に追加
The base material for the gasket is punched to prepare the gasket 1 comprising the polyurethane foam layer (foam sheet) having skin layers at both faces, and having a density of 150-500 kg/m^3 and a 25% compression hardness of ≤0.1 MPa. - 特許庁
液晶装置100の素子基板10において、層間絶縁膜72(第1層間絶縁膜)の表面では、表示領域10aの表示領域側第1スルーホール72aと周辺領域10bの周辺領域側第1スルーホール72bとが同等の密度で開口している。例文帳に追加
In an element substrate 10 of a liquid crystal device 100, on a surface of an interlayer insulating film 72 (a first interlayer insulating film), first through-holes 72a on a display area side of a display area 10a and first through-holes 72b on a surrounding area side of a surrounding area 10b have openings in a density equivalent to each other. - 特許庁
複屈折などの光学特性に優れ、グルーブやピット等高密度な情報信号が正確に転写され、平面性、剛性、反りが少なく、振動時の面振れの少ない情報記録媒体としての特性を有しつつ、長期間使用後の折曲げ性に優れる光学情報記録媒体を提供する。例文帳に追加
To provide an optical information recording medium which is excellent in optical characteristics such as birefringence, has accurately transferred high-density information signals such as grooves and pits, has planarity, rigidity and small warpage, and ensures excellent bendability after long-term use, while having properties as an information recording medium less liable to side-runout during vibration. - 特許庁
また、層間絶縁膜73(第2層間絶縁膜)の表面では、表示領域10aの表示領域側第2スルーホール73aと周辺領域10bの周辺領域側第2スルーホール73bとが同等の密度で開口している。例文帳に追加
Also, on a surface of an interlayer insulating film 73 (a second interlayer insulating film), second through-holes 73a on the display area side of the display area 10a and second through-holes 73b on the surrounding area side of the surrounding area 10b have openings in a density equivalent to each other. - 特許庁
中空部12の幅が複数種となるようにして断面積を異ならせる他、隔壁部13の相互離間距離若しくは厚みを異ならせること等によって面密度若しくは剛性を不均一として遮音欠損を抑制することができる。例文帳に追加
The hollow part 12 is set to have a plurality of kinds of widths, so that sectional areas can be made different from one another; and the mass per unit area or rigidity is made nonuniform, for example, by a difference in mutual separation distance between bulkhead parts 13 or the thicknesses of the bulkheads 13, so that the sound insulation defect can be suppressed. - 特許庁
安定した高い精度の光走査を行い、色ずれの低減、マルチビームの走査線間隔の高精度化、そして書込密度の切り替えを実現し、これらの実現と良好な波面収差等の光学特性の達成とを両立させて、高品質の画像の安定に形成する。例文帳に追加
To stably form a high quality image by performing a stable and accurate optical scanning, thereby attaining reduction in color misregistration, high precision in scanning line pitch of multiple beams and switching of writing density, and making the improvements realized with compatibility with the attainment of optical characteristics, such as, superior wavefront aberrations. - 特許庁
紙素材の柔軟性等の性質に鑑み、身近に存在する和紙、洋紙、布等の紙素材に処理することにより、「厚み」、「密度」、「引張強度」、「伸び」、「絶縁破壊強度」、「表面抵抗率」、「体積固有抵抗」、「1時間吸水率」、そして、「撥水度」等の、絶縁紙に必要な種々の特性を有するガラスコーティング絶縁紙を提供する。例文帳に追加
To obtain a glass-coated insulating paper having various shapes and properties required for insulating paper, such as thickness, density, tensile strength, elongation, dielectric breakdown strength, surface resistivity, volume specific resistance, 1-hr water absorption and water repellency by a treatment of familiar papers such as Japanese paper, machine-made paper or cloth having the properties of paper such as flexibility. - 特許庁
高周波プラズマの表面処理への応用での生産性向上に必要な大面積・高密度・均一のプラズマ生成の阻害要因である電極間に発生の定在波を、効果的に制御する高周波電力供給手段を創出し、薄膜Si系太陽電池・TFT等の高生産性の表面処理装置を提供すること。例文帳に追加
To create a high-frequency power supply means effectively controlling standing wave generated among electrodes being a disincentive of generation of uniform plasm having large area and high density necessary to improve productivity in an application for a surface treatment of high-frequency plasma; and to provide an apparatus for a surface treatment for a thin film Si system solar cell, a TFT or the like with a high productivity. - 特許庁
具体的な線量限度については、実用炉規則及び線量告示では、炉室、使用済燃料の貯蔵施設、放射性廃棄物の廃棄施設等の場所であって、その場所における外部放射線に係る線量が3ヶ月間につき1.3 mSvを超え、空気中の放射性物質の濃度が告示で定める濃度を超え、又は放射性物質によって汚染された物の表面の放射性物質の密度が告示で定める密度を超えるおそれのある場所を管理区域として定義し、放射線防護上必要な措置を講じることと規定している。例文帳に追加
