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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 表面拡散の意味・解説 > 表面拡散に関連した英語例文

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表面拡散の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2324



例文

熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたAg合金熱拡散制御膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Ag alloy thermal diffusion control film used in a magnetic medium for thermally assisted recording, which maintains a high heat conductivity and has all of a high thermal diffusivity, a smooth surface roughness and a high heat resistance. - 特許庁

ウェハ1の表面2から熱拡散層7を形成し、裏面3からアルカリ溶液による異方性エッチングで熱拡散層7に達するテーパー状の溝12を形成し、この溝12の側壁面13に溝内拡散層21を形成する。例文帳に追加

A heat diffusion layer 7 is formed from a surface 2 of a wafer 1, a tapered trench 12 reaching the heat diffusion layer 7 is formed from a back surface 3 by anisotropic etching with an alkali solution, and a diffusion layer 21 within a trench is formed on a sidewall surface 13 of the trench 12. - 特許庁

高い光透過性、高い光拡散性及び耐熱性を同時に実現することができ、しかも、割れが生じる虞も無く、凹凸形状の表面においても面内均一性に優れた膜を形成することが可能な高透過拡散膜用塗料及び高透過拡散膜を提供する。例文帳に追加

To provide a coating material for a high transmissive diffusion film, which can materialize high optical transparency, high light diffusion and heat resistance concurrently, and which enables a film to be formed, the film having no possibility of causing cracking and excellent in in-plane uniformity even on the surface having a rugged shape, and to provide a high transmissive diffusion film. - 特許庁

アノード側電極38を構成するガス拡散層42aは、カソード側電極40を構成するガス拡散層42bよりも大きい表面積を有し、前記ガス拡散層42aの外周縁部45には、第2シール47bの当接面に対応して予め所定のプレス荷重が付与されている。例文帳に追加

A gas diffusion layers 42a for constituting the anode side electrode 38 has a surface area wider than that of a gas diffusion layer 42b for constituting the cathode electrode 40, and a prescribed press load is imparted preliminarily to an outer circumferential edge part 45 of the gas diffusion layers 42a, corresponding to an abutting face of the second seal 47b. - 特許庁

例文

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、P形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて900〜1150℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する(ボロンデポジション工程)。例文帳に追加

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step). - 特許庁


例文

拡散シート1は、マトリクス樹脂内部に拡散素子を含有して構成される内部拡散シート3において、該シートの少なくとも片側表面における60度光沢度の最大値Gmaxと最小値Gminの比(Gmax/Gmin)が1.1以上であることを特徴とするものである。例文帳に追加

The diffusion sheet 1 has an inner diffusion sheet 3 which comprises diffusion elements in a matrix resin, wherein the ratio (Gmax/Gmin) of the maximum value Gmax to the minimum value Gmin of 60° luminance on half side surface of the sheet is ≥1.1. - 特許庁

その際、導光板3とプリズムシート4との間に拡散シート5を挿入しておき、この拡散シート5により導光板3からの光の拡散を部分的に制御し、導光板3の表面の明暗むらを減衰させる。例文帳に追加

In this case, a diffusion sheet 5 is inserted between the light guiding plate 3 and the prism sheet 4, and diffusion of the light from the light guiding plate 3 is partially controlled by this diffusion sheet 5, in order to damp brightness irregularity of the surface of the light guiding plate 3. - 特許庁

拡散終了時に拡散ウェーハ7の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜42のうち、表層部を除去した残りの部分42bをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ7の主表面上にシリコンエピタキシャル層9を気相成長する。例文帳に追加

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7. - 特許庁

基板の表面から所定の深さまでの領域に第1の導電性不純物が拡散された第1のウェル拡散層と、第1のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第1のダミーパターンとからなる容量素子を有する。例文帳に追加

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film. - 特許庁

例文

この結果、SOI層210の表面にアイランド210の全厚さにわたる深い拡散領域であるP型拡散領域206、208に対するボディ(基板)コンタクト216を備えたFETを形成することができ、拡散領域206、208の下には経路211が残される。例文帳に追加

