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表面拡散の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2324



例文

前記ガス拡散層19の表面に第1ガス流路形成体21を積層し、ガス拡散層20の表面に第2ガス流路形成体22を積層する。例文帳に追加

A first gas passage assembly 21 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 19, and a second gas passage assembly 22 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 20. - 特許庁

これにより、ZAS合金の表面からの深さが0.5mm以上の内部にまでCuが拡散し、かつCuの濃度がZAS合金の表面から内部に指向して減少したCu拡散ZAS合金が得られる。例文帳に追加

Thereby, the Cu-diffused ZAS alloy is obtained, in which Cu diffuses to a distance of 0.5 mm or deeper inside from the surface of the ZAS alloy, and the Cu concentration decreases toward the inside of the ZAS alloy from the surface. - 特許庁

表面が(111)面の基板を用いた場合は表面が(001)面であるシリコン基板を用いた場合の酸素拡散係数の100分の1未満であり酸素拡散が抑制される。例文帳に追加

In the case that a substrate having a surface parallel to the (111) plane is employed, the oxygen diffusion coefficient is less than one-hundredth of the oxygen diffusion coefficient in the case of employing a silicon substrate having a surface parallel to (001) plane, exhibiting suppression of the oxygen diffusion. - 特許庁

拡散領域32では、DyやTb等の重希土類元素が表面34から内部に向けて拡散し、表面から内部に向かうに従って保磁力が減少している。例文帳に追加

In the diffusion area 32, a heavy rare-earth element such as Dy and Tb is diffused inwardly from the surface 34 and coercive force decreases inwardly from the surface. - 特許庁

例文

p型拡散領域103の表面には膜厚T1の厚膜部107aが形成され、n型拡散領域105の表面には、厚膜部107aよりも薄い膜厚T2の薄膜部107bが形成される。例文帳に追加

A thick film part 107a with a thickness of T1 is formed on the surface of the p-type diffusion region 103, and a thin film part 107b with a thickness of T2 thinner than the thick film part 107a is formed on the surface of the n-type diffusion region 105. - 特許庁


例文

面光源を、光源となるLED、導光板、この導光板の表面側の拡散フィルム22、拡散フィルム22の表面側に設けられた2枚のプリズムシート23,24等から構成する。例文帳に追加

The surface light source is constituted of an LED being a light source, a light guide plate, a diffuse film 22 at the surface side of the light guide plate and two prism sheets 23 and 24 arranged at the surface side of the diffuse film 22. - 特許庁

弾球遊技機は、透過性の表示パネル82と、表示パネル82の表面上に重ねられた透過性の面状導光部材としての拡散シート83と、拡散シート83の表面上に重ねられた保護シート84と、を備える。例文帳に追加

The pinball game machine 1 has a transmissive display panel 82, a dispersing sheet 83 as a plate like permeable light guide member superposed on the surface of the display panel 82, and a protective sheet 84 superposed on the dispersing sheet 83. - 特許庁

この光源装置1からの反射光52は、盤面1の表面に到達すると、盤面1の表面に形成される拡散面によって拡散して反射する。例文帳に追加

When the reflection light 52 from the light-source device 11 reaches the surface of the board surface 1, the reflection light diffuses with a diffusion surface formed on the surface of the board surface 1 and is reflected. - 特許庁

この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。例文帳に追加

The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy. - 特許庁

例文

詳細には、例えばガードリング部105の表面から重金属を拡散させ、ガードリング部105の内側のP層104の表面からは重金属を拡散させない。例文帳に追加

More specifically, as an example, heavy metal is diffused from the surface of the guard ring 105 and is not diffused from the surfaces of the p layers 104 inside the guard ring 105. - 特許庁

例文

あるいは、例えばガードリング部105の内側に配列されたP層104の表面の一部から重金属を拡散させ、ガードリング部105の表面からは重金属を拡散させない。例文帳に追加

Or, as another example, heavy metal is diffused from part of the surfaces of the p layers 104 arranged inside the guard ring 105, and is not diffused from the surface of the guard ring 105. - 特許庁

トランジスタ拡散層24の表面にシリサイド膜25を形成する工程に先だって、トランジスタ拡散層24の表面をリセスエッチングする。例文帳に追加

Prior to a process that forms a silicide film 25 on the surface of a transistor diffusion layer 24, the surface of the transistor diffusion layer 24 is subjected to recess etching. - 特許庁