Concerning the specific dose limits, the Ministerial Ordinance for Commercial Power Reactors and the Dose Limits Notification requires licensees to establish a radiation controlled area including the reactor room, spent fuel storage facility and radioactive waste disposal facilities, where the dose of external radiation may exceed 1.3 mSv for three months, or where the concentration of radioactive materials in the air or the surface density of radioactive materials may exceed the values specified in the Notification, respectively, and to establish necessary measures to be taken in these areas. - 経済産業省
電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約800℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte. - 特許庁
また、前記の感光性重合体組成物を用いたレリーフパターンの製造法は、高い解像度と良好なパタ−ン形状が得られ、容易に半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜等に適用でき、電子部品の高密度化、高信頼度化及び小型、軽量化を達成できる。例文帳に追加
The photosensitive resin composition comprises (A) a polyimide precursor having a repeating structural unit represented by formula (1) (where X and Y are each a single bond, -O-, -CH_2-,-CO-, -Si(CH_3)_2-, -C(CH_3)_2-,-C(CF_3)_2-, -C(CH_3)(CF_3)-, -Si(OCH_3)_2-, -C(OCH_3)_2-, -C(OCF_3)_2- or -C(OCH_3)(OCF_3)-; Z is a divalent organic group; and each R_1 is H, a 1-10C alkyl or a photosensitive group), (B) a sensitizer and (C) an aromatic diamine compound. - 特許庁
供用期間中は、保安規定の遵守状況検査により、管理区域等に係る立ち入り制限等に関すること、排気監視設備及び排水監視設備に関すること、線量、放射性物質の濃度及び表面密度及び除染に関すること、放射線測定器の管理に関することなどについて、保安規定に定められたルールが遵守されていることを確認している。例文帳に追加
During operating life of a nuclear installation, it is confirmed by the compliance inspection of the operational safety program that the ministerial ordinance provided in the operational safety program, such as access control to controlled area, etc., monitoring equipment at air ventilation and water discharge, monitoring of the dose, the concentration of radioactive materials and the density of the surface radioactive materials, and the decontamination, are observed. - 経済産業省
半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。例文帳に追加
To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh. - 特許庁
従来技術では比表面積を低減させる際に表面のシラノール基密度も同様に低減したが、本発明ではシラノール基を所定量導入することで粉体間の凝集を防ぐことが出来るため、樹脂配合時の分散させ易く、フィラーを樹脂に配合した後にフィルターで極微量含まれる異物等の除去を可能とした。例文帳に追加
Though in the conventional technology, the silanol group density on the surface is decreased with the decrease in the specific surface area, the silica filler of this invention is prevented from the aggregation of powder by introducing silanol group in a prescribed quantity and easily dispersed in the resin formulation, and a foreign substance contained in extremely trace quantity is removed by a filter after the filler is blended with the resin. - 特許庁
吸着電極の上面を覆うように絶縁層を形成した静電チャックにおいて、上記吸着電極は独立した複数の吸着電極からなり、上記の独立した吸着電極が対向する領域で該吸着電極から等距離にある中間線の密度を100〜5000/mで、上記吸着電極間の耐電圧が2kV以上とする。例文帳に追加
In an electrostatic chuck formed with an insulative layer for covering an upper face of an adsorptive electrode, the suction electrode comprises a plurality of suction electrodes, a density of intermediate lines at an equal distance from the adsorptive electrodes is 100-5,000/m in a region in which independent adsorptive electrodes face each other, and a withstand voltage between the adsorptive electrodes is ≥2 kV. - 特許庁
また、リード2aの直下となる配線基板3の領域F内の中間層3aMまたは裏面3a2に、素子4、回路電極31を配置すれば、集積回路装置を1高密度高集積化することと、リード2a間を光学的に透視による短絡しうる異物等の検出が容易になることが両立可能となる。例文帳に追加
Furthermore, the element 4 and circuit electrode 31 are arranged on the intermediate layer 3aM or on reverse surface 3a2 in a region F of the wiring board 3 directly below the leads 2a to integrate the integrated circuit device to high density and also easily detected the foreign matters, etc., which can possibly short-circuits by optically seeing through between the leads 2a. - 特許庁
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