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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 表面拡散の意味・解説 > 表面拡散に関連した英語例文

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表面拡散の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2324



例文

不純物拡散領域は、主表面側に金属シリサイド膜46を有している。例文帳に追加

The impurity diffusion region has a metal silicide film 46 on the major surface side. - 特許庁

表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。例文帳に追加

Disclosed is a method for measuring the minority carrier diffusion length in the silicon wafer by a surface photovoltage method. - 特許庁

拡散層45の凹凸形状の表面が出光面42を形成する。例文帳に追加

The surface having a face of fine ruggedness of the light diffusion layer 45 forms the light output face 42. - 特許庁

物質Xは、表面(即ち、M^1X)から除去されるか、又は拡散によりケア材料から抽出される。例文帳に追加

The substance X is either removed from the surface (i.e. M^1X) or by means of diffusion extracted from the care material. - 特許庁

例文

コントラストの高い表面拡散タイプの透過型プロジェクションスクリーンを提供すること。例文帳に追加

To provide a transmission type projection screen of a surface diffusion type having high contrast. - 特許庁


例文

その後、ソース/ドレイン拡散層22a,22bの表面をシリサイド化するように構成されている。例文帳に追加

Then, a surface of the source/drain diffusion layers 22a, 22b is turned to silicide. - 特許庁

表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できた三次元構造体を得る。例文帳に追加

To obtain a three-dimensional structural body, wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface. - 特許庁

反射板15は、表面が所定角度を持って傾斜配置された拡散反射面15Aを有する。例文帳に追加

The reflector 15 has a diffuse reflector 15A the surface of which has a predetermined angle of inclination to be inclined and located. - 特許庁

局部加熱による被覆・積層処理剤の拡散浸透表面改質プロセス例文帳に追加

SURFACE MODIFICATION PROCESS BY DIFFUSION/PENETRATION OF COATING AND STACKING TREATMENT AGENT DEPENDING ON LOCAL HEATING - 特許庁

例文

また、この基材シート層2の表面側に積層される光拡散層12を備える。例文帳に追加

Also the reflection sheet 11 is provided with a light diffusion layer 12 laminated on the front surface side of the base material sheet layer 2. - 特許庁

例文

その結果、小径部32の表面拡散層及び濃度変化部35が形成される。例文帳に追加

As a result, on the surface of the small diameter part 32, a diffusion layer and a concentration-changing part 35 are formed. - 特許庁

上記拡散層(膜)と、その表面に設けられた触媒層とを有する電極。例文帳に追加

This electrode comprises unbaked polytetrafluoroethylene (PTFE), a diffused film containing baked PTFE and a conductive material, and a catalyst layer formed on a surface of the diffused layer (the film). - 特許庁

第1の不純物拡散領域13は、下地基板の表面までは達していない。例文帳に追加

The first impurity diffusion region 13 does not reach a surface of the underlying substrate. - 特許庁

本発明の光拡散シートは、透明な基材層とこの基材層の表面側に積層される光拡散層とを備え、この光拡散層が樹脂製のビーズと樹脂製のバインダーとを有する光拡散シートであって、光拡散層の表面に部分球体状の凸部を散点的に有することを特徴とする。例文帳に追加

The optical diffusion sheet is equipped with a transparent base material layer and an optical diffusion layer to be layered on the front side of the base material layer, and the optical diffusion layer has beads made of resin and a binder made of resin, and it has partial spherical projecting parts dispersedly on the surface of the optical diffusion layer. - 特許庁

N型拡散層12の表面におけるP型拡散層13とN型ドレイン拡散層17との間に形成されるシリコン酸化膜19を、N型拡散層12の表面に対して上側(V型拡散層12の外側)に形成し、然も外周部における傾斜面の傾斜角を3°よりも大きく且つ30°よりも小さく形成している。例文帳に追加