Consequently, an FET having a body (substrate) contact 216 for deep diffusion regions, i.e., P-type diffusion regions 206, 208, across the total thickness of an island 210 can be formed on the surface of an SOI layer 210 and a passage 211 is left beneath the diffusion regions 206, 208. - 特許庁

例文

防眩性を維持しつつ、画面のギラツキ現象を抑え、かつ表面散乱による白ぼけが殆ど認めらず、像鮮明性のよい光拡散層を有する光拡散性シート、さらには当該光拡散性シートが設けられている光学素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light diffusible sheet having a light diffusing layer having sufficient image definition with which white unsharpness caused by surface dispersion is hardly seen by suppressing the glaring phenomenon of a screen while maintaining an antidazzle characteristic, and to provide an optical element provided with the light diffusible sheet. - 特許庁

表層のP型不純物拡散領域122と隣接してN型不純物拡散領域124が設けられ、これらの拡散領域122,124は、その表面に形成したシリサイド層130を介して信号端子140に接続される。例文帳に追加

An N-type impurity diffusion region 124 is provided adjacent to the surface-layer P-type impurity diffusion region 122, and the diffusion regions 122 and 124 are connected to a signal terminal 140, via a silicide layer 130 that is formed on the surface. - 特許庁

そして、浅い高濃度拡散層19および深い高濃度拡散層22に対応するシリコン基板11の表面部には、それぞれの高濃度拡散層19,22の深さに応じて厚さの異なる二段構造のシリサイド膜23が形成されている。例文帳に追加

On the surface of the silicon substrate 11 corresponding to the shallow high-concentration diffusion layer 19 and the deep high-concentration diffusion layer 22, two-step structure silicide films 23 are formed having different thicknesses corresponding to depths of the high-concentration diffusion layers 19 and 22. - 特許庁

半導体試料の拡散領域の空乏層の状態をSCM により観察する際、試料表面部の拡散領域に実際に印加される電圧条件を一定化し、試料の観察毎、異なる試料構造毎の拡散領域の空乏層の状態を相対的に比較することを可能にする。例文帳に追加

To enable relative comparison of the states of depletion layers of a diffused region, at each different sample structure for each observation of a semiconductor sample by making a voltage condition which is actually applied to a region of the surface of the sample constant, when observing the state of the depletion layer of the diffused region of the sample using an SCM. - 特許庁

冷陰極蛍光管(光源)と、冷陰極蛍光管からの光を拡散する拡散板15を備えた照明装置において、拡散板15の冷陰極蛍光管側の表面15bには、凸部15b1及び凹部15b2が設けられている。例文帳に追加

In the illuminating device which includes a cold-cathode fluorescent tube (a light source) and a diffusing plate 15 for diffusing light from the cold-cathode fluorescent tube, a convex part 15b1 and a concave part 15b2 are arranged on a surface 15b of the diffusing plate 15 on a side of the cold-cathode fluorescent tube. - 特許庁

不純物拡散領域12,13が形成されたN型シリコンウエル領域11の表面を層間絶縁膜15で覆い、この上にN型不純物拡散領域13の境界線まで広げたメタル配線層21を形成し、これをP型不純物拡散領域12に電気的に接続する。例文帳に追加

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12. - 特許庁

この撮像装置の照明系は同軸落射照明として利用され、第1の光拡散板24を、LED22における光出射側のパッケージPの表面Paに密着して固定し、さらに、第2の光拡散板25を、第1の光拡散板24とハーフミラー5との間に配置している。例文帳に追加

An illumination system of the imaging apparatus is utilized as a coaxial vertical illumination, a first light diffusing plate 24 is tightly fixed on a surface of a light-emitting side packet P in an LED 22 and further, a second light diffusing plate 25 is disposed between the first light diffusing plate 24 and a half mirror 5. - 特許庁

拡散剤である拡散元素の拡散量が十分でなく、かつ処理剤の寿命も短く、処理浴が経時変化して硬化層形成にバラツキを生じる等の従来の鉄合金材料の表面処理方法における問題点を解決すること。例文帳に追加

To solve the following problems with a conventional surface treatment method for an iron alloy material: the diffused amount of diffusing elements serving as a diffusing agent is not sufficient and also a treatment agent has a short life, and therefore a treatment bath may change with time to cause a variation in forming a hardened layer. - 特許庁