凸凹パターンは、拡散板の表面から所定深さに陥没した凹形状を有するか、又は、拡散板の表面から所定高さに突出された凸形状を有する。例文帳に追加

The uneven patterns have the recess shape caved by a predetermined depth from the surface of the diffusion plate, or the projection shape projecting by a predetermined height from the surface of diffusion plate. - 特許庁

P型シリコン基板1の表面にNウエル2を形成し、Nウエル2の表面にN^+拡散領域3(Nウエル電位制御用電極)及びP^+拡散領域4(アノード)を形成する。例文帳に追加

An N-well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1, and an N^+-diffusion area 3 (N-well potential control electrode) and P^+-diffusion area 4 (anode) are formed on the surface of the N-well. - 特許庁

表面が(111)面の基板を用いた場合は表面が(001)面であるシリコン基板を用いた場合の酸素拡散係数の100分の1未満であり酸素拡散が抑制される。例文帳に追加

The oxygen diffusion coefficient, when a substrate having the surface which is the face (111) is used is smaller than one hundredth of the oxygen diffusion coefficient, when a silicon substrate with the surface which is the face (001) is used and an oxygen diffusion in the substrate with a surface with which the face (110) is suppressed. - 特許庁

おむつ表面における吸収速度を高め、拡散シートにおける拡散性を高めることにより、表面の濡れと逆戻り防止を図って、排泄後の不快感を軽減した吸収性物品を提供する。例文帳に追加

To provide an absorbent article wherein the surface is prevented from being wetted and going backward is prevented from occurring and unpleasant feeling after excretion is reduced by improving absorbing speed on the surface of a diaper and improving diffusion properties in a diffusion sheet. - 特許庁

ここで、前記レーザ光線の照射密度を光源に近い拡散板4の表面程大きくし光源から遠い拡散板4の表面程小さくするようにする。例文帳に追加

In this case, the radiation density of the laser beam is made higher on the surface of the diffusion plate 4 placed closer to a light source, and is made lower on the surface of the diffusion plate 4 placed away from the light source. - 特許庁

フィルム基材56の一方の面に拡散層57を有する拡散フィルムであって、拡散層57は、拡散剤55が混入している紫外線硬化型樹脂層であり、かつ転写シートより転写された微細凹凸形状を表面58に有し、可視光を20°で入射したときの鏡面反射率が10〜70%であることを特徴とする拡散フィルム。例文帳に追加

The diffusing film has a diffusing layer 57 on one surface of a film base material 56 and the diffusing layer 57 is an ultraviolet-ray setting resin layer with which a diffusing agent 55 is mixed and has a finely uneven surface 58 transferred with a transfer sheet and a 10 to 70% mirror surface reflection factor when visible light is made incident at 20°. - 特許庁

たとえば、P^+ 型ソース拡散層22とNウェル領域12とが同電位になるPチャネルMOSトランジスタにおいては、Nウェル領域12の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層22と、ソース拡散層22とは異種拡散領域となるN^+ 型基板拡散層23とを形成する。例文帳に追加

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region. - 特許庁

半導体装置10は、第1導電型の半導体基板21と、第1導電型の第1の拡散層22と、第1の拡散層22の内部に形成された第2導電型の第2の拡散層23と、第2の拡散層23の表面に選択的に形成され第1導電型の第3の拡散層27とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23. - 特許庁

金属部材同士を液相拡散接合する際に用いる液相拡散接合用金属部材であって、該液相拡散接合用金属部材の液相拡散接合面に、インサート金属が固定されると共に、該インサート金属の表面が樹脂層で被覆されてなることを特徴とする液相拡散接合用金属部材。例文帳に追加

The metal member for liquid phase diffusion joining is used for liquid phase diffusion joining of metal members together and is characterized in that the insert metal is fixed on the liquid phase diffusion joining face of the metal member for liquid phase diffusion joining, and the surface of the insert metal is coated with resin layer. - 特許庁

(a)透明な基材層2と、この基材層2の表面側に積層された光拡散層12とを備え、(b)この光拡散層12が、バインダー5と、このバインダー5中に分散する光拡散剤6とを有しており、(c)この光拡散剤6として負に帯電したものが用いられている光拡散シート1である。例文帳に追加