A silicon oxide film 19 is formed on the upper surface of an N type diffusion layer 12 (outside of the V shaped diffusion layer 12) between a P type diffusion layer 13 and an N type drain diffusion layer 17 on the N type diffusion layer 12, and the outer periphery of the silicon oxide film has tilted angles not smaller than 3 degrees and not larger than 30 degrees. - 特許庁

レジストが塗布されたシリコン基板の表面にリン原子を拡散させて拡散層を形成する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の温度をレジストの変質温度よりも低く保ちながら拡散層を形成する拡散層形成工程と、形成した拡散層の表面にプラズマ励起ガスを供給して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有する。例文帳に追加

The method is for manufacturing the semiconductor device for forming a diffusion layer by diffusing the phosphorus atom on the surface of the silicon substrate with a resist coated, and has steps of forming the diffusion layer, keeping the temperature of the silicon substrate lower than the alteration temperature of the resist, and forming an oxide film by supplying a plasma excitation gas on the surface of the formed diffusion layer. - 特許庁

ガス拡散層と触媒層とを積層したガス拡散電極において、前記ガス拡散層と前記触媒層は有孔性樹脂を備え、前記触媒層のガス拡散層と接していない表面には有孔性樹脂が存在しないようにする。例文帳に追加

With the gas diffusion electrode which has a gas diffusion layer and a catalyst layer laminated, the gas diffusion layer and the catalyst layer are equipped with porous resin, and the part of the surface of the catalyst layer which in not in contact with the gas diffusion layer is kept away from the perforated resin. - 特許庁

パワーMOSFETの形成された半導体基板12において、パワーMOSFETのドレイン領域を構成するN形拡散領域(ドリフト層)22の表面にP形の第1拡散領域28、第2拡散領域29及び第3拡散領域30を形成する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET. - 特許庁

通信相手から送信されるパイロット光を受光する受光部の保護カバー18と受光素子10の間に拡散性の透過拡散膜20を配するか、あるいは保護カバーを透過拡散性を有する部材で構成するか、さらにあるいは保護カバーの表面拡散性の処理を施すようにした。例文帳に追加

A spreading transparent diffusion film 20 is disposed between a cover protector 18 and a light-receiving element 10 in a light-receiving section that receives pilot light transmitted from a communicating party, or the cover protector is comprised of a member with a transparent diffusion property, further or spreading treatment is applied onto a surface of the cover protector. - 特許庁

AlGaInP発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer. - 特許庁

高輝度且つ高光拡散の性能を発揮しつつ、これら光拡散性シートを用いて液晶ディスプレイのバックライトを構成する取り扱いの際に、その光拡散層の凹凸表面に傷が入り難い、光拡散性シートを提供する。例文帳に追加

To provide a light-diffusing sheet exhibiting high luminance and high light-diffusing performance and hardly damaged on the rough surface of the light-diffusing layer of the sheet when the sheet is used and handled to constitute the back light of a liquid crystal display. - 特許庁

拡散剤の分散性が高く、表面の凹凸高さの制御が容易かつ確実な光拡散シート、この光拡散シートを用いたバックライトユニット、及び、この光拡散シートの製造方法の提供を目的とするものである。例文帳に追加

To provide a light diffusion sheet which has high dispersiveness of a light diffusing agent and can have its surface unevenness height easily controlled, a back light unit which uses the light diffusion sheet, and a manufacturing method for the light diffusion sheet. - 特許庁

導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域の疎水性が前記領域に隣接して存在する前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域の疎水性よりも高いことを特徴とするガス拡散層。例文帳に追加

In the gas diffusion layer consisting of a conductive porous body and a hydrophobic material, a hydrophobicity of at least a part of an area on the surface of the gas diffusion layer is to be higher than that at least a part of an area inside the gas diffusion layer existing in adjacency to the former area. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。例文帳に追加

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony. - 特許庁

すなわち、蛍光ランプ2の前方に樹脂からなる拡散板4を配置し拡散板4の前面に光学シート5を配置したバックライト装置において、拡散板4の蛍光ランプ2側の片面にレーザ光線を照射して拡散表面を白化処理する。例文帳に追加