そのために、半導体基板1の表面の不純物拡散領域4−1、4−2を形成すべき各領域上に、拡散すべき不純物をそれぞれその領域に対応する濃度で含んだ液体2−1、2−2を、インクジェット塗布法によって拡散源として塗布する。例文帳に追加

To this end, liquids 2-1, 2-2 containing impurities to be diffused at the concentrations suitable, respectively, for the regions of the semiconductor substrate 1 for forming the impurity diffusion regions 4-1, 4-2, are applied by an ink jet application method for serving as diffusion sources. - 特許庁

P型シリコン基板101上にN+埋め込み拡散層103およびN型エピタキシャル層102が形成され、N型エピタキシャル層102内には表面領域内のP型拡散層104とN+ドレイン引き出し拡散層106Aが形成されている。例文帳に追加

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、(a)シリコン基板1表面に不純物拡散層5,8を形成する工程と、(b)不純物拡散層のうち第2の不純物拡散層8上に、ニッケルからなる金属膜9を形成する工程とを備える。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device has (a) a process of forming the impurity diffused layers 5, 8 on the surface of the silicon substrate 1, and (b) a process of forming a metal film 9 consisting of nickel on a second impurity diffused layer 8 in the impurity diffused layers. - 特許庁

そして、前記ダクト6内に送気された冷・温風が圧送手段10を介して前記各拡散ガイド部材8に送気されると共に、該拡散ガイド部材8から冷・温風を拡散して排気し、天井4の表面に沿って流す。例文帳に追加

The cold/hot air sent into the duct 6 is sent to each of the diffusion guide members 8 through the pressure-feeding means 10, and the cold/hot air from the diffusion guide members 8 is diffused and discharged to flow along the surface of the ceiling 4. - 特許庁

燃料電池に用いられるガス拡散層の製造方法であって、(A)ガス拡散層基材及び粘着性部材を用意する工程と、(B)ガス拡散層基材の表面から突き出た毛羽を、粘着性シートで除去する工程と、を備える。例文帳に追加

The manufacturing method of the gas diffusion layer used for a fuel cell comprises processes of: (A) preparing a gas diffusion layer base material and an adhesive member; and (B) removing fluff protruded from the surface of the gas diffusion layer base material with an adhesive sheet. - 特許庁

半導体太陽電池基板1の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層3が複数形成され、該高濃度拡散層3の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層2とされてなる。例文帳に追加

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low. - 特許庁

本発明は、高精細なディスプレイ装置にも用いることができるような、数μmピッチ程度の細かいレリーフパターンの拡散板の作成ができるような、一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of unidirectional diffusion plate capable of manufacturing a diffusion plate having a fine relief pattern of the order of several micrometer pitch which can be used also for a high precision display device, and to provide a surface relief type diffusion plate. - 特許庁

N型シリコンウエル領域11の表面に、アノードとなる高濃度のP型不純物拡散領域12と、このP型不純物拡散領域12を囲んでカソードとなる高濃度のN型不純物拡散領域13を形成する。例文帳に追加

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明は、拡散層の一方の表面に触媒が担持されている触媒担持拡散層の製造方法であって、触媒金属コロイド錯体溶液と、上記拡散層の一方の表面とが接触している状態で、上記触媒金属コロイド錯体溶液と接触している側の拡散層の表面を還元し、上記触媒を析出させることを特徴とする触媒担持拡散層の製造方法を提供する。例文帳に追加

This is the manufacturing method of a catalyst carrying diffusion layer in which a catalyst is carried on one surface of a diffusion layer, and in the state that a catalyst metal colloid complex solution and one of the surface of the diffusion layer are in contact, the surface of the diffusion layer on the side in contact with the catalyst metal colloid complex solution is reduced and the catalyst is precipitated. - 特許庁

一導電型半導体基板1の一主面側に他の導電型不純物の拡散層3と表面電極4と多数の微細な突起2を有する太陽電池素子であって、上記表面電極4の下部以外の拡散層3の深さを表面電極4の下部の拡散層3の深さよりも浅くする。例文帳に追加