The light diffusion sheet 1 has (a) a transparent base material layer 2 and a light diffusion layer 12 laminated on the top surface side of the base material layer 2 and is characterized by that (b) the light diffusion layer 12 has a binder 5 and a light diffusing agent 6 dispersed in the binder 5 and (c) the light diffusion agent 6 is electrostatically charged to the negative polarity. - 特許庁

そして、第1拡散領域3および第2拡散領域4の外周部にn^−形半導体層2の表面からp形半導体基板に達するp形のアイソレーション拡散領域5が形成され、第1拡散領域3とアイソレーション拡散領域5とが接続電極6により電気的に接続されている。例文帳に追加

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6. - 特許庁

高温の条件でもニッケル(Ni)の拡散を防ぎ、金(Au)層の表面状態を良好に保つことのできる金属体の表面構造を提供する。例文帳に追加

To prevent the diffusion of nickel (Ni) even under high temperature conditions, and to satisfactorily maintain the surface condition of a gold (Au) layer. - 特許庁

シリコン基板1の表面部にソース/ドレイン拡散層(14,15)を形成し、その表面にシリサイド層17を形成する。例文帳に追加

Source/drain diffusion layers (14, 15) are formed on the surfaces of a silicon substrate 1, and a silicide layer 17 is formed on the surface thereof. - 特許庁

そして、露出した拡散領域4表面及びベース取り出し電極16表面にコバルトシリサイド膜21を形成する。例文帳に追加

A cobalt silicide film 21 is formed on the surface of diffusion region 4 and that of base taking-out electrode 16 which are exposed. - 特許庁

炭素を表面中に拡散させて炭化物を形成するために、表面を炭素含有ガスに接触させる。例文帳に追加

The surface is contacted with a carbon-containing gas to diffuse carbon into the surface to form carbides. - 特許庁

電気絶縁体材料(静電気拡散性や導電性の表面処理がなされているものを含む)の表面抵抗値を非接触で測定する。例文帳に追加

To measure a surface resistance value of an electric insulation material (including a material performing electrostatic diffusion or conductive surface treatment) in non-contact. - 特許庁

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。例文帳に追加

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles. - 特許庁

この工程により、シリコンウェーハの内部の金属原子は外方拡散してシリコンウェーハ表面に出てその表面部に凝集する。例文帳に追加

By the above process, metal atoms in the inside of the silicon wafer are outwardly diffused, so that they appear on the surface of the silicon wafer and aggregate on the surface. - 特許庁

燐のようなドーパントを添加すると、導電性材料の表面が安定化され、表面拡散率が低下する。例文帳に追加

When the dopant such as phosphorus is added, the surface of the electrically conductive material is stabilized, and the surface diffusing ratio is made low. - 特許庁

また、表面にレリーフを有し、表面レリーフ材料を含有してなる光拡散フィルム製造原型用のフィルムである。例文帳に追加

Further a film for a light diffusing film manufacturing master mold having the relief at its surface and comprising the surface relief material is provided. - 特許庁

次いで、熱処理を施してガラス表面に前記抗菌剤を拡散させるとともに、ガラス表面をイオン交換強化する。例文帳に追加

Next, the glass is heat-treated to diffuse the antibacterial agent into the surface of the glass and to simultaneously temper the surface of the glass by ion exchange. - 特許庁

円柱体15、下蓋33、拡散板43、スカート等の形成部材の各表面を、フッ化表面層FSで被膜した。例文帳に追加

Surfaces of members for forming a cylinder 15, a lower lid 33, a diffusion plate 43, and a skirt are each covered with a fluoride surface layer FS. - 特許庁

拡散層30の端部31表面と触媒層20の端部21表面とが密着することで層間空隙の体積をゼロとさせている。例文帳に追加

The surface of the end 31 of a diffusion layer 30 adheres to the surface of the end 21 of a catalyst layer 20 to make the volume of an interlayer air gap zero. - 特許庁

表面凹凸形成方法、それにより得られる光学フィルム、拡散反射板及び表面凹凸フィルム例文帳に追加

SURFACE UNEVENNESS FORMING METHOD, OPTICAL FILM OBTAINED BY THE SAME, DIFFUSE REFLECTIVE PLATE, AND FILM HAVING UNEVENNESS ON SURFACE - 特許庁

表面弾性波マッチドフィルタ及び表面弾性波部品及びそれを用いたスペクトラム拡散通信装置例文帳に追加

SURFACE ACOUSTIC WAVE MATCHED FILTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE PART AND SPECTRUM SPREAD COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME - 特許庁

これにより、アンカー部材の表面は、Al層74、合金層76、及びAl拡散層78とからなる表面層72を形成することができる。例文帳に追加

Thus, a surface of the member can be formed with a surface layer 72 made of the layer 74, the layer 76 and an Al diffused layer 78. - 特許庁

膜厚を考慮した解析モデルを組み込んだ表面加熱・表面測温型の薄膜熱拡散率測定装置を構築する。例文帳に追加

To provide a thin film thermal diffusivity measuring device of a surface heating/surface temperature measuring type, into which an analysis model that takes into consideration the film thickness is incorporated. - 特許庁

表面凹凸形成方法、それにより得られる光学フィルム、拡散反射板及び表面凹凸フィルム例文帳に追加

SURFACE UNEVENNESS FORMING METHOD, OPTICAL FILM OBTAINED THEREBY, DIFFUSE REFLECTIVE PLATE, AND FILM HAVING SURFACE UNEVENNESS - 特許庁

これにより、雰囲気中の酸素が基板1の表面拡散して基板1の表面に剥離しやすい改質層5が形成される。例文帳に追加

Consequently, oxygen in the atmosphere is diffused on a surface of the substrate 1 to form a modified layer 5 which is easy to peel on the surface of the substrate 1. - 特許庁

次に、検査すべき表面拡散光を照射し、該表面からはね返った放射を位置解析画像処理手段に供給する。例文帳に追加

Thereafter, the surface to be inspected is irradiated with diffused rays and the radiation reflected by the surface is supplied to the position-analyzing image processing means. - 特許庁

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板1と、上記主表面1aに配置された電極層4と、主表面1aの一部に設けられた多孔質層10とを備え、半導体基板1のうち主表面1aの近傍には不純物が拡散された拡散層3が形成されている。例文帳に追加

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1. - 特許庁

その後、少なくとも、拡散表面と、ゲート電極表面とに、シリサイド層を形成するための材料膜を形成し、熱処理を加えて、拡散表面及びゲート電極表面のSiと、前記材料膜とを反応させてシリサイド層を形成する。例文帳に追加

A silicide layer-forming material film is formed at least on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode, and they are heated for the formation of a silicide layer through reaction between the surface of the diffused layer, Si in the surface of the gate electrode, and the material film. - 特許庁

本発明の酸化物超電導導体用基材10は、金属基材1上に、第1拡散防止層11と、第2拡散防止層12と、第3拡散防止層13と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に設けられてなり、第2拡散防止層12の表面粗さRaが、金属基材1の表面粗さRaよりも低く設定されてなることを特徴とする。例文帳に追加

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1. - 特許庁

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent. - 特許庁

半導体基板10の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域22と、第1の拡散領域22の表面から第1の拡散領域22より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域24とを備える。例文帳に追加

The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity. - 特許庁

拡散シートは、透明な基材層と、この基材層の表面に積層され、バインダー中に樹脂ビーズを有する光拡散層とを備える光拡散シートであって、上記樹脂ビーズとして、高屈折率ビーズが用いられている。例文帳に追加

A light diffusion sheet comprises a transparent base material layer and a light diffusion layer disposed on the surface of this base material layer and having resin beads in a binder, and beads having a high refractive index are used as the resin beads. - 特許庁

ガス拡散電極構成材と銀材を接合する際に、銀微粒子をガス拡散電極構成材及び/又は銀材の接合表面に付着させた後にホットプレスすることを特徴とするガス拡散電極構成材と金属材との接合方法。例文帳に追加

At the time of joining a gas diffusion electrode constituting material and a silver material, silver fine particles 8 are deposited on the joint surface of the gas diffusion electrode constituting material and/or the silver material, and, after that, hot pressing is executed. - 特許庁

例文

本発明の表面処理フィルムは、透光性樹脂と透光性微粒子とを含む光拡散層を有し、当該光拡散層中における透光性微粒子の体積充填率をP(%)、光拡散層の厚さをl(μm)とした場合に、下記の式(1)で規定される線充填指数A(μm)は、4.5以上である。例文帳に追加

The surface processed film includes a light diffusion layer containing a translucent resin and translucent fine particles. - 特許庁

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