That is, in the backlight device in which the diffusion plate 4 of the resin is disposed in front of the fluorescent lamp 2 and an optical sheet 5 is disposed on the front face of the diffusion plate 4, the surface of the diffusion plate is whitened by radiating the laser beam to one side of the diffusion plate 4 on the fluorescent lamp 2 side. - 特許庁

底面が三角形である略三角錐形状の凸部が表面に複数形成された光拡散板14と、拡散シート面に垂直に光線を入射した場合の出射光の拡散角度が60°以上である拡散シート15と、を備えた光線制御ユニット。例文帳に追加

A light beam control unit includes a light diffusion plate 14 in which plural protrusions of substantially triangular-pyramid shapes with triangle bottom surfaces are formed on the surface thereof, and a diffusion sheet 15 in which the diffusion angle of emission light is equal to or more than 60° if light beam is incident perpendicularly to a diffusion sheet surface. - 特許庁

表面シート2と、光反射・拡散層としての上部光反射・拡散層3と、導光部材としてのスペーサ4と、光反射・拡散層としての下部光反射・拡散層5と、発光素子8を実装した回路体6と、筐体7と、を外側から順に備えて構成する。例文帳に追加

The switch comprises, in order from the exterior, a surface sheet 2, an upper light refection/diffusion layer 3 as a light reflection/diffusion layer, a spacer 4 as a light guide member, a lower light reflection/diffusion layer 5 as a light reflection/diffusion layer, a circuit 6 mounted with a light emitting device 8, and a casing 7. - 特許庁

光透過性フィルム基材51の一方の面に光拡散層を設けた光拡散フィルムであって、該光拡散フィルム51の入射面の最表面に該光透過性フィルム基材よりも屈折率が低い低屈折率層53を形成して光拡散フィルム50とする。例文帳に追加

A light diffusing film 50 is provided with a light diffusing layer at one surface of a light transmission film substrate 51, and a low refractive index layer 53 whose refractive index is smaller than that of the film substrate 51 is formed at a topmost surface of a plane of incidence of the light diffusing film 51. - 特許庁

炭素材料を含有する拡散層基材2と、該拡散層基材2の表面に形成された撥水層3と、を有し、撥水層3に、炭素材料及び撥水性樹脂が含有され、拡散層基材2及び撥水層3に、熱水処理が施されている、ガス拡散層1とする。例文帳に追加

This gas diffusion layer 1 includes a diffusion layer base material 2 containing a carbon material, and a water-repellent layer 3 formed on a surface of the diffusion layer base material 2, wherein a carbon material and a water-repellent resin are included in the water-repellent layer 3, and a hot-water treatment is applied to the diffusion layer base material 2 and the water-repellent layer 3. - 特許庁

先ず、ステップS1〜S3により、ガス拡散電極1の触媒層4を撥水処理前のガス拡散層2の表面に形成し、次いで、ステップS4〜S6により、触媒層4を除くガス拡散層2を撥水処理してガス拡散電極1を形成する。例文帳に追加

Firstly, a catalyst layer 4 of a gas diffusion electrode 1 is formed on the surface of a gas diffusion layer 2 before a water repellent treatment by steps S1 to S3 and then a gas diffusion electrode 1 is formed by carrying out the water repellent treatment on the gas diffusion layer 2 excluding the catalyst layer 4 by steps S4 to S6. - 特許庁

エピタキシャル層7の表面から一定の深さにかけて、導電型がN型である複数の第1拡散層25、導電型がP^+型である複数の第2拡散層26、導電型がN型である第3拡散層8、および導電型がP^+型である第4拡散層11が形成されている。例文帳に追加

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth. - 特許庁

複合光拡散板は、透明熱可塑性樹脂に微粒子群を分散させた光拡散板または透明支持体上に、透光性樹脂に微粒子群を分散させた光拡散層および該光拡散層の表面を被覆する微粒子群が直接または透明フィルムを介して形成されている。例文帳に追加