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4. - 特許庁

透明基材表面に、光拡散性剤として、表面に低次酸化チタン層を有する雲母チタン、表面にチタン系複合酸化物層を有する雲母チタン、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも1種の粉体を含む光拡散層を有することを特徴とする照明用光拡散素材、及びそれを用いた照明機器。例文帳に追加

This light diffusion material for illumination and an illumination appliance using it have on the surface of a transparent substrate a light diffusion layer which contains as a light diffusion agent at least one kind of powder to be selected from titanium mica having a lower-grade titanium oxide layer on the surface, titanium mica having a titanium-based composite oxide layer on the surface and a silicone resin. - 特許庁

本発明のガスタービン部品は、超合金と拡散部分とを含み、拡散部分は超合金の表面からガスタービン部品中に測定して60μm以下の深さを有する。例文帳に追加

A gas turbine component comprises: a superalloy and a diffusion portion having a depth of less than or equal to 60 μm measured from the superalloy surface into the gas turbine component. - 特許庁

次に、アノード側触媒層130a、カソード側触媒層130cの表面に、それぞれ、アノード側ガス拡散層120a、カソード側ガス拡散層120cを、ホットプレス接合する。例文帳に追加

Next, an anode side gas diffusion layer 120a and a cathode side gas diffusion layer 120c are respectively hot-pressed on surfaces of the anode side catalyst layer 130a and the cathode side catalyst layer 130c. - 特許庁

ガス拡散層213aの表面に白金を担持した導電性炭素粒子を含有する触媒層23aを配置しガス拡散電極24aを構成する。例文帳に追加

On the surface of the gas diffusion layer 213a, a catalyst layer 23a containing conductive carbon particles holding platinum is arranged to structure a gas diffusion electrode 24a. - 特許庁

燃料極及び空気極側に、導電性を有しガスを拡散させるガス拡散層が配置され、燃料極及び空気極が、その表面に接触して配置された多孔質の電極触媒層を有する。例文帳に追加

It includes: a conductive gas diffusion layer in each of the fuel cell and air electrodes for gas diffusion; and an porous electrode catalyst layer formed by touching these electrodes to the surface of the diffusion layer. - 特許庁

第2の主面には、表面からn+型バッファ層3が拡散形成され、その後n+型バッファ層3より浅くp+型エミッタ層4が拡散形成されている。例文帳に追加

On a second main surface, an n^+ type buffer layer 3 is diffused and formed from the surface, and a p^+ type emitter layer 4 is diffused and formed more shallowly than the layer 3. - 特許庁

第1拡散板、第2拡散板は、それぞれ、樹脂製の透明な板の液晶表示装置の側と冷陰極管の側の、一方、または、両方の表面に、微小凹凸を形成して作られている。例文帳に追加

Minute ruggedness is formed on either or both of surfaces of sides of the liquid crystal display device of the transparent plate made from resin and the cold cathode tube in the first diffusion plate and the second diffusion plate, respectively. - 特許庁

特定波長に最大吸収をもつ紫外線吸収剤を配合した樹脂層で拡散表面を被覆することによって拡散板の変色を大幅に改善した。例文帳に追加

Discoloring in the diffusion plate is significantly decreased by coating the surface of the diffusion plate with a resin layer in which a UV absorbent having the maximum absorption at a specified wavelength is combined. - 特許庁

コンタクト電極50,51は、層間絶縁膜40の表面からドレイン用拡散層21およびソース用拡散層22に達するコンタクトホール内に形成されている。例文帳に追加

Contact electrodes 50 and 51 are formed in contact holes reaching the drain and source diffusion layers 21 and 22 from a surface of the film 40. - 特許庁

また、酸化物半導体7の表面を含むセラミック基板3の全周には、雰囲気から酸化物半導体7に至るガスの拡散を制御する拡散制御層9が設けられている。例文帳に追加

Further, a diffusion control layer 9 for controlling the diffusion of gas reaching the oxide semiconductor 7 from the atmosphere is provided at the entire periphery of the ceramic substrate 3 including the surface of the oxide semiconductor 7. - 特許庁