Regarding the complex light diffusing plate, a light diffusing layer with the particulate groups dispersed in the translucent resin and the particulate groups covering the surface of the light diffusing layer are formed on the light diffusing plate with the particulate group dispersed in a transparent thermoplastic resin or on a transparent support body directly or through the transparent film. - 特許庁

面取り工程によって、面取りされた拡散ウェーハが、枚葉片面エッチング工程によって、拡散ウェーハの非拡散層の表面21aの各部にエッチング液32を均一に供給されて、拡散ウェーハの片面21aが枚葉でエッチングされる。例文帳に追加

The diffused wafer having been beveled in a beveling stage has one surface 21a etched in sheet form in a sheet one-surface etching stage, by uniformly supplying an etchant 32 to respective parts of the surface 21a of a non-diffused layer of the diffused wafer. - 特許庁

ガラス製の基材と、該基材表面に形成される拡散層と、からなる直下型液晶バックライト用拡散板であって、前記拡散層は、平均粒径5μm〜40μmの球状ビーズを含んだ組成物を用いて形成されることを特徴とする直下型液晶バックライト用拡散板。例文帳に追加

The diffusion plate for direct type liquid crystal backlight comprises a glass substrate and a diffusion layer formed on the substrate surface, wherein the diffusion layer is formed by using a composition including spherical beads of average particle size 5μm to 40μm. - 特許庁

表面の溝の深さが2μm以上20μm以下であるような、表面レリーフ型の拡散板で、直線状の可干渉性のある光を拡散板に照射して、そのときに生じるスペックルパターンを用いて作成することを特徴とする一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板である。例文帳に追加

In the manufacture method of unidirectional diffusion plate, the unidirectional diffusion plate is manufactured by utilizing a speckle pattern formed when the surface relief type diffusion plate having groove depth of ≥2 μm and ≤20 μm on the surface is irradiated with the light of linear coherence. - 特許庁

基材上に50℃ないし120℃の軟化点を有する樹脂または油脂成分を含有する画像拡散受容層形成材料を用いて画像拡散受容層のパターンを形成し、その後、基材表面及び画像拡散受容層表面上に画像を形成する。例文帳に追加

The method for forming the special image comprises the steps of forming a pattern of an image diffusion receiving layer by using an image diffusion receiving layer forming material containing a resin having a softening point of 50°C to 120°C or components of fats and oils on the base material, and thereafter forming the image on the surface of the base material or the receiving layer. - 特許庁

上記の構造を有する表面型ダイオード100dは、n導電型不純物拡散領域12およびp導電型不純物拡散領域13の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなESD耐量を持つように設計することができる。例文帳に追加

The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13. - 特許庁

測定対象の空間内から被測定ガスが第1電極60の表面拡散するための時間に比して、被測定ガスが第2電極78の表面拡散するための時間が短くなるように核酸抵抗層56や拡散孔54を設ける。例文帳に追加

A diffusion resisting layer 56 and a diffusion hole 54 are provided for making shorter the time for the measured gas to diffuse over the surface of the electrode 78 than the time for the measured gas to diffuse over the surface of the electrode 60 from within the space to be measured. - 特許庁

内部拡散で得られる視野角等の光学特性と微細凹凸表面拡散面で得られる外光の写り込みが少なくコントラストにも優れた表面処理を施され、かつハードコート、防汚、帯電防止効果を有する、拡散フィルムを提供すること。例文帳に追加

To provide a diffusing film which has its surface processed to have superior optical characteristics of a viewing angle etc., obtained by internal diffusion and a superior contrast by less reflection of external light obtained by a finely uneven surface diffusing surface, and also has a hard coat, antifouling and antistatic effects. - 特許庁

配線板14と、配線板上に配置された複数の点状光源16と、点状光源と対向するように配置された光拡散表面板26とを具備し、点状光源と光拡散表面板との間に光拡散中層板またはシート34が配置されたライトボックス10とする。例文帳に追加