導光板9は、その表面拡散層12を有し、この拡散層12によって、液晶表示パネル2に向かう光の輝度むらが少なくなる。例文帳に追加

The light guide plate 9 has a diffusion layer 12 on its top surface and this diffusion layer 12 reduces unevenness in the luminance of the light traveling to the liquid crystal display panel 2. - 特許庁

パイルの拡散性を向上させることができ、その結果、ワークの表面にパイルをより均一に植毛することができる静電植毛パイル拡散ノズルを提供すること。例文帳に追加

To provide an nozzle for diffusing electrostatic flocking piles which can improve the diffusibility of piles, thereby uniformly flocking the piles on the surface of a work. - 特許庁

LEDアレイ24が発光することにより、この光が棚本体10の内部に導かれ、棚本体10の表面12にある光拡散部14から上方に拡散される。例文帳に追加

As the LED array 24 emits light and the light is guided inside the shelf body 10 and diffused upward from a light diffusion part 14 on the surface 12 of the shelf body 10. - 特許庁

本発明の燃料電池用電極は、導電性粉末及び電極基材を含む拡散層と、前記拡散層に形成された触媒層を含み、前記電極基材の内部及び表面に導電性粉末が存在する。例文帳に追加

The fuel cell electrode includes a diffusion layer having electrical conductive powder and an electrode base material, and a catalyst layer formed in the diffusion layer, wherein the electrical conductive powder presents inside and on the surface of the electrode base material. - 特許庁

撥水剤でコーティングされてなるカーボン粒子と、撥水剤粒子とを含むカーボン撥水層をガス拡散基材表面に有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。例文帳に追加

The gas diffusion layer has carbon water repellent layer containing carbon particles coated by a water repellent agent and particles of water repellent agent on the surface of a gas diffusing base material. - 特許庁

Ni拡散メッキ層が軟質でプレス加工時の塑性加工性,加工後の耐食性に優れ、更に、優れた光沢度のミラーブライト表面を有するNi拡散メッキ鋼板を提供することである。例文帳に追加

To provide an Ni diffusion plated steel sheet with a soft Ni diffusion plated layer having excellent plastic workability in press working and corrosion resistance after the working and further having a mirror bright surface with an excellent glossiness. - 特許庁

レンズシートは、光拡散シートに対面しない側に突出した複数のレンズ部34を有し、前記光拡散シートに対面する側に平滑な表面30aを形成されている。例文帳に追加

The lens sheet has a plurality of lens parts 34 protruding on the side not opposing to the light diffusing sheet and has a smooth surface 30a on the opposing side to the light diffusing sheet. - 特許庁

アンドープMgZnO層の次の窒素ドープMgZnO層で、拡散してきたGaの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープMgZnO層の上層にGaは拡散していない。例文帳に追加

In the nitrogen-doped MgZnO layer next to the undoped MgZnO layer, the density of diffused Ga abruptly decreases toward a surface side and the Ga is not diffused to the upper layer of the nitrogen-doped MgZnO layer. - 特許庁

単結晶シリコン基板51の表面上にN型またはP型の不純物拡散層52を形成する際に、不純物拡散層52中の不純物濃度を適宜設定する。例文帳に追加

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined. - 特許庁

ゲート電極30の下の基板表面には、ソース拡散層34とドレイン用ウエル26との間に拡散層領域32が存在し、その領域がチャネル領域となる。例文帳に追加

The diffusion layer region 32 exists between the source diffusion layer 34 and a well 26 for the drain on a substrate surface under the gate electrode 30, and the region becomes a channel region. - 特許庁

また、Pウエル7の表面に夫々複数個のN^+拡散領域13(カソード)及びP^+拡散領域14(ベース電極)を交互に配列する。例文帳に追加

In addition, pluralities of n^+-type diffusion regions 13 (cathodes) and p^+-type diffusion regions 14 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the p-type well 7. - 特許庁

例文

本発明は、光拡散性を容易に制御でき、外観性やレンチキュラーレンズシートとの接着性に優れた表面を有する光拡散板およびそれを用いた透過型スクリーンを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an optical diffusion sheet capable of easily controlling optical diffusibility and having a surface excellent in appearance and adhesiveness to a lenticular lens sheet and to provide a transmission screen using the optical diffusion sheet. - 特許庁

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