The light box 10 includes a wiring board 14, a plurality of dotted light sources 16 arranged on the wiring board, a light-diffusing surface plate 26 disposed opposite to the dotted light sources, and a light-diffusing middle-layer plate or a sheet 34 disposed between the dotted light sources and the light-diffusing surface plate. - 特許庁

半導体基板の表面上にp型ドーパントまたはn型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。例文帳に追加

A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

積層型チップバリスタ1のバリスタ素体11には、その外表面側からLiが拡散されており、バリスタ素体11の外表面近傍のLiが拡散された領域は電気抵抗が極めて高い。例文帳に追加

Li is dispersed on a varistor element body 11 of the stacked chip varistor 1 from its external surface side, and a region where Li is dispersed near the external surface of the varistor element body 11 has a very high electric resistance. - 特許庁

抵抗制御膜11と基板10との間に、可動イオン拡散防止膜17を基板10の表面上に成膜して介在させ、抵抗制御膜11の表面には、可動イオン拡散防止膜18を成膜する。例文帳に追加

A diffusion preventing film 17 for movable ions is formed to be present between the resistance controlling film 11 and the substrate 10, and a diffusion preventing film 18 for movable ions is deposited on the surface of the resistance controlling film 11. - 特許庁

ガス拡散層の表面が疎水性官能基を有する分子鎖により表面修飾され、該分子鎖がグラフト処理により形成されている、固体高分子形燃料電池用ガス拡散層。例文帳に追加

In this gas diffusion layer for the solid polymer fuel cell, a surface of the gas diffusion layer is surface-modified with molecular chains each having a hydrophobic functional group, and the molecular chains are formed by graft treatment. - 特許庁

導電性被覆層6は、ガス拡散層基材8の表面から内部に浸透した浸透部6aと、ガス拡散層基材8の表面上に形成された被覆部6bからなる。例文帳に追加

The conductive covering layer 6 consists of a permeation portion 6a permeated inside from the surface of the gas diffusion layer substrate 8 and a covered portion 6b formed on the surface of the gas diffusion layer substrate 8. - 特許庁

半導体基板1に拡散層2を形成し、拡散層2の表面のコンタクトホール4の形成領域を除いた表面に絶縁膜3を形成する(a)。例文帳に追加

A diffusion layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, and an insulating film 3 is formed on the surface of the diffusion layer 2 except on a region where a contact hole 4 is formed (a). - 特許庁

固体電解質膜16の表面に接触された電極層17の表面にガス拡散層19を接触し、ガス拡散層19とセパレータ23との間にガス流路形成部材21を介在する。例文帳に追加

A gas diffusion layer 19 is brought into contact with a surface of an electrode layer 17, contacting with a surface of a solid electrolyte membrane 16, and the gas flow passage forming member 21 is interposed between the gas diffusion layer 19 and a separator 23. - 特許庁

トナー付着量が変動した場合でも、表面拡散光を精度よく測定することで、表面拡散光を用いた定着条件制御を高精度に行う。例文帳に追加

To accurately perform control of a fixing condition using surface diffused light by accurately measuring the surface diffused light even when a toner adhesion amount is varied. - 特許庁

表面にベース拡散層6及び高濃度ベース拡散層7が形成された半導体基板1の表面上に絶縁膜8を成長させる。例文帳に追加

A base diffusion layer 6 and a high-density base diffused layer 7 are formed on the face of a semiconductor substrate 1, and an insulating film 8 is grown on the surface thereof. - 特許庁

例文

この後、焼結磁石体を加熱し、表面から金属元素Mを焼結磁石の内部に拡散させ、また、表面から重希土類元素RHを焼結磁石体の内部に拡散させる。例文帳に追加

Then the sintered magnet body is heated to diffuse the metal element M into the sintered magnet from the surface and also to diffuse the heavy rare-earth element RH into the sintered magnet body from the surface. - 特許庁